JP2002344277A - 圧電振動デバイス用パッケージ - Google Patents
圧電振動デバイス用パッケージInfo
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧電振動素子の特性を劣化させることなく、
セラミックパッケージの反りに対する封止強度を向上さ
せたより信頼性の高い、低背化が容易な圧電振動デバイ
ス用パッケージを提供する。 【解決手段】 圧電振動素子３を搭載するセラミック基
体１と、搭載した圧電振動素子を気密封止し、断面が逆
凹形に開口したセラミック蓋２とを具備してなる圧電振
動デバイス用パッケージであって、前記蓋には、前記圧
電振動素子の搭載スペースと接触せず、蓋の下端部から
上端部にかけて突き抜ける溝２２，２３が形成されてい
るとともに、当該蓋の溝の内部に封止材Ｇ１の一部がく
い込んだ状態で、セラミック基体とセラミック蓋とが気
密封止されてなる。
セラミックパッケージの反りに対する封止強度を向上さ
せたより信頼性の高い、低背化が容易な圧電振動デバイ
ス用パッケージを提供する。 【解決手段】 圧電振動素子３を搭載するセラミック基
体１と、搭載した圧電振動素子を気密封止し、断面が逆
凹形に開口したセラミック蓋２とを具備してなる圧電振
動デバイス用パッケージであって、前記蓋には、前記圧
電振動素子の搭載スペースと接触せず、蓋の下端部から
上端部にかけて突き抜ける溝２２，２３が形成されてい
るとともに、当該蓋の溝の内部に封止材Ｇ１の一部がく
い込んだ状態で、セラミック基体とセラミック蓋とが気
密封止されてなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は圧電振動デバイス用
パッケージに関するものであり、特にセラミック基体と
セラミック蓋とをガラス封止してなる圧電振動デバイス
用パッケージに関するものである。
パッケージに関するものであり、特にセラミック基体と
セラミック蓋とをガラス封止してなる圧電振動デバイス
用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】気密封止を必要とする圧電振動デバイス
の例として、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器あ
るいはＳＡＷフィルタ等があげられる。これらはいずれ
も水晶振動板（圧電振動板）の表面に金属薄膜電極を形
成し、この金属薄膜電極を外気から保護するため、気密
封止されている。
の例として、水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器あ
るいはＳＡＷフィルタ等があげられる。これらはいずれ
も水晶振動板（圧電振動板）の表面に金属薄膜電極を形
成し、この金属薄膜電極を外気から保護するため、気密
封止されている。
【０００３】これら水晶応用製品は部品の表面実装化の
要求から、セラミックパッケージに気密的に収容する構
成が増加している。このようなセラミックパッケージを
用いる場合、パッケージ本体（基体）と蓋との接合は多
種多様の接合方法が検討されている。例えばはんだ接
合、樹脂接合、低融点ガラス接合、抵抗溶接、電子ビー
ム溶接等各種の接合方法等があげられるが、よく用いら
れる接合方法の１つとして、低融点ガラスによる気密封
止がある。
要求から、セラミックパッケージに気密的に収容する構
成が増加している。このようなセラミックパッケージを
用いる場合、パッケージ本体（基体）と蓋との接合は多
種多様の接合方法が検討されている。例えばはんだ接
合、樹脂接合、低融点ガラス接合、抵抗溶接、電子ビー
ム溶接等各種の接合方法等があげられるが、よく用いら
れる接合方法の１つとして、低融点ガラスによる気密封
止がある。
【０００４】この低融点ガラスによる気密封止は、低背
化が可能であり、電子素子の収容領域が比較的広く確保
でき、しかも接合の際、多数個の接合を一括して行える
バッチ処理が可能となるため、製造コストを低下させる
利点を有している。特に、厚みすべり振動する表面実装
型水晶振動子の場合、圧電振動素子のサイズが比較的大
きな低周波タイプのものに使用されることが多く、パッ
ケージとしても薄型かつ比較的幅広の形態をとってい
る。
化が可能であり、電子素子の収容領域が比較的広く確保
でき、しかも接合の際、多数個の接合を一括して行える
バッチ処理が可能となるため、製造コストを低下させる
利点を有している。特に、厚みすべり振動する表面実装
型水晶振動子の場合、圧電振動素子のサイズが比較的大
きな低周波タイプのものに使用されることが多く、パッ
ケージとしても薄型かつ比較的幅広の形態をとってい
る。
【０００５】しかしながら、上述のようなパッケージで
は、回路基板の反りに対して、セラミックパッケージも
反りかえり、セラミックパッケージを封止するガラス封
止部分にクラックが生じることがあった。このため、セ
ラミックパッケージの反りに対する十分な封止強度が確
保できず、最悪の場合、パッケージ本体から蓋が外れる
といった問題点があった。
は、回路基板の反りに対して、セラミックパッケージも
反りかえり、セラミックパッケージを封止するガラス封
止部分にクラックが生じることがあった。このため、セ
ラミックパッケージの反りに対する十分な封止強度が確
保できず、最悪の場合、パッケージ本体から蓋が外れる
といった問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決するためになされたもので、圧電振動素子の特性を
劣化させることなく、セラミックパッケージの反りに対
する封止強度を向上させたより信頼性の高い、低背化が
容易な圧電振動デバイス用パッケージを提供することを
目的とするものである。
解決するためになされたもので、圧電振動素子の特性を
劣化させることなく、セラミックパッケージの反りに対
する封止強度を向上させたより信頼性の高い、低背化が
容易な圧電振動デバイス用パッケージを提供することを
目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は請求項１に示すように、圧電振動素子を搭
載するセラミック基体と、搭載した圧電振動素子を気密
封止し、断面が逆凹形に開口したセラミック蓋とを具備
してなる圧電振動デバイス用パッケージであって、前記
蓋には、前記圧電振動素子の搭載スペースと接触せず、
蓋の下端部から上端部にかけて突き抜ける溝、あるいは
孔が形成されているとともに、当該蓋の溝、あるいは孔
の内部に封止材の一部がくい込んだ状態で、セラミック
基体とセラミック蓋とが気密封止されてなることを特徴
とする。
に、本発明は請求項１に示すように、圧電振動素子を搭
載するセラミック基体と、搭載した圧電振動素子を気密
封止し、断面が逆凹形に開口したセラミック蓋とを具備
してなる圧電振動デバイス用パッケージであって、前記
蓋には、前記圧電振動素子の搭載スペースと接触せず、
蓋の下端部から上端部にかけて突き抜ける溝、あるいは
孔が形成されているとともに、当該蓋の溝、あるいは孔
の内部に封止材の一部がくい込んだ状態で、セラミック
基体とセラミック蓋とが気密封止されてなることを特徴
とする。
【０００８】また、請求項２に示すように、圧電振動素
子を搭載するセラミック基体と、搭載した圧電振動素子
を気密封止し、断面が逆凹形に開口したセラミック蓋と
を具備してなる圧電振動デバイス用パッケージであっ
て、前記基体には、前記圧電振動素子の搭載スペースと
接触せず、基体の上端部から下端部にかけて突き抜ける
溝、あるいは孔が形成されているとともに、当該基体の
溝、あるいは孔の内部に封止材の一部がくい込んだ状態
で、セラミック基体とセラミック蓋とが気密封止されて
なることを特徴とする。
子を搭載するセラミック基体と、搭載した圧電振動素子
を気密封止し、断面が逆凹形に開口したセラミック蓋と
を具備してなる圧電振動デバイス用パッケージであっ
て、前記基体には、前記圧電振動素子の搭載スペースと
接触せず、基体の上端部から下端部にかけて突き抜ける
溝、あるいは孔が形成されているとともに、当該基体の
溝、あるいは孔の内部に封止材の一部がくい込んだ状態
で、セラミック基体とセラミック蓋とが気密封止されて
なることを特徴とする。
【０００９】また、請求項３に示すように、圧電振動素
子を搭載するセラミック基体と、搭載した圧電振動素子
を気密封止し、断面が逆凹形に開口したセラミック蓋と
を具備してなる圧電振動デバイス用パッケージであっ
て、前記蓋には、前記圧電振動素子の搭載スペースと接
触せず、蓋の下端部から上端部にかけて突き抜ける溝、
あるいは孔が形成されており、前記基体には、前記圧電
振動素子の搭載スペースと接触せず、基体の上端部から
下端部にかけて突き抜ける溝、あるいは孔が形成されて
いるとともに、前記蓋および前記基体の溝、あるいは前
記蓋および前記基体の孔の内部に封止材の一部がくい込
んだ状態で、セラミック基体とセラミック蓋とが気密封
止されてなることを特徴とする。
子を搭載するセラミック基体と、搭載した圧電振動素子
を気密封止し、断面が逆凹形に開口したセラミック蓋と
を具備してなる圧電振動デバイス用パッケージであっ
て、前記蓋には、前記圧電振動素子の搭載スペースと接
触せず、蓋の下端部から上端部にかけて突き抜ける溝、
あるいは孔が形成されており、前記基体には、前記圧電
振動素子の搭載スペースと接触せず、基体の上端部から
下端部にかけて突き抜ける溝、あるいは孔が形成されて
いるとともに、前記蓋および前記基体の溝、あるいは前
記蓋および前記基体の孔の内部に封止材の一部がくい込
んだ状態で、セラミック基体とセラミック蓋とが気密封
止されてなることを特徴とする。
【００１０】上記構成によれば、圧電振動素子の搭載ス
ペースと接触せず、蓋の下端部から上端部にかけて突き
抜ける溝、あるいは孔、もしくは、圧電振動素子の搭載
スペースと接触せず、基体の上端部から下端部にかけて
突き抜ける溝、あるいは孔が形成されているため、搭載
スペースに封止材が入り込まず前記圧電振動素子の特性
に悪影響を及ぼすことがない。また、蓋の溝、あるいは
孔、もしくは基体の溝、あるいは孔の内部に封止材の一
部がくい込んだ状態で、セラミック基体とセラミック蓋
とが気密封止されてなることで、アンカー効果が生じて
セラミック基体とセラミック蓋の封止強度が飛躍的に向
上する。しかも、前記溝、あるいは孔は、蓋の上端から
下端へ、あるいは基体の上端から下端へ突き抜けるよう
に構成されているため、前記封止材は、当該溝、あるい
は孔にはい上がりやすく、あるいははい下がりやすく、
くい込みが十分に行われやすい構成となった。さらに、
溝や孔といった各々が独立した部分のみに前記封止材を
くい込みませることで、セラミック基体とセラミック蓋
の封止エリアにある全体の封止材の厚みが増加するわけ
でないため、パッケージの低背化を妨げることもない。
ペースと接触せず、蓋の下端部から上端部にかけて突き
抜ける溝、あるいは孔、もしくは、圧電振動素子の搭載
スペースと接触せず、基体の上端部から下端部にかけて
突き抜ける溝、あるいは孔が形成されているため、搭載
スペースに封止材が入り込まず前記圧電振動素子の特性
に悪影響を及ぼすことがない。また、蓋の溝、あるいは
孔、もしくは基体の溝、あるいは孔の内部に封止材の一
部がくい込んだ状態で、セラミック基体とセラミック蓋
とが気密封止されてなることで、アンカー効果が生じて
セラミック基体とセラミック蓋の封止強度が飛躍的に向
上する。しかも、前記溝、あるいは孔は、蓋の上端から
下端へ、あるいは基体の上端から下端へ突き抜けるよう
に構成されているため、前記封止材は、当該溝、あるい
は孔にはい上がりやすく、あるいははい下がりやすく、
くい込みが十分に行われやすい構成となった。さらに、
溝や孔といった各々が独立した部分のみに前記封止材を
くい込みませることで、セラミック基体とセラミック蓋
の封止エリアにある全体の封止材の厚みが増加するわけ
でないため、パッケージの低背化を妨げることもない。
【００１１】また、請求項４に示すように、圧電振動素
子を収容する凹形のセラミック基体と、収容した圧電振
動素子を気密封止し、断面が逆凹形に開口したセラミッ
ク蓋、または板状のセラミック蓋とを具備してなる圧電
振動デバイス用パッケージであって、前記蓋には、前記
圧電振動素子の収容スペースと接触せず、蓋の下端部か
ら上端部にかけて突き抜ける溝、あるいは孔が形成され
ているとともに、当該蓋の溝、あるいは孔の内部に封止
材の一部がくい込んだ状態で、セラミック基体とセラミ
ック蓋とが気密封止されてなることを特徴とする。
子を収容する凹形のセラミック基体と、収容した圧電振
動素子を気密封止し、断面が逆凹形に開口したセラミッ
ク蓋、または板状のセラミック蓋とを具備してなる圧電
振動デバイス用パッケージであって、前記蓋には、前記
圧電振動素子の収容スペースと接触せず、蓋の下端部か
ら上端部にかけて突き抜ける溝、あるいは孔が形成され
ているとともに、当該蓋の溝、あるいは孔の内部に封止
材の一部がくい込んだ状態で、セラミック基体とセラミ
ック蓋とが気密封止されてなることを特徴とする。
【００１２】また、請求項５に示すように、圧電振動素
子を収容する凹形のセラミック基体と、収容した圧電振
動素子を気密封止し、断面が逆凹形に開口したセラミッ
ク蓋、または板状のセラミック蓋とを具備してなる圧電
振動デバイス用パッケージであって、前記基体には、前
記圧電振動素子の収容スペースと接触せず、基体の上端
部から下端部にかけて突き抜ける溝、あるいは孔が形成
されているとともに、当該基体の溝、あるいは孔の内部
に封止材の一部がくい込んだ状態で、セラミック基体と
セラミック蓋とが気密封止されてなることを特徴とす
る。
子を収容する凹形のセラミック基体と、収容した圧電振
動素子を気密封止し、断面が逆凹形に開口したセラミッ
ク蓋、または板状のセラミック蓋とを具備してなる圧電
振動デバイス用パッケージであって、前記基体には、前
記圧電振動素子の収容スペースと接触せず、基体の上端
部から下端部にかけて突き抜ける溝、あるいは孔が形成
されているとともに、当該基体の溝、あるいは孔の内部
に封止材の一部がくい込んだ状態で、セラミック基体と
セラミック蓋とが気密封止されてなることを特徴とす
る。
【００１３】また、請求項６に示すように、圧電振動素
子を収容する凹形のセラミック基体と、収容した圧電振
動素子を気密封止し、断面が逆凹形に開口したセラミッ
ク蓋、または板状のセラミック蓋とを具備してなる圧電
振動デバイス用パッケージであって、前記蓋には、前記
圧電振動素子の収容スペースと接触せず、蓋の下端部か
ら上端部にかけて突き抜ける溝、あるいは孔が形成され
ており、前記基体には、前記圧電振動素子の収容スペー
スと接触せず、基体の上端部から下端部にかけて突き抜
ける溝、あるいは孔が形成されているとともに、前記蓋
および前記基体の溝、あるいは前記蓋および前記基体の
孔の内部に封止材の一部がくい込んだ状態で、セラミッ
ク基体とセラミック蓋とが気密封止されてなることを特
徴とする。
子を収容する凹形のセラミック基体と、収容した圧電振
動素子を気密封止し、断面が逆凹形に開口したセラミッ
ク蓋、または板状のセラミック蓋とを具備してなる圧電
振動デバイス用パッケージであって、前記蓋には、前記
圧電振動素子の収容スペースと接触せず、蓋の下端部か
ら上端部にかけて突き抜ける溝、あるいは孔が形成され
ており、前記基体には、前記圧電振動素子の収容スペー
スと接触せず、基体の上端部から下端部にかけて突き抜
ける溝、あるいは孔が形成されているとともに、前記蓋
および前記基体の溝、あるいは前記蓋および前記基体の
孔の内部に封止材の一部がくい込んだ状態で、セラミッ
ク基体とセラミック蓋とが気密封止されてなることを特
徴とする。
【００１４】上記構成によれば、圧電振動素子の収容ス
ペースと接触せず、蓋の下端部から上端部にかけて突き
抜ける溝、あるいは孔、もしくは、圧電振動素子の収容
スペースと接触せず、基体の上端部から下端部にかけて
突き抜ける溝、あるいは孔が形成されているため、収容
スペースに封止材が入り込まず前記圧電振動素子の特性
に悪影響を及ぼすことがない。また、蓋の溝、あるいは
孔、もしくは基体の溝、あるいは孔の内部に封止材の一
部がくい込んだ状態で、セラミック基体とセラミック蓋
とが気密封止されてなることで、アンカー効果が生じて
セラミック基体とセラミック蓋の封止強度が飛躍的に向
上する。しかも、前記溝、あるいは孔は、蓋の上端から
下端へ、あるいは基体の上端から下端へ突き抜けるよう
に構成されているため、前記封止材は、当該溝、あるい
は孔にはい上がりやすく、あるいははい下がりやすく、
くい込みが十分に行われやすい構成となった。さらに、
溝や孔といった各々が独立した部分のみに前記封止材を
くい込みませることで、セラミック基体とセラミック蓋
の封止エリアにある全体の封止材の厚みが増加するわけ
でないため、パッケージの低背化を妨げることもない。
ペースと接触せず、蓋の下端部から上端部にかけて突き
抜ける溝、あるいは孔、もしくは、圧電振動素子の収容
スペースと接触せず、基体の上端部から下端部にかけて
突き抜ける溝、あるいは孔が形成されているため、収容
スペースに封止材が入り込まず前記圧電振動素子の特性
に悪影響を及ぼすことがない。また、蓋の溝、あるいは
孔、もしくは基体の溝、あるいは孔の内部に封止材の一
部がくい込んだ状態で、セラミック基体とセラミック蓋
とが気密封止されてなることで、アンカー効果が生じて
セラミック基体とセラミック蓋の封止強度が飛躍的に向
上する。しかも、前記溝、あるいは孔は、蓋の上端から
下端へ、あるいは基体の上端から下端へ突き抜けるよう
に構成されているため、前記封止材は、当該溝、あるい
は孔にはい上がりやすく、あるいははい下がりやすく、
くい込みが十分に行われやすい構成となった。さらに、
溝や孔といった各々が独立した部分のみに前記封止材を
くい込みませることで、セラミック基体とセラミック蓋
の封止エリアにある全体の封止材の厚みが増加するわけ
でないため、パッケージの低背化を妨げることもない。
【００１５】また、請求項７に示すように、前記セラミ
ック基体、および前記セラミック蓋は平面方形状に形成
されてなるとともに、当該基体および蓋の少なくとも短
辺側の中央部の２カ所に、前記溝、あるいは孔が形成さ
れてなることを特徴とする。
ック基体、および前記セラミック蓋は平面方形状に形成
されてなるとともに、当該基体および蓋の少なくとも短
辺側の中央部の２カ所に、前記溝、あるいは孔が形成さ
れてなることを特徴とする。
【００１６】また、請求項８に示すように、前記セラミ
ック基体、および前記セラミック蓋は平面方形状に形成
されてなるとともに、当該基体および蓋の少なくとも４
つの角部に、前記溝、あるいは孔が形成されてなること
を特徴とする特許請求項１〜７いずれか１項記載の圧電
振動デバイス用パッケージ。
ック基体、および前記セラミック蓋は平面方形状に形成
されてなるとともに、当該基体および蓋の少なくとも４
つの角部に、前記溝、あるいは孔が形成されてなること
を特徴とする特許請求項１〜７いずれか１項記載の圧電
振動デバイス用パッケージ。
【００１７】上記構成によれば、上述の作用効果に加え
て、回路基板の歪み、反りに対して極めて強い封止構造
の圧電デバイス用パッケージが得られる。
て、回路基板の歪み、反りに対して極めて強い封止構造
の圧電デバイス用パッケージが得られる。
【００１８】また、請求項９に示すように、前記溝、あ
るいは孔は、封止エリアから遠ざかるにしたがって次第
に断面積が小さくなるように形成されてなることを特徴
とする。
るいは孔は、封止エリアから遠ざかるにしたがって次第
に断面積が小さくなるように形成されてなることを特徴
とする。
【００１９】上記構成によれば、上述の作用効果に加え
て、前記封止材の前記溝、あるいは孔におけるはい上が
り効果、あるいははい下がり効果がより一層向上し、封
止材のくい込みがより確実に行われる。
て、前記封止材の前記溝、あるいは孔におけるはい上が
り効果、あるいははい下がり効果がより一層向上し、封
止材のくい込みがより確実に行われる。
【００２０】また、請求項１０に示すように、前記セラ
ミック基体、あるいはセラミック蓋の封止エリアには、
前記溝、あるいは孔の内部に封止材の一部がくい込むよ
うに加圧処理された状態で封止材が形成されてなること
を特徴とする。
ミック基体、あるいはセラミック蓋の封止エリアには、
前記溝、あるいは孔の内部に封止材の一部がくい込むよ
うに加圧処理された状態で封止材が形成されてなること
を特徴とする。
【００２１】上記構成によれば、上述の作用効果に加え
て、前記セラミック基体、あるいはセラミック蓋の封止
エリアにおいて、前記溝あるいは孔の内部に気密封止す
る前にあらかじめ封止材がくい込んだ状態の圧電振動デ
バイス用パッケージが得られ、気密封止する際に前記封
止材を溶融することで、前記封止材の前記溝、あるいは
孔におけるはい上がり効果、あるいははい下がり効果が
より一層向上し、ガラス封止材のくい込みがより確実に
行われる。従って、封止強度の高い圧電振動デバイス用
パッケージを提供できる。
て、前記セラミック基体、あるいはセラミック蓋の封止
エリアにおいて、前記溝あるいは孔の内部に気密封止す
る前にあらかじめ封止材がくい込んだ状態の圧電振動デ
バイス用パッケージが得られ、気密封止する際に前記封
止材を溶融することで、前記封止材の前記溝、あるいは
孔におけるはい上がり効果、あるいははい下がり効果が
より一層向上し、ガラス封止材のくい込みがより確実に
行われる。従って、封止強度の高い圧電振動デバイス用
パッケージを提供できる。
【００２２】また、請求項１１に示すように、前記セラ
ミック基体、あるいはセラミック蓋の溝、あるいは孔の
内部には、前記封止材と同材質の封止材があらかじめ埋
設されてなることを特徴とする。
ミック基体、あるいはセラミック蓋の溝、あるいは孔の
内部には、前記封止材と同材質の封止材があらかじめ埋
設されてなることを特徴とする。
【００２３】上記構成によれば、上述の作用効果に加え
て、前記セラミック基体、あるいはセラミック蓋の封止
エリアにおいて、前記溝あるいは孔の内部に気密封止す
る前にあらかじめ封止材が充填された状態の圧電振動デ
バイス用パッケージが得られ、気密封止する際に前記封
止材を溶融することで、前記溝、あるいは孔の内部に確
実に封止材からなる杭が形成される。従って、封止強度
の極めて高い圧電振動デバイス用パッケージを提供でき
る。
て、前記セラミック基体、あるいはセラミック蓋の封止
エリアにおいて、前記溝あるいは孔の内部に気密封止す
る前にあらかじめ封止材が充填された状態の圧電振動デ
バイス用パッケージが得られ、気密封止する際に前記封
止材を溶融することで、前記溝、あるいは孔の内部に確
実に封止材からなる杭が形成される。従って、封止強度
の極めて高い圧電振動デバイス用パッケージを提供でき
る。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態による圧
電振動デバイス用パッケージとして、表面実装型の水晶
振動子を例にとり図１、図２、図３とともに説明する。
図１は本発明の第１の実施形態を示す分解斜視図であ
り、図２は図１を組み立てた状態のＡ−Ａ断面図であ
る。図３は本発明の第１の実施形態の一部の製造工程を
示す断面図である。
電振動デバイス用パッケージとして、表面実装型の水晶
振動子を例にとり図１、図２、図３とともに説明する。
図１は本発明の第１の実施形態を示す分解斜視図であ
り、図２は図１を組み立てた状態のＡ−Ａ断面図であ
る。図３は本発明の第１の実施形態の一部の製造工程を
示す断面図である。
【００２５】表面実装型水晶振動子は、全体として直方
体形状で、平板形状のセラミック基体１と、当該基体の
上面に搭載される圧電振動素子としての水晶振動板３
と、これらの上部に被せる逆凹形に開口したセラミック
蓋２とからなる。なお、前記蓋の逆凹部分により、圧電
振動素子の収容スペース（搭載スペース）を形成してい
る。
体形状で、平板形状のセラミック基体１と、当該基体の
上面に搭載される圧電振動素子としての水晶振動板３
と、これらの上部に被せる逆凹形に開口したセラミック
蓋２とからなる。なお、前記蓋の逆凹部分により、圧電
振動素子の収容スペース（搭載スペース）を形成してい
る。
【００２６】セラミック基体１は、平板形状で、圧電振
動素子搭載面に、短辺方向に並んで電極パッド１３，１
４が形成されており、これら電極パッドは連結電極１
５，１６（１５は図示せず）を介して、セラミック基体
の底面に引出電極１７，１８（１７は図示せず）として
電気的に引き出されている。前記電極パッド１３，１４
には、矩形の水晶振動板３が搭載され、長辺方向の一端
を片持ち支持する構成となっている。水晶振動板３の表
裏面には図示していないが一対の励振電極が形成され、
各々電極パッド１３，１４部分に引き出されており、導
電性接合材Ｓにより導電接合されている。
動素子搭載面に、短辺方向に並んで電極パッド１３，１
４が形成されており、これら電極パッドは連結電極１
５，１６（１５は図示せず）を介して、セラミック基体
の底面に引出電極１７，１８（１７は図示せず）として
電気的に引き出されている。前記電極パッド１３，１４
には、矩形の水晶振動板３が搭載され、長辺方向の一端
を片持ち支持する構成となっている。水晶振動板３の表
裏面には図示していないが一対の励振電極が形成され、
各々電極パッド１３，１４部分に引き出されており、導
電性接合材Ｓにより導電接合されている。
【００２７】セラミック蓋２は、断面で見て逆凹形状
（開口端部２１を具備する）を有しており、平面で見て
短辺側の中央部で、収容スペース（搭載スペース）と接
触しない外壁の２カ所には、蓋の下端部（開口端部２
１）から上端部にかけて突き抜ける溝２２，２３が形成
されている。これらの形状は、セラミック積層技術によ
り容易に作成することができる。また、前記開口端部２
１には、封止用の低融点ガラスＧ１が印刷形成されてい
る。なお、これらの低融点ガラスの印刷形成する場合、
図３に示すように、スキージにより加圧処理すること
で、前記溝２２，２３に低融点ガラスＧ１の一部があら
かじめくい込んだ状態で形成されるため、特に好ましい
構成となる。
（開口端部２１を具備する）を有しており、平面で見て
短辺側の中央部で、収容スペース（搭載スペース）と接
触しない外壁の２カ所には、蓋の下端部（開口端部２
１）から上端部にかけて突き抜ける溝２２，２３が形成
されている。これらの形状は、セラミック積層技術によ
り容易に作成することができる。また、前記開口端部２
１には、封止用の低融点ガラスＧ１が印刷形成されてい
る。なお、これらの低融点ガラスの印刷形成する場合、
図３に示すように、スキージにより加圧処理すること
で、前記溝２２，２３に低融点ガラスＧ１の一部があら
かじめくい込んだ状態で形成されるため、特に好ましい
構成となる。
【００２８】そして、前記セラミック基体１の封止エリ
アの上に前記セラミック蓋の開口端部２１を搭載し、こ
の状態で加熱炉に所定時間投入し、低融点ガラスＧ１を
溶融させ、その後常温に冷やすことで前記低融点ガラス
を硬化し、気密封止される。また量産性を考慮した場
合、このようなセラミック基体とセラミック蓋のペアを
多数個用意し、これらを加熱硬化炉に所定時間投入し低
融点ガラスを硬化させるとよい。
アの上に前記セラミック蓋の開口端部２１を搭載し、こ
の状態で加熱炉に所定時間投入し、低融点ガラスＧ１を
溶融させ、その後常温に冷やすことで前記低融点ガラス
を硬化し、気密封止される。また量産性を考慮した場
合、このようなセラミック基体とセラミック蓋のペアを
多数個用意し、これらを加熱硬化炉に所定時間投入し低
融点ガラスを硬化させるとよい。
【００２９】上記実施例では、セラミック蓋の開口端部
のみに低融点ガラスを印刷形成したものを例に説明した
が、セラミック基体の封止面にもあらかじめ低融点ガラ
スを印刷形成した構成を採用してもよい。また、前記溝
については、セラミック蓋に形成したものを例にして説
明したが、セラミック基体側のみに形成してもよく、セ
ラミック蓋とセラミック基体の両方に形成したものであ
ってもよい。さらに、前記溝にかわり、貫通孔を形成し
ても特に問題はない。
のみに低融点ガラスを印刷形成したものを例に説明した
が、セラミック基体の封止面にもあらかじめ低融点ガラ
スを印刷形成した構成を採用してもよい。また、前記溝
については、セラミック蓋に形成したものを例にして説
明したが、セラミック基体側のみに形成してもよく、セ
ラミック蓋とセラミック基体の両方に形成したものであ
ってもよい。さらに、前記溝にかわり、貫通孔を形成し
ても特に問題はない。
【００３０】次に、本発明の第２の実施形態による圧電
振動デバイス用パッケージとして、表面実装型の水晶振
動子を例にとり図４、図５、図６とともに説明する。図
４は本発明の第２の実施形態を示す分解斜視図であり、
図５は図４を組み立てた状態のＢ−Ｂ断面図であり、図
６は図４を組み立てた状態のＣ−Ｃ断面図である。な
お、第１の実施形態と同様の部分については同番号を付
した。
振動デバイス用パッケージとして、表面実装型の水晶振
動子を例にとり図４、図５、図６とともに説明する。図
４は本発明の第２の実施形態を示す分解斜視図であり、
図５は図４を組み立てた状態のＢ−Ｂ断面図であり、図
６は図４を組み立てた状態のＣ−Ｃ断面図である。な
お、第１の実施形態と同様の部分については同番号を付
した。
【００３１】表面実装型水晶振動子は、全体として直方
体形状で、上部が開口した凹部を有するセラミック基体
４と、当該基体の中に収容される圧電振動素子としての
矩形水晶振動板３と、前記セラミック基体の開口部に接
合される逆凹形に開口したセラミック蓋５とからなる。
なお、前記セラミック基体の凹部分とセラミック蓋の逆
凹部分により、圧電振動素子の収容スペース（搭載スペ
ース）を形成している。
体形状で、上部が開口した凹部を有するセラミック基体
４と、当該基体の中に収容される圧電振動素子としての
矩形水晶振動板３と、前記セラミック基体の開口部に接
合される逆凹形に開口したセラミック蓋５とからなる。
なお、前記セラミック基体の凹部分とセラミック蓋の逆
凹部分により、圧電振動素子の収容スペース（搭載スペ
ース）を形成している。
【００３２】断面でみてセラミック基体４は、断面で見
て凹形状（開口端部４１を具備する）を有しており、平
面で見て短辺側の中央部で、収容スペース（搭載スペー
ス）と接触しない外壁の２カ所には、基体の上端部（開
口端部４１）から下端部（底面）にかけて突き抜ける溝
４２，４３が形成されている。これらの形状は、セラミ
ック積層技術により容易に作成することができる。ま
た、前記開口端部４１には、封止用の低融点ガラスＧ２
が印刷形成されている。なお、これらの低融点ガラスの
印刷形成する場合、スキージ等により加圧処理すること
で、前記溝４２，４３に低融点ガラスＧ２の一部があら
かじめくい込んだ状態で形成されるため、特に好ましい
構成となる。また、圧電振動素子搭載部に、短辺方向に
並んで電極パッド４４，４５が形成されており、これら
電極パッドは連結電極４６，４７（４６は図示せず）を
介して、セラミック基体の底面に引出電極４８，４９
（４８は図示せず）として電気的に引き出されている。
前記電極パッド４４，４５には、矩形の水晶振動板３が
搭載され、長辺方向の一端を片持ち支持する構成となっ
ている。水晶振動板３の表裏面には図示していないが一
対の励振電極が形成され、各々電極パッド４４，４５部
分に引き出されており、導電性接合材Ｓにより導電接合
されている。
て凹形状（開口端部４１を具備する）を有しており、平
面で見て短辺側の中央部で、収容スペース（搭載スペー
ス）と接触しない外壁の２カ所には、基体の上端部（開
口端部４１）から下端部（底面）にかけて突き抜ける溝
４２，４３が形成されている。これらの形状は、セラミ
ック積層技術により容易に作成することができる。ま
た、前記開口端部４１には、封止用の低融点ガラスＧ２
が印刷形成されている。なお、これらの低融点ガラスの
印刷形成する場合、スキージ等により加圧処理すること
で、前記溝４２，４３に低融点ガラスＧ２の一部があら
かじめくい込んだ状態で形成されるため、特に好ましい
構成となる。また、圧電振動素子搭載部に、短辺方向に
並んで電極パッド４４，４５が形成されており、これら
電極パッドは連結電極４６，４７（４６は図示せず）を
介して、セラミック基体の底面に引出電極４８，４９
（４８は図示せず）として電気的に引き出されている。
前記電極パッド４４，４５には、矩形の水晶振動板３が
搭載され、長辺方向の一端を片持ち支持する構成となっ
ている。水晶振動板３の表裏面には図示していないが一
対の励振電極が形成され、各々電極パッド４４，４５部
分に引き出されており、導電性接合材Ｓにより導電接合
されている。
【００３３】セラミック蓋５は、断面で見て逆凹形状
（開口端部５１を具備する）を有しており、平面で見て
４つの角部で、収容スペース（搭載スペース）と接触し
ない部分に、蓋の下端部（開口端部５１）から上端部に
かけて突き抜ける溝５２，５３、および突き抜ける貫通
孔５４，５５が形成されている。これらの形状は、セラ
ミック積層技術により容易に作成することができる。ま
た、前記開口端部５１には、前記低融点ガラスＧ２と同
材質の封止用の低融点ガラスＧ１が印刷形成されてい
る。なお、これらの低融点ガラスの印刷形成する場合、
スキージにより加圧処理することで、前記溝５２，５
３、および貫通孔５４，５５に低融点ガラスＧ１の一部
があらかじめくい込んだ状態で形成されるため、特に好
ましい構成となる。
（開口端部５１を具備する）を有しており、平面で見て
４つの角部で、収容スペース（搭載スペース）と接触し
ない部分に、蓋の下端部（開口端部５１）から上端部に
かけて突き抜ける溝５２，５３、および突き抜ける貫通
孔５４，５５が形成されている。これらの形状は、セラ
ミック積層技術により容易に作成することができる。ま
た、前記開口端部５１には、前記低融点ガラスＧ２と同
材質の封止用の低融点ガラスＧ１が印刷形成されてい
る。なお、これらの低融点ガラスの印刷形成する場合、
スキージにより加圧処理することで、前記溝５２，５
３、および貫通孔５４，５５に低融点ガラスＧ１の一部
があらかじめくい込んだ状態で形成されるため、特に好
ましい構成となる。
【００３４】そして、前記セラミック基体の開口端部４
１の上に、前記セラミック蓋の開口端部５１を搭載し、
この状態で加熱炉に所定時間投入し、低融点ガラスＧ
１，Ｇ２を溶融させ、その後常温に冷やすことで前記低
融点ガラスを硬化し、気密封止される。また量産性を考
慮した場合、このようなセラミック基体とセラミック蓋
のペアを多数個用意し、これらを加熱硬化炉に所定時間
投入し低融点ガラスを硬化させるとよい。
１の上に、前記セラミック蓋の開口端部５１を搭載し、
この状態で加熱炉に所定時間投入し、低融点ガラスＧ
１，Ｇ２を溶融させ、その後常温に冷やすことで前記低
融点ガラスを硬化し、気密封止される。また量産性を考
慮した場合、このようなセラミック基体とセラミック蓋
のペアを多数個用意し、これらを加熱硬化炉に所定時間
投入し低融点ガラスを硬化させるとよい。
【００３５】次に、本発明の第３の実施形態による圧電
振動デバイス用パッケージとして、表面実装型の水晶振
動子を例にとり図７、図８、図９とともに説明する。図
７は本発明の第３の実施形態を示す分解斜視図であり、
図８は図７を組み立てた状態のＤ−Ｄ断面図であり、図
９は図７を組み立てた状態のＥ−Ｅ断面図である。な
お、第１，２の実施形態と同様の部分については同番号
を付した。
振動デバイス用パッケージとして、表面実装型の水晶振
動子を例にとり図７、図８、図９とともに説明する。図
７は本発明の第３の実施形態を示す分解斜視図であり、
図８は図７を組み立てた状態のＤ−Ｄ断面図であり、図
９は図７を組み立てた状態のＥ−Ｅ断面図である。な
お、第１，２の実施形態と同様の部分については同番号
を付した。
【００３６】表面実装型水晶振動子は、全体として直方
体形状で、上部が開口した凹部を有するセラミック基体
６と、当該基体の中に収容される圧電振動素子としての
矩形水晶振動板３と、前記セラミック基体の開口部に接
合される平板状のセラミック蓋７とからなる。なお、前
記セラミック基体の凹部分により、圧電振動素子の収容
スペース（搭載スペース）を形成している。
体形状で、上部が開口した凹部を有するセラミック基体
６と、当該基体の中に収容される圧電振動素子としての
矩形水晶振動板３と、前記セラミック基体の開口部に接
合される平板状のセラミック蓋７とからなる。なお、前
記セラミック基体の凹部分により、圧電振動素子の収容
スペース（搭載スペース）を形成している。
【００３７】断面でみてセラミック基体６は、断面で見
て凹形状（開口端部６１を具備する）を有しており、平
面で見て短辺側の中央部で、収容スペース（搭載スペー
ス）と接触しない外壁の２カ所には、基体の上端部（開
口端部６１）から下端部（底面）にかけて突き抜ける溝
６２，６３が形成されている。これらの形状は、セラミ
ック積層技術により容易に作成することができる。そし
て、これらの溝の内部には低融点ガラス６２Ｇ，６３Ｇ
がディップなどの手法により埋設されている。また、前
記開口端部６１には、前記低融点ガラス６２Ｇ，６３Ｇ
と同材質の封止用の低融点ガラスＧ２が印刷形成されて
いる。また、圧電振動素子搭載部に、短辺方向に並んで
電極パッド６４，６５が形成されており、これら電極パ
ッドは連結電極６６，６７（６６は図示せず）を介し
て、セラミック基体の底面に引出電極６８，６９（６８
は図示せず）として電気的に引き出されている。前記電
極パッド６４，６５には、矩形の水晶振動板３が搭載さ
れ、長辺方向の一端を片持ち支持する構成となってい
る。水晶振動板３の表裏面には図示していないが一対の
励振電極が形成され、各々電極パッド６４，６５部分に
引き出されており、導電性接合材Ｓにより導電接合され
ている。
て凹形状（開口端部６１を具備する）を有しており、平
面で見て短辺側の中央部で、収容スペース（搭載スペー
ス）と接触しない外壁の２カ所には、基体の上端部（開
口端部６１）から下端部（底面）にかけて突き抜ける溝
６２，６３が形成されている。これらの形状は、セラミ
ック積層技術により容易に作成することができる。そし
て、これらの溝の内部には低融点ガラス６２Ｇ，６３Ｇ
がディップなどの手法により埋設されている。また、前
記開口端部６１には、前記低融点ガラス６２Ｇ，６３Ｇ
と同材質の封止用の低融点ガラスＧ２が印刷形成されて
いる。また、圧電振動素子搭載部に、短辺方向に並んで
電極パッド６４，６５が形成されており、これら電極パ
ッドは連結電極６６，６７（６６は図示せず）を介し
て、セラミック基体の底面に引出電極６８，６９（６８
は図示せず）として電気的に引き出されている。前記電
極パッド６４，６５には、矩形の水晶振動板３が搭載さ
れ、長辺方向の一端を片持ち支持する構成となってい
る。水晶振動板３の表裏面には図示していないが一対の
励振電極が形成され、各々電極パッド６４，６５部分に
引き出されており、導電性接合材Ｓにより導電接合され
ている。
【００３８】セラミック蓋７は、平板形状であり、平面
で見て４つの角部で、収容スペース（搭載スペース）と
接触しない部分に、蓋の下端部から上端部にかけて突き
抜ける貫通孔７１，７２，７３，７４が形成されてお
り、これらの貫通孔の内部には低融点ガラス７１Ｇ，７
２Ｇ，７３Ｇ，７４Ｇがディップなどの手法により埋設
されている。また、当該貫通孔を含む封止エリアには、
前記低融点ガラスＧ２，７１Ｇ，７２Ｇ，７３Ｇ，７４
Ｇと同材質の封止用の低融点ガラスＧ１が印刷形成され
ている。
で見て４つの角部で、収容スペース（搭載スペース）と
接触しない部分に、蓋の下端部から上端部にかけて突き
抜ける貫通孔７１，７２，７３，７４が形成されてお
り、これらの貫通孔の内部には低融点ガラス７１Ｇ，７
２Ｇ，７３Ｇ，７４Ｇがディップなどの手法により埋設
されている。また、当該貫通孔を含む封止エリアには、
前記低融点ガラスＧ２，７１Ｇ，７２Ｇ，７３Ｇ，７４
Ｇと同材質の封止用の低融点ガラスＧ１が印刷形成され
ている。
【００３９】そして、前記セラミック基体の開口端部６
１の上に、前記セラミック蓋７を搭載し、この状態で加
熱炉に所定時間投入し、低融点ガラスＧ１，Ｇ２，６２
Ｇ，６３Ｇ，７１Ｇ，７２Ｇ，７３Ｇ，７４Ｇを溶融さ
せ、その後常温に冷やすことで前記低融点ガラスを硬化
し、気密封止される。また量産性を考慮した場合、この
ようなセラミック基体とセラミック蓋のペアを多数個用
意し、これらを加熱硬化炉に所定時間投入し低融点ガラ
スを硬化させるとよい。
１の上に、前記セラミック蓋７を搭載し、この状態で加
熱炉に所定時間投入し、低融点ガラスＧ１，Ｇ２，６２
Ｇ，６３Ｇ，７１Ｇ，７２Ｇ，７３Ｇ，７４Ｇを溶融さ
せ、その後常温に冷やすことで前記低融点ガラスを硬化
し、気密封止される。また量産性を考慮した場合、この
ようなセラミック基体とセラミック蓋のペアを多数個用
意し、これらを加熱硬化炉に所定時間投入し低融点ガラ
スを硬化させるとよい。
【００４０】次に、本発明の第４の実施形態による圧電
振動デバイス用パッケージとして、表面実装型の水晶振
動子を例にとり図１０とともに説明する。図１０は本発
明の第４の実施形態を示す断面図である。なお、第１〜
３の実施形態と同様の部分については同番号を付すとと
もに、変更点のみ説明する。
振動デバイス用パッケージとして、表面実装型の水晶振
動子を例にとり図１０とともに説明する。図１０は本発
明の第４の実施形態を示す断面図である。なお、第１〜
３の実施形態と同様の部分については同番号を付すとと
もに、変更点のみ説明する。
【００４１】本発明の第４の実施形態では、前記実施形
態における突き抜ける溝、あるいは突き抜ける孔（貫通
孔）の形状として、セラミック基体１、あるいはセラミ
ック蓋２の封止面から遠ざかるにしたがって次第に断面
積が小さくなるよう形成されている。例えば、図１０
（ａ）では、蓋体、および基体に円錐形状の貫通孔１１
１、１１２、２１１、２１２が各々形成されており、図
１０（ｂ）では、蓋体、および基体に三角錐形状の溝１
１３、１１４、２１３、２１４が各々形成されている。
なお、封止面から遠ざかるにしたがって次第に断面積が
小さくなるように形成されていれば、これらの錘形状に
限定されるものではなく、前記低融点ガラスのはい上が
り効果、あるいははい下がり効果がより一層向上し、封
止材のくい込みがより確実に行われる。
態における突き抜ける溝、あるいは突き抜ける孔（貫通
孔）の形状として、セラミック基体１、あるいはセラミ
ック蓋２の封止面から遠ざかるにしたがって次第に断面
積が小さくなるよう形成されている。例えば、図１０
（ａ）では、蓋体、および基体に円錐形状の貫通孔１１
１、１１２、２１１、２１２が各々形成されており、図
１０（ｂ）では、蓋体、および基体に三角錐形状の溝１
１３、１１４、２１３、２１４が各々形成されている。
なお、封止面から遠ざかるにしたがって次第に断面積が
小さくなるように形成されていれば、これらの錘形状に
限定されるものではなく、前記低融点ガラスのはい上が
り効果、あるいははい下がり効果がより一層向上し、封
止材のくい込みがより確実に行われる。
【００４２】上記実施形態では、封止材料として低融点
ガラスの例を示したが、エポキシ系の樹脂接着剤、はん
だ等の金属ろう材でも適用できる。また、圧電振動デバ
イスの保持形態として、片端保持構造のものを例にして
いるが、両端保持構造のものにも適用できる。さらに、
圧電振動デバイスの例として、水晶振動子の例を示した
が、もちろん、水晶発振器、水晶フィルタ、ＳＡＷフィ
ルタ等の他の圧電振動デバイスにも適用できる。
ガラスの例を示したが、エポキシ系の樹脂接着剤、はん
だ等の金属ろう材でも適用できる。また、圧電振動デバ
イスの保持形態として、片端保持構造のものを例にして
いるが、両端保持構造のものにも適用できる。さらに、
圧電振動デバイスの例として、水晶振動子の例を示した
が、もちろん、水晶発振器、水晶フィルタ、ＳＡＷフィ
ルタ等の他の圧電振動デバイスにも適用できる。
【００４３】
【発明の効果】本発明により、圧電振動素子の搭載スペ
ース、または収容スペースと接触せず、蓋の下端部から
上端部にかけて突き抜ける溝、あるいは孔、もしくは、
圧電振動素子の搭載スペース、または収容スペースと接
触せず、基体の上端部から下端部にかけて突き抜ける
溝、あるいは孔が形成されているため、搭載スペース、
または収容スペースに封止材が入り込まず前記圧電振動
素子の特性に悪影響を及ぼすことがない。
ース、または収容スペースと接触せず、蓋の下端部から
上端部にかけて突き抜ける溝、あるいは孔、もしくは、
圧電振動素子の搭載スペース、または収容スペースと接
触せず、基体の上端部から下端部にかけて突き抜ける
溝、あるいは孔が形成されているため、搭載スペース、
または収容スペースに封止材が入り込まず前記圧電振動
素子の特性に悪影響を及ぼすことがない。
【００４４】また、蓋の溝、あるいは孔、もしくは基体
の溝、あるいは孔の内部に封止材の一部がくい込んだ状
態で、セラミック基体とセラミック蓋とが気密封止され
てなることで、アンカー効果が生じてセラミック基体と
セラミック蓋の封止強度が飛躍的に向上する。しかも、
前記溝、あるいは孔は、蓋の上端から下端へ、あるいは
基体の上端から下端へ突き抜けるように構成されている
ため、前記封止材は、当該溝、あるいは孔にはい上がり
やすく、あるいははい下がりやすく、くい込みが十分に
行われやすい構成となった。
の溝、あるいは孔の内部に封止材の一部がくい込んだ状
態で、セラミック基体とセラミック蓋とが気密封止され
てなることで、アンカー効果が生じてセラミック基体と
セラミック蓋の封止強度が飛躍的に向上する。しかも、
前記溝、あるいは孔は、蓋の上端から下端へ、あるいは
基体の上端から下端へ突き抜けるように構成されている
ため、前記封止材は、当該溝、あるいは孔にはい上がり
やすく、あるいははい下がりやすく、くい込みが十分に
行われやすい構成となった。
【００４５】さらに、溝や孔といった各々が独立した部
分のみに前記封止材をくい込みませることで、セラミッ
ク基体とセラミック蓋の封止エリアにある全体の封止材
の厚みが増加するわけでないため、パッケージの低背化
を妨げることもない。
分のみに前記封止材をくい込みませることで、セラミッ
ク基体とセラミック蓋の封止エリアにある全体の封止材
の厚みが増加するわけでないため、パッケージの低背化
を妨げることもない。
【００４６】従って、圧電振動素子の特性を劣化させる
ことなく、セラミックパッケージの反りに対する封止強
度を向上させたより信頼性の高い、低背化が容易な圧電
振動デバイス用パッケージを提供することができる。
ことなく、セラミックパッケージの反りに対する封止強
度を向上させたより信頼性の高い、低背化が容易な圧電
振動デバイス用パッケージを提供することができる。
【００４７】特許請求項７，８により、上述の作用効果
に加えて、回路基板の歪み、反りに対して極めて強い封
止構造の圧電デバイス用パッケージが得られる。
に加えて、回路基板の歪み、反りに対して極めて強い封
止構造の圧電デバイス用パッケージが得られる。
【００４８】特許請求項９により、上述の作用効果に加
えて、前記封止材の前記溝、あるいは孔におけるはい上
がり効果、あるいははい下がり効果がより一層向上し、
封止材のくい込みがより確実に行われる。
えて、前記封止材の前記溝、あるいは孔におけるはい上
がり効果、あるいははい下がり効果がより一層向上し、
封止材のくい込みがより確実に行われる。
【００４９】特許請求項１０により、上述の作用効果に
加えて、前記セラミック基体、あるいはセラミック蓋の
封止エリアにおいて、前記溝あるいは孔の内部に気密封
止する前にあらかじめ封止材がくい込んだ状態の圧電振
動デバイス用パッケージが得られ、気密封止する際に前
記封止材を溶融することで、前記封止材の前記溝、ある
いは孔におけるはい上がり効果、あるいははい下がり効
果がより一層向上し、ガラス封止材のくい込みがより確
実に行われる。従って、封止強度の高い圧電振動デバイ
ス用パッケージを提供できる。
加えて、前記セラミック基体、あるいはセラミック蓋の
封止エリアにおいて、前記溝あるいは孔の内部に気密封
止する前にあらかじめ封止材がくい込んだ状態の圧電振
動デバイス用パッケージが得られ、気密封止する際に前
記封止材を溶融することで、前記封止材の前記溝、ある
いは孔におけるはい上がり効果、あるいははい下がり効
果がより一層向上し、ガラス封止材のくい込みがより確
実に行われる。従って、封止強度の高い圧電振動デバイ
ス用パッケージを提供できる。
【００５０】特許請求項１１により、上述の作用効果に
加えて、前記セラミック基体、あるいはセラミック蓋の
封止エリアにおいて、前記溝あるいは孔の内部に気密封
止する前にあらかじめ封止材が充填された状態の圧電振
動デバイス用パッケージが得られ、気密封止する際に前
記封止材を溶融することで、前記溝、あるいは孔の内部
に確実に封止材からなる杭が形成される。従って、封止
強度の極めて高い圧電振動デバイス用パッケージを提供
できる。
加えて、前記セラミック基体、あるいはセラミック蓋の
封止エリアにおいて、前記溝あるいは孔の内部に気密封
止する前にあらかじめ封止材が充填された状態の圧電振
動デバイス用パッケージが得られ、気密封止する際に前
記封止材を溶融することで、前記溝、あるいは孔の内部
に確実に封止材からなる杭が形成される。従って、封止
強度の極めて高い圧電振動デバイス用パッケージを提供
できる。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す分解斜視図。
【図２】図１を組み立てた状態のＡ−Ａ断面図。
【図３】第１の実施形態の一部の製造工程を示す断面
図。
図。
【図４】本発明の第２の実施形態を示す分解斜視図。
【図５】図４を組み立てた状態のＢ−Ｂ断面図。
【図６】図４を組み立てた状態のＣ−Ｃ断面図。
【図７】本発明の第３の実施形態を示す分解斜視図。
【図８】図７を組み立てた状態のＤ−Ｄ断面図。
【図９】図７を組み立てた状態のＥ−Ｅ断面図。
【図１０】本発明の第４の実施形態を示す断面図。
１，４，６・・・セラミック基体 ２，５，７・・・セラミック蓋 ３・・・水晶振動板（圧電振動素子）
Claims (11)
- 【請求項１】 圧電振動素子を搭載するセラミック基体
と、搭載した圧電振動素子を気密封止し、断面が逆凹形
に開口したセラミック蓋とを具備してなる圧電振動デバ
イス用パッケージであって、 前記蓋には、前記圧電振動素子の搭載スペースと接触せ
ず、蓋の下端部から上端部にかけて突き抜ける溝、ある
いは孔が形成されているとともに、当該蓋の溝、あるい
は孔の内部に封止材の一部がくい込んだ状態で、セラミ
ック基体とセラミック蓋とが気密封止されてなることを
特徴とする圧電振動デバイス用パッケージ。 - 【請求項２】 圧電振動素子を搭載するセラミック基体
と、搭載した圧電振動素子を気密封止し、断面が逆凹形
に開口したセラミック蓋とを具備してなる圧電振動デバ
イス用パッケージであって、 前記基体には、前記圧電振動素子の搭載スペースと接触
せず、基体の上端部から下端部にかけて突き抜ける溝、
あるいは孔が形成されているとともに、当該基体の溝、
あるいは孔の内部に封止材の一部がくい込んだ状態で、
セラミック基体とセラミック蓋とが気密封止されてなる
ことを特徴とする圧電振動デバイス用パッケージ。 - 【請求項３】 圧電振動素子を搭載するセラミック基体
と、搭載した圧電振動素子を気密封止し、断面が逆凹形
に開口したセラミック蓋とを具備してなる圧電振動デバ
イス用パッケージであって、 前記蓋には、前記圧電振動素子の搭載スペースと接触せ
ず、蓋の下端部から上端部にかけて突き抜ける溝、ある
いは孔が形成されており、 前記基体には、前記圧電振動素子の搭載スペースと接触
せず、基体の上端部から下端部にかけて突き抜ける溝、
あるいは孔が形成されているとともに、前記蓋および前
記基体の溝、あるいは前記蓋および前記基体の孔の内部
に封止材の一部がくい込んだ状態で、セラミック基体と
セラミック蓋とが気密封止されてなることを特徴とする
圧電振動デバイス用パッケージ。 - 【請求項４】 圧電振動素子を収容する凹形のセラミッ
ク基体と、収容した圧電振動素子を気密封止し、断面が
逆凹形に開口したセラミック蓋、または板状のセラミッ
ク蓋とを具備してなる圧電振動デバイス用パッケージで
あって、 前記蓋には、前記圧電振動素子の収容スペースと接触せ
ず、蓋の下端部から上端部にかけて突き抜ける溝、ある
いは孔が形成されているとともに、当該蓋の溝、あるい
は孔の内部に封止材の一部がくい込んだ状態で、セラミ
ック基体とセラミック蓋とが気密封止されてなることを
特徴とする圧電振動デバイス用パッケージ。 - 【請求項５】 圧電振動素子を収容する凹形のセラミッ
ク基体と、収容した圧電振動素子を気密封止し、断面が
逆凹形に開口したセラミック蓋、または板状のセラミッ
ク蓋とを具備してなる圧電振動デバイス用パッケージで
あって、 前記基体には、前記圧電振動素子の収容スペースと接触
せず、基体の上端部から下端部にかけて突き抜ける溝、
あるいは孔が形成されているとともに、当該基体の溝、
あるいは孔の内部に封止材の一部がくい込んだ状態で、
セラミック基体とセラミック蓋とが気密封止されてなる
ことを特徴とする圧電振動デバイス用パッケージ。 - 【請求項６】 圧電振動素子を収容する凹形のセラミッ
ク基体と、収容した圧電振動素子を気密封止し、断面が
逆凹形に開口したセラミック蓋、または板状のセラミッ
ク蓋とを具備してなる圧電振動デバイス用パッケージで
あって、 前記蓋には、前記圧電振動素子の収容スペースと接触せ
ず、蓋の下端部から上端部にかけて突き抜ける溝、ある
いは孔が形成されており、 前記基体には、前記圧電振動素子の収容スペースと接触
せず、基体の上端部から下端部にかけて突き抜ける溝、
あるいは孔が形成されているとともに、前記蓋および前
記基体の溝、あるいは前記蓋および前記基体の孔の内部
に封止材の一部がくい込んだ状態で、セラミック基体と
セラミック蓋とが気密封止されてなることを特徴とする
圧電振動デバイス用パッケージ。 - 【請求項７】 前記セラミック基体、および前記セラミ
ック蓋は平面方形状に形成されてなるとともに、当該基
体および蓋の少なくとも短辺側の中央部の２カ所に、前
記溝、あるいは孔が形成されてなることを特徴とする特
許請求項１〜６いずれか１項記載の圧電振動デバイス用
パッケージ。 - 【請求項８】 前記セラミック基体、および前記セラミ
ック蓋は平面方形状に形成されてなるとともに、当該基
体および蓋の少なくとも４つの角部に、前記溝、あるい
は孔が形成されてなることを特徴とする特許請求項１〜
７いずれか１項記載の圧電振動デバイス用パッケージ。 - 【請求項９】 前記溝、あるいは孔は、封止エリアから
遠ざかるにしたがって次第に断面積が小さくなるように
形成されてなることを特徴とする特許請求項１〜８いず
れか１項記載の圧電振動デバイス用パッケージ。 - 【請求項１０】前記セラミック基体、あるいはセラミッ
ク蓋の封止エリアには、前記溝、あるいは孔の内部に封
止材の一部がくい込むように加圧処理された状態で封止
材が形成されてなることを特徴とする特許請求項１〜９
いずれか１項記載の圧電振動デバイス用パッケージ。 - 【請求項１１】前記セラミック基体、あるいはセラミッ
ク蓋の溝、あるいは孔の内部には、前記封止材と同材質
の封止材があらかじめ埋設されてなることを特徴とする
特許請求項１〜９いずれか１項記載の圧電振動デバイス
用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001147641A JP2002344277A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 圧電振動デバイス用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001147641A JP2002344277A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 圧電振動デバイス用パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002344277A true JP2002344277A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18993091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001147641A Pending JP2002344277A (ja) | 2001-05-17 | 2001-05-17 | 圧電振動デバイス用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002344277A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009064623A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Rohm Co Ltd | 傾斜センサ |
| JP5184648B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-04-17 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子の製造方法 |
| JP2014225837A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-04 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 水晶デバイス |
| JP2016032185A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 水晶デバイス |
Citations (4)
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| JP2000188349A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Nec Kansai Ltd | 気密パッケージ、その製造用金属キャップ、その金属キャップの製造方法および気密パッケージの製造方法 |
| JP2000228451A (ja) * | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
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-
2001
- 2001-05-17 JP JP2001147641A patent/JP2002344277A/ja active Pending
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| JP2016032185A (ja) * | 2014-07-29 | 2016-03-07 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 水晶デバイス |
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