JP2013192052A - 水晶デバイス及びその製造方法。 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、ベース板の中心からの等しい距離に、キャスタレーションが形成される水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】水晶デバイスの製造方法は、耐蝕膜（１５１）を形成する耐蝕膜形成工程と、耐蝕膜上にフォトレジスト（１５２）を形成して露光する露光工程と、耐蝕膜をエッチングする耐蝕膜エッチング工程（Ｓ２１５）と、貫通孔（１７２）をウェットエッチングするウェットエッチング工程（Ｓ２１６）と、を備える。貫通孔の＋Ｘ軸側の断面は、第１面側の第１斜面と第２面側の第２斜面と第１斜面と第２斜面とが交差する第１頂部を有する。−Ｘ軸側の断面は、第１面側の第３斜面と、第２面側の第４斜面と、第３斜面と第４斜面とを結ぶ第２頂部とを有し、ベース板のＸ軸方向の中心から第１頂部まで及び第２頂部までの距離とが同じになるように、露光工程では第１面及び第２面を露光する。
【選択図】図８

Description

本発明は、水晶基板をウェットエッチングして形成される水晶振動片と、水晶基板をウェットエッチングして形成されるベース板とを有する水晶デバイス及びその水晶デバイスの製造方法に関する。

表面実装用の水晶デバイスは一度に大量に製造できることが好ましい。特許文献１に示された水晶デバイスは、水晶振動片が複数形成された水晶ウエハを、水晶ウエハと同じ形状でガラス材料からなるリッドウエハ及びベースウエハで挟みこんで製造される。また、特許文献１の水晶デバイスの製造方法では、リッドウエハ及びベースウエハに貫通孔を形成することで、水晶デバイスの四隅（キャスタレーション）に、水晶振動片の励振電極と外部端子とを電気的に接続する側面配線が形成される。ウエハ単位で製造された水晶デバイスは個別にダイシングされて完成に至る。

特開２００６−１４８７５８号公報

しかし、水晶ウエハとガラス材料とからなるリッドウエハ又はベースウエハとは熱膨張率が異なるため、熱変動が大きい環境では水晶デバイスを使用することができない。一方、リッドウエハ又はベースウエハを水晶材料にすると、リッドウエハ及びベースウエハに形成される貫通孔は、水晶の異方性により軸方向によりウェットエッチング速度が異なり、貫通孔の大きさが軸方向で異なってしまう。これでは、水晶デバイスの中心から同じ距離の位置にキャスタレーションを形成できない。また、貫通孔の大きさが軸方向で異なるため、接合したウエハから個々の水晶デバイスをダイシングする際に、キャスタレーションに形成された側面配線が削り取られてしまうことがある。

そこで、本発明は、水晶材料を使ったベースウエハを使用した場合でも、ベース板の中心からの等しい距離に、キャスタレーションが形成される水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

第１観点の水晶デバイスの製造方法は、複数の矩形状のベース板とそのベース板のＸ軸方向に少なくとも１対の貫通孔が形成されたＡＴカットのベースウエハを使って、水晶振動片とベース板とを有する水晶デバイスを製造する製造方法であり、ベースウエハの第１面とその第１面の反対側の第２面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程と、耐蝕膜上にフォトレジストを形成し貫通孔に対応する位置の第１面及び第２面のフォトレジストを露光する露光工程と、第１面及び第２面の貫通孔に対応する耐蝕膜をエッチングする耐蝕膜エッチング工程と、耐蝕膜エッチング工程後に第１面及び第２面から一対の貫通孔をウェットエッチングするウェットエッチング工程と、を備える。ウェットエッチングによって形成される第１面と第２面とを結ぶ貫通孔の＋Ｘ軸側の断面は、第１面から断面中央側に形成された第１斜面と第２面から断面中央側に形成された第２斜面と第１斜面と第２斜面とが交差する第１頂部を有する。−Ｘ軸側の断面は、第１面から断面中央側に形成された第３斜面と、第２面から断面中央側に形成された第４斜面と、第３斜面と第４斜面とを結ぶ第２頂部とを有し、ベース板のＸ軸方向の中心から第１頂部までの距離と、ベース板のＸ軸方向の中心から第２頂部までの距離とが同じになるように、露光工程では貫通孔に対応する位置の第１面及び第２面を露光する。

第２観点の水晶デバイスの製造方法は、第１観点において、ベース板のＸ軸方向の中心から＋Ｘ軸側の貫通孔までの距離が、第１面が第２面よりも短くなるように、露光工程はフォトレジストを露光する。

第３観点の水晶デバイスの製造方法は、第１観点において、第１面においてベース板の中心から＋Ｘ軸側の貫通孔までの距離とベース板の中心から−Ｘ軸側の貫通孔までの距離とが同じく、且つ、第２面においてベース板の中心から＋Ｘ軸側の貫通孔までの距離がベース板の中心から−Ｘ軸側の貫通孔までの距離よりも短くなるように、露光工程ではフォトレジストを露光する。

第４観点の水晶デバイスの製造方法は、第１観点において、第１面においてベース板の中心から＋Ｘ軸側の貫通孔までの距離がベース板の中心から−Ｘ軸側の貫通孔までの距離よりも短く、且つ、第２面においてベース板の中心から＋Ｘ軸側の貫通孔までの距離がベース板の中心から−Ｘ軸側の貫通孔までの距離よりも短くなるように、露光工程ではフォトレジストを露光する。

第５観点の水晶デバイスの製造方法は、第１観点から第４観点において、水晶振動片が矩形状のＡＴカット水晶片であり、該ＡＴカット水晶片のＸ軸方向に少なくとも１対の貫通孔が形成された水晶振動片ウエハとベースウエハとを接合する接合工程を備える。また、水晶デバイスの製造方法は、水晶振動片ウエハの第１面とその第１面の反対側の第２面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程と、耐蝕膜上にフォトレジストを形成し貫通孔に対応する位置の第１面及び第２面のフォトレジストを露光する露光工程と、第１面及び第２面の貫通孔に対応する耐蝕膜をエッチングする耐蝕膜エッチング工程と、耐蝕膜エッチング工程後に第１面及び第２面から一対の貫通孔をウェットエッチングするウェットエッチング工程と、を備える。ウェットエッチングによって形成される第１面と第２面とを結ぶ貫通孔の＋Ｘ軸側の断面は、第１面から断面中央側に形成された第１斜面と、第２面から断面中央側に形成された第２斜面と、第１斜面と第２斜面とが交差する第１頂部とを有する。また、−Ｘ軸側の断面は、第１面から断面中央側に形成された第３斜面と、第２面から断面中央側に形成された第４斜面と、第３斜面と第４斜面とを結ぶ第２頂部を有する。さらに、ＡＴカット水晶片の中心から第１頂部までの距離と、ＡＴカット水晶片の中心から第２頂部までの距離とが同じになるように、露光工程では、貫通孔に対応する位置の第１面及び第２面を露光する。

第６観点の水晶デバイスの製造方法は、第５観点において、接合された水晶振動片ウエハとベースウエハとを、第１頂部と第２頂部との中間を通るようにダイシングするダイシング工程をさらに備える。

第７観点の水晶デバイスは、励振電極及び該励振電極から引き出された引出電極を有するＡＴカットの水晶振動片と、水晶振動片を支持し矩形状で且つＡＴカットの水晶ベース板とを備える水晶デバイスである。ベース板は、第１面と第１面の反対側の第２面とを有し、且つ一対の短辺が±Ｘ軸方向に配置され、短辺にはそれぞれ中心側に凹んだキャスタレーションを有する。キャスタレーションの＋Ｘ軸側の断面は、第１面から断面中央側に形成された第１斜面と、第２面から断面中央側に形成された第２斜面と、第１斜面と第２斜面とが交差する第１頂部とを有する。−Ｘ軸側の断面は、第１面から断面中央側に形成された第３斜面と、第２面から断面中央側に形成された第４斜面と、第３斜面と第４斜面とを結ぶ第２頂部とを有する。また、ベース板の中心から第１頂部までの距離と、ベース板のＸ軸方向の中心から第２頂部までの距離とが同じである。

第８観点の水晶デバイスは、第７観点において、ベース板の第１面には、第１面から凹んだ底面と、底面から伸びた側壁と、を有する凹部を有し、凹部の＋Ｘ軸側の側壁から第１頂部までの距離と凹部の−Ｘ軸側の側壁から第２頂部までの距離とが同じである。

第９観点の水晶デバイスは、第７観点及び第８観点において、ベース板の第１面には水晶振動片の引出電極と接続する接続電極が形成され、ベース板の第２面には水晶デバイスを実装する実装端子が形成され、ベース板のキャスタレーションには接続電極と実装端子とを接続する側面電極が形成され、第１斜面と第３斜面とには封止材が形成される。

第１０観点の水晶デバイスは、第７観点から第９観点において、ＡＴカット水晶片が、第１面と第１面の反対側の第２面とを有する矩形状の枠体を含み、且つ枠体の一対の短辺が±Ｘ軸方向に配置され、短辺にはそれぞれ中心側に凹んだキャスタレーションを有する。ＡＴカット水晶片のキャスタレーションの＋Ｘ軸側の断面は、第１面から断面中央側に形成された第１斜面と、第２面から断面中央側に形成された第２斜面と、第１斜面と第２斜面とが交差する第１頂部とを有する。−Ｘ軸側の断面は、第１面から断面中央側に形成された第３斜面と、第２面から断面中央側に形成された第４斜面と、第３斜面と第４斜面とを結ぶ第２頂部とを有する。また、ＡＴカット水晶片のＸ軸方向の中心から第１頂部までの距離と、ベース板のＸ軸方向の中心から第２頂部までの距離とが同じである。

第１１観点の水晶デバイスは、第７観点から第９観点において、ベース板の第１面が水晶振動片を密封するリッド板に封止材を介して接合される環状の接合領域を有し、キャスタレーションにＸ軸方向に接しないベース板の＋Ｘ軸側の接合領域とベース板の−Ｘ軸側の接合領域とのＸ軸方向の幅が互いに等しく、キャスタレーションにＸ軸方向に接するベース板の＋Ｘ軸側の接合領域とベース板の−Ｘ軸側の接合領域とのＸ軸方向の幅が互いに等しい。

第１２観点の水晶デバイスは、第１０観点において、ベース板の第１面が枠体に封止材を介して接合される環状の接合領域を有し、ベース板のキャスタレーションとＸ軸方向に接しない領域において、ベース板の＋Ｘ軸側の接合領域とベース板の−Ｘ軸側の接合領域とのＸ軸方向の幅が互いに等しく、ベース板の前記キャスタレーションとＸ軸方向に接する領域において、ベース板の＋Ｘ軸側の接合領域と−Ｘ軸側の接合領域とのＸ軸方向の幅が互いに等しい。

本発明の水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法によれば、水晶材料を使ったベースウエハを使用した場合でも、ベース板の中心からの等しい距離に、キャスタレーションを形成できる。

水晶デバイス１００の分解斜視図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 （ａ）は、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｂ）は、ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ａ）は、電極が形成されていないベース板１２０の平面図である。 （ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 水晶デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。 （ａ）は、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｂ）は、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。 ベースウエハＷ１２０の製造方法が示されたフローチャートである。 ベースウエハＷ１２０の製造方法が示されたフローチャートである。 リッドウエハＷ１１０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ａ）は、水晶振動片１３０が載置されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。 （ｂ）は、水晶振動片１３０、ベースウエハＷ１２０、及びリッドウエハＷ１１０の部分断面図である。 （ａ）は、ベース板１２０ａの断面図である。 （ｂ）は、ベース板１２０ｂの断面図である。 水晶デバイス２００ａの分解斜視図である。 図１２のＥ―Ｅ断面図である。 （ａ）は、水晶振動片２３０ａの＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｂ）は、水晶振動片２３０ａの−Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｃ）は、水晶振動片２３０ａの断面図である。 （ａ）は、ベース板２２０ａの＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｂ）は、ベース板２２０ａの−Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｃ）は、ベース板２２０ａの断面図である。 水晶ウエハＷ２３０の平面図である。 水晶ウエハＷ２３０の製造方法が示されたフローチャートである。 水晶ウエハＷ２３０の製造方法が示されたフローチャートである。 （ａ）は、ベースウエハＷ２２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｂ）は、ベースウエハＷ２２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ａ）は、水晶ウエハＷ２３０が載置されたベースウエハＷ２２０の部分断面図である。 （ｂ）は、水晶ウエハＷ２３０、ベースウエハＷ２２０、及びリッドウエハＷ１１０の部分断面図である。 水晶デバイス３００の分解斜視図である。 （ａ）は、図２１のＨ−Ｈ断面図である。 （ｂ）は、水晶デバイス３００の−Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ａ）は、ベース板３２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。 （ｂ）は、ベース板３２０の断面図である。

以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。

（第１実施形態）
＜水晶デバイス１００の構成＞
図１は、水晶デバイス１００の分解斜視図である。水晶デバイス１００は、リッド板１１０と、ベース板１２０と、水晶振動片１３０と、により構成されている。水晶振動片１３０及びベース板１２０には例えばＡＴカットの水晶片が用いられる。ＡＴカットの水晶片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、水晶デバイス１００においては水晶デバイス１００の長辺方向をＸ軸方向、水晶デバイス１００の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。

水晶振動片１３０は、所定の振動数で振動し矩形形状に形成される振動部１３４と、振動部１３４の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面に形成された励振電極１３１と、各励振電極１３１から−Ｘ軸側に引き出された引出電極１３２と、を有している。振動部１３４の＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１３１から引き出される引出電極１３２は、励振電極１３１から−Ｘ軸側に引き出され、さらに振動部１３４の＋Ｚ’軸側の側面を介して振動部１３４の−Ｙ’軸側の面にまで引き出されている。振動部１３４の−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極１３１から引き出される引出電極１３２は、励振電極１３１から−Ｘ軸側に引き出され、振動部１３４の−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側の角にまで形成されている。

ベース板１２０は、基材となるＡＴカットの水晶片の表面に電極が形成される。ベース板１２０には、＋Ｙ’軸側の面の周囲に封止材１４２（図２参照）を介してリッド板１１０に接合される接合面１２２が形成されている。また、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面の中央には、接合面１２２から−Ｙ’軸方向に凹んだ凹部１２１が形成されている。凹部１２１には一対の接続電極１２３が形成されており、各接続電極１２３は導電性接着剤１４１（図２参照）を介して水晶振動片１３０の引出電極１３２に電気的に接続される。ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面には、水晶デバイス１００をプリント基板等へ実装するための実装端子が形成されている。ベース板１２０では、実装端子は外部電極等に電気的に接続されて水晶デバイス１００に電圧を印加するための端子であるホット端子１２４ａ（図２及び図３（ｂ）参照）とアース端子１２４ｂ（図２及び図３（ｂ）参照）とにより構成されている。ベース板１２０の＋Ｘ軸側の側面の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側にはベース板１２０の内側に凹んだキャスタレーション１２６ａが形成されており、ベース板１２０の−Ｘ軸側の側面の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側にはベース板１２０の内側に凹んだキャスタレーション１２６ｂが形成されている。キャスタレーション１２６ａ及びキャスタレーション１２６ｂの側面には、それぞれ側面電極１２５が形成されている。ホット端子１２４ａは側面電極１２５を介して接続電極１２３に電気的に接続されている。

リッド板１１０は、−Ｙ’軸側の面に＋Ｙ’軸方向に凹んだ凹部１１１が形成されている。また、凹部１１１を囲むように接合面１１２が形成されている。接合面１１２は封止材１４２（図２参照）を介してベース板１２０の接合面１２２に接合される。

図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。ベース板１２０の接合面１２２とリッド板１１０の接合面１１２とが封止材１４２を介して接合されることにより、水晶デバイス１００内には密閉されたキャビティ１０１が形成される。水晶振動片１３０はキャビティ１０１内に配置されており、引出電極１３２が導電性接着剤１４１を介してベース板１２０の接続電極１２３に電気的に接続されている。また、ホット端子１２４ａは側面電極１２５を介して接続電極１２３に電気的に接続されている。そのため、励振電極１３１はホット端子１２４ａに電気的に接続される。

ベース板１２０の＋Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション１２６ａの側面は、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面に接続される第１斜面１２７ａと、ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面に接続される第２斜面１２７ｂとにより形成され、第１斜面１２７ａと第２斜面１２７ｂとは第１頂部１２８ａにより交差している。また、ベース板１２０の−Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション１２６ｂの側面は、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面に接続される第３斜面１２７ｃと、ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面に接続される第４斜面１２７ｄとにより形成され、第３斜面１２７ｃと第４斜面１２７ｄとは第２頂部１２８ｂにより交差している。第１頂部１２８ａは第１斜面１２７ａ及び第２斜面１２７ｂよりもベース板１２０の＋Ｘ軸側に形成され、第２頂部１２８ｂは第３斜面１２７ｃ及び第４斜面１２７ｄよりもベース板１２０の−Ｘ軸側に形成されている。水晶デバイス１００のベース板１２０においては、図２に示されるように第１斜面１２７ａ及び第３斜面１２７ｃにも封止材１４２が形成される。そのためベース板１２０は、第１斜面１２７ａ、第３斜面１２７ｃ及び接合面１２２においてリッド板１１０の接合面１１２に接合される。

図３（ａ）は、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。ベース板１２０には＋Ｙ’軸側の面の中央に凹部１２１が形成され、その周りを取り囲むように接合面１２２が形成されている。また、ベース板１２０の＋Ｘ軸側の側面の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側にはキャスタレーション１２６ａが形成されており、−Ｘ軸側の側面の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側にはキャスタレーション１２６ｂが形成されている。凹部１２１には一対の接続電極１２３が形成されており、キャスタレーション１２６ａ及びキャスタレーション１２６ｂには側面電極１２５が形成されている。一対の接続電極１２３は、＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側に形成されているキャスタレーション１２６ａ及び−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側に形成されているキャスタレーション１２６ｂの側面電極１２５に電気的に接続されている。

図３（ｂ）は、ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。ベース板１２０の−Ｙ’軸側の面には、実装端子として一対のホット端子１２４ａ及び一対のアース端子１２４ｂが形成されている。ホット端子１２４ａはベース板１２０の−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側及び−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側に形成され、それぞれ側面電極１２５に電気的に接続されている。また、アース端子１２４ｂはベース板１２０の＋Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び−Ｘ軸側の−Ｚ’軸側に形成されている。図３（ｂ）に示されているベース板１２０ではアース端子１２４ｂと側面電極１２５とは電気的に接続されていないが、アース端子１２４ｂと側面電極１２５とは電気的に接続されていても良い。

図４（ａ）は、電極が形成されていないベース板１２０の平面図である。ベース板１２０の凹部１２１は、側壁と底面１２１ｃとにより形成されている。また、ベース板１２０では、凹部１２１の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の接合面１２２のＸ軸方向の幅はそれぞれ幅ＳＡに形成されている。さらに、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面におけるキャスタレーション１２６ａのＸ軸方向の幅は幅ＫＢに形成され、第１頂部１２８ａにおけるキャスタレーション１２６ａのＸ軸方向の幅は幅ＫＡ１に形成され、ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面におけるキャスタレーション１２６ｂのＸ軸方向の幅は幅ＫＣに形成され、第２頂部１２８ｂにおけるキャスタレーション１２６ｂのＸ軸方向の幅は幅ＫＡ２に形成されている。また、凹部１２１の＋Ｘ軸側の側壁１２１ａと第１頂部１２８ａとの幅は幅ＫＤ１に形成され、凹部１２１の−Ｘ軸側の側壁１２１ｂと第２頂部１２８ｂとの幅は幅ＫＤ２に形成されている。幅ＫＤ１及び幅ＫＤ２は、実際に封止材１４２が塗布される領域である接合領域のキャスタレーション１２６ａの−Ｘ軸側及びキャスタレーション１２６ｂの＋Ｘ軸側の幅となる。ベース板１２０では、幅ＫＡ１と幅ＫＡ２とが等しく、幅ＫＤ１と幅ＫＤ２とが等しい。

図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。キャスタレーション１２６ａ及びキャスタレーション１２６ｂは、−Ｙ’軸側の面におけるＸ軸方向の幅が幅ＫＣに形成されている。キャスタレーション１２６ａ及びキャスタレーション１２６ｂでは、第１頂部１２８ａ及び第２頂部１２８ｂにおいてＸ軸方向の幅が最も狭くなっている。また、ベース板１２０のＸ軸方向の中心１７３と第１頂部１２８ａとの距離ＫＥ１と、中心１７３と第２頂部１２８ｂとの距離ＫＥ２とは等しくなるように形成されている。

＜水晶デバイス１００の製造方法＞
図５は、水晶デバイス１００の製造方法が示されたフローチャートである。以下、図５のフローチャートに従って、水晶デバイス１００の製造方法について説明する。

ステップＳ１０１では、複数の水晶振動片１３０が用意される。ステップＳ１０１は、水晶振動片を用意する工程である。ステップＳ１０１では、まず水晶材により形成された水晶ウエハに複数の水晶振動片１３０の外形がエッチング等により形成される。さらに各水晶振動片１３０にスパッタ又は真空蒸着等により励振電極１３１及び引出電極１３２が形成される。複数の水晶振動片１３０は、水晶振動片１３０が水晶ウエハから折り取られることにより用意される。

ステップＳ２０１では、ベースウエハＷ１２０が用意される。ステップＳ２０１はベースウエハを用意する工程である。ベースウエハＷ１２０には複数のベース板１２０が形成される。ベースウエハＷ１２０はＡＴカットの水晶材料を基材としており、ベースウエハＷ１２０にはエッチングにより凹部１２１及びベースウエハＷ１２０が切断された後にキャスタレーション１２６ａ又はキャスタレーション１２６ｂとなる貫通孔１７２（図６（ａ）及び図６（ｂ）参照）が形成される。また、ベースウエハＷ１２０には接続電極１２３、側面電極１２５、ホット端子１２４ａ、及びアース端子１２４ｂが形成される。

図６（ａ）は、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。ベースウエハＷ１２０には複数のベース板１２０が形成されており、各ベース板１２０はＸ軸方向及びＺ’軸方向に並んで形成されている。また、図６（ａ）では、互いに隣接したベース板１２０の境界にスクライブライン１７１が示されている。スクライブライン１７１は後述されるステップＳ４０３でウエハが切断される位置を示す線である。Ｘ軸方向に伸びるスクライブライン１７１上にはベースウエハＷ１２０をＹ’軸方向に貫通する貫通孔１７２が形成されている。貫通孔１７２は、後述されるステップＳ４０３でウエハが切断された後にキャスタレーション１２６ａ及びキャスタレーション１２６ｂとなる。また、各ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面には、凹部１２１及び接続電極１２３が形成されている。

図６（ｂ）は、ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。ベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面には、ホット端子１２４ａ及びアース端子１２４ｂが形成されている。ホット端子１２４ａは、貫通孔１７２に形成される側面電極１２５を介して接続電極１２３に電気的に接続される。ベースウエハＷ１２０では、１つの貫通孔１７２に形成される側面電極１２５が１つのホット端子１２４ａのみに電気的に接続されている。

図７及び図８は、ベースウエハＷ１２０の製造方法が示されたフローチャートである。以下に、図７及び図８を参照して図５のステップＳ２０１のベースウエハＷ１２０を用意する工程を詳細に説明する。

図７のステップＳ２１１では、ＡＴカットの水晶材料により形成されたベースウエハが用意される。図７（ａ）は、ＡＴカットの水晶材料により形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。図７（ａ）及び後述される図７及び図８に示される図は、図６（ａ）及び図６（ｂ）のＣ−Ｃ断面に相当する断面の断面図である。各断面図にはスクライブライン１７１が示されており、スクライブライン１７１で挟まれた領域に１つのベース板１２０が形成される。ステップＳ２１１で用意されるベースウエハＷ１２０は、平板状に形成されている。

ステップＳ２１２では、耐蝕膜が形成される。図７（ｂ）は、耐蝕膜１５１が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。耐蝕膜１５１は、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面に形成される。耐蝕膜１５１は、例えばベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面と−Ｙ’軸側の面とにクロム（Ｃｒ）層（不図示）が形成され、クロム層の表面に金（Ａｕ）層（不図示）が形成されることにより形成される。ステップＳ２１２は、耐蝕膜形成工程である。

ステップＳ２１３では、フォトレジストが形成される。図７（ｃ）は、フォトレジスト１５２が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。フォトレジスト１５２は、ステップＳ２１２で形成された耐蝕膜１５１の表面に形成される。

ステップＳ２１４では、フォトレジストが露光及び現像される。図７（ｄ）は、フォトレジストが露光され、現像されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。ベースウエハＷ１２０は、マスク１５３を介して露光され、現像されることによりフォトレジスト１５２が除去される。ステップＳ２１４において除去されるフォトレジスト１５２は、ベースウエハＷ１２０の＋Ｙ’軸側の面の貫通孔１７２及び凹部１２１が形成される領域、及びベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面の貫通孔１７２が形成される領域である。貫通孔１７２を形成するために除去されるフォトレジスト１５２は、各ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側におけるスクライブライン１７１からの幅が幅ＫＢであり、各ベース板１２０の＋Ｙ’軸側の面の−Ｘ軸側、−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側におけるスクライブライン１７１からの幅が幅ＫＣとなっている。幅ＫＢは幅ＫＣの約１０〜３０％広い。ステップＳ２１３及びステップＳ２１４は、露光工程である。

図８のステップＳ２１５では、耐食膜がエッチングされる。図８（ａ）は、耐食膜１５１がエッチングされたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。ステップＳ２１５では、ステップＳ２１４においてフォトレジスト１５２が除去されて表面が露出した耐食膜１５１がエッチングされて除去される。これにより、ベースウエハＷ１２０の貫通孔１７２及び凹部１２１が形成される領域の水晶材料が露出する。ステップＳ２１５は、耐食膜エッチング工程である。

ステップＳ２１６では、水晶材料がウェットエッチングされる。図８（ｂ）は、水晶材料がエッチングされたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。ステップＳ２１６では、水晶材料がウェットエッチングされることにより、ベースウエハＷ１２０に貫通孔１７２及び凹部１２１が形成される。ベースウエハＷ１２０は基材にＡＴカットの水晶材料が用いられているため、結晶の異方性により貫通孔１７２は側面の中央部付近が貫通孔１７２の内側に狭くなるように形成される。ステップＳ２１６はウェットエッチング工程である。

ステップＳ２１７では、耐蝕膜及びフォトレジストが除去される。図８（ｃ）は、耐蝕膜１５１及びフォトレジスト１５２が除去されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。貫通孔１７２において、スクライブライン１７１からベース板１２０の側面までの−Ｘ軸方向及び＋Ｘ軸方向の幅はそれぞれ幅ＫＡ１及び幅ＫＡ２であり、幅ＫＡ１と幅ＫＡ２とは等しい。

ステップＳ２１８では、ベースウエハＷ１２０に電極が形成される。図８（ｄ）は、電極が形成されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。ステップＳ２１８では、ベースウエハＷ１２０にクロム層を形成し、クロム層の表面に金層を形成することにより、接続電極１２３、ホット端子１２４ａ、アース端子１２４ｂ、及び側面電極１２５をベースウエハＷ１２０に形成する。

図５に戻って、ステップＳ３０１では、リッドウエハＷ１１０が用意される。リッドウエハＷ１１０には、複数のリッド板１１０が形成される。各リッド板１１０の−Ｙ’軸側の面には凹部１１１が形成される。

図９は、リッドウエハＷ１１０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。リッドウエハＷ１１０には複数のリッド板１１０が形成され、各リッド板１１０の−Ｙ’軸側の面には凹部１１１及び接合面１１２が形成される。図９では、隣接する各リッド板１１０の間が二点鎖線で示されており、この二点鎖線はスクライブライン１７１となる。

ステップＳ４０１では、ベースウエハＷ１２０に水晶振動片１３０が載置される。水晶振動片１３０は、ベースウエハＷ１２０の各凹部１２１に導電性接着剤１４１により載置される。

図１０（ａ）は、水晶振動片１３０が載置されたベースウエハＷ１２０の部分断面図である。図１０（ａ）には、図６（ａ）及び図６（ｂ）のＣ−Ｃ断面を含む断面図が示されている。水晶振動片１３０の引出電極１３２と接続電極１２３とを導電性接着剤１４１を介して電気的に接続することにより、水晶振動片１３０がベースウエハＷ１２０の凹部１２１に載置される。これにより、励振電極１３１とベースウエハＷ１２０の−Ｙ’軸側の面に形成されるホット端子１２４ａとが電気的に接続される。

ステップＳ４０２では、ベースウエハＷ１２０とリッドウエハＷ１１０とが接合される。ベースウエハＷ１２０とリッドウエハＷ１１０とは、ベースウエハＷ１２０の接合面１２２、第１斜面１２７ａ、及び第２斜面１２７ｃとリッドウエハＷ１１０の接合面１１２とが封止材１４２を挟んで互いに向かい合うように接合される。

図１０（ｂ）は、水晶振動片１３０、ベースウエハＷ１２０、及びリッドウエハＷ１１０の部分断面図である。図１０（ｂ）では、図６（ａ）と図６（ｂ）とのＣ−Ｃ断面、及び図９のＤ−Ｄ断面を含む断面図が示されている。ベースウエハＷ１２０とリッドウエハＷ１１０とは、接合面１２２、第１斜面１２７ａ、及び第２斜面１２７ｃと接合面１１２とが互いに封止材１４２を介して接合される。リッドウエハＷ１１０とベースウエハＷ１２０とが封止材１４２を介して接合されることにより、密封されたキャビティ１０１が形成される。キャビティ１０１には、水晶振動片１３０が載置される。

ステップＳ４０３では、ベースウエハＷ１２０及びリッドウエハＷ１１０が切断される。ベースウエハＷ１２０及びリッドウエハＷ１１０は、スクライブライン１７１でダイシングブレード（不図示）により切断（ダイシング）することにより個々の水晶デバイス１００が形成される。ステップＳ４０３は、ダイシング工程である。図１０（ｂ）に示されるように、貫通孔１７２におけるスクライブライン１７１は、スクライブライン１７１の＋Ｘ軸側の側面電極１２５とは幅ＫＡ２だけ離れており、スクライブライン１７１の−Ｘ軸側の側面電極１２５とは幅ＫＡ１だけ離れている。水晶デバイス１００では幅ＫＡ１と幅ＫＡ２とが等しくなるように形成されているため、スクライブライン１７１が側面電極１２５から最も離れ、ダイシングブレードにより側面電極１２５が削られることがない。

ＡＴカットの水晶材料はウェットエッチングに対して異方性を持つため、ベース板に形成されるキャスタレーションがベース板の＋Ｘ軸側とＸ軸側とで形状及び寸法が変わる。例えば、図４（ｂ）において幅ＫＡ１と幅ＫＡ２とが異なる場合がある。このような場合、キャスタレーションの側面に形成される側面電極がダイシング工程において削られてしまう場合があった。また、封止材の接合領域がベース板の＋Ｘ軸側と−Ｘ軸側とで異なる場足には、ベース板の＋Ｘ軸側と−Ｘ軸側とで封止材の接合強度が変わることにより、接合強度の弱い側においてキャビティの封止が解けやすい。

水晶デバイス１００では、幅ＫＡ１と幅ＫＡ２とが等しく形成されるため、側面電極１２５がダイシング工程において削られることが防がれている。また、幅ＫＤ１と幅ＫＤ２とが等しく形成されることによりベース板１２０の＋Ｘ軸側と−Ｘ軸側の接合領域の幅が等しくなり、キャビティ１０１の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の封止材１４２の接合強度が等しくなってキャビティ１０１の密封が解かれることが防がれている。

＜ベース板１２０の変形例＞
図１１（ａ）は、ベース板１２０ａの断面図である。ベース板１２０ａはベース板１２０の変形例であり、図１１（ａ）にはベース板１２０ａの図４（ｂ）のベース板１２０の断面に相当する断面図が示されている。ベース板１２０ａは、＋Ｘ軸側のキャスタレーション１２６ａの−Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅が幅ＫＢ２に形成されており、＋Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅が幅ＫＣに形成されている。ベース板１２０ａでは、幅ＫＢ２の大きさを調節することにより幅ＫＡ１と幅ＫＡ２とが等しくなるように形成されている。ベース板１２０ａにおいてもベース板１２０と同様に、幅ＫＤ１と幅ＫＤ２とが等しい。

図１１（ｂ）は、ベース板１２０ｂの断面図である。ベース板１２０ｂはベース板１２０の変形例であり、図１１（ｂ）にはベース板１２０ｂの図４（ｂ）のベース板１２０の断面に相当する断面図が示されている。ベース板１２０ｂは、＋Ｘ軸側のキャスタレーション１２６ａの＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅が幅ＫＢ３に形成されている。ベース板１２０ｂでは、幅ＫＢ３の大きさを調節することにより幅ＫＡ１と幅ＫＡ２とが等しくなるように形成されている。また、ベース板１２０ｂにおいてもベース板１２０と同様に、幅ＫＤ１と幅ＫＤ２とが等しい。

（第２実施形態）
水晶振動片には、振動部の周囲を囲むように枠体が形成された水晶振動片を用いてもよい。以下に枠体を有する水晶振動片が用いられた水晶デバイス２００ａについて説明する。また、以下の説明において、第１実施形態と同じ部分に関しては同一の符号を付してその説明を省略する。

＜水晶デバイス２００ａの構成＞
図１２は、水晶デバイス２００ａの分解斜視図である。水晶デバイス２００ａは、リッド板１１０と、ベース板２２０ａと、水晶振動片２３０ａと、により構成されている。水晶デバイス２００ａでは、第１実施形態と同様に、水晶振動片２３０ａにＡＴカットの水晶振動片が用いられている。

水晶振動片２３０ａは、所定の振動数で振動し、矩形形状に形成される振動部２３４と、振動部２３４の周囲を囲むように形成されている枠体２３５と、振動部２３４と枠体２３５とを連結する連結部２３６と、を有している。振動部２３４と枠体２３５との間には水晶振動片２３０ａをＹ’軸方向に貫通する貫通溝２３７が形成されており、振動部２３４と枠体２３５とは直接接触していない。枠体２３５の＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側にはキャスタレーション２３８ａが形成され、−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側にはキャスタレーション２３８ｂが形成されている。また、振動部２３４と枠体２３５とは、振動部２３４の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側に連結されている連結部２３６により連結されている。振動部２３４の＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面には励振電極２３１が形成されており、各励振電極２３１からはそれぞれ引出電極２３２が枠体２３５にまで引き出されている。振動部２３４の＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極２３１から引き出される引出電極２３２は、＋Ｚ’軸側の連結部２３６及び−Ｘ軸側のキャスタレーション２３８ｂを介して枠体２３５の−Ｙ’軸側の面の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側に引き出されている。振動部２３４の−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極２３１から引き出される引出電極２３２は、−Ｚ’軸側の連結部２３６を介して枠体２３５の−Ｘ軸側に引き出され、さらに枠体２３５の＋Ｘ軸側のキャスタレーション２３８ａ及びその周囲にまで引き出されている。

ベース板２２０ａには、＋Ｙ’軸側の面の周囲に封止材１４２（図１３参照）を介して枠体２３５の−Ｙ’軸側の面に接合される接合面１２２が形成されており、ベース板２２０の＋Ｙ’軸側の面の中央には接合面１２２から−Ｙ’軸方向に凹んだ凹部１２１が形成されている。ベース板２２０ａの＋Ｘ軸側の側面の−Ｚ’軸側にはベース板２２０ａの内側に凹んだキャスタレーション２２６ａが形成されており、ベース板２２０ａの−Ｘ軸側の側面の＋Ｚ’軸側にはベース板２２０ａの内側に凹んだキャスタレーション２２６ｂが形成されている。キャスタレーション２２６ａ及びキャスタレーション２２６ｂの側面には側面電極２２５が形成されている。また、接合面１２２のキャスタレーション２２６ａ及びキャスタレーション２２６ｂの周囲には接続電極２２３が形成され、接続電極２２３は水晶振動片２３０ａの引出電極２３２及び側面電極２２５に電気的に接続される。さらに、ベース板２２０ａの−Ｙ’軸側の面には一対の実装端子２２４ａ（図１３参照）が形成されており、各実装端子２２４ａはそれぞれキャスタレーション２２６ａ又はキャスタレーション２２６ｂに形成される側面電極２２５に電気的に接続される。

図１３は、図１２のＥ−Ｅ断面図である。水晶デバイス２００ａは、リッド板１１０の接合面１１２と枠体２３５の＋Ｙ’軸側の面とが封止材１４２を介して接合され、ベース板２２０ａの接合面１２２と枠体２３５の−Ｙ’軸側の面とが封止材１４２を介して接合される。水晶振動片２３０ａとベース板２２０ａとの接合では、水晶振動片２３０ａのキャスタレーション２３８ａとベース板２２０ａのキャスタレーション２２６ａとがＹ’軸方向に重ねられ、水晶振動片２３０ａのキャスタレーション２３８ｂとベース板２２０ａのキャスタレーション２２６ｂとがＹ’軸方向に重ねられている。また、水晶振動片２３０ａとベース板２２０ａとの接合時に、引出電極２３２と接続電極２２３とが電気的に接合される。これにより、励振電極２３１は実装端子２２４ａに電気的に接続される。

水晶振動片２３０ａの＋Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション２３８ａの側面は、水晶振動片２３０ａの枠体２３５の＋Ｙ’軸側の面に接続される第１斜面２３９ａと、水晶振動片２３０ａの枠体２３５の−Ｙ’軸側の面に接続される第２斜面２３９ｂとにより形成され、第１斜面２３９ａと第２斜面２３９ｂとは第１頂部２４０ａにより交差している。また、水晶振動片２３０ａの−Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション２３８ｂの側面は、水晶振動片２３０ａの枠体２３５の＋Ｙ’軸側の面に接続される第３斜面２３９ｃと、水晶振動片２３０ａの枠体２３５の−Ｙ’軸側の面に接続される第４斜面２３９ｄとにより形成され、第３斜面２３９ｃと第４斜面２３９ｄとは第２頂部２４０ｂにより交差している。第１頂部２４０ａは第１斜面２３９ａ及び第２斜面２３９ｂよりも水晶振動片２３０ａの＋Ｘ軸側に形成され、第２頂部２４０ｂは第３斜面２３９ｃ及び第４斜面２３９ｄよりも水晶振動片２３０ａの−Ｘ軸側に形成されている。

水晶振動片２３０ａでは、枠体２３５の＋Ｙ’軸側では第１斜面２３９ａ及び第３斜面２３９ｃを含んだ領域に封止材１４２が形成される。また、枠体２３５の−Ｙ’軸側の面では、引出電極２３２と接続電極２２５とが接続されるため、接続電極２２５に直接接続される引出電極２３２には封止材１４２が形成されていない。

ベース板２２０ａの＋Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション２２６ａの側面は、ベース板２２０ａの接合面１１２に接続される第１斜面２２７ａと、ベース板２２０ａの−Ｙ’軸側の面に接続される第２斜面２２７ｂとにより形成され、第１斜面２２７ａと第２斜面２２７ｂとは第１頂部２２８ａにより交差している。また、ベース板２２０ａの−Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション２２６ｂの側面は、ベース板２２０ａの接合面１１２に接続される第３斜面２２７ｃと、ベース板２２０ａの−Ｙ’軸側の面に接続される第４斜面２２７ｄとにより形成され、第３斜面２２７ｃと第４斜面２２７ｄとは第２頂部２２８ｂにより交差している。第１頂部２２８ａは第１斜面２２７ａ及び第２斜面２２７ｂよりもベース板２２０ａの＋Ｘ軸側に形成され、第２頂部２２８ｂは第３斜面２２７ｃ及び第４斜面２２７ｄよりもベース板２２０ａの−Ｘ軸側に形成されている。

図１４（ａ）は、水晶振動片２３０ａの＋Ｙ’軸側の面の平面図である。振動部２３４の＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極２３１からは、連結部２３６を通り枠体２３５の−Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション２３８ｂに引出電極２３２が引き出されている。枠体２３５の−Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション２３８ｂの＋Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅は幅ＫＣ２に形成されている。また、キャスタレーション２３８ｂの第２頂部２４０ｂにおけるＸ軸方向の幅は幅ＫＡ４に形成されている。振動部２３４の−Ｘ軸側の枠体２３５のＸ軸方向の幅は幅ＳＡに形成されており、キャスタレーション２３８ｂの＋Ｘ軸側の接合領域の幅は幅ＳＡ１に形成される。

枠体２３５の＋Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション２３８ａの＋Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅は幅ＫＢ４に形成されている。また、キャスタレーション２３８ａの第１頂部２４０ａにおけるＸ軸方向の幅は幅ＫＡ３に形成されている。また、枠体２３５のＸ軸方向の幅は幅ＳＡに形成されており、キャスタレーション２３８ａの−Ｘ軸側の接合領域の幅は幅ＳＡ１に形成される。

図１４（ｂ）は、水晶振動片２３０ａの−Ｙ’軸側の面の平面図である。振動部２３４の−Ｙ’軸側に形成されている励振電極２３１からは、−Ｚ’軸側の連結部２３６を通り、枠体２３５に引き出され、さらに枠体２３５の＋Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション２３８ａの周囲にまで引出電極２３２が引き出されている。

枠体２３５の＋Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション２３８ａの−Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅は幅ＫＣ２に形成されており、キャスタレーション２３８ａの周囲に形成される引出電極２３２を除いた部分の枠体２３５のＸ軸方向の幅は幅ＳＡ２に形成されている。また、枠体２３５の−Ｘ軸側に形成されているキャスタレーション２３８ｂの−Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅は幅ＫＣ２に形成されており、キャスタレーション２３８ｂの周囲に形成される引出電極２３２を除いた部分の枠体２３５のＸ軸方向の幅は幅ＳＡ２に形成されている。これらの幅ＳＡ２の領域は、枠体２３５が封止材１４２を介してベース板２２０ａに接合される接合領域である。

図１４（ｃ）は、水晶振動片２３０ａの断面図である。図１４（ｃ）では、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）のＥ−Ｅ断面図が示されている。水晶振動片２３０ａの枠体２３５の＋Ｙ’軸側の面では、幅ＳＡ１の領域に封止材１４２が形成され、枠体２３５の−Ｙ’軸側の面では幅ＳＡ２の領域に封止材１４２が形成される。封止材１４２が形成される領域は、水晶振動片２３０ａの＋Ｘ軸側と−Ｘ軸側とで等しくなるように形成されている。また、水晶振動片２３０ａでは、幅ＫＡ３と幅ＫＡ４とが等しくなるように形成されている。

図１５（ａ）は、ベース板２２０ａの＋Ｙ’軸側の面の平面図である。ベース板２２０ａでは、接合面１２２における凹部１２１の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側のＸ軸方向の幅は、それぞれ幅ＳＡに形成されている。キャスタレーション２２６ａの−Ｘ軸側及びキャスタレーション２２６ｂの＋Ｘ軸側における接続電極２２３を除いた接合面１２２のＸ軸方向の幅はそれぞれ幅ＳＡ２に形成されている。この幅ＳＡ２の領域は、水晶振動片２３０ａの枠体２３５の−Ｙ’軸側の面に封止材１４２を介して接合される接合領域である。また、キャスタレーション２２６ａの第１頂部２２８ａにおけるＸ軸方向の幅は幅ＫＡ１に形成されており、キャスタレーション２２６ｂの第２頂部２２８ｂにおけるＸ軸方向の幅は幅ＫＡ２に形成されている。ベース板２２０ａにおいては、幅ＫＡ１と幅ＫＡ２とが等しくなるように形成されている。

図１５（ｂ）は、ベース板２２０ａの−Ｙ’軸側の面の平面図である。ベース板２２０ａの−Ｙ’軸側の面には一対の実装端子２２４ａが形成されている。各実装端子２２４ａはそれぞれキャスタレーション２２６ａ又はキャスタレーション２２６ｂに形成されている側面電極２２５に電気的に接続されている。また、キャスタレーション２２６ａの−Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅が幅ＫＢ２に形成され、キャスタレーション２２６ｂの−Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅が幅ＫＣに形成される。

図１５（ｃ）は、ベース板２２０ａの断面図である。ベース板２２０ａでは、キャスタレーション２２６ａの−Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅ＫＢ２を幅ＫＣの約１０〜３０％広く形成することにより幅ＫＡ１と幅ＫＡ２とが等しくなるように形成されている。

＜水晶デバイス２００ａの製造方法＞
水晶デバイス２００ａは、図５に示されたフローチャートに従って製造することができる。以下、図５のフローチャートを参照しながら水晶デバイス２００ａの製造方法について説明する。

ステップＳ１０１では、水晶ウエハが用意される。ステップＳ１０１では、複数の水晶振動片２３０ａ及び水晶振動片２３０ｂが形成された水晶ウエハＷ２３０が用意される。

図１６は、水晶ウエハＷ２３０の平面図である。水晶ウエハＷ２３０には、複数の水晶振動片２３０ａ及び水晶振動片２３０ｂが形成されている。水晶振動片２３０ｂは水晶振動片２３０ａの鏡映対称に形成された水晶振動片であり、枠体２３５及びキャスタレーション２３８ａ、２３８ｂの寸法などは水晶振動片２３０ａと同様である。水晶ウエハＷ２３０では、水晶振動片２３０ａと水晶振動片２３０ｂとがＸ軸方向及びＺ’軸方向に交互に形成されている。水晶デバイス２００ａの製造では、水晶デバイス２００ａと同時に、リッド板１１０、水晶振動片２３０ｂ、及びベース板２２０ｂ（図１９（ａ）及び図１９（ｂ）参照）により構成される水晶デバイス２００ｂも製造される。

図１７及び図１８は、水晶ウエハＷ２３０の製造方法が示されたフローチャートである。以下に、図１７及び図１８を参照して図５のステップＳ１０１の水晶ウエハを用意する工程について詳細に説明する。

図１７のステップＳ１１１では、ＡＴカットされた水晶ウエハが用意される。図１７（ａ）は、ＡＴカットされた水晶ウエハＷ２３０の部分断面図である。図１７（ａ）及び後述される図１７及び図１８に示される図は、図１６のＦ−Ｆ断面に相当する断面の断面図である。各断面図にはスクライブライン１７１が示されており、スクライブライン１７１で挟まれた領域に１つの水晶振動片２３０ａが形成されている。ステップＳ１１１で用意される水晶ウエハＷ２３０は、平板状に形成されている。

ステップＳ１１２では、耐蝕膜が形成される。図１７（ｂ）は、耐蝕膜１５１が形成された水晶ウエハＷ２３０の部分断面図である。耐蝕膜１５１は、水晶ウエハＷ２３０の＋Ｙ’軸側及び−Ｙ’軸側の面に形成される。耐蝕膜１５１は、例えば水晶ウエハＷ２３０の＋Ｙ’軸側の面と−Ｙ’軸側の面とにクロム（Ｃｒ）層（不図示）が形成され、クロム層の表面に金（Ａｕ）層（不図示）が形成されることにより形成される。ステップＳ１１２は、耐蝕膜形成工程である。

ステップＳ１１３では、フォトレジストが形成される。図１７（ｃ）は、フォトレジスト１５２が形成された水晶ウエハＷ２３０の部分断面図である。フォトレジスト１５２は、ステップＳ１１２で形成された耐蝕膜１５１の表面に形成される。

ステップＳ１１４では、フォトレジストが露光及び現像される。図１７（ｄ）は、フォトレジスト１５２が露光され、現像された水晶ウエハＷ２３０の部分断面図である。水晶ウエハＷ２３０は、マスク１５４を介して露光され、現像されることによりフォトレジスト１５２が除去される。ステップＳ２１４において除去されるフォトレジスト１５２は、水晶ウエハＷ２３０の＋Ｙ’軸側の面の貫通孔１７２及び貫通溝２３７が形成される領域、及び水晶ウエハＷ２３０の−Ｙ’軸側の面の貫通孔１７２及び貫通溝２３７が形成される領域である。貫通孔１７２を形成するために除去されるフォトレジスト１５２は、各水晶振動片２３０ａ及び水晶振動片２３０ｂの＋Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側におけるスクライブライン１７１からの幅が幅ＫＢ４となり、各水晶振動片２３０ａ及び水晶振動片２３０ｂの＋Ｙ’軸側の面の−Ｘ軸側、−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側におけるスクライブライン１７１からの幅が幅ＫＣ２となるように除去される。ステップＳ１１３及びステップＳ１１４は、露光工程である。

図１８のステップＳ１１５では、耐食膜１５１がエッチングされる。図１８（ａ）は、耐食膜１５１がエッチングされた水晶ウエハＷ２３０の部分断面図である。ステップＳ１１５では、ステップＳ１１４において除去されて表面が露出された耐食膜１５１がエッチングされて除去される。これにより、水晶ウエハＷ２３０の貫通孔１７２及び貫通溝２３７が形成される領域の水晶材料が露出される。ステップＳ１１５は、耐食膜エッチング工程である。

ステップＳ１１６では、水晶材料がウェットエッチングされる。図１８（ｂ）は、水晶材料がウェットエッチングされた水晶ウエハＷ２３０の部分断面図である。ステップＳ１１６では、水晶材料がウェットエッチングされることにより、水晶ウエハＷ２３０に貫通孔１７２及び貫通溝２３７が形成される。水晶ウエハＷ２３０はＡＴカットの水晶材料により形成されているため、結晶の異方性により貫通孔１７２が側面の中央部付近で貫通孔１７２の内側に狭くなるように形成される。ステップＳ１１６はウェットエッチング工程である。

ステップＳ１１７では、耐蝕膜１５１及びフォトレジスト１５２が除去される。図１８（ｃ）は、耐蝕膜１５１及びフォトレジスト１５２が除去された水晶ウエハＷ２３０の部分断面図である。図１８（ｃ）に示されるように、貫通孔１７２において、スクライブライン１７１からベース板２２０ａの側面までの−Ｘ軸方向及び＋Ｘ軸方向の幅はそれぞれ幅ＫＡ３及び幅ＫＡ４になる。幅ＫＡ３及び幅ＫＡ４は互いに等しい。

ステップＳ１１８では、水晶ウエハＷ２３０に電極が形成される。図１８（ｄ）は、電極が形成された水晶ウエハＷ２３０の部分断面図である。ステップＳ１１８では、水晶ウエハＷ２３０にクロム層を形成し、クロム層の表面に金層を形成することにより、励振電極２３１及び引出電極２３２を水晶ウエハＷ２３０に形成する。

図５に戻って、ステップＳ２０１では、ベースウエハが用意される。ステップＳ２０１では、複数のベース板２３０ａ及びベース板２３０ｂが形成されているベースウエハＷ２２０が用意される。

図１９（ａ）は、ベースウエハＷ２２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。ベースウエハＷ２２０には、複数のベース板２２０ａ及びベース板２２０ｂが形成されている。ベース板２２０ｂは、ベース板２２０ａの鏡映対称となるように形成されている。ベースウエハＷ２２０ではベース板２２０ａ及びベース板２２０ｂがＸ軸方向及びＺ’軸方向に交互に形成されている。また、接合面１２２の貫通孔１７２の周囲には接続電極２２３が形成されている。

図１９（ｂ）は、ベースウエハＷ２２０の−Ｙ’軸側の面の平面図である。ベース板２２０ａには一対の実装端子２２４ａが形成され、ベース板２２０ｂには一対の実装端子２２４ｂが形成されている。ベースウエハＷ２２０では、１つの貫通孔１７２に対して実装端子２２４ａ及び実装端子２２４ｂが電気的に接続されている。

図５に戻って、ステップＳ３０１では、リッドウエハＷ１１０が用意される。ステップＳ３０１では、複数のリッド板１１０が形成されているリッドウエハＷ１１０が用意される。

ステップＳ４０１では、ベースウエハＷ２２０に水晶ウエハＷ２３０が載置される。ステップＳ４０１では、ベースウエハＷ２２０に水晶ウエハＷ２３０を重ね合せることによりベースウエハＷ２２０に水晶ウエハＷ２３０を載置させる。

図２０（ａ）は、水晶ウエハＷ２３０が載置されたベースウエハＷ２２０の部分断面図である。図２０（ａ）には、図１６のＦ−Ｆ断面、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）のＧ−Ｇ断面を含む断面図が示されている。水晶ウエハ２３０の引出電極１３２と接続電極１２３とが電気的に接続され、封止材１４２により水晶ウエハＷ２３０とベースウエハＷ２２０とが接合される。これにより、励振電極１３１とベースウエハＷ２２０の−Ｙ’軸側の面に形成される実装端子２２４ａとが電気的に接続される。

ステップＳ４０２では、水晶ウエハＷ２３０とリッドウエハＷ１１０とが接合される。水晶ウエハＷ２３０とリッドウエハＷ１１０とは、水晶ウエハＷ２３０の枠体の＋Ｙ’軸側の面又はリッドウエハＷ１１０の接合面１１２に封止材１４２が塗布された後に、水晶ウエハＷ２３０の枠体とリッドウエハＷ１１０の接合面１１２とが封止材１４２を挟んで互いに向かい合うように接合される。

図２０（ｂ）は、水晶ウエハＷ２３０、ベースウエハＷ２２０、及びリッドウエハＷ１１０の部分断面図である。図２０（ｂ）では、図１６のＦ−Ｆ断面、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）のＧ−Ｇ断面を含む断面図が示されている。水晶ウエハＷ２３０とリッドウエハＷ１１０とは枠体２３５の＋Ｙ’軸側の面及び接合面１２２において互いに封止材１４２を介して接合される。封止材１４２は、水晶ウエハＷ２３０においては、接合面１２２のみではなく第１斜面２３９ａ及び第３斜面２３９ｃにも塗布される。リッドウエハＷ１１０と水晶ウエハＷ２３０とが封止材１４２を介して接合されることにより、密封されたキャビティ２０１が形成される。キャビティ２０１には、振動部２３４が載置される。

ステップＳ４０３では、水晶ウエハＷ２３０、ベースウエハＷ２２０及びリッドウエハＷ１１０が切断される。水晶ウエハＷ２３０、ベースウエハＷ２２０及びリッドウエハＷ１１０のスクライブライン１７１で切断（ダイシング）することにより個々の水晶デバイス２００ａ及び水晶デバイス２００ｂが形成される。ステップＳ４０３は、ダイシング工程である。

水晶デバイス２００ａでは、キャビティ２０１の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の接合領域のＸ軸方向の幅が等しく形成されているため、キャビティ２０１の密封が解かれることが防がれている。また、幅ＫＡ１と幅ＫＡ２とが等しく、幅ＫＡ３と幅ＫＡ４とが等しく形成されるため、側面電極２２５及び引出電極２３２がダイシング工程において削られることが防がれている。

（第３実施形態）
水晶振動片には、振動部の周囲を囲むように枠体が形成され、枠体にキャスタレーションが形成されていない水晶振動片を用いてもよい。以下にキャスタレーションが形成されていない枠体を有する水晶振動片が用いられた水晶デバイス３００について説明する。また、以下の説明において、第１実施形態と同じ部分に関しては同一の符号を付してその説明を省略する。

＜水晶デバイス３００の構成＞
図２１は、水晶デバイス３００の分解斜視図である。水晶デバイス３００は、リッド板１１０と、ベース板３２０と、水晶振動片３３０と、により構成されている。水晶デバイス３００では、第１実施形態と同様に、水晶振動片３３０にＡＴカットの水晶振動片が用いられている。

水晶振動片３３０は、所定の振動数で振動し、矩形形状に形成される振動部３３４と、振動部３３４の周囲を囲むように形成されている枠体３３５と、振動部３３４と枠体３３５とを連結する連結部３３６と、を有している。振動部３３４と枠体３３５との間には水晶振動片３３０をＹ’軸方向に貫通する貫通溝３３７が形成されており、振動部３３４と枠体３３５とは直接接触していない。また、振動部３３４と枠体３３５とは、振動部３３４の−Ｘ軸側側面の＋Ｚ’軸側、及び振動部３３４の＋Ｘ軸側側面の−Ｚ’軸側に連結されている。水晶振動片３３０では、振動部３３４及び連結部３３６のＹ’軸方向の厚さが、枠体３３５のＹ’軸方向の厚さよりも薄く形成されている。振動部３３４の＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面には励振電極３３１が形成されており、各励振電極３３１からはそれぞれ引出電極３３２が枠体３３５にまで引き出されている。振動部３３４の＋Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極３３１から引き出される引出電極３３２は、＋Ｚ’軸側の連結部３３６を介して枠体３３５の−Ｙ’軸側の面の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側に引き出されている。振動部３３４の−Ｙ’軸側の面に形成されている励振電極３３１から引き出される引出電極３３２は、−Ｚ’軸側の連結部３３６を介して枠体３３５の＋Ｘ軸側の−Ｚ’軸側に引き出されている。

ベース板３２０では、＋Ｙ’軸側の面上に凹部が形成されておらず、平板状になっている。水晶デバイス３００では、水晶振動片３３０の振動部３３４の厚さが枠体３３５よりも薄く形成されているため（図２２（ａ）参照）、ベース板３２０に凹部が形成されなくても振動部３３４がベース板３２０に接触しない。また、ベース板３２０では＋Ｙ’軸側の面の周囲に、封止材１４２（図２２（ａ）参照）を介して枠体３３５の−Ｙ’軸側の面に接合される接合面３２２を有している。ベース板３２０の−Ｙ’軸側の面には、水晶デバイス３００をプリント基板等へ実装するための実装端子が形成されている。ベース板３２０では、実装端子は外部電極等に電気的に接続される端子であるホット端子３２４ａとアース端子３２４ｂとにより構成されている（図２２（ｂ）参照）。また、＋Ｘ軸側側面の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側にはキャスタレーション３２６ａが形成されており、−Ｘ軸側側面の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側にはキャスタレーション３２６ｂが形成されている。ホット端子３２４ａは、キャスタレーション３２６ａ又はキャスタレーション３２６ｂを介して水晶振動片３３０の引出電極３３２に電気的に接続される。

図２２（ａ）は、図２１のＨ−Ｈ断面図である。ベース板３２０のキャスタレーション３２６ａは図１３に示されるキャスタレーション２２６ａと同じ形状に形成されており、第１斜面２２７ａ、第２斜面２２７ｂ、及び第１頂部２２８ａを有している。また、ベース板３２０のキャスタレーション３２６ｂは図１３に示されるキャスタレーション２２６ｂと同じ形状に形成されており、第３斜面２２７ｃ、第４斜面２２７ｄ、及び第２頂部２２８ｂにより形成されている。水晶デバイス３００は、リッド板１１０の接合面１１２と枠体３３５の＋Ｙ’軸側の面とが封止材１４２を介して接合され、ベース板３２０の接合面３２２、第１斜面２２７ａ、及び第３斜面２２７ｃと枠体３３５の−Ｙ’軸側の面とが封止材１４２を介して接合される。ホット端子３２４ａはキャスタレーション３２６ａ又は３２６ｂ及び封止材１４２の側面を介して引出電極３３２に電気的に接続される。これにより、励振電極３３１はホット端子３２４ａに電気的に接続される。

図２２（ｂ）は、水晶デバイス３００の−Ｙ’軸側の面の平面図である。水晶デバイス３００の−Ｙ’軸側の面であるベース板３２０の−Ｙ’軸側の面には、一対のホット端子３２４ａ及び一対のアース端子３２４ｂが形成されている。ホット端子３２４ａ及びアース端子３２４ｂは、それぞれキャスタレーション３２６ａ、３２６ｂに引き出されるように形成されている。キャスタレーション３２６ａの−Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅は図１５（ｂ）に示されるキャスタレーション２２６ａと同じく幅ＫＢ２に形成され、キャスタレーション３２６ｂの−Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅は図１５（ｂ）に示されるキャスタレーション２２６ｂと同じく幅ＫＣに形成されている。また、キャスタレーション３２６ａの第１頂部２２８ａにおけるＸ軸方向の幅は幅ＫＡ１に形成されており、キャスタレーション２２６ｂの第２頂部２２８ｂにおけるＸ軸方向の幅は幅ＫＡ２に形成されている。ベース板３２０においては、幅ＫＡ１と幅ＫＡ２との大きさが等しくなるように形成されている。ベース板３２０では、ベース板２２０ａと同様に、キャスタレーション３２６ａの−Ｙ’軸側の面のＸ軸方向の幅ＫＢ２を幅ＫＣの約１０〜３０％広く形成することにより幅ＫＡ１と幅ＫＡ２とが等しくなるように形成されている。

図２３（ａ）は、ベース板３２０の＋Ｙ’軸側の面の平面図である。図２２（ａ）に示されるように、ベース板３２０では、接合面３２２と、キャスタレーション３２６ａの第１斜面２２７ａと、キャスタレーション３２６ｂの第３斜面２２７ｃとが、封止材１４２が形成されて水晶振動片３３０に接合される接合領域となる。ベース板３２０では、接合面３２２の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側のＸ軸方向の幅は、それぞれ幅ＳＡに形成されている。また、キャスタレーション３２６ａの−Ｘ軸側の接合領域の幅、及びキャスタレーション３２６ｂの−Ｘ軸側の接合領域の幅は、幅ＳＡ３に形成される。幅ＳＡ３は、幅ＳＡから幅ＫＡ１又は幅ＫＡ２を引いた大きさである。

図２３（ｂ）は、ベース板３２０の断面図である。図２３（ｂ）の断面図は、図２３（ａ）のＨ−Ｈ断面を示している。ベース板３２０の接合領域は、ベース板３２０の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側では幅ＳＡであり、さらにキャスタレーション３２６ａ又は３２６ｂが形成されている箇所では幅ＳＡ３である。すなわち、ベース板３２０の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の接合領域のＸ軸方向の幅が等しく形成されているため接合領域の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側の封止材１４２の接合強度が等しくなる。そのため、水晶デバイス３００の密封が解かれることが防がれる。

＜水晶デバイス３００の製造方法＞
水晶デバイス３００の製造方法は、基本的には図５に示されたフローチャートに従う。以下では、第１実施形態又は第２実施形態と特に異なる部分に関して説明する。

図５のステップＳ２０１では、複数のベース板３２０が形成されているベースウエハ（不図示）が用意される。ステップＳ２０１におけるベースウエハには電極が形成されず、各ベース板３２０の外形のみがエッチングにより形成される。

ステップＳ４０２とステップＳ４０３との間、すなわち、ステップＳ４０２において、ベースウエハと複数の水晶振動片３３０が形成されている水晶ウエハ（不図示）とが接合された後に、ベースウエハの−Ｙ’軸側の面にスパッタ又は真空蒸着等により電極が形成される。これにより、ベースウエハにホット端子３２４ａ及びアース端子３２４ｂが形成される。電極はキャスタレーション３２６ａ及び３２６ｂにも形成されるため、図２２（ａ）に示されるように、ホット端子３２４ａは水晶振動片３３０の引出電極３３２に電気的に接続される。

以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。

１００、２００ａ、２００ｂ、３００ … 水晶デバイス
１０１、２０１ … キャビティ
１１０ … リッド板
１１１ … 凹部
１１２ … 接合面
１２０、１２０ａ、１２０ｂ、２２０ａ、３２０ … ベース板
１２１ … 凹部
１２１ａ … ＋Ｘ軸側の側壁、 １２１ｂ … −Ｘ軸側の側壁
１２１ｃ … 底面
１２２、３２２ … 接合面
１２３、２２３ … 接続電極
１２４ａ、３２４ａ … ホット端子
１２４ｂ、３２４ｂ … アース端子
１２５、２２５ … 側面電極
１２６ａ、１２６ｂ、２２６ａ、２２６ｂ、２３８ａ、２３８ｂ、３２６ａ、３２６ｂ … キャスタレーション
１２７ａ、２３９ａ … 第１斜面
１２７ｂ、２３９ｂ … 第２斜面
１２７ｃ、２３９ｃ … 第３斜面
１２７ｄ、２３９ｄ … 第４斜面
１２８ａ、２４０ａ … 第１頂部
１２８ｂ、２４０ｂ … 第２頂部
１３０、２３０ａ、３３０ … 水晶振動片
１３１、２３１、３３１ … 励振電極
１３２、２３２、３３２ … 引出電極
１３４、２３４、３３４ … 振動部
１４１ … 導電性接着剤
１４２ … 封止材
１５１ … 耐蝕膜
１５２ … フォトレジスト
１５３、１５４ … マスク
１７１ … スクライブライン
１７２ … 貫通孔
２２４ａ、２２４ｂ … 実装端子
２３５、３３５ … 枠体
２３６、３３６ … 連結部、 ２３７、３３７ … 貫通溝

Claims (12)

1. 複数の矩形状のベース板とそのベース板のＸ軸方向に少なくとも１対の貫通孔が形成されたＡＴカットのベースウエハを使って、水晶振動片と前記ベース板とを有する水晶デバイスを製造する製造方法において、
   前記ベースウエハの第１面とその第１面の反対側の第２面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程と、
   前記耐蝕膜上にフォトレジストを形成し、前記貫通孔に対応する位置の前記第１面及び前記第２面の前記フォトレジストを露光する露光工程と、
   前記第１面及び前記第２面の前記貫通孔に対応する前記耐蝕膜をエッチングする耐蝕膜エッチング工程と、
   前記耐蝕膜エッチング工程後に、前記第１面及び第２面から前記一対の貫通孔をウェットエッチングするウェットエッチング工程と、を備え、
   前記ウェットエッチングによって形成される前記第１面と前記第２面とを結ぶ前記貫通孔の＋Ｘ軸側の断面は、前記第１面から断面中央側に形成された第１斜面と前記第２面から前記断面中央側に形成された第２斜面と前記第１斜面と前記第２斜面とが交差する第１頂部を有し、−Ｘ軸側の断面は、前記第１面から断面中央側に形成された第３斜面と前記第２面から前記断面中央側に形成された第４斜面と前記第３斜面と前記第４斜面とを結ぶ第２頂部を有し、
   前記ベース板のＸ軸方向の中心から前記第１頂部までの距離と、前記ベース板の中心から前記第２頂部までの距離とが同じになるように、前記露光工程は、前記貫通孔に対応する位置の前記第１面及び前記第２面を露光する水晶デバイスの製造方法。
2. 前記ベース板の中心から＋Ｘ軸側の前記貫通孔までの距離が、前記第１面が前記第２面よりも短くなるように、前記露光工程は前記フォトレジストを露光する請求項１に記載の水晶デバイスの製造方法。
3. 前記第１面において、前記ベース板の中心から＋Ｘ軸側の前記貫通孔までの距離と前記ベース板の中心から−Ｘ軸側の前記貫通孔までの距離とが同じく、且つ前記第２面において、前記ベース板の中心から＋Ｘ軸側の前記貫通孔までの距離が前記ベース板の中心から−Ｘ軸側の前記貫通孔までの距離よりも短くなるように、前記露光工程は前記フォトレジストを露光する請求項１に記載の水晶デバイスの製造方法。
4. 前記第１面において、前記ベース板の中心から＋Ｘ軸側の前記貫通孔までの距離が前記ベース板の中心から−Ｘ軸側の前記貫通孔までの距離よりも短く、且つ前記第２面において、前記ベース板の中心から＋Ｘ軸側の前記貫通孔までの距離が前記ベース板の中心から−Ｘ軸側の前記貫通孔までの距離よりも短くなるように、前記露光工程は前記フォトレジストを露光する請求項１に記載の水晶デバイスの製造方法。
5. 前記水晶振動片は矩形状のＡＴカット水晶片であり、
   該ＡＴカット水晶片のＸ軸方向に少なくとも１対の貫通孔が形成された水晶振動片ウエハと前記ベースウエハとを接合する接合工程と、を備え、
   前記水晶振動片ウエハの第１面とその第１面の反対側の第２面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程と、
   前記耐蝕膜上にフォトレジストを形成し、前記貫通孔に対応する位置の前記第１面及び前記第２面の前記フォトレジストを露光する露光工程と、
   前記第１面及び前記第２面の前記貫通孔に対応する前記耐蝕膜をエッチングする耐蝕膜エッチング工程と、
   前記耐蝕膜エッチング工程後に、前記第１面及び第２面から前記一対の貫通孔をウェットエッチングするウェットエッチング工程と、を備え、
   前記ウェットエッチングによって形成される前記第１面と前記第２面とを結ぶ前記貫通孔の＋Ｘ軸側の断面は、前記第１面から断面中央側に形成された第１斜面と前記第２面から前記断面中央側に形成された第２斜面と前記第１斜面と前記第２斜面とが交差する第１頂部を有し、−Ｘ軸側の断面は、前記第１面から断面中央側に形成された第３斜面と前記第２面から前記断面中央側に形成された第４斜面と前記第３斜面と前記第４斜面とを結ぶ第２頂部を有し、
   前記ＡＴカット水晶片の中心から前記第１頂部までの距離と、前記ＡＴカット水晶片の中心から前記第２頂部までの距離とが同じになるように、前記露光工程は、前記貫通孔に対応する位置の前記第１面及び前記第２面を露光する請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の水晶デバイスを製造する製造方法。
6. 接合された前記水晶振動片ウエハと前記ベースウエハとを、前記第１頂部と前記第２頂部との中間を通るようにダイシングするダイシング工程をさらに備える請求項５に記載の水晶デバイスを製造する製造方法。
7. 励振電極及び該励振電極から引き出された引出電極を有するＡＴカットの水晶振動片と、前記水晶振動片を支持し矩形状で且つＡＴカットの水晶ベース板とを備える水晶デバイスであって、
   前記ベース板は第１面と前記第１面の反対側の第２面とを有し、且つ一対の短辺が±Ｘ軸方向に配置され、前記短辺にはそれぞれ中心側に凹んだキャスタレーションを有し、
   前記キャスタレーションの＋Ｘ軸側の断面は、前記第１面から断面中央側に形成された第１斜面と前記第２面から前記断面中央側に形成された第２斜面と前記第１斜面と前記第２斜面とが交差する第１頂部を有し、−Ｘ軸側の断面は、前記第１面から断面中央側に形成された第３斜面と前記第２面から前記断面中央側に形成された第４斜面と前記第３斜面と前記第４斜面とを結ぶ第２頂部を有し、
   前記ベース板の中心から前記第１頂部までの距離と、前記ベース板の中心から前記第２頂部までの距離とが同じである水晶デバイス。
8. 前記ベース板の前記第１面には、前記第１面から凹んだ底面と前記底面から伸びた側壁とを有する凹部を有し、前記凹部の＋Ｘ軸側の側壁から前記第１頂部までの距離と前記凹部の−Ｘ軸側の側壁から前記第２頂部までの距離とが同じである請求項７に記載の水晶デバイス。
9. 前記ベース板の前記第１面には、前記水晶振動片の引出電極と接続する接続電極が形成され、
   前記ベース板の前記第２面には、前記水晶デバイスを実装する実装端子が形成され、
   前記ベース板のキャスタレーションには、前記接続電極と実装端子とを接続する側面電極が形成され、
   前記第１斜面と前記第３斜面とには、封止材が形成される請求項７又は請求項８に記載の水晶デバイス。
10. 前記ＡＴカット水晶片は、第１面と前記第１面の反対側の第２面とを有する矩形状の枠体を含み、且つ前記枠体の一対の短辺が±Ｘ軸方向に配置され、前記短辺にはそれぞれ中心側に凹んだキャスタレーションを有し、
    前記ＡＴカット水晶片の前記キャスタレーションの＋Ｘ軸側の断面は、前記第１面から断面中央側に形成された第１斜面と前記第２面から前記断面中央側に形成された第２斜面と前記第１斜面と前記第２斜面とが交差する第１頂部を有し、−Ｘ軸側の断面は、前記第１面から断面中央側に形成された第３斜面と前記第２面から前記断面中央側に形成された第４斜面と前記第３斜面と前記第４斜面とを結ぶ第２頂部を有し、
    前記ＡＴカット水晶片のＸ軸方向の中心から前記第１頂部までの距離と、前記ベース板のＸ軸方向の中心から前記第２頂部までの距離とが同じである請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の水晶デバイス。
11. 前記ベース板の前記第１面は、前記水晶振動片を密封するリッド板に封止材を介して接合される環状の接合領域を有し、
    前記キャスタレーションにＸ軸方向に接しない前記ベース板の＋Ｘ軸側の前記接合領域と前記ベース板の−Ｘ軸側の前記接合領域とのＸ軸方向の幅が互いに等しく、
    前記キャスタレーションにＸ軸方向に接する前記ベース板の＋Ｘ軸側の前記接合領域と前記ベース板の−Ｘ軸側の前記接合領域とのＸ軸方向の幅が互いに等しい請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の水晶デバイス。
12. 前記ベース板の前記第１面は、前記枠体に封止材を介して接合される環状の接合領域を有し、
    前記ベース板の前記キャスタレーションとＸ軸方向に接しない領域において、前記ベース板の＋Ｘ軸側の前記接合領域と−Ｘ軸側の前記接合領域とのＸ軸方向の幅が互いに等しく、
    前記ベース板の前記キャスタレーションとＸ軸方向に接する領域において、前記ベース板の＋Ｘ軸側の前記接合領域と−Ｘ軸側の前記接合領域とのＸ軸方向の幅が互いに等しい請求項１０に記載の水晶デバイス。