JP2014236301A - 水晶デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】 蓋体と接合部材との接合強度を維持し、水晶素子の気密封止性を維持することが可能な水晶デバイスを提供する。
【解決手段】 水晶デバイスは、基板110aと、基板110a上に設けられた枠体110bと、基板110a上であって枠体110b内に導電性接着剤140を用いて実装された水晶素子120と、枠体110b上に接合部材150を介して設けられ、上下方向の厚みが略一定の中央部131と、中央部131に比べて外周縁に向けて厚みが漸次薄くなる外周部132とを有している蓋体130と、を備え、接合部材150は、枠体110bの上面から外周部132の上面及び下面にかけて設けられている。
【選択図】図2
【解決手段】 水晶デバイスは、基板110aと、基板110a上に設けられた枠体110bと、基板110a上であって枠体110b内に導電性接着剤140を用いて実装された水晶素子120と、枠体110b上に接合部材150を介して設けられ、上下方向の厚みが略一定の中央部131と、中央部131に比べて外周縁に向けて厚みが漸次薄くなる外周部132とを有している蓋体130と、を備え、接合部材150は、枠体110bの上面から外周部132の上面及び下面にかけて設けられている。
【選択図】図2
Description
本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、基板と枠体とで構成されたパッケージと、基板の上面に設けられた電極パッドに導電性接着剤を介して実装された水晶素子と、枠体の上面に接合部材を介して接合され、水晶素子を気密封止するための蓋体と、を備えた水晶振動子が提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。接合部材は、ガラスが用いられ、この接合部材に熱を印加することで、蓋体と枠体の上面とを接合することができる。
上述した水晶デバイスは、製品が小型化することに伴い、蓋体と接合部材との接合面積も縮小されるため、蓋体と接合部材との接合強度が低下してしまう。よって、枠体内に実装された水晶素子の気密封止性を維持することができない虞があった。
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、蓋体と接合部材との接合強度を維持し、水晶素子の気密封止性を維持することが可能な水晶デバイスを提供することを目的とする。
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、基板と、基板上に設けられた枠体と、基板上であって枠体内に導電性接着剤を用いて実装された水晶素子と、枠体上に接合部材を介して設けられ、上下方向の厚みが略一定の中央部と、中央部に比べて外周縁に向けて厚みが漸次薄くなる外周部とを有している蓋体と、を備え、接合部材は、枠体の上面から外周部の上面及び下面にかけて設けられていることを特徴とするものである。
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、枠体上に接合部材を介して設けられ、上下方向の厚みが略一定の中央部と、中央部に比べて外周縁に向けて厚みが漸次薄くなる外周部とを有している蓋体と、を備えており、その接合部材が、枠体の上面から外周部の上面及び下面にかけて設けられている。このようにすることで、水晶デバイスは、接合部材と蓋体の外周部との接合面積を大きくすることができるので、接合部材と蓋体との接合強度を向上することができる。よって、このような水晶デバイスは、枠体内に実装されている水晶素子の気密封止性を維持することができる。
本実施形態における水晶デバイスは、図1〜図3に示されているように、パッケージ110と、パッケージ110の上面に接合された水晶素子120と、パッケージ110の上面に接合された蓋体130とを含んでいる。パッケージ110には、基板110aの上面と枠体110bの内側面によって囲まれた収容空間Kが形成されている。このような水晶デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。
基板110aは、矩形状であり、上面で実装された水晶素子120を実装するための実装部材として機能するものである。基板110aは、上面に、水晶素子120を接合するための電極パッド111が設けられている。
基板110aは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板110aは、絶縁層を1層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板110aの表面又は内部には、上面に設けられた電極パッド111と、基板110aの下面に設けられた外部端子Gとを電気的に接続するための配線パターン及びビア導体が設けられている。
枠体110bは、基板110aの上面に配置され、基板110aの上面に収容空間Kを形成するためのものである。枠体110bは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板110aと一体的に形成されている。
電極パッド111は、水晶素子120を実装するためのものである。電極パッド111は、基板110aの上面に一対で設けられており、基板110aの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド111は、基板110aに設けられた配線パターン及びビア導体を介して、基板110aの下面に設けられた外部端子Gと電気的に接続されている。
外部端子Gは、電子機器等のマザーボードに実装するためのものである。外部端子は、基板110aの下面の四隅に設けられている。外部端子Gの内の二つの端子は、基板110aの上面に設けられた一対の電極パッド111とそれぞれ電気的に接続されている。また、電極パッド111と電気的に接続されている外部端子Gは、基板110aの下面の対角に位置するように設けられている。
ここでパッケージ110を平面視したときの一辺の寸法が、1.0〜3.2mmであり、パッケージ110の上下方向の寸法が、0.7〜1.5mmである場合を例にして、収容空間Kの大きさを説明する。収容空間Kの長辺の長さは、0.7〜2.5mmであり、短辺の長さは、0.5〜2.0mmとなっている。収容空間Kの上下方向の長さは、0.2〜0.5mmとなっている。
ここで、パッケージ110の作製方法について説明する。基板110a及び枠体110bがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、一対の電極パッド111又は外部端子Gとなる部位にニッケルメッキ又は金メッキ等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
水晶素子120は、図2に示されているように、導電性接着剤140を介して電極パッド111上に接合されている。水晶素子120は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。
水晶素子120は、図1及び図2に示されているように、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに励振用電極122、接続用電極123及び引き出し電極124を被着させた構造を有している。励振用電極122は、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。引き出し電極124は、励振用電極122から水晶素板121の短辺に向かって延出されている。接続用電極123は、引き出し電極124と接続されており、水晶素板121の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。また、本実施形態においては、電極パッド111と接続されている水晶素子120の一端を基板110aの上面と接続した固定端とし、他端を基板110aの上面と間を空けた自由端とした片持ち支持構造にて水晶素子120が基板110a上に固定されている。
ここで、水晶素子120の動作について説明する。水晶素子120は、外部からの交番電圧が接続用電極123から引き出し電極124及び励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、水晶素板121が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
ここで、水晶素子120の作製方法について説明する。まず、水晶素子120は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板121の外周の厚みを薄くし、水晶素板121の外周部と比べて水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子120は、水晶素板121の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極122、接続用電極123及び引き出し電極124を形成することにより作製される。
水晶素子120の基板110aへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤140は、例えばディスペンサによって電極パッド111上に塗布される。水晶素子120は、導電性接着剤140上に搬送され、導電性接着剤140上に載置される。そして、導電性接着剤140は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子120は、基板110aの上面に設けられた一対の電極パッド111に接合される。
導電性接着剤140は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
蓋体130は、矩形状であり、真空状態にある収容空間K、あるいは窒素ガスなどが充填された収容空間Kを気密的に封止するためのものである。蓋体130は、上下方向の厚みが略一定の中央部131と、中央部131に比べて外周縁に向けて厚みが漸次薄くなる外周部132とを有している。蓋体130の中央部131の上下方向の厚みが略一定とは、上下方向の厚みバラつきが5〜10μmとなるものを異なる含むものである。具体的には、蓋体130は、所定雰囲気で、枠体110b上に設けられた接合部材150上に載置される。枠体110bの上面に設けられた接合部材150に熱が印加されることで、溶融接合され、蓋体130と接合部材150とが接合される。また、蓋体130は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。
蓋体130の長辺方向の長さは、0.9〜3.2mmであり、短辺方向の長さは、0.7〜2.5mmである。蓋体130の厚み方向の長さは、50〜100μmである。また、蓋体130の表面には、凹凸が設けられている。また、蓋体130の算術平均表面粗さは、0.5〜1.2μmとなるように設けられている。このようにすることによって、蓋体130と接合部材150との接合面積を増やすことになり、蓋体130と接合部材150との接合強度をさらに向上させることができる。
このような蓋体130の作製方法を示す。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された蓋体130とを用意する。次に研磨材と蓋体130とを入れた円筒体を回転させる。このようにすることによって、蓋体130が円筒体の内周面を滑りつつ研磨材と接触して、外周部132が薄くなるように研磨される。
接合部材150は、枠体110bの上面から蓋体130の外周部132の上面及び下面にかけて設けられている。このようにすることにより、水晶デバイスは、接合部材150と蓋体130の外周部132との接合面積を大きくすることができるので、接合部材150と蓋体130との接合強度を向上することができる。よって、このような水晶デバイスは、枠体110b内に実装されている水晶素子120の気密封止性を維持することができる。
また、接合部材150は、例えば、ガラスの場合には、300℃〜400℃で溶融するガラスである例えばバナジウムを含有した低融点鉛フリーガラス又は酸化鉛系フリットガラスから構成されている。ガラスは、バインダーと溶剤と複数のガラスビーズが加えられたペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接合する。接合部材150は、例えば、ガラスフリットペーストがスクリーン印刷法で塗布され乾燥することで設けられる。
接合部材150は、枠体110bの上面に設ける際に、枠体110bの四隅に接合部材150が重なるようにして印刷されることで設けられる。よって、四隅の接合部材150の厚みは、接合部材150が設けられている他の箇所の厚みよりも厚くなるように設けられている。この接合部材150が、枠体110bの上面から蓋体130の外周部132の上面及び下面にかけて設けられていることによって、四隅に設けられた余剰の接合部材150が枠体110bの内壁面に沿って収容空間K内に入り込むことを低減し、接合部材150が水晶素子120に被着することを低減することができる。また、四隅に設けられた余剰の接合部材150が枠体110bの外側面に沿って溢れ出てしまうことを低減し、外側面に設けられた接合部材150が、搬送治具に接触することで、接合部材150が、枠体110bから剥がれてしまうことを低減することができる。
接合部材150は、例えば、絶縁性樹脂の場合には、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂から構成されている。枠体110bと蓋体130との間に設けられた接合部材150の厚みは、30〜100μmとなっている。
接合部材150は、例えば、金錫の場合には、接合部材150の層の厚みは、10〜40μmであり、例えば、成分比率が、金が70〜80%、錫が20〜30%のものを使用しても良い。また、接合部材150は、例えば、銀ロウの場合には、接合部材150の層の厚みは、10〜40μmであり、例えば、成分比率が、銀が70〜80%、銅が20〜30%のものを使用しても良い。
本実施形態における水晶デバイスは、枠体110b上に接合部材150を介して設けられ、上下方向の厚みが略一定の中央部131と、中央部131に比べて外周縁に向けて厚みが漸次薄くなる外周部132とを有している蓋体130と、を備えている。このようにすることで、水晶デバイスは、接合部材150と蓋体130の外周部132との接合面積を大きくすることができるので、接合部材150と蓋体130との接合強度を向上することができる。よって、このような水晶デバイスは、枠体110b内に実装されている水晶素子120の気密封止性を維持することが可能となる。
(第一変形例)
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。尚、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図4に示されているように、枠体210bの上面に囲むようにして凹部212が設けられている点で実施形態と異なる。
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。尚、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図4に示されているように、枠体210bの上面に囲むようにして凹部212が設けられている点で実施形態と異なる。
枠体210bは、図4に示されているように、基板210aの上面に配置され、枠体210bの上面に凹部212が設けられている。凹部212は、枠体210bの上面に環状になるように設けられている。凹部212内には、接合部材150が入り込むようにして設けられている。このようにすることにより、接合部材150と枠体210bとの接合面積を大きくすることができるので、接合部材150と枠体210bとの接合強度を向上させることが可能となる。
枠体の210の一辺の長さが、0.8〜3.2mmである場合を例として、凹部212の大きさを説明する。凹部212の外周縁の一辺の長さは、0.6〜2.5mmであり、内周縁の一辺の長さは、0.4〜1.9mmである。また、凹部212の上下方向の長さは、0.05〜0.15mmである。
本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、枠体210bの上面に囲むようにして凹部212が設けられており、その凹部212内に接合部材150が入り込むようにして蓋体130と枠体210bの上面とが接合されている。このようにすることにより、接合部材150と枠体210bとの接合面積を大きくすることができるので、接合部材150と枠体210bとの接合強度を向上させることができる。よって、蓋体130が枠体210bから剥がれることを低減し、収容空間K内の気密封止性を維持することが可能となる。
尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記の実施形態の第一変形例では、枠体110bが基板110aと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体110bが金属製であっても構わない。この場合、枠体110bは、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。
上記実施形態では、水晶素子は、AT用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。また、水晶素子120は、水晶素板121の外周の厚みを薄くし、水晶素板121の外周部と比べて水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を用いても構わない。また、水晶素子120のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板121とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板121とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板121とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板121が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。
また、本実施形態では、基板110aの上面には、封止用導体パターンがない場合を説明したが、基板110aの上面に封止用導体パターンを設けても構わない。この封止用導体パターンは、蓋体130と接合部材150を介して接合する際に、接合部材131の濡れ性をよくする役割を果たしている。
また、接合部材150が導電性部材を使用した際に、封止用導体パターンは、基板110aの内部に形成されたビア導体(図示せず)及び配線パターン(図示せず)により少なくとも一つの外部端子Gに接続されている。少なくとも1つの外部端子Gは、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、封止用導体パターンに接合される蓋体130がグランドに接続されることとなり、蓋体130による収容空間K内のシールド性が向上する。封止用導体パターンは、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、枠体110bの上面の外周縁を環状に囲む形態で施すことによって、例えば10μm〜25μmの厚みに形成されている。
110a、210a・・・基板
110b、210b・・・枠体
110、210・・・パッケージ
111、211・・・電極パッド
212・・凹部
120・・・水晶素子
121・・・水晶素板
122・・・励振用電極
123・・・接続用電極
124・・・引き出し電極
130・・・蓋体
140・・・導電性接着剤
150・・・接合部材
K・・・収容空間
G・・・外部端子
110b、210b・・・枠体
110、210・・・パッケージ
111、211・・・電極パッド
212・・凹部
120・・・水晶素子
121・・・水晶素板
122・・・励振用電極
123・・・接続用電極
124・・・引き出し電極
130・・・蓋体
140・・・導電性接着剤
150・・・接合部材
K・・・収容空間
G・・・外部端子
Claims (3)
- 基板と、
前記基板上に設けられた枠体と、
前記基板上であって前記枠体内に導電性接着剤を用いて実装された水晶素子と、
前記枠体上に接合部材を介して設けられ、上下方向の厚みが略一定の中央部と、前記中央部に比べて外周縁に向けて厚みが漸次薄くなる外周部とを有している蓋体と、を備え、
前記接合部材は、前記枠体の上面から前記外周部の上面及び下面にかけて設けられていることを特徴とする水晶デバイス。 - 請求項1記載の水晶デバイスであって、
前記蓋体の表面に凹凸が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。 - 請求項1記載の水晶デバイスであって、
前記枠体の上面に囲むようにして凹部が設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013115534A JP2014236301A (ja) | 2013-05-31 | 2013-05-31 | 水晶デバイス |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017108379A (ja) * | 2015-11-27 | 2017-06-15 | 株式会社大真空 | 圧電振動子 |
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2013
- 2013-05-31 JP JP2013115534A patent/JP2014236301A/ja active Pending
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