JPWO2016111044A1 - 圧電振動部品及びその製造方法 - Google Patents

圧電振動部品及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016111044A1
JPWO2016111044A1 JP2016568273A JP2016568273A JPWO2016111044A1 JP WO2016111044 A1 JPWO2016111044 A1 JP WO2016111044A1 JP 2016568273 A JP2016568273 A JP 2016568273A JP 2016568273 A JP2016568273 A JP 2016568273A JP WO2016111044 A1 JPWO2016111044 A1 JP WO2016111044A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
main surface
adhesive layer
vibration component
lid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016568273A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6607408B2 (ja
Inventor
開田 弘明
弘明 開田
和幸 能登
和幸 能登
上 慶一
慶一 上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of JPWO2016111044A1 publication Critical patent/JPWO2016111044A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6607408B2 publication Critical patent/JP6607408B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80Constructional details
    • H10N30/88Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H10N30/883Additional insulation means preventing electrical, physical or chemical damage, e.g. protective coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/022Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the cantilever type

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

圧電振動子を基板に密閉封止する基板と接着層との間の接着力を高める。圧電振動部品(40)は、圧電振動子(20)を実装する主面(11)を有する基板(10)と、主面(11)に対向するように開口された凹部(31)を有するリッド(30)と、圧電振動子(20)を凹部(31)と主面(11)との間の空間に密閉封止するように基板(10)とリッド(30)とを接合する接着層(53)とを備える。接着層(53)は、基板(10)の主面(11)から側面(18)にかけて基板(10)の少なくとも一部を被覆するように形成されている。

Description

本発明は、圧電振動部品及びその製造方法に関する。
発振子や帯域フィルタとして圧電振動子が広く用いられている。従来の圧電振動子の一態様として、例えば特開2014−197615号公報には、水晶振動子を外気から密封するための構造を有する表面実装水晶振動子が記載されている。同公報に記載の表面実装水晶振動子は、水晶振動子が実装される基板と、接着剤を介して水晶振動子を密閉封止するリッドとを備えている(同文献段落0002)。
特開2014−197615号公報
しかし、基板と接着剤との間の接合強度が不十分であると、リッドが基板から剥離してしまうことがある。特に、熱硬化性接着剤を用いてリッドと基板とを接合して水晶振動子を密閉封止する場合、260℃前後のリフロー加熱温度でリッド内の圧力が上昇し、リッドが基板から剥離してしまうことがある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、圧電振動子を基板に密閉封止するための基板と接着層との間の接着力を高めることを課題とする。
本発明の一側面に係る圧電振動部品は、圧電振動子を実装する主面を有する基板と、主面に対向するように開口された凹部を有するリッドと、圧電振動子を凹部と主面との間の空間に密閉封止するように基板とリッドとを接合する接着層とを備える。接着層は、基板の主面から側面にかけて基板の少なくとも一部を被覆するように形成されている。
本発明によれば、圧電振動子を基板に密閉封止するための基板と接着層との間の接着力を高めることができる。
本発明の実施形態に係る圧電振動部品の分解斜視図である。 本発明の実施形態に係る圧電振動部品の製造過程の断面図である。 本発明の実施形態に係る圧電振動部品の製造過程の断面図である。 本発明の実施形態に係る圧電振動部品の製造過程の断面図である。 本発明の実施形態に係る圧電振動部品の製造過程の断面図である。
以下、各図を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る圧電振動部品40の分解斜視図である。同図に示すように、圧電振動部品40は、主に、圧電振動子20と、圧電振動子20が実装される主面11を有する基板10と、圧電振動子20を外気から密閉するためのリッド30とを備えている。圧電振動子20は、厚み方向に対向する二つの面を有する平板状の圧電板21と、圧電板21の一方の面に形成された励振電極22と、圧電板21の他方の面に形成された励振電極23とを備えている。励振電極22,23に交流電圧を印加すると、圧電板21は、厚みすべりモードで振動する。圧電板21は、圧電特性を示す圧電材質(例えば、水晶板や圧電セラミックスなど)からなる。励振電極22,23は、例えば、金、クロム、ニッケル、アルミニウム、チタン等の導電性薄膜からなる。
基板10は、その厚み方向に対向する二つの面を有する平板状をなしており、二つの面のうち圧電振動子20が実装される面を主面11と称する。主面11には、導電性接着剤12を介して励振電極23に導通する配線13と、導電性接着剤15を介して励振電極22に導通する配線16とが形成されている。基板10は、適度な機械的強度及び電気絶縁性を有する材質(例えば、アルミナ等の絶縁セラミックス、合成樹脂、金属板の表面を絶縁層で被覆した複合材など)からなる。なお、基板10は、コーナー部分(角部分)の一部を円筒曲面状に切り欠くように形成された切欠き部14,17を有しており、配線13,16は、それぞれ、切欠き部14,17から主面11の裏面まで延在して外部回路に接続することができる。
リッド30は、圧電振動子20を外気から密閉するための有底蓋部材であり、図3に示すように、主面11に対向するように開口された凹部31と、凹部31の開口中心から開口縁に向かって突出するフランジ部32とを有する。凹部31は、リッド30の内部に陥没する有底凹部であり、圧電振動子20を封止するために必要十分な開口面積と開口深さを有している。フランジ部32は、凹部31の周縁を略矩形環状に囲繞する。リッド30は、金属材質、絶縁材質、又は複合材(例えば、絶縁部材の表面を金属薄膜で被覆してなる複合材など)からなるものでもよい。接着層51,52は、圧電振動子20を凹部31と主面11との間の空間に密閉封止するように基板10とリッド30とを接合する。接着層51,52は、絶縁性の接着剤であればよく、特に限定されるものではないが、例えば、加熱処理により硬化して接着作用を示す非導電性接着剤を用いることができる。このような接着剤として、例えば、エポキシ樹脂を主成分とするエポキシ系接着剤を用いることができる。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものも適用することができる。接着層51,52は、エポキシ系接着剤に限られるものではなく、例えば、低融点ガラス接着剤でもよい。低融点ガラス接着剤は、300℃以上410℃以下の温度で溶融する鉛フリーのバナジウム系ガラスを含んでもよい。バナジウム系ガラスは、バインダーと溶剤とがペースト状に加えられ、溶融された後固化されることで接着作用を示す。また、このバナジウム系ガラスは、接着時の気密性と耐水性・耐湿性などの信頼性が高い。さらに、バナジウム系ガラスは、ガラス構造を制御することにより熱膨張係数も柔軟に制御できる。接着層51,52は、互いに同じものでもよく、或いは異なるものでもよい。なお、リッド30は、キャップ、カバー、或いはパッケージ部材と称することもできる。
次に、図1乃至図3を参照しながら、圧電振動部品40の製造工程について説明する。まず、図1に示すように、圧電振動子20が実装された基板10と、圧電振動子20を基板10に密閉封止するためのリッド30をそれぞれ準備する。次に、図2に示すように、フランジ部32の周縁が主面11に接合されるべき位置に合わせて圧電振動子20を囲繞するように略枠状に接着層51を主面11に形成する。このとき、接着層51が主面11に均一に塗れ広がるように、接着層51を均一の膜厚で塗布するのが好ましい。次に、図3に示すように、リッド30及び基板10を相対的に押圧することにより、主面11とフランジ部32との間から接着層51が凹部31の開口中心から開口縁に向かってフィレット状に押し出されるように促すとともに、基板10の主面11から側面18にかけて断面略逆L字状に屈曲しながら基板10を被覆するように接着層52を形成する。そして、接着層51,52に熱を加えることにより、接着層51,52を構成する分子間の結合(架橋硬化)を促進し、接着層51,52を共に硬化状態に移行させる。このようにして、接着層51,52が一体的に結合してなる接着層53が形成され、圧電振動子20を凹部31と主面11との間の空間に密閉封止することができる。接着層53は、基板10の主面11から側面18にかけて屈曲しながら基板10を被覆するように形成されているため、基板10と接着層53との間の接着力を高めることができる。なお、接着層51,52を形成する方法は、上述の説明のように、リッド30及び基板10を相対的に押圧する過程で、基板10の主面11から側面18にかけて基板10を被覆するように接着層51,52を形成する方法に限られるものではなく、例えば、リッド30及び基板10を相対的に押圧する前の段階で、基板10の主面11に接着層51を形成する一方、基板10の側面18にも接着層52の一部又は全部を形成してもよい。この場合、基板10の主面11に接着層51を形成する時機と、基板10の側面18に接着層52を形成する時機は、同じでもよく或いは異なっていてもよい。側面18は、主面11とその裏面とを接続する面を総称するものであり、切欠き部14,17の側面も含む。従って、接着層53は、切欠き部14,17の一部又は全部を被覆してもよい。また、接着層53は、必ずしも、基板10の全周にわたり主面11から側面18にかけて形成されている必要はなく、基板10の一部において主面11から側面18にかけて形成されていればよい。例えば、接着層53は、側面18のうち切欠き部14,17のみを被覆してもよい。
なお、側面18の表面粗さは、主面11の表面粗さより粗いのが好ましい。一般的に、液滴の接触角は、表面粗さに敏感であることが知られている。ここで、表面粗さは、平坦面に対する粗面の面積比として定義することができる。例えば、表面粗さが増加するにつれて、親液性表面では、液滴の接触角が小さくなる(濡れ性が増大する)のに対し、疎液性表面では、液滴の接触角が大きくなる(濡れ性が低下する)。このような知見に基づき、接着層52に対して親液性を有するようにリッド30の材質を選択するとともに、側面18の表面粗さを主面11の表面粗さより粗くすることにより、側面18に対する接着層52の接触角を小さくし、均一に濡れ広がりやすくすることができる。このような構造によれば、接着層52が側面18の微小な凹凸の隙間に入り込むため、投錨効果やファンデルワールス力等が複合的に作用し、側面18と接着層52との間の界面に作用する接着力を高めることができる。なお、接着層51が凹部31内部へ侵入すると、例えば、接着層51から放出されるガスが圧電振動子20の振動領域を構成する励振電極22,23に吸着し、圧電振動子20の発振周波数が変動する虞があるため、接着層51が凹部31内部へ侵入しないように形成するのが好ましい。
なお、側面18の表面を粗くする方法として、例えば、プラズマ処理やサンドブラスト加工等を用いることができる。サンドブラスト加工は、例えば、微粒子(例えば、アルミナやダイヤモンド等の研磨粒子)を圧縮空気とともに被加工面に向けて噴射することにより、被加工面が粗くなるように加工する処理である。
上述の説明では、接着層52を基板10の主面11から側面18にかけて形成する態様を例示したが、変形例として、図4に示すように、接着層52はフランジ部32の外側の側面に這い上がっていてもよく、こうして接着層52をフランジ部32の外側の側面の一部又は全部にフィレット形状に形成してもよい。あるいは、図4に示す例とは別に、さらに、接着剤52はフランジ部32の上面に濡れ広がって、接着層52をフランジ部32の側面から上面にかけて被覆するように形成してもよい。
また、上述の説明では、フランジ部32を有するリッド30を例示したが、リッド30はフランジ部32を有さなくてもよい。例えば、図5に示すように、リッド30は、凹部31の周縁を略矩形環状に囲繞する枠状の縁部33を有してもよい。縁部33は、接着層53を介して基板10に接合する接合面を提供する。
なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
10…基板
11…主面
12…導電性接着剤
13…配線
14…切欠き部
15…導電性接着剤
16…配線
17…切欠き部
18…側面
20…圧電振動子
21…圧電板
22…励振電極
23…励振電極
30…リッド
31…凹部
32…フランジ部
33…縁部
40…圧電振動部品
51…接着層
52…接着層
53…接着層

Claims (5)

  1. 圧電振動子を実装する主面を有する基板と、
    前記主面に対向するように開口された凹部を有するリッドと、
    前記圧電振動子を前記凹部と前記主面との間の空間に密閉封止するように前記基板と前記リッドとを接合する接着層とを備え、
    前記接着層は、前記基板の主面から側面にかけて前記基板の少なくとも一部を被覆するように形成されている、圧電振動部品。
  2. 請求項1に記載の圧電振動部品であって、
    前記側面の表面粗さは、前記主面の表面粗さより粗い、圧電振動部品。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の圧電振動部品であって、
    前記接着層は、低融点ガラス接着剤である、圧電振動部品。
  4. 圧電振動子が実装される主面を有する基板を準備する工程と、
    前記主面に対向するように開口された凹部を有するリッドを準備する工程と、
    前記基板の主面から側面にかけて前記基板の少なくとも一部を被覆するように形成された接着層を介して前記圧電振動子を前記凹部と前記主面との間の空間に密閉封止する工程と、
    を備える圧電振動部品の製造方法。
  5. 請求項4に記載の圧電振動部品の製造方法であって、
    前記圧電振動子を密封封止する工程において、前記リッド及び前記基板の少なくとも一方を互いに対向する向きに押圧することを含む、圧電振動部品の製造方法。
JP2016568273A 2015-01-08 2015-09-07 圧電振動部品及びその製造方法 Active JP6607408B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015002485 2015-01-08
JP2015002485 2015-01-08
PCT/JP2015/075309 WO2016111044A1 (ja) 2015-01-08 2015-09-07 圧電振動部品及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016111044A1 true JPWO2016111044A1 (ja) 2017-09-07
JP6607408B2 JP6607408B2 (ja) 2019-11-20

Family

ID=56355757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016568273A Active JP6607408B2 (ja) 2015-01-08 2015-09-07 圧電振動部品及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10715104B2 (ja)
JP (1) JP6607408B2 (ja)
CN (1) CN107112973B (ja)
WO (1) WO2016111044A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018117243A (ja) * 2017-01-18 2018-07-26 株式会社村田製作所 圧電振動子及びその製造方法
JP2018117286A (ja) * 2017-01-19 2018-07-26 株式会社村田製作所 圧電振動子及びその製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163369A (ja) * 1996-12-03 1998-06-19 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2002176116A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Daishinku Corp 電子部品用パッケージの気密封止方法
WO2010074127A1 (ja) * 2008-12-24 2010-07-01 株式会社大真空 圧電振動デバイス、圧電振動デバイスの製造方法、および圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法
JP2012074937A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Seiko Epson Corp 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
JP2013192052A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶デバイス及びその製造方法。
JP2014183359A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子
JP2014197617A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 日本電波工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3755564B2 (ja) * 1999-05-24 2006-03-15 株式会社村田製作所 圧電共振部品及びその製造方法
JP2013051512A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子
JP2014197615A (ja) 2013-03-29 2014-10-16 日本電波工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10163369A (ja) * 1996-12-03 1998-06-19 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2002176116A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Daishinku Corp 電子部品用パッケージの気密封止方法
WO2010074127A1 (ja) * 2008-12-24 2010-07-01 株式会社大真空 圧電振動デバイス、圧電振動デバイスの製造方法、および圧電振動デバイスを構成する構成部材のエッチング方法
JP2012074937A (ja) * 2010-09-29 2012-04-12 Seiko Epson Corp 圧電デバイス、及び圧電デバイスの製造方法
JP2013192052A (ja) * 2012-03-14 2013-09-26 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶デバイス及びその製造方法。
JP2014183359A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子
JP2014197617A (ja) * 2013-03-29 2014-10-16 日本電波工業株式会社 電子デバイス及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107112973A (zh) 2017-08-29
CN107112973B (zh) 2020-11-13
WO2016111044A1 (ja) 2016-07-14
US10715104B2 (en) 2020-07-14
JP6607408B2 (ja) 2019-11-20
US20170288637A1 (en) 2017-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014174945A1 (ja) 水晶振動装置
JP2012044105A (ja) 電子デバイス、電子機器及び電子デバイスの製造方法
JP6663599B2 (ja) 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法
JP6607408B2 (ja) 圧電振動部品及びその製造方法
JP2011217301A (ja) 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
JP6179681B2 (ja) 圧電振動部品の製造方法
JP2014150333A (ja) 圧電部品
JP6481697B2 (ja) 圧電振動部品及びその製造方法
JP5148659B2 (ja) 圧電デバイス
JP6191787B2 (ja) 圧電振動部品の製造方法
WO2016111038A1 (ja) 圧電振動部品及びその製造方法
US10938368B2 (en) Piezoelectric-resonator-mounting substrate, and piezoelectric resonator unit and method of manufacturing the piezoelectric resonator unit
JP6487169B2 (ja) 圧電デバイス
JP4673670B2 (ja) 圧電デバイスの製造方法
JP6169369B2 (ja) 電子デバイスのガラス封止方法
JP6701161B2 (ja) 圧電振動デバイス及びその製造方法
WO2013161554A1 (ja) 水晶振動装置及びその製造方法
JP2014236301A (ja) 水晶デバイス
JP2005318501A (ja) 圧電部品

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180817

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190123

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190320

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190710

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190826

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190926

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20191009

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6607408

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150