CN103312289A - 晶体装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶体装置及晶体装置的制造方法，在从基底板的中心算起的相等的距离处形成城堡形结构。晶体装置的制造方法包括：耐蚀膜形成工序，形成耐蚀膜；曝光工序，在耐蚀膜上形成光致抗蚀剂并进行曝光；耐蚀膜蚀刻工序，对耐蚀膜进行蚀刻；及湿式蚀刻工序，对贯穿孔进行湿式蚀刻。贯穿孔的+X轴侧的剖面具有：第1面侧的第1斜面、第2面侧的第2斜面、及第1斜面与第2斜面交叉的第1顶部。-X轴侧的剖面具有：第1面侧的第3斜面、第2面侧的第4斜面、及连结第3斜面与第4斜面的第2顶部，在曝光工序中，以从基底板的X轴方向的中心直至第1顶部为止及直至第2顶部为止的距离相同的方式，来对第1面及第2面进行曝光。

Description

晶体装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种晶体装置(quartz crystal device)及该晶体装置的制造方法，所述晶体装置具有对晶体基板进行湿式蚀刻(wet etching)而形成的晶体振动片、以及对晶体基板进行湿式蚀刻而形成的基底板(base plate)。

背景技术

表面安装用的晶体装置较佳为能够一次性大量地制造。专利文献1所示的晶体装置是：将形成有多个晶体振动片的晶体晶片(quartz-crystalwafer)夹入盖晶片(lid wafer)及基底晶片(base wafer)而制造，所述盖晶片及基底晶片为与晶体晶片相同的形状且包含玻璃(glass)材料。而且，专利文献1的晶体装置的制造方法中，通过在盖晶片及基底晶片上形成贯穿孔，从而在晶体装置的四角(城堡形结构(castellation))形成侧面配线，所述侧面配线电性连接晶体振动片的激振电极与外部端子。以晶片为单位而制造的晶体装置被个别地切割(dicing)以至完成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2006-148758号公报

但是，晶体晶片与包含玻璃材料的盖晶片或基底晶片的热膨胀率不同，因此无法在热变动大的环境下使用晶体装置。另一方面，若将盖晶片或基底晶片设为晶体材料，则对于在盖晶片及基底晶片上形成的贯穿孔而言，因晶体的异向性，湿式蚀刻速度视轴方向而不同，从而贯穿孔的大小在轴方向上不同。因此，无法在自晶体装置的中心算起为相同距离的位置处形成城堡形结构。而且，由于贯穿孔的大小在轴方向上不同，因此在从接合的晶片切割各个晶体装置时，形成于城堡形结构的侧面配线有时会被削除。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种晶体装置及晶体装置的制造方法，即使在使用采用晶体材料的基底晶片的情况下，也可在从基底板的中心算起的相等的距离处形成城堡形结构。

第1观点的晶体装置的制造方法是使用多个矩形状的基底板与沿该基底板的X轴方向形成有至少1对贯穿孔的AT切割的基底晶片，来制造具有晶体振动片及基底板的晶体装置，所述晶体装置的制造方法包括：耐蚀膜形成工序，在基底晶片的第1面与该第1面的相反侧的第2面上形成耐蚀膜；曝光工序，在耐蚀膜上形成光致抗蚀剂(photo resist)，并对与贯穿孔对应的位置的第1面及第2面的光致抗蚀剂进行曝光；耐蚀膜蚀刻工序，对第1面及第2面的与贯穿孔对应的耐蚀膜进行蚀刻；以及湿式蚀刻工序，在耐蚀膜蚀刻工序后，从第1面及第2面对一对贯穿孔进行湿式蚀刻。通过湿式蚀刻而形成的、连结第1面与第2面的贯穿孔的+X轴侧的剖面具有从第1面形成至剖面中央侧的第1斜面、从第2面形成至剖面中央侧的第2斜面、以及第1斜面与第2斜面交叉的第1顶部。-X轴侧的剖面具有从第1面形成至剖面中央侧的第3斜面、从第2面形成至剖面中央侧的第4斜面、以及连结第3斜面与第4斜面的第2顶部，曝光工序中，以从基底板的X轴方向的中心直至第1顶部为止的距离、与从基底板的X轴方向的中心直至第2顶部为止的距离相同的方式，来对与贯穿孔对应的位置的第1面及第2面进行曝光。

第2观点的晶体装置的制造方法是在第1观点中，曝光工序中，以第1面的从基底板的X轴方向的中心直至+X轴侧的贯穿孔为止的距离短于第2面的方式，来对光致抗蚀剂进行曝光。

第3观点的晶体装置的制造方法是在第1观点中，曝光工序中，以下述方式来对光致抗蚀剂进行曝光，即，在第1面上，从基底板的中心直至+X轴侧的贯穿孔为止的距离、与从基底板的中心直至-X轴侧的贯穿孔为止的距离相同，且在第2面上，从基底板的中心直至+X轴侧的贯穿孔为止的距离短于从基底板的中心直至-X轴侧的贯穿孔为止的距离。

第4观点的晶体装置的制造方法是在第1观点中，曝光工序中，以下述方式来对光致抗蚀剂进行曝光，即，在第1面上，从基底板的中心直至+X轴侧的贯穿孔为止的距离短于从基底板的中心直至-X轴侧的贯穿孔为止的距离，且在第2面上，从基底板的中心直至+X轴侧的贯穿孔为止的距离短于从基底板的中心直至-X轴侧的贯穿孔为止的距离。

第5观点的晶体装置的制造方法是在第1观点至第4观点中，晶体振动片为矩形状的AT切割晶体片，所述晶体装置的制造方法包括：接合工序，将沿该AT切割晶体片的X轴方向形成有至少1对贯穿孔的晶体振动片晶片与基底晶片予以接合。而且，晶体装置的制造方法包括：耐蚀膜形成工序，在晶体振动片晶片的第1面与该第1面的相反侧的第2面上形成耐蚀膜；曝光工序，在耐蚀膜上形成光致抗蚀剂，对与贯穿孔对应的位置的第1面及第2面的光致抗蚀剂进行曝光；耐蚀膜蚀刻工序，对第1面及第2面的与贯穿孔对应的耐蚀膜进行蚀刻；以及湿式蚀刻工序，在耐蚀膜蚀刻工序后，从第1面及第2面对一对贯穿孔进行湿式蚀刻。通过湿式蚀刻而形成的、连结第1面与第2面的贯穿孔的+X轴侧的剖面具有从第1面形成至剖面中央侧的第1斜面、从第2面形成至剖面中央侧的第2斜面、以及第1斜面与第2斜面交叉的第1顶部。而且，-X轴侧的剖面具有从第1面形成至剖面中央侧的第3斜面、从第2面形成至剖面中央侧的第4斜面、以及连结第3斜面与第4斜面的第2顶部。

进而，曝光工序中，以从AT切割晶体片的中心直至第1顶部为止的距离、与从AT切割晶体片的中心直至第2顶部为止的距离相同的方式，来对与贯穿孔对应的位置的第1面及第2面进行曝光。

第6观点的晶体装置的制造方法是在第5观点中，更包括：切割工序，以通过第1顶部与第2顶部的中间的方式，来对接合的晶体振动片晶片与基底晶片进行切割。

第7观点的晶体装置具有AT切割的晶体振动片及AT切割的晶体基底板，所述AT切割的晶体振动片具有激振电极及从该激振电极引出的引出电极，所述AT切割的晶体基底板支撑晶体振动片且为矩形状。基底板具有第1面及第1面的相反侧的第2面，且一对短边沿±X轴方向配置，在短边上，分别具有向中心侧凹陷的城堡形结构。城堡形结构的+X轴侧的剖面具有从第1面形成至剖面中央侧的第1斜面、从第2面形成至剖面中央侧的第2斜面、以及第1斜面与第2斜面交叉的第1顶部。-X轴侧的剖面具有从第1面形成至剖面中央侧的第3斜面、从第2面形成至剖面中央侧的第4斜面、以及连结第3斜面与第4斜面的第2顶部。而且，从基底板的中心直至第1顶部为止的距离、与从基底板的X轴方向的中心直至第2顶部为止的距离相同。

第8观点的晶体装置是在第7观点中，在基底板的第1面上，具有凹部，所述凹部具有从第1面凹陷的底面及从底面延伸的侧壁，从凹部的+X轴侧的侧壁直至第1顶部为止的距离、与从凹部的-X轴侧的侧壁直至第2顶部为止的距离相同。

第9观点的晶体装置是在第7观点及第8观点中，在基底板的第1面上，形成有连接电极，所述连接电极与晶体振动片的引出电极相连接，在基底板的第2面上，形成有安装端子，所述安装端子安装晶体装置，在基底板的城堡形结构上，形成有侧面电极，所述侧面电极将连接电极与安装端子予以连接，在第1斜面与第3斜面上，形成有密封材。

第10观点的晶体装置是在第7观点至第9观点中，AT切割晶体片包括矩形状的框体，所述矩形状的框体具有第1面及第1面的相反侧的第2面，且框体的一对短边沿±X轴方向配置，在短边上，分别具有向中心侧凹陷的城堡形结构。AT切割晶体片的城堡形结构的+X轴侧的剖面具有从第1面形成至剖面中央侧的第1斜面、从第2面形成至剖面中央侧的第2斜面、以及第1斜面与第2斜面交叉的第1顶部。-X轴侧的剖面具有从第1面形成至剖面中央侧的第3斜面、从第2面形成至剖面中央侧的第4斜面、以及连结第3斜面与第4斜面的第2顶部。而且，从AT切割晶体片的X轴方向的中心直至第1顶部的距离、与从基底板的X轴方向的中心直至第2顶部为止的距离相同。

第11观点的晶体装置是在第7观点至第9观点中，基底板的第1面具有环状的接合区域，所述环状的接合区域经由密封材而接合于密封晶体振动片的盖板，在X轴方向上不与城堡形结构相接的基底板的+X轴侧的接合区域、与基底板的-X轴侧的接合区域的X轴方向的宽度彼此相等，在X轴方向上与城堡形结构相接的基底板的+X轴侧的接合区域、与基底板的-X轴侧的接合区域的X轴方向的宽度彼此相等。

第12观点的晶体装置是在第10观点中，基底板的第1面具有环状的接合区域，所述环状的接合区域经由密封材而接合于框体，在基底板的在X轴方向上不与城堡形结构相接的区域中，基底板的+X轴侧的接合区域与-X轴侧的接合区域的X轴方向的宽度彼此相等，在基底板的在X轴方向上与城堡形结构相接的区域中，基底板的+X轴侧的接合区域与-X轴侧的接合区域的X轴方向的宽度彼此相等。

发明的效果

根据本发明的晶体装置及晶体装置的制造方法，即使在使用采用晶体材料的基底晶片的情况下，也能够在从基底板的中心算起的相等的距离处形成城堡形结构。

附图说明

图1是晶体装置100的分解立体图。

图2是图1的A-A剖面图。

图3A是基底板120的+Y′轴侧的面的平面图；图3B是基底板120的-Y′轴侧的面的平面图。

图4A是未形成电极的基底板120的平面图；图4B是图4A的B-B剖面图。

图5是表示晶体装置100的制造方法的流程图。

图6A是基底晶片W120的+Y′轴侧的面的平面图；图6B是基底晶片W120的-Y′轴侧的面的平面图。

图7A～图7D是表示基底晶片W120的制造方法的流程图。

图8A～图8D是表示基底晶片W120的制造方法的流程图。

图9是盖晶片W110的+Y′轴侧的面的平面图。

图10A是载置有晶体振动片130的基底晶片W120的局部剖面图；图10B是晶体振动片130、基底晶片W120及盖晶片W110的局部剖面图。

图11A是基底板120a的剖面图；图11B是基底板120b的剖面图。

图12是晶体装置200a的分解立体图。

图13是图12的E-E剖面图。

图14A是晶体振动片230a的+Y′轴侧的面的平面图；图14B是晶体振动片230a的-Y′轴侧的面的平面图；图14C是晶体振动片230a的剖面图。

图15A是基底板220a的+Y′轴侧的面的平面图；图15B是基底板220a的-Y′轴侧的面的平面图；图15C是基底板220a的剖面图。

图16是晶体晶片W230的平面图。

图17A～图17D是表示晶体晶片W230的制造方法的流程图。

图18A～图18D是表示晶体晶片W230的制造方法的流程图。

图19A是基底晶片W220的+Y′轴侧的面的平面图；图19B是基底晶片W220的-Y′轴侧的面的平面图。

图20A是载置有晶体晶片W230的基底晶片W220的局部剖面图；图20B是晶体晶片W230、基底晶片W220及盖晶片W110的局部剖面图。

图21是晶体装置300的分解立体图。

图22A是图21的H-H剖面图；图22B是晶体装置300的-Y′轴侧的面的平面图。

图23A是基底板320的+Y′轴侧的面的平面图；图23B是基底板320的剖面图。

符号的说明

100、200a、200b、300……晶体装置

101、201……空腔

110……盖板

111……凹部

112……接合面

120、120a、120b、220a、220b、320……基底板

121……凹部

121a……+X轴侧的侧壁

121b……-X轴侧的侧壁

121c……底面

122、322……接合面

123、223……连接电极

124a、324a……热端子

124b、324b……接地端子

125、225……侧面电极

126a、126b、226a、226b、238a、238b、326a、326b……城堡形结构

127a、227a、239a……第1斜面

127b、227b、239b……第2斜面

127c、227c、239c……第3斜面

127d、227d、239d……第4斜面

128a、228a、240a……第1顶部

128b、228b、240b……第2顶部

130、230a、230b、330……晶体振动片

131、231、331……激振电极

132、232、332……引出电极

134、234、334……振动部

141……导电性粘结剂

142……密封材

151……耐蚀膜

152……光致抗蚀剂

153、154……遮罩

171……划线

172……贯穿孔

173……基底板的X轴方向的中心

224a、224b……安装端子

235、335……框体

236、336……连结部

237、337……贯穿槽

A-A～H-H......剖面线

KA1、KA2、KA3、KA4、KB、KB2、KB3、KB4、KC、KC2、KD1、KD2、SA、SA1、SA2、SA3……宽度

KE1……基底板的X轴方向的中心与第1顶部的距离

KE2……基底板的X轴方向的中心与第2顶部的距离

S101～S403、S111～S118、S211～S218......步骤

W110……盖晶片

W120、W220……基底晶片

W230……晶体晶片

具体实施方式

以下，基于附图详细说明本发明的较佳实施方式。另外，只要在以下的说明中并无特别限定本发明的记载，则本发明的范围并不限于这些实施方式。

第1实施方式

<晶体装置100的结构>

图1是晶体装置100的分解立体图。晶体装置100包括：盖板110、基底板120及晶体振动片130。对于晶体振动片130及基底板120，例如使用AT切割的晶体片。AT切割的晶体片中，主面(YZ面)相对于结晶轴(XYZ)的Y轴，以X轴为中心而从Z轴朝Y轴方向倾斜35度15分。在以下的说明中，使用以AT切割的晶体片的轴方向为基准而倾斜的新的轴来作为Y′轴以及Z′轴。即，在晶体装置100中，将晶体装置100的长边方向设为X轴方向、将晶体装置100的高度方向设为Y′轴方向、将与X以及Y′轴方向垂直的方向设为Z′轴方向来进行说明。

晶体振动片130具有：振动部134，以规定的振动频率而振动，且形成为矩形形状；激振电极131，形成在振动部134的+Y′轴侧以及-Y′轴侧的面上；以及引出电极132，从各激振电极131引出至-X轴侧。从形成在振动部134的+Y′轴侧的面上的激振电极131引出的引出电极132是：从激振电极131引出至-X轴侧，进而经由振动部134的+Z′轴侧的侧面而引出至振动部134的-Y′轴侧的面为止。从形成在振动部134的-Y′轴侧的面上的激振电极131引出的引出电极132是：从激振电极131引出至-X轴侧，并形成至振动部134的-X轴侧的-Z′轴侧的角部为止。

基底板120在作为基材的AT切割的晶体片的表面形成电极。在基底板120上，在+Y′轴侧的面的周围，形成有接合面122，该接合面122经由密封材142(参照图2)而接合于盖板110。而且，在基底板120的+Y′轴侧的面的中央，形成有从接合面122向-Y′轴方向凹陷的凹部121。在凹部121上形成有一对连接电极123，各连接电极123经由导电性粘结剂141(参照图2)而电性连接于晶体振动片130的引出电极132。在基底板120的-Y′轴侧的面上，形成有安装端子，该安装端子用于将晶体装置100安装至印刷基板等。基底板120中，安装端子包括：热(hot)端子124a(参照图2及图3B)，电性连接于外部电极等，且是用于对晶体装置100施加电压的端子；以及接地(earth)端子124b(参照图2及图3B)。在基底板120的+X轴侧的侧面的+Z′轴侧及-Z′轴侧，形成有向基底板120的内侧凹陷的城堡形结构126a，在基底板120的-X轴侧的侧面的+Z′轴侧及-Z′轴侧，形成有向基底板120的内侧凹陷的城堡形结构126b。在城堡形结构126a及城堡形结构126b的侧面，分别形成有侧面电极125。热端子124a经由侧面电极125而电性连接于连接电极123。

盖板110在-Y′轴侧的面上形成有向+Y′轴方向凹陷的凹部111。而且，以包围凹部111的方式而形成有接合面112。接合面112经由密封材142(参照图2)接合于基底板120的接合面122。

图2是图1的A-A剖面图。基底板120的接合面122与盖板110的接合面112经由密封材142而接合，由此在晶体装置100内形成密闭的空腔(cavity)101。晶体振动片130是配置在空腔101内，引出电极132经由导电性粘结剂141而电性连接于基底板120的连接电极123。而且，热端子124a经由侧面电极125而电性连接于连接电极123。因此，激振电极131电性连接于热端子124a。

在基底板120的+X轴侧形成的城堡形结构126a的侧面包含：与基底板120的+Y′轴侧的面连接的第1斜面127a、以及与基底板120的-Y′轴侧的面连接的第2斜面127b，第1斜面127a与第2斜面127b通过第1顶部128a而交叉。而且，在基底板120的-X轴侧形成的城堡形结构126b的侧面包含：与基底板120的+Y′轴侧的面连接的第3斜面127c、以及与基底板120的-Y′轴侧的面连接的第4斜面127d，第3斜面127c与第4斜面127d通过第2顶部128b而交叉。第1顶部128a较第1斜面127a及第2斜面127b而形成在基底板120的+X轴侧，第2顶部128b较第3斜面127c及第4斜面127d而形成在基底板120的-X轴侧。在晶体装置100的基底板120中，如图2所示，在第1斜面127a及第3斜面127c上也形成密封材142。因此，基底板120在第1斜面127a、第3斜面127c及接合面122中接合于盖板110的接合面112。

图3A是基底板120的+Y′轴侧的面的平面图。在基底板120上，在+Y′轴侧的面的中央形成有凹部121，且以围绕该凹部121周围的方式而形成有接合面122。而且，在基底板120的+X轴侧的侧面的+Z′轴侧及-Z′轴侧形成有城堡形结构126a，在-X轴侧的侧面的+Z′轴侧及-Z′轴侧形成有城堡形结构126b。在凹部121中形成有一对连接电极123，在城堡形结构126a及城堡形结构126b中形成有侧面电极125。一对连接电极123电性连接于在+X轴侧的-Z′轴侧形成的城堡形结构126a的侧面电极125及在-X轴侧的+Z′轴侧形成的城堡形结构126b的侧面电极125。

图3B是基底板120的-Y′轴侧的面的平面图。在基底板120的-Y′轴侧的面上，形成有一对热端子124a及一对接地端子124b作为安装端子。热端子124a是形成在基底板120的-Y′轴侧的面的+X轴侧的-Z′轴侧及-X轴侧的+Z′轴侧，且分别电性连接于侧面电极125。而且，接地端子124b是形成在基底板120的+X轴侧的+Z′轴侧及-X轴侧的-Z′轴侧。在图3B所示的基底板120中，接地端子124b与侧面电极125并未电性连接，但接地端子124b与侧面电极125也可电性连接。

图4A是未形成电极的基底板120的平面图。基底板120的凹部121包含侧壁与底面121c。而且，基底板120中，凹部121的+X轴侧及-X轴侧的接合面122的X轴方向的宽度分别形成为宽度SA。进而，基底板120的+Y′轴侧的面中的城堡形结构126a的X轴方向的宽度是形成为宽度KB，第1顶部128a中的城堡形结构126a的X轴方向的宽度是形成为宽度KA1，基底板120的+Y′轴侧的面中的城堡形结构126b的X轴方向的宽度是形成为宽度KC，第2顶部128b中的城堡形结构126b的X轴方向的宽度是形成为宽度KA2。而且，凹部121的+X轴侧的侧壁121a与第1顶部128a的宽度是形成为宽度KD1，凹部121的-X轴侧的侧壁121b与第2顶部128b的宽度是形成为宽度KD2。宽度KD1及宽度KD2成为接合区域的城堡形结构126a的-X轴侧及城堡形结构126b的+X轴侧的宽度，所述接合区域是实际涂布密封材142的区域。基底板120中，宽度KA1与宽度KA2相等，宽度KD1与宽度KD2相等。

图4B是图4A的B-B剖面图。城堡形结构126a及城堡形结构126b中，-Y′轴侧的面中的X轴方向的宽度是形成为宽度KC。城堡形结构126a及城堡形结构126b中，在第1顶部128a及第2顶部128b中，X轴方向的宽度变得最窄。而且，基底板120的X轴方向的中心173与第1顶部128a的距离KE1、和中心173与第2顶部128b的距离KE2以相等的方式而形成。

<晶体装置100的制造方法>

图5是表示晶体装置100的制造方法的流程图。以下，按照图5的流程图，对晶体装置100的制造方法进行说明。

步骤S101中，准备多个晶体振动片130。步骤S101是准备晶体片的工序。步骤S101中，首先在由晶体材形成的晶体晶片上，通过蚀刻而形成多个晶体振动片130的外形。进而，在各晶体振动片130上，通过溅镀(sputter)或真空蒸镀等而形成激振电极131以及引出电极132。多个晶体振动片130是通过从晶体晶片折取晶体振动片130而准备。

步骤S201中，准备基底晶片W120。步骤S201是准备基底晶片的工序。在基底晶片W120上形成多个基底板120。基底晶片W120是将AT切割的晶体材料作为基材，在基底晶片W120上，通过蚀刻而形成凹部121及贯穿孔172(参照图6A及图6B)，所述贯穿孔172在切断基底晶片W120后成为城堡形结构126a或城堡形结构126b。而且，在基底晶片W120上，形成连接电极123、侧面电极125、热端子124a及接地端子124b。

图6A是基底晶片W120的+Y′轴侧的面的平面图。在基底晶片W120上，形成有多个基底板120，各基底板120是沿X轴方向及Z′轴方向排列地形成。而且，图6A中，在彼此邻接的基底板120的边界处示出有划线(scribeline)171。划线171是表示在后述的步骤S403中切断晶片的位置的线。在沿X轴方向延伸的划线171上，形成有沿Y′轴方向贯穿基底晶片W120的贯穿孔172。贯穿孔172在后述的步骤S403中切断晶片之后成为城堡形结构126a及城堡形结构126b。而且，在各基底板120的+Y′轴侧的面上形成有凹部121及连接电极123。

图6B是基底晶片W120的-Y′轴侧的面的平面图。在基底晶片W120的-Y′轴侧的面上，形成有热端子124a及接地端子124b。热端子124a经由形成在贯穿孔172中的侧面电极125而电性连接于连接电极123。基底晶片W120中，形成在1个贯穿孔172中的侧面电极125仅电性连接于1个热端子124a。

图7A～图7D及图8A～图8D是表示基底晶片W120的制造方法的流程图。

以下，参照图7A～图7D及图8A～图8D，对图5的步骤S201的准备基底晶片W120的工序进行详细说明。

图7A～图7D的步骤S211中，准备由AT切割的晶体材料所形成的基底晶片。图7A是由AT切割的晶体材料所形成的基底晶片W120的局部剖面图。图7A及后述的图7B～图7D及图8A～图8D所示的图是与图6A及图6B的C-C剖面相当的剖面的剖面图。在各剖面图中示出有划线171，在由划线171夹着的区域形成1个基底板120。在步骤S211中准备的基底晶片W120是形成为平板状。

步骤S212中，形成耐蚀膜。图7B是形成有耐蚀膜151的基底晶片W120的局部剖面图。耐蚀膜151是形成在基底晶片W120的+Y′轴侧及-Y′轴侧的面上。耐蚀膜151例如是通过下述方式而形成，即，在基底晶片W120的+Y′轴侧的面与-Y′轴侧的面上形成铬(Cr)层(未图示)，并在铬层的表面形成金(Au)层(未图示)。步骤S212是耐蚀膜形成工序。

步骤S213中，形成光致抗蚀剂。图7C是形成有光致抗蚀剂152的基底晶片W120的局部剖面图。光致抗蚀剂152是形成在步骤S212中形成的耐蚀膜151的表面。

步骤S214中，对光致抗蚀剂进行曝光及显影。图7D是对光致抗蚀剂进行曝光并显影的基底晶片W120的局部剖面图。基底晶片W120经由遮罩(mask)153而受到曝光、显影，从而去除光致抗蚀剂152。在步骤S214中去除的光致抗蚀剂152是：基底晶片W120的+Y′轴侧的面的形成贯穿孔172及凹部121的区域、以及基底晶片W120的-Y′轴侧的面的形成贯穿孔172的区域。对于为了形成贯穿孔172而去除的光致抗蚀剂152，各基底板120的+Y′轴侧的面的+X轴侧的从划线171算起的宽度为宽度KB，各基底板120的+Y′轴侧的面的-X轴侧、-Y′轴侧的面的+X轴侧及-X轴侧的从划线171算起的宽度为宽度KC。宽度KB为宽度KC的约10％～30％宽。步骤S213及步骤S214为曝光工序。

图8A～图8D的步骤S215中，对耐蚀膜进行蚀刻。图8A是耐蚀膜151受到蚀刻的基底晶片W120的局部剖面图。步骤S215中，对在步骤S214中去除光致抗蚀剂152而露出表面的耐蚀膜151进行蚀刻，以将该耐蚀膜151予以去除。由此，基底晶片W120的形成贯穿孔172及凹部121的区域的晶体材料露出。步骤S215是耐蚀膜蚀刻工序。

步骤S216中，对晶体材料进行湿式蚀刻。图8B是晶体材料受到蚀刻的基底晶片W120的局部剖面图。步骤S216中，通过对晶体材料进行湿式蚀刻，从而在基底晶片W120上形成贯穿孔172及凹部121。基底晶片W120对于基材使用AT切割的晶体材料，因此，因结晶的异向性，贯穿孔172是以在侧面的中央部附近朝向贯穿孔172的内侧变窄的方式而形成。步骤S216为湿式蚀刻工序。

步骤S217中，将耐蚀膜及光致抗蚀剂予以去除。图8C是耐蚀膜151及光致抗蚀剂152已被去除的基底晶片W120的局部剖面图。在贯穿孔172中，从划线171直至基底板120的侧面为止的-X轴方向及+X轴方向的宽度分别为宽度KA1及宽度KA2，且宽度KA1与宽度KA2相等。

步骤S218中，在基底晶片W120上形成电极。图8D是形成有电极的基底晶片W120的局部剖面图。步骤S218中，通过在基底晶片W120上形成铬层，并在铬层的表面形成金层，从而在基底晶片W120上形成连接电极123、热端子124a、接地端子124b及侧面电极125。

返回图5，步骤S301中，准备盖晶片W110。在盖晶片W110上，形成多个盖板110。在各盖板110的-Y′轴侧的面上形成凹部111。

图9是盖晶片W110的+Y′轴侧的面的平面图。在盖晶片W110上，形成有多个盖板110，在各盖板110的-Y′轴侧的面上形成凹部111及接合面112。图9中，邻接的各盖板110之间以两点链线来表示，该两点链线成为划线171。

步骤S401中，在基底晶片W120上载置晶体振动片130。晶体振动片130是通过导电性粘结剂141而载置于基底晶片W120的各凹部121。

图10A是载置有晶体振动片130的基底晶片W120的局部剖面图。图10A中，表示了包含图6A及图6B的C-C剖面的剖面图。将晶体振动片130的引出电极132与连接电极123经由导电性粘结剂141而电性连接，由此，将晶体振动片130载置于基底晶片W120的凹部121。由此，激振电极131与基底晶片W120的-Y′轴侧的面上形成的热端子124a电性连接。

步骤S402中，将基底晶片W120与盖晶片W110予以接合。基底晶片W120与盖晶片W110是以下述方式而接合，即，基底晶片W120的接合面122、第1斜面127a及第3斜面127c与盖晶片W110的接合面112夹着密封材142而彼此相对。

图10B是晶体振动片130、基底晶片W120及盖晶片W110的局部剖面图。图10B中，表示了包含图6A与图6B的C-C剖面及图9的D-D剖面的剖面图。基底晶片W120与盖晶片W110是将接合面122、第1斜面127a及第3斜面127c与接合面112彼此经由密封材142而接合。通过盖晶片W110与基底晶片W120经由密封材142而接合，从而形成密封的空腔101。在空腔101中载置晶体振动片130。

步骤S403中，将基底晶片W120及盖晶片W110予以切断。基底晶片W120及盖晶片W110是在划线171处由切割刀(dicing blade)(未图示)予以切断(切割)，从而形成各个晶体装置100。步骤S403为切割工序。如图10B所示，贯穿孔172中的划线171是与划线171的+X轴侧的侧面电极125相隔宽度KA2，且与划线171的-X轴侧的侧面电极125相隔宽度KA1。晶体装置100中，宽度KA1与宽度KA2是以相等的方式而形成，因此划线171离侧面电极125最远，因而侧面电极125不会被切割刀削除。

AT切割的晶体材料相对于湿式蚀刻而具备异向性，因此形成在基底板上的城堡形结构在基底板的+X轴侧与-X轴侧的形状及尺寸有所不同。例如，在图4B中，宽度KA1与宽度KA2有时会不同。此种情况下，在城堡形结构的侧面所形成的侧面电极有时会在切割工序中被削除。而且，于密封材的接合区域在基底板的+X轴侧与-X轴侧不同的場合下，密封材的接合强度在基底板的+X轴侧与-X轴侧有所不同，由此，容易在接合强度弱的一侧破坏空腔的密封。

晶体装置100中，宽度KA1与宽度KA2是相等地形成，因此可防止侧面电极125在切割工序中被削除。而且，通过宽度KD1与宽度KD2相等地形成，从而基底板120的+X轴侧与-X轴侧的接合区域的宽度变得相等，空腔101的+X轴侧及-X轴侧的密封材142的接合强度变得相等，从而防止空腔101的密封被破坏。

<基底板120的变形例>

图11A是基底板120a的剖面图。基底板120a是基底板120的变形例，图11A中表示了基底板120a的与图4B的基底板120的剖面相当的剖面图。基底板120a中，+X轴侧的城堡形结构126a的-Y′轴侧的面的X轴方向的宽度是形成为宽度KB2，+Y′轴侧的面的X轴方向的宽度是形成为宽度KC。基底板120a中，通过调整宽度KB2的大小，从而宽度KA1与宽度KA2以相等的方式而形成。在基底板120a中，也与基底板120同样地，宽度KD1与宽度KD2相等。

图11B是基底板120b的剖面图。基底板120b是基底板120的变形例，图11B中表示基底板120b的与图4B的基底板120的剖面相当的剖面图。基底板120b中，+X轴侧的城堡形结构126a的+Y′轴侧及-Y′轴侧的面的X轴方向的宽度是形成为宽度KB3。基底板120b中，通过调节宽度KB3的大小，从而使宽度KA1与宽度KA2以相等的方式而形成。而且，在基底板120b中，也与基底板120同样地，宽度KD1与宽度KD2相等。

第2实施方式

对于晶体振动片，也可使用以包围振动部的周围的方式而形成有框体的晶体振动片。以下，对使用具有框体的晶体振动片的晶体装置200a进行说明。而且，在以下的说明中，关于与第1实施方式相同的部分，标注相同的符号并省略其说明。

<晶体装置200a的结构>

图12是晶体装置200a的分解立体图。晶体装置200a包括：盖板110、基底板220a及晶体振动片230a。晶体装置200a中，与第1实施方式同样地，对于晶体振动片230a使用AT切割的晶体振动片。

晶体振动片230a具有：振动部234，以规定的振动频率来振动，且形成为矩形形状；框体235，以包围振动部234的周围的方式而形成；以及连结部236，连结振动部234与框体235。在振动部234与框体235之间，形成有沿Y′轴方向贯穿晶体振动片230a的贯穿槽237，振动部234与框体235不直接接触。在框体235的+X轴侧的-Z′轴侧形成有城堡形结构238a，在-X轴侧的+Z′轴侧形成有城堡形结构238b。而且，振动部234与框体235通过连结部236而连结，该连结部236连结于振动部234的-X轴侧的+Z′轴侧及-Z′轴侧。在振动部234的+Y′轴侧的面及-Y′轴侧的面上形成有激振电极231，引出电极232分别从各激振电极231引出至框体235为止。从在振动部234的+Y′轴侧的面上形成的激振电极231引出的引出电极232是：经由+Z′轴侧的连结部236及-X轴侧的城堡形结构238b，而引出至框体235的-Y′轴侧的面的-X轴侧的+Z′轴侧。从在振动部234的-Y′轴侧的面上形成的激振电极231引出的引出电极232是：经由-Z′轴侧的连结部236而引出至框体235的-X轴侧，进而引出至框体235的+X轴侧的城堡形结构238a及其周围。

在基底板220a上，在+Y′轴侧的面的周围形成有接合面122，该接合面122经由密封材142(参照图13)而接合于框体235的-Y′轴侧的面，在基底板220a的+Y′轴侧的面的中央，形成有从接合面122向-Y′轴方向凹陷的凹部121。在基底板220a的+X轴侧的侧面的-Z′轴侧，形成有向基底板220a的内侧凹陷的城堡形结构226a；在基底板220a的-X轴侧的侧面的+Z′轴侧，形成有向基底板220a的内侧凹陷的城堡形结构226b。在城堡形结构226a及城堡形结构226b的侧面，形成有侧面电极225。而且，在接合面122的城堡形结构226a及城堡形结构226b的周围，形成有连接电极223；连接电极223电性连接于晶体振动片230a的引出电极232及侧面电极225。进而，在基底板220a的-Y′轴侧的面上，形成有一对安装端子224a(参照图13)，各安装端子224a分别电性连接于在城堡形结构226a或城堡形结构226b中形成的侧面电极225。

图13是图12的E-E剖面图。晶体装置200a将盖板110的接合面112与框体235的+Y′轴侧的面经由密封材142而接合，且基底板220a的接合面122与框体235的-Y′轴侧的面经由密封材142而接合。在晶体振动片230a与基底板220a的接合中，晶体振动片230a的城堡形结构238a与基底板220a的城堡形结构226a沿Y′轴方向重合，晶体振动片230a的城堡形结构238b与基底板220a的城堡形结构226b沿Y′轴方向重合。而且，在晶体振动片230a与基底板220a的接合时，引出电极232与连接电极223电性接合。由此，激振电极231电性连接于安装端子224a。

在晶体振动片230a的+X轴侧形成的城堡形结构238a的侧面包含：第1斜面239a及第2斜面239b，所述第1斜面239a连接于晶体振动片230a的框体235的+Y′轴侧的面，所述第2斜面239b连接于晶体振动片230a的框体235的-Y′轴侧的面，且第1斜面239a与第2斜面239b通过第1顶部240a而交叉。而且，在晶体振动片230a的-X轴侧形成的城堡形结构238b的侧面包含：第3斜面239c及第4斜面239d，所述第3斜面239c连接于晶体振动片230a的框体235的+Y′轴侧的面，所述第4斜面239d连接于晶体振动片230a的框体235的-Y′轴侧的面，且第3斜面239c与第4斜面239d通过第2顶部240b而交叉。第1顶部240a较第1斜面239a及第2斜面239b而形成在晶体振动片230a的+X轴侧，第2顶部240b较第3斜面239c及第4斜面239d而形成在晶体振动片230a的-X轴侧。

晶体振动片230a中，在框体235的+Y′轴侧，在包含第1斜面239a及第3斜面239c的区域形成密封材142。而且，在框体235的-Y′轴侧的面上，引出电极232与连接电极223相连接，因此在直接连接于连接电极223的引出电极232中，未形成密封材142。

在基底板220a的+X轴侧形成的城堡形结构226a的侧面包含：第1斜面227a及第2斜面227b，所述第1斜面227a连接于基底板220a的接合面112，所述第2斜面227b连接于基底板220a的-Y′轴侧的面，且第1斜面227a与第2斜面227b通过第1顶部228a而交叉。而且，在基底板220a的-X轴侧形成的城堡形结构226b的侧面包含：第3斜面227c及第4斜面227d，所述第3斜面227c连接于基底板220a的接合面112，所述第4斜面227d连接于基底板220a的-Y′轴侧的面，且第3斜面227c与第4斜面227d通过第2顶部228b而交叉。第1顶部228a较第1斜面227a及第2斜面227b而形成在基底板220a的+X轴侧，第2顶部228b较第3斜面227c及第4斜面227d而形成在基底板220a的-X轴侧。

图14A是晶体振动片230a的+Y′轴侧的面的平面图。从在振动部234的+Y′轴侧的面上形成的激振电极231，通过连结部236而将引出电极232引出至在框体235的-X轴侧形成的城堡形结构238b。在框体235的-X轴侧形成的城堡形结构238b的+Y′轴侧的面的X轴方向的宽度是形成为宽度KC2。而且，城堡形结构238b的第2顶部240b中的X轴方向的宽度是形成为宽度KA4。振动部234的-X轴侧的框体235的X轴方向的宽度是形成为宽度SA，城堡形结构238b的+X轴侧的接合区域的宽度是形成为宽度SA1。

在框体235的+X轴侧形成的城堡形结构238a的+Y′轴侧的面的X轴方向的宽度是形成为宽度KB4。而且，城堡形结构238a的第1顶部240a中的X轴方向的宽度是形成为宽度KA3。而且，框体235的X轴方向的宽度是形成为宽度SA，城堡形结构238a的-X轴侧的接合区域的宽度是形成为宽度SA1。

图14B是晶体振动片230a的-Y′轴侧的面的平面图。从在振动部234的-Y′轴侧形成的激振电极231，通过-Z′轴侧的连结部236而将引出电极232引出至框体235，进而引出至在框体235的+X轴侧形成的城堡形结构238a的周围。

在框体235的+X轴侧形成的城堡形结构238a的-Y′轴侧的面的X轴方向的宽度是形成为宽度KC2，除了在城堡形结构238a的周围形成的引出电极232以外的部分的、框体235的X轴方向的宽度是形成为宽度SA2。而且，在框体235的-X轴侧形成的城堡形结构238b的-Y′轴侧的面的X轴方向的宽度是形成为宽度KC2，除了在城堡形结构238b的周围形成的引出电极232以外的部分的、框体235的X轴方向的宽度是形成为宽度SA2。这些宽度SA2的区域是框体235经由密封材142而接合于基底板220a的接合区域。

图14C是晶体振动片230a的剖面图。图14C中表示了图14A及图14B的E-E剖面图。晶体振动片230a的框体235的+Y′轴侧的面上，在宽度S A1的区域形成密封材142，在框体235的-Y′轴侧的面上，在宽度SA2的区域形成密封材142。形成密封材142的区域是以在晶体振动片230a的+X轴侧与-X轴侧相等的方式而形成。而且，晶体振动片230a中，宽度KA3与宽度KA4是以相等的方式而形成。

图15A是基底板220a的+Y′轴侧的面的平面图。基底板220a中，接合面122中的凹部121的+X轴侧及-X轴侧的X轴方向的宽度是分别形成为宽度SA。除了城堡形结构226a的-X轴侧及城堡形结构226b的+X轴侧的连接电极223以外的、接合面122的X轴方向的宽度是分别形成为宽度SA2。该宽度SA2的区域是经由密封材142而接合于晶体振动片230a的框体235的-Y′轴侧的面的接合区域。而且，城堡形结构226a的第1顶部228a中的X轴方向的宽度是形成为宽度KA1，城堡形结构226b的第2顶部228b中的X轴方向的宽度是形成为宽度KA2。在基底板220a中，宽度KA1与宽度KA2是以相等的方式而形成。

图15B是基底板220a的-Y′轴侧的面的平面图。在基底板220a的-Y′轴侧的面上，形成有一对安装端子224a。各安装端子224a分别电性连接于在城堡形结构226a或城堡形结构226b上形成的侧面电极225。而且，城堡形结构226a的-Y′轴侧的面的X轴方向的宽度是形成为宽度KB2，城堡形结构226b的-Y′轴侧的面的X轴方向的宽度是形成为宽度KC。

图15C是基底板220a的剖面图。基底板220a中，将城堡形结构226a的-Y′轴侧的面的X轴方向的宽度KB2形成为宽度KC的约10％～30％宽，从而使宽度KA1与宽度KA2以相等的方式而形成。

<晶体装置200a的制造方法>

晶体装置200a能够按照图5所示的流程图来制造。以下，参照图5的流程图来说明晶体装置200a的制造方法。

步骤S101中，准备晶体晶片。步骤S101中，准备形成有多个晶体振动片230a及晶体振动片230b的晶体晶片W230。

图16是晶体晶片W230的平面图。在晶体晶片W230上，形成有多个晶体振动片230a及晶体振动片230b。晶体振动片230b是与晶体振动片230a成镜像对称地形成的晶体振动片，框体235及城堡形结构238a、238b的尺寸等是与晶体振动片230a相同。晶体晶片W230中，晶体振动片230a与晶体振动片230b是沿X轴方向及Z′轴方向交替地形成。在晶体装置200a的制造中，与晶体装置200a同时也制造晶体装置200b，该晶体装置200b包含盖板110、晶体振动片230b及基底板220b(参照图19A及图19B)。

图17A～图17D及图18A～图18D是表示晶体晶片W230的制造方法的流程图。以下，参照图17A～图17D及图18A～图18D，对图5的步骤S101的准备晶体晶片的工序进行详细说明。

图17A～图17D的步骤S111中，准备AT切割而成的晶体晶片。图17A是AT切割而成的晶体晶片W230的局部剖面图。图17A及后述的图17B～图17D及图18A～图18D所示的图是与图16的F-F剖面相当的剖面的剖面图。在各剖面图中示出有划线171，在由划线171夹着的区域形成有1个晶体振动片230a。在步骤S111中准备的晶体晶片W230是形成为平板状。

步骤S112中，形成耐蚀膜。图17B是形成有耐蚀膜151的晶体晶片W230的局部剖面图。耐蚀膜151是形成在晶体晶片W230的+Y′轴侧及-Y′轴侧的面上。耐蚀膜151例如是通过下述方式而形成，即，在晶体晶片W230的+Y′轴侧的面与-Y′轴侧的面上形成铬(Cr)层(未图示)，并在铬层的表面形成金(Au)层(未图示)。步骤S112是耐蚀膜形成工序。

步骤S113中，形成光致抗蚀剂。图17C是形成有光致抗蚀剂152的晶体晶片W230的局部剖面图。光致抗蚀剂152是形成在步骤S112中形成的耐蚀膜151的表面。

步骤S114中，对光致抗蚀剂进行曝光及显影。图17D是对光致抗蚀剂152进行曝光并显影的晶体晶片W230的局部剖面图。晶体晶片W230经由遮罩154而受到曝光、显影，从而去除光致抗蚀剂152。在步骤S114中去除的光致抗蚀剂152是：晶体晶片W230的+Y′轴侧的面的形成贯穿孔172及贯穿槽237的区域、以及晶体晶片W230的-Y′轴侧的面的形成贯穿孔172及贯穿槽237的区域。为了形成贯穿孔172而去除的光致抗蚀剂152是以下述方式被去除，即，各晶体振动片230a及晶体振动片230b的+Y′轴侧的面的+X轴侧的从划线171算起的宽度为宽度KB4，各晶体振动片230a及晶体振动片230b的+Y′轴侧的面的-X轴侧、-Y′轴侧的面的+X轴侧及-X轴侧的从划线171算起的宽度为宽度KC2。步骤S113及步骤S114是曝光工序。

图18A～图18D的步骤S115中，对耐蚀膜151进行蚀刻。图18A是耐蚀膜151受到蚀刻的晶体晶片W230的局部剖面图。步骤S115中，对在步骤S114中被去除而露出表面的耐蚀膜151进行蚀刻，以将该耐蚀膜151予以去除。由此，晶体晶片W230的形成贯穿孔172及贯穿槽237的区域的晶体材料露出。步骤S115是耐蚀膜蚀刻工序。

步骤S116中，对晶体材料进行湿式蚀刻。图18B是晶体材料受到湿式蚀刻的晶体晶片W230的局部剖面图。步骤S116中，通过对晶体材料进行湿式蚀刻，从而在晶体晶片W230上形成贯穿孔172及贯穿槽237。晶体晶片W230是由AT切割的晶体材料所形成，因此，因结晶的异向性，贯穿孔172是以在侧面的中央部附近朝向贯穿孔172的内侧变窄的方式而形成。步骤S116是湿式蚀刻工序。

步骤S117中，将耐蚀膜151及光致抗蚀剂152予以去除。图18C是耐蚀膜151及光致抗蚀剂152已被去除的晶体晶片W230的局部剖面图。如图18C所示，在贯穿孔172中，从划线171直至基底板220a的侧面为止的-X轴方向及+X轴方向的宽度分别为宽度KA3及宽度KA4。宽度KA3及宽度KA4彼此相等。

步骤S118中，在晶体晶片W230上形成电极。图18D是形成有电极的晶体晶片W230的局部剖面图。步骤S118中，通过在晶体晶片W230上形成铬层，并在铬层的表面形成金层，从而在晶体晶片W230上形成激振电极231及引出电极232。

返回图5，步骤S201中，准备基底晶片。步骤S201中，准备形成有多个基底板220a及基底板220b的基底晶片W220。

图19A是基底晶片W220的+Y′轴侧的面的平面图。在基底晶片W220上，形成有多个基底板220a及基底板220b。基底板220b是以与基底板220a成镜像对称的方式而形成。基底晶片W220中，基底板220a及基底板220b是沿X轴方向及Z′轴方向交替地形成。而且，在接合面122的贯穿孔172的周围形成有连接电极223。

图19B是基底晶片W220的-Y′轴侧的面的平面图。在基底板220a上形成有一对安装端子224a，在基底板220b上形成有一对安装端子224b。基底晶片W220中，安装端子224a及安装端子224b相对于1个贯穿孔172而电性连接。

返回图5，步骤S301中，准备盖晶片W110。步骤S301中，准备形成有多个盖板110的盖晶片W110。

步骤S401中，在基底晶片W220上载置晶体晶片W230。步骤S401中，通过将晶体晶片W230重叠于基底晶片W220，从而使晶体晶片W230载置于基底晶片W220上。

图20A是载置有晶体晶片W230的基底晶片W220的局部剖面图。图20A中，表示了包含图16的F-F剖面、图19A及图19B的G-G剖面的剖面图。晶体晶片W230的引出电极232与连接电极223电性连接，通过密封材142，将晶体晶片W230与基底晶片W220予以接合。由此，激振电极231与基底晶片W220的-Y′轴侧的面上形成的安装端子224a电性连接。

步骤S402中，将晶体晶片W230与盖晶片W110予以接合。晶体晶片W230与盖晶片W110是以下述方式而接合，即，在晶体晶片W230的框体的+Y′轴侧的面或盖晶片W110的接合面112上涂布密封材142后，晶体晶片W230的框体与盖晶片W110的接合面112夹着密封材142而彼此相对。

图20B是晶体晶片W230、基底晶片W220以及盖晶片W110的局部剖面图。图20B中，表示了包含图16的F-F剖面、图19A及图19B的G-G剖面的剖面图。晶体晶片W230与盖晶片W110是在框体235的+Y′轴侧的面及接合面122上，彼此经由密封材142而接合。密封材142在晶体晶片W230上，不仅涂布于接合面122，还涂布于第1斜面239a及第3斜面239c上。通过将盖晶片W110与晶体晶片W230经由密封材142而接合，从而形成密封的空腔201。在空腔201中载置振动部234。

步骤S403中，将晶体晶片W230、基底晶片W220及盖晶片W110予以切断。在晶体晶片W230、基底晶片W220及盖晶片W110的划线171处进行切断(切割)，从而形成各个晶体装置200a及晶体装置200b。步骤S403是切割工序。

晶体装置200a中，空腔201的+X轴侧及-X轴侧的接合区域的X轴方向的宽度是相等地形成，因此可防止空腔201的密封被破坏。而且，由于宽度KA1与宽度KA2是相等地形成，且宽度KA3与宽度KA4是相等地形成，因此可防止侧面电极225及引出电极232在切割工序中被削除。

第3实施方式

对于晶体振动片，也可使用如下的晶体振动片，即，以包围振动部的周围的方式而形成有框体，且在框体中未形成城堡形结构。以下，对晶体装置300进行说明，所述晶体装置300使用具有未形成城堡形结构的框体的晶体振动片。而且，在以下的说明中，关于与第1实施方式相同的部分，标注相同的符号并省略其说明。

<晶体装置300的结构>

图21是晶体装置300的分解立体图。晶体装置300包含：盖板110、基底板320及晶体振动片330。晶体装置300中，与第1实施方式同样地，对于晶体振动片330使用AT切割的晶体振动片。

晶体振动片330具有：振动部334，以规定的振动频率而振动，且形成为矩形形状；框体335，以包围振动部334的周围的方式而形成；以及连结部336，连结振动部334与框体335。在振动部334与框体335之间，形成有沿Y′轴方向贯穿晶体振动片330的贯穿槽337，且振动部334与框体335不直接接触。而且，振动部334与框体335连结于振动部334的-X轴侧侧面的+Z′轴侧以及振动部334的+X轴侧侧面的-Z′轴侧。晶体振动片330中，振动部334及连结部336的Y′轴方向的厚度形成为薄于框体335的Y′轴方向的厚度。在振动部334的+Y′轴侧的面及-Y′轴侧的面上形成有激振电极331，从各激振电极331分别将引出电极332引出至框体335为止。从在振动部334的+Y′轴侧的面上形成的激振电极331引出的引出电极332是：经由+Z′轴侧的连结部336而引出至框体335的-Y′轴侧的面的-X轴侧的+Z′轴侧。从在振动部334的-Y′轴侧的面上形成的激振电极331引出的引出电极332是：经由-Z′轴侧的连结部336而引出至框体335的+X轴侧的-Z′轴侧。

基底板320中，在+Y′轴侧的面上未形成凹部，基底板320呈平板状。晶体装置300中，晶体振动片330的振动部334的厚度形成为薄于框体335(参照图22A)，因此即使在基底板320上未形成凹部，振动部334也不会接触基底板320。而且，基底板320中，在+Y′轴侧的面的周围具有接合面322，该接合面322经由密封材142(参照图22A)而接合于框体335的-Y′轴侧的面。在基底板320的-Y′轴侧的面上，形成有安装端子，该安装端子用于将晶体装置300安装至印刷基板等。基底板320中，安装端子包含热端子324a与接地端子324b，所述热端子324a是电性连接于外部电极等的端子(参照图22B)。而且，在+X轴侧侧面的+Z′轴侧及-Z′轴侧，形成有城堡形结构326a，在-X轴侧侧面的+Z′轴侧及-Z′轴侧，形成有城堡形结构326b。热端子324a经由城堡形结构326a或城堡形结构326b而电性连接于晶体振动片330的引出电极332。

图22A是图21的H-H剖面图。基底板320的城堡形结构326a是形成为与图13所示的城堡形结构226a相同的形状，且具有：第1斜面227a、第2斜面227b及第1顶部228a。而且，基底板320的城堡形结构326b是形成为与图13所示的城堡形结构226b相同的形状，且由第3斜面227c、第4斜面227d及第2顶部228b所形成。晶体装置300是将盖板110的接合面112与框体335的+Y′轴侧的面经由密封材142而接合，且将基底板320的接合面322、第1斜面227a及第3斜面227c与框体335的-Y′轴侧的面经由密封材142而接合。热端子324a是经由城堡形结构326a或326b及密封材142的侧面而电性连接于引出电极332。由此，激振电极331电性连接于热端子324a。

图22B是晶体装置300的-Y′轴侧的面的平面图。在晶体装置300的-Y′轴侧的面即基底板320的-Y′轴侧的面上，形成有一对热端子324a及一对接地端子324b。热端子324a及接地端子324b是分别以引出至城堡形结构326a、326b的方式而形成。城堡形结构326a的-Y′轴侧的面的X轴方向的宽度是与图15B所示的城堡形结构226a同样地形成为宽度KB2，城堡形结构326b的-Y′轴侧的面的X轴方向的宽度是与图15B所示的城堡形结构226b同样地形成为宽度KC。而且，城堡形结构326a的第1顶部228a中的X轴方向的宽度是形成为宽度KA1，城堡形结构226b的第2顶部228b中的X轴方向的宽度是形成为宽度KA2。在基底板320中，宽度KA1与宽度KA2的大小是以相等的方式而形成。基底板320中，与基底板220a同样地，通过将城堡形结构326a的-Y′轴侧的面的X轴方向的宽度KB2形成为宽度KC的约10％～30％宽，从而使宽度KA1与宽度KA2以相等的方式而形成。

图23A是基底板320的+Y′轴侧的面的平面图。如图22A所示，基底板320中，接合面322、城堡形结构326a的第1斜面227a与城堡形结构326b的第3斜面227c成为形成有密封材142而接合于晶体振动片330的接合区域。基底板320中，接合面322的+X轴侧及-X轴侧的X轴方向的宽度是分别形成为宽度SA。而且，城堡形结构326a的-X轴侧的接合区域的宽度以及城堡形结构326b的-X轴侧的接合区域的宽度是形成为宽度SA3。宽度SA3是从宽度SA减去宽度KA1或宽度KA2所得的大小。

图23B是基底板320的剖面图。图23B的剖面图示出了图23A的H-H剖面。基底板320的接合区域在基底板320的+X轴侧及-X轴侧为宽度SA，进而，在形成有城堡形结构326a或326b的部位为宽度SA3。即，基底板320的+X轴侧及-X轴侧的接合区域的X轴方向的宽度是相等地形成，因此接合区域的+X轴侧及-X轴侧的密封材142的接合强度变得相等。因此，可防止晶体装置300的密封被破坏。

<晶体装置300的制造方法>

晶体装置300的制造方法基本上遵照图5所示的流程图。以下，对于与第1实施方式或第2实施方式特别不同的部分进行说明。

图5的步骤S201中，准备形成有多个基底板320的基底晶片(未图示)。在步骤S201中的基底晶片上未形成电极，仅各基底板320的外形是通过蚀刻而形成。

在步骤S402与步骤S403之间，即，在步骤S402中，将基底晶片与形成有多个晶体振动片330的晶体晶片(未图示)接合之后，在基底晶片的-Y′轴侧的面上，通过溅镀或真空蒸镀等而形成电极。由此，在基底晶片上形成热端子324a及接地端子324b。电极也形成在城堡形结构326a及326b上，因此如图22A所示，热端子324a电性连接于晶体振动片330的引出电极332。

以上，对本发明的最佳实施方式进行了详细说明，但本领域技术人员可明确的是，本发明可在其技术范围内对实施方式添加各种变更、变形而实施。

Claims (12)

1.一种晶体装置的制造方法，使用多个矩形状的基底板与沿所述基底板的X轴方向形成有至少1对贯穿孔的AT切割的基底晶片，来制造具有晶体振动片及所述基底板的晶体装置，所述晶体装置的制造方法的特征在于包括：

耐蚀膜形成工序，在所述基底晶片的第1面与所述第1面的相反侧的第2面上形成耐蚀膜；

曝光工序，于所述耐蚀膜上形成光致抗蚀剂，对与所述贯穿孔对应的位置的所述第1面及所述第2面的所述光致抗蚀剂进行曝光；

耐蚀膜蚀刻工序，对所述第1面及所述第2面的与所述贯穿孔对应的所述耐蚀膜进行蚀刻；以及

湿式蚀刻工序，在所述耐蚀膜蚀刻工序后，从所述第1面及第2面对所述一对贯穿孔进行湿式蚀刻，

通过所述湿式蚀刻而形成的、连结所述第1面与所述第2面的所述贯穿孔的+X轴侧的剖面具有：从所述第1面形成至剖面中央侧的第1斜面、从所述第2面形成至所述剖面中央侧的第2斜面、以及所述第1斜面与所述第2斜面交叉的第1顶部，-X轴侧的剖面具有：从所述第1面形成至剖面中央侧的第3斜面、从所述第2面形成至所述剖面中央侧的第4斜面、以及连结所述第3斜面与所述第4斜面的第2顶部，

所述曝光工序中，以从所述基底板的X轴方向的中心直至所述第1顶部为止的距离、与从所述基底板的X轴方向的中心直至所述第2顶部为止的距离相同的方式，来对与所述贯穿孔对应的位置的所述第1面及所述第2面进行曝光。

2.根据权利要求1所述的晶体装置的制造方法，其特征在于，

所述曝光工序中，使从所述基底板的中心直至+X轴侧的所述贯穿孔为止的距离，以所述第1面短于所述第2面的方式，来对所述光致抗蚀剂进行曝光。

3.根据权利要求1所述的晶体装置的制造方法，其特征在于，

所述曝光工序中，对所述光致抗蚀剂进行曝光，

在所述第1面上，从所述基底板的中心直至+X轴侧的所述贯穿孔为止的距离、与从所述基底板的中心直至-X轴侧的所述贯穿孔为止的距离为相同，且

在所述第2面上，从所述基底板的中心直至+X轴侧的所述贯穿孔为止的距离短于从所述基底板的中心直至-X轴侧的所述贯穿孔为止的距离。

4.根据权利要求1所述的晶体装置的制造方法，其特征在于，

所述曝光工序中，对所述光致抗蚀剂进行曝光，

在所述第1面上，从所述基底板的中心直至+X轴侧的所述贯穿孔为止的距离短于从所述基底板的中心直至-X轴侧的所述贯穿孔为止的距离，且

在所述第2面上，从所述基底板的中心直至+X轴侧的所述贯穿孔为止的距离短于从所述基底板的中心直至-X轴侧的所述贯穿孔为止的距离。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体装置的制造方法，其特征在于，

所述晶体振动片为矩形状的AT切割晶体片，

所述晶体装置的制造方法包括：

接合工序，将沿所述AT切割晶体片的X轴方向形成有至少1对贯穿孔的晶体振动片晶片与所述基底晶片予以接合，

且所述晶体装置的制造方法包括：

耐蚀膜形成工序，在所述晶体振动片晶片的第1面与所述第1面的相反侧的第2面上形成耐蚀膜；

曝光工序，在所述耐蚀膜上形成光致抗蚀剂，对与所述贯穿孔对应的位置的所述第1面及所述第2面的所述光致抗蚀剂进行曝光；

耐蚀膜蚀刻工序，对所述第1面及所述第2面的与所述贯穿孔对应的所述耐蚀膜进行蚀刻；以及

湿式蚀刻工序，在所述耐蚀膜蚀刻工序后，从所述第1面及第2面对所述一对贯穿孔进行湿式蚀刻，

通过所述湿式蚀刻而形成的、连结所述第1面与所述第2面的所述贯穿孔的+X轴侧的剖面具有：从所述第1面形成至剖面中央侧的第1斜面、从所述第2面形成至所述剖面中央侧的第2斜面、以及所述第1斜面与所述第2斜面交叉的第1顶部，-X轴侧的剖面具有：从所述第1面形成至剖面中央侧的第3斜面、从所述第2面形成至所述剖面中央侧的第4斜面、以及连结所述第3斜面与所述第4斜面的第2顶部，

所述曝光工序中，以从所述AT切割晶体片的中心直至所述第1顶部为止的距离、与从所述AT切割晶体片的中心直至所述第2顶部为止的距离相同的方式，来对与所述贯穿孔对应的位置的所述第1面及所述第2面进行曝光。

6.根据权利要求5所述的晶体装置的制造方法，其特征在于还包括：

切割工序，以通过所述第1顶部与所述第2顶部的中间的方式，来对接合的所述晶体振动片晶片与所述基底晶片进行切割。

7.一种晶体装置，具有AT切割的晶体振动片及AT切割的晶体基底板，所述AT切割的晶体振动片具有激振电极及从所述激振电极引出的引出电极，所述AT切割的晶体基底板支撑所述晶体振动片且为矩形状，所述晶体装置的特征在于，

所述基底板具有第1面及所述第1面的相反侧的第2面，且一对短边沿±X轴方向配置，在所述短边上，分别具有向中心侧凹陷的城堡形结构，

所述城堡形结构的+X轴侧的剖面具有：从所述第1面形成至剖面中央侧的第1斜面、从所述第2面形成至所述剖面中央侧的第2斜面、以及所述第1斜面与所述第2斜面交叉的第1顶部，-X轴侧的剖面具有：从所述第1面形成至剖面中央侧的第3斜面、从所述第2面形成至所述剖面中央侧的第4斜面、以及连结所述第3斜面与所述第4斜面的第2顶部，

从所述基底板的中心直至所述第1顶部为止的距离、与从所述基底板的中心直至所述第2顶部为止的距离为相同。

8.根据权利要求7所述的晶体装置，其特征在于，

在所述基底板的所述第1面上，具有凹部，

所述凹部具有：从所述第1面凹陷的底面、及从所述底面延伸的侧壁，

从所述凹部的+X轴侧的侧壁直至所述第1顶部为止的距离、与从所述凹部的-X轴侧的侧壁直至所述第2顶部为止的距离为相同。

9.根据权利要求7或8所述的晶体装置，其特征在于，

在所述基底板的所述第1面上，形成有连接电极，所述连接电极与所述晶体振动片的引出电极相连接，

在所述基底板的所述第2面上，形成有安装端子，所述安装端子安装所述晶体装置，

在所述基底板的城堡形结构上，形成有侧面电极，所述侧面电极连接所述连接电极与安装端子，

在所述第1斜面与所述第3斜面上，形成有密封材。

10.根据权利要求7或8所述的晶体装置，其特征在于，

所述AT切割晶体片包括矩形状的框体，所述矩形状的框体具有第1面及所述第1面的相反侧的第2面，且所述框体的一对短边沿±X轴方向配置，在所述短边上，分别具有向中心侧凹陷的城堡形结构，

所述AT切割晶体片的所述城堡形结构的+X轴侧的剖面具有：从所述第1面形成至剖面中央侧的第1斜面、从所述第2面形成至所述剖面中央侧的第2斜面、以及所述第1斜面与所述第2斜面交叉的第1顶部，-X轴侧的剖面具有：从所述第1面形成至剖面中央侧的第3斜面、从所述第2面形成至所述剖面中央侧的第4斜面、以及连结所述第3斜面与所述第4斜面的第2顶部，

从所述AT切割晶体片的X轴方向的中心直至所述第1顶部的距离、与从所述基底板的X轴方向的中心直至所述第2顶部为止的距离为相同。

11.根据权利要求7或8所述的晶体装置，其特征在于，

所述基底板的所述第1面具有环状的接合区域，所述环状的接合区域经由密封材而接合于密封所述晶体振动片的盖板，

在X轴方向上不与所述城堡形结构相接的所述基底板的+X轴侧的所述接合区域、与所述基底板的-X轴侧的所述接合区域的X轴方向的宽度彼此相等，

在X轴方向上与所述城堡形结构相接的所述基底板的+X轴侧的所述接合区域、与所述基底板的-X轴侧的所述接合区域的X轴方向的宽度彼此相等。

12.根据权利要求10所述的晶体装置，其特征在于，

所述基底板的所述第1面具有环状的接合区域，所述环状的接合区域经由密封材而接合于所述框体，

在所述基底板的在X轴方向上不与所述城堡形结构相接的区域中，所述基底板的+X轴侧的所述接合区域与-X轴侧的所述接合区域的X轴方向的宽度彼此相等，

在所述基底板的在X轴方向上与所述城堡形结构相接的区域中，所述基底板的+X轴侧的所述接合区域与-X轴侧的所述接合区域的X轴方向的宽度彼此相等。

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