JP2012074837A - 圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 ベース部とリッド部との接合強度が強く、圧電デバイスの外側からキャビティ内へ又はその逆の気体等のリークが少ない圧電デバイスを提供する。
【解決手段】 圧電デバイス（１００）は電圧の印加により振動する圧電振動片（１０）を収納する。圧電デバイスは、平面の周囲に所定の幅で形成された第１端面（Ｍ１）を有するリッド部（１１）と、リッド部と異なる熱膨張係数を有しリッド部の第１端面に接合される第２端面（Ｍ２）と第２端面から凹んだ凹部とを有するベース部（１２）とを備える。リッド部の第１端面とベース部の第２端面とは粗面であり、粗面には金属膜（ＡＣ１、ＡＣ２）がそれぞれ形成され、リッド部とベース部とは金属膜同士の間に形成された封止材（ＬＧ）で接合される。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ベース部及びリッド部などの接合強度が強い表面実装型(Surface Mount Device: SMD)の圧電デバイスに関する。

表面実装型の圧電デバイスは一般に水晶振動片を固定するベース部と水晶振動片を覆うリッド部とから構成される。例えば、特許文献１にはセラミック製のベース部とガラス材製のリッド部とが、低融点ガラス等の封止材で固定されている。また特許文献１の圧電デバイスは、リッド部の表面が鏡面仕上げされているガラスであると、接合強度が必ずしも十分ではなく比較的容易に界面破壊が生じてしまう危険があることから、リッド部の周縁部の接合領域を粗面にしている。そして、粗面化したガラス表面とセラミックとを低融点ガラス等で封止して接合強度を高めている。

特開２００５−１７５６８６号公報

しかしながら、圧電デバイスの小型化に伴い低融点ガラス等の封止材を塗布する接合領域をできるだけ小さくしたいと要望があり、リッド部とベース部とをより強い接合強度で接合する手段が望まれていた。

本発明は、ベース部とリッド部との接合強度が強い圧電デバイスを提供する。

第１観点の圧電デバイスは、電圧の印加により振動する圧電振動片を収納する。圧電デバイスは、平面の周囲に所定の幅で形成された第１端面を有するリッド部と、リッド部の第１端面に接合される第２端面と第２端面から凹んだ凹部とを有するベース部とを備える。リッド部の第１端面とベース部の第２端面とは粗面であり、粗面には金属膜がそれぞれ形成され、リッド部とベース部とは金属膜同士の間に形成された封止材で接合される。

第２観点の圧電デバイスにおいて、圧電振動片は圧電材料で構成され、粗面が圧電材料の表面より粗く形成される。

第３観点の圧電デバイスにおいて、ベース部の第２端面は所定の幅より広く形成され、圧電振動片が導電性接着剤によりベース部の第２端面に載置され、金属膜が第２端面における第１端面及び第２端面の接合領域のみに形成される。

第４観点の圧電デバイスにおいて、第２端面は接合領域のみが粗面である。

第５観点の圧電デバイスにおいて、接合領域と導電性接着剤との間には封止材が圧電振動片側に流れ込まないように、第２端面から凹んだ溝部が形成されている。

第６観点の圧電デバイは、リッド部の第１端面とベース部の第２端面とが同じ幅に形成され、圧電振動片が導電性接着剤により凹部内に載置される。

第７観点の圧電デバイスにおいて、ベース部にはベース部を貫通した一対のスルーホールが形成されている。

第８観点の圧電デバイスは、電圧の印加により振動する圧電振動片とその圧電振動片を囲むように形成され一主面及び他主面を有する外枠とを含む圧電フレームと、圧電フレームの外枠の一主面に接合される第１端面を有するリッド部と、圧電フレームの外枠の他主面に接合される第２端面を有するベース部とを備える。外枠の一主面及び他主面とリッド部の第１端面とベース部の第２端面とは粗面であり、粗面には金属膜がそれぞれ形成され、リッド部と外枠と、及び外枠とベース部とは金属膜同士の間に形成された封止材により接合される。

第９観点の圧電デバイスにおいて、圧電フレームの外枠の外周の縁部には一対の第１キャスタレーションが形成され、ベース部の外周の縁部には圧電フレームとベース部とを接合する際に第１キャスタレーションと対応する一対の第２キャスタレーションが形成される。圧電フレームは、圧電振動片の一主面及び他主面に形成された一対の励振電極と、一主面側の励振電極から第１キャスタレーションまで引き出された一主面の第１引出電極及び他主面側の励振電極から第１キャスタレーションまで引き出された他主面の第２引出電極と、第１引出電極に電気的に接続され第１キャスタレーションに形成された第１側面電極とを有する。ベース部は、第１側面電極又は第２引出電極にそれぞれ電気的に接続され一対の第２キャスタレーションに形成された一対の第２側面電極を有する。第１及び第２キャスタレーションには、第１側面電極又は第１引出電極と第２側面電極とを電気的に接続するように一対の接続電極が形成されている。

第１０観点の圧電デバイスにおいて、封止材は３５０℃〜４１０℃で溶融するガラス又はポリイミド樹脂を含む。

第１１観点の圧電デバイスにおいて、リッド部及びベース部は、ガラス又は圧電材料から構成される。

第１２観点の圧電デバイスの製造方法は、電圧の印加により振動する圧電振動片を用意する第１用意工程と、平面の周囲に所定の幅で形成された第１端面を有するリッド部を複数含むリッドウエハを用意する第２用意工程と、リッドウエハに形成された粗面に金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、第２端面と第２端面から凹んだ凹部とを有するベース部を複数含むベースウエハを用意する第３用意工程と、ベースウエハに形成された粗面に金属膜を形成する第２金属膜形成工程と、圧電振動片を導電性接着剤でベース部に載置する載置工程と、リッドウエハとベースウエハとを封止材で接合する接合工程と、を備える。

第１３観点の圧電デバイスにおいて、リッドウエハ及びベースウエハに形成された粗面は、サンドブラスト又はエッチングを含む。

本発明は、ベース部とリッド部との接合強度が強い圧電デバイスが得られる。

第１水晶振動子１００の分解斜視図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 （ａ）は、水晶振動子の接合強度に関する実験を行う前の状態を示した斜視図である。 （ｂ）は、水晶振動子の接合強度に関する実験を行った後の状態を示した斜視図である。 第１水晶振動子１００の製造を示したフローチャートである。 水晶ウエハ１０Ｗの平面図である。 リッドウエハ１１Ｗの平面図である。 ベースウエハ１２Ｗの平面図である。 第２水晶振動子２００の分解斜視図で、接続電極１４ａ、１４ｂを省略して描かれている。 図８のＢ−Ｂ断面図である。 （ａ）は、＋Ｙ’側から見た水晶フレーム２０の表面Ｍｅの平面図である。 （ｂ）は、−Ｙ’側から見た水晶フレーム２０の裏面Ｍｉの平面図である。 （ｃ）は、＋Ｙ’側から見たベース部２２の平面図である。 第２水晶振動子２００の製造を示したフローチャートである。 水晶ウエハ２０Ｗの平面図である。 リッドウエハ２１Ｗの平面図である。 ベースウエハ２２Ｗの平面図である。

本実施形態では、圧電振動片としてＡＴカットの水晶振動片が使われている。ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。このため、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、水晶振動子の長手方向をＸ軸方向、水晶振動子の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。

（第１実施形態）
＜第１水晶振動子１００の全体構成＞
第１水晶振動子１００の全体構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、第１水晶振動子１００の分解斜視図で、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。

図１及び図２示されたように、第１水晶振動子１００は、リッド部凹部１１１を有する矩形のリッド部１１と、ベース部凹部１２１を有するベース部１２と、ベース部１２に載置される矩形の水晶振動片１０とを備える。

水晶振動片１０は、ＡＴカットされた水晶片１０１により構成され、その水晶片１０１の中央付近の両主面に一対の励振電極１０２ａ、１０２ｂが対向して配置されている。また、励振電極１０２ａには水晶片１０１底面の−Ｘ側の＋Ｚ’軸方向の一隅まで伸びた引出電極１０３ａが接続され、励振電極１０２ｂには水晶片１０１の底面の＋Ｘ側の−Ｚ’軸方向の他隅まで伸びた引出電極１０３ｂが接続されている。水晶振動片１０は、導電性接着剤１３により後述するベース部１２に接着される。

第１水晶振動子１００は、リッド部凹部１１１とリッド部凹部１１１の周囲に形成された第１端面Ｍ１とを有する水晶材料又はガラスからなるリッド部１１を備えている。なお、第１端面Ｍ１は例えば、表面粗さがＲａ１０μｍ〜４０μｍとなる粗面である。また、第１端面Ｍ１には下地としてのクロム（Ｃｒ）層とクロム層の上に形成された金（Ａｕ）層とで構成された金属膜ＡＣ１が形成されている。金属膜ＡＣ１において、クロム層の厚さは５００Å程度で、金層の厚さは１５００〜２５００Å程度である。ここで、金属膜ＡＣ１が形成される第１端面Ｍ１が粗面となっているので、金属膜ＡＣ１は付着強度が高い。

第１水晶振動子１００は、ベース部凹部１２１とベース部凹部１２１の周囲に形成された第２端面Ｍ２とを有する水晶材料又はガラスからなるベース部１２を備えている。ベース部１２の凹部１２１とリッド部１１の凹部１１１とは圧電振動片１０を収納するキャビティＣＴが形成される。キャビティＣＴは、窒素ガスで満たされたり又は真空状態にされたりしている。

また、第２端面Ｍ２は第１端面Ｍ１より幅広い。第２端面Ｍ２はその外側にリッド部１１と接合する際にリッド部１１の第１端面Ｍ１に接合される接合領域ＥＡを有している。ここで、接合領域ＥＡは表面粗さが例えば、Ｒａ１０μｍ〜４０μｍとなる粗面である。

第２端面Ｍ２の接合領域ＥＡには、下地としてのクロム（Ｃｒ）層とクロム層の上に形成された金（Ａｕ）層とで構成された金属膜ＡＣ２が形成されている。金属膜ＡＣ２において、クロム層の厚さは５００Å程度で、金層の厚さは１５００〜２５００Å程度である。ここで、金属膜ＡＣ２が形成される第２端面Ｍ２の接合領域ＥＡが粗面となっているので、金属膜ＡＣ２は付着強度が高い。

また、第２端面Ｍ２の接合領域ＥＡ以外の領域において、−Ｘ側の＋Ｚ’軸方向の一隅にはベース部１２を貫通したスルーホール１２２ａが形成されている。同様に、＋Ｘ側の−Ｚ’軸方向の他隅にはベース部１２を貫通したスルーホール１２２ｂが形成されている。スルーホール１２２ａ、１２２ｂには、実装面（水晶振動子の実装面）から第２端面Ｍ２まで伸びた接続パッド１２３Ｍを有するスルーホール電極１２３ａ、１２３ｂがそれぞれ形成されている。さらに、ベース部１２の実装面のＸ軸方向の両側にはスルーホール電極１２３ａ、１２３ｂとそれぞれに電気的に接続された一対の外部電極１２５ａ、１２５ｂが形成されている。

なお、スルーホール１２２ａ、１２２ｂは図２に示されたように−Ｙ’側が広い円錐台形状となっている。これは、リッド部１１とベース部１２とを接合した後、ボール状の封止材１２４によりスルーホール１２２ａ、１２２ｂを配置しやすくするためである。ここで、封止材１２４としては金スズ（Ａｕ-Ｓｎ）合金、金ゲルマニウム（Ａｕ-Ｇｅ）もしくは金シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）合金、又は金ペースト及び銀ペーストが用いられる。

一方、図２に示された水晶振動片１０は、引出電極１０３ａがスルーホール電極１２３ａに、引出電極１０３ｂが接続パッド１２３Ｍを介してスルーホール電極１２３ｂに電気的に、導電性接着剤１３でベース部１２の第２端面Ｍ２に固定される。

これにより、水晶振動片１０の励振電極１０２ａ、１０２ｂが引出電極１０３ａ、１０３ｂ、導電性接着剤１３及びスルーホール電極１２３ａ、１２３ｂを介して外部電極１２５ａ、１２５ｂに電気的に接続される。つまり、第１水晶振動子１００の一対の外部電極１２５ａ、１２５ｂに交番電圧（正負を交番する電位）が印加されると、外部電極１２５ａ、スルーホール電極１２３ａ、引出電極１０３ａ及び励振電極１０２ａが同じ極性となる。同様に、外部電極１２５ｂ、スルーホール電極１２３ｂ、引出電極１０３ｂ及び励振電極１０２ｂが同じ極性となる。

また、リッド部１１とベース部１２とは、金属膜ＡＣ１及び金属膜ＡＣ２を封止材である低融点ガラスＬＧによって接合される。低融点ガラスＬＧは、３５０℃〜４１０℃で溶融する鉛フリーのバナジウム系ガラスを含む。バナジウム系ガラスはバインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。バナジウム系ガラスの融点は圧電材料又はガラスなどで形成されたリッド部１１及びベース部１２の融点より低く、また、このバナジウム系ガラスは接着時の気密性と耐水性・耐湿性などの信頼性が高い。バナジウム系ガラスは空気中の水分がキャビティＣＴ内に進入したりキャビティＣＴ内の真空度を低下させたりすることを防止する。さらに、バナジウム系ガラスはガラス構造を制御することにより熱膨張係数も柔軟に制御できるので、水晶又はガラスなどの熱膨張係数に合わせることができる。

第１水晶振動子１００では、リッド部１１の粗面に金属膜ＡＣ１が形成されベース部１２の粗面に金属膜ＡＣ２が形成されることで、リッド部１１とベース部１２との接合強度を強めることができる。このため、例えばリッド部１１とベース部１２との一方がガラスで他方が水晶材料で形成される場合、すなわち熱膨張係数の差異が生じる場合にも、リッド部１１とベース部１２とが確実に接合することができる。さらに、金属膜ＡＣ１、ＡＣ２には熱膨張係数が大きく比較的に柔らかい金（Ａｕ）層を含んでいるので、その熱膨張係数の差を吸収でき、温度差が大きい場合でも第１水晶振動子１００が破損しないように防止できる。また、第１水晶振動子１００の外側からキャビティＣＴ内へ又はその逆の気体等のリークを少なくすることができる。

＜水晶振動子の接合強度に関する実験＞
なお、水晶振動子の接合強度に関する実験において、リッド部とベース部とがどの程度の力で剥離されるかを測定することが困難である。このため、水晶振動子が接合されている基板がどの程度まで曲げられると、リッド部とベース部とが剥離されるかを測定する。すなわち、水晶振動子が接合された基板を曲げさせ、水晶振動子のリッド部とベース部とが剥離されるときの基板の曲げ量を測定する。

図３は、水晶振動子の接合強度に関する実験の説明図である。ここで、（ａ）は水晶振動子の接合強度に関する実験を行う前の状態を示した斜視図で、（ｂ）は水晶振動子の接合強度に関する実験を行った後の状態を示した斜視図である。

図３（ａ）に示されたように、まず水晶振動子１００Ａ又は１００Ｂが半田などにより接合されている基板ＢＰの両端部を治具ＦＴにより挟んで固定する。その後、基板ＢＰの水晶振動子１００Ａ又は１００Ｂが接合されている箇所を矢印ＡＲ示されたように押圧部材ＣＸで押圧する。

これにより、図３（ｂ）に示されたように基板ＢＰが円弧状に曲げられる。ここで、押圧部材ＣＸにより押圧して変形された基板ＢＰの曲げ量をＤとする。曲げ量Ｄは、例えば水晶振動子１００Ａ又は１００Ｂが接合されている箇所が最初の曲げる前の位置から曲げられた位置までの距離である。

つまり、水晶振動子の接合強度に関する実験では、曲げ量Ｄがどの程度であるときに水晶振動子１００Ａ又は１００Ｂのリッド部とベース部とが剥離されるかを測定する。その結果が以下の表１に示されたとおりである。

表１に示されたように、水晶振動子１００Ａはリッド部及びベース部の接合面に金属膜が形成されていない。一方、水晶振動子１００Ｂはリッド部及びベース部の接合面に金属膜が形成されている。また、水晶振動子の接合強度に関する実験において、水晶振動子１００Ａ及び１００Ｂのリッド部とベース部とは同じ種類の低融点ガラスが同じ温度（４００℃）で接合されている。ここで、剥離時の基板ＢＰの曲げ量Ｄとはリッド部とベース部とが剥離されるときの基板ＢＰの曲げた距離を示している。また、剥離時の基板ＢＰの曲げ量Ｄの平均値とは例えば５回の実験を行ったときの５回の曲げ量Ｄの平均値である。

表１から分かるように、金属膜が形成された水晶振動子１００Ｂの剥離時の基板ＢＰの曲げ量の平均値（７．８６ｍｍ）は、金属膜が形成されていない水晶振動子１００Ａの剥離時の基板ＢＰの曲げ量の平均値（６．６７ｍｍ）より大きい。換言すれば、リッド部及びベース部に金属膜が形成されると、リッド部とベース部との接合強度が強くなり、水晶振動子のリッド部とベース部との剥離が少なくなる。

＜水晶振動子のリークに関する実験＞
以下、金属膜が形成されていない水晶振動子１００Ａと金属膜が形成された水晶振動子１００Ｂとを用いて行われた、外側からキャビティＣＴ内へ又はその逆の気体等のリークに関する実験について、表２を参照しながら説明する。表２は、水晶振動子１００Ａ及び１００Ｂを７個ずつ用いて行われた水晶振動子のリークに関する実験である。なお、「リークＯＫ」とはリークが確認できない状態を示している。リークが確認できない状態とは、例えばリークレートが１．１×１０^‐９Ｐａ・ｍ^３／ｓ以下である。

表２に示されたように、金属膜が形成されていない７個の水晶振動子１００Ａ中、５個の水晶振動子１００Ａのみが「リークＯＫ」となっている。すなわち、リーク不良率が２８．６％もある。一方、金属膜が形成された７個の水晶振動子１００Ｂは、全ての水晶振動子が「リークＯＫ」となっている。すなわち、リーク不良率が０％となっている。

つまり、表１及び表２から分かるように、水晶振動子１００Ｂは水晶振動子１００Ａに比べると、リッド部とベース部とが剥離しにくいとともに、水晶振動子の外側からキャビティＣＴ内へ又はその逆の気体等のリークが少ない。

第１実施形態において、第１水晶振動子１００は第２端面Ｍ２の接続領域ＥＡのみが粗面化されているが、第２端面Ｍ２全体が粗面化された水晶振動子にも適用される。また、第１実施形態ではリッド部１１及びベース部１２に金属膜が形成されているが、いずれか一方のみに形成されてもよい。

また、第１水晶振動子１００はベース部１２の第２端面Ｍ２がリッド部１１の第１端面Ｍ１より幅広く形成されて圧電振動片１０がベース部１２の第２端面Ｍ２に載置される。但し、第１端面Ｍ１と第２端面Ｍ２とが同じ幅に形成され、圧電振動片１０がベース部１２のベース部凹部１２１内に載置された水晶振動子にも適用される。また、圧電振動片１０がベース部１２のベース部凹部１２１内に載置された場合では、リッド部はリッド部凹部が形成されていない平板状でもよい。

また第１水晶振動子１００は、接合領域ＥＡと導電性接着剤１３との間に低融点ガラスＬＧが圧電振動片１０側に流れ込まないように、ベース部１２の第２端面Ｍ２から凹んだ溝部が形成されてもよい。

＜第１水晶振動子１００の製造方法＞
図４は、第１水晶振動子１００の製造を示したフローチャートである。図４において、水晶振動片１０の製造ステップＳ１０と、リッド部１１の製造ステップＳ１１と、ベース部１２の製造ステップＳ１２とは別々に並行して行うことができる。また、図５は水晶ウエハ１０Ｗの平面図で、図６はリッドウエハ１１Ｗの平面図で、図７はベースウエハ１２Ｗの平面図である。

ステップＳ１０では、水晶振動片１０が製造される。ステップＳ１０はステップＳ１０１〜Ｓ１０４を含んでいる。
ステップＳ１０１において、両面が鏡面化された水晶ウエハ１０Ｗが用意される。水晶原石からＡＴカットして得られた水晶ウエハ半製品（図示しない）は全体的に尖った凸凹が形成されている。水晶ウエハ半製品をこのまま使用すると、後述の露光装置を用いてフォトレジストを露光する（例えばステップＳ１０３）際、尖った凸凹により乱反射が起こって露光パターンの形成が困難になる。このため、研磨などで水晶原石からＡＴカットして得られた水晶ウエハ半製品の両面を鏡面化して水晶ウエハ１０Ｗが形成される。

ステップＳ１０２において、図５に示されたように、均一の水晶ウエハ１０Ｗにエッチングにより複数の水晶振動片１０の外形が形成される。ここで、各水晶振動片１０は連結部１０４により水晶ウエハ１０Ｗに連接されている。

ステップＳ１０３において、まずスパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ１０Ｗの両面及び側面にクロム層及び金層が順に形成される。そして、金属層の全面にフォトレジストが均一に塗布される。その後、露光装置（図示しない）を用いて、フォトマスクに描かれた励振電極１０２ａ、１０２ｂ、引出電極１０３ａ、１０３ｂのパターンが水晶ウエハ１０Ｗに露光される。次に、フォトレジストから露出した金属層がエッチングされる。これにより、図５に示されたように水晶ウエハ１０Ｗ両面及び側面には励振電極１０２ａ、１０２ｂ及び引出出極１０３ａ、１０３ｂが形成される（図１を参照）。

ステップＳ１０４において、水晶振動片１０が個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図６に示された一点鎖線のカットラインＣＬに沿って水晶振動片１０が切断される。

ステップＳ１１では、リッド部１１が製造される。ステップＳ１１はステップＳ１１１〜Ｓ１１５を含んでいる。

ステップＳ１１１において、両面が鏡面化されたリッドウエハ１１Ｗが用意される。リッドウエハ１１Ｗが水晶材料である場合には、水晶原石からＡＴカット又はＺカットして得られたリッドウエハ半製品の両面が研磨などで鏡面化される。

ステップＳ１１２において、図６に示されたように、均一厚さの水晶平板のリッドウエハ１１Ｗにリッド部凹部１１１が数百から数千個形成される。リッドウエハ１１Ｗには、エッチング又は機械加工によりリッド部凹部１１１が形成され、リッド部凹部１１１の周囲には第１端面Ｍ１が形成される。

ステップＳ１１３において、第１端面Ｍ１がエッチング又はサンドブラスト等により表面粗さが例えば、Ｒａ１０μｍ〜４０μｍにされる（図２を参照）。

ステップＳ１１４において、ステップＳ１０３で説明されたスパッタ及びエッチング方法により、第１端面Ｍ１にクロム層及び金層により構成された金属膜ＡＣ１が形成される。

ステップＳ１１５において、図６に示されたように、スクリーン印刷でリッドウエハ１１Ｗの第１端面Ｍ１における金属膜ＡＣ１の上に低融点ガラスＬＧが印刷される。その後、低融点ガラスＬＧを仮硬化することで、低融点ガラスＬＧがリッドウエハ１１Ｗの第１端面Ｍ１に形成される。

ステップＳ１２では、ベース部１２が製造される。ステップＳ１２はステップＳ１２１〜Ｓ１２５を含んでいる。

ステップＳ１２１において、両面が鏡面化されたベースウエハ１２Ｗが用意される。なお、ベースウエハ１２Ｗが水晶材料である場合には、水晶原石からＡＴカット又はＺカットして得られたベースウエハ半製品の両面が研磨などで鏡面化される。

ステップＳ１２２において、図７に示されたように、均一厚さの水晶平板のベースウエハ１２Ｗにベース部凹部１２１が数百から数千個形成される。ベースウエハ１２Ｗには、エッチング又は機械加工によりベース部凹部１２１が形成され、ベース部凹部１２１の周囲には第２端面Ｍ２が形成される。同時に、各ベース部１２のＸ軸方向の両側にはベースウエハ１２Ｗを貫通するようにスルーホール１２２ａ、１２２ｂが形成される。

ステップＳ１２３において、第２端面Ｍ２の接合領域ＥＡがエッチング又はサンドブラスト等により表面粗さが例えば、Ｒａ１０μｍ〜４０μｍの粗面にされる（図２を参照）。

ステップＳ１２４では、ステップＳ１０３で説明されたスパッタ及びエッチング方法によってベース部１２の実装面（水晶振動子の実装面）に外部電極１２５ａ、１２５ｂ及びスルーホール１２２ａ、１２２ｂにはスルーホール電極１２３ａ、１２３ｂ及び接続パッド１２３Ｍが形成される（図２を参照）。同時に、第２端面Ｍ２の接合領域ＥＡにクロム層及び金層により構成された金属膜ＡＣ２が形成される。

ステップＳ１３では、ステップＳ１０で製造された水晶振動片１０が導電性接着剤１３でベース部１２の第２端面Ｍ２に載置される。このとき、水晶振動片１０の引出電極１０３ａ、１０３ｂとベース部１２の第２端面Ｍ２に形成された接続パッド１２３Ｍとの位置が合うように水晶振動片１０がベース部１２の第２端面Ｍ２に載置される（図２を参照）。

ステップＳ１４では、低融点ガラスＬＧを加熱させリッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとを加圧することで、リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが低融点ガラスＬＧにより接合される。

ステップＳ１５では、金スズ（Ａｕ-Ｓｎ）合金、金ゲルマニウム（Ａｕ-Ｇｅ）もしくは金シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）合金等の封止材１２４（図２を参照）がスルーホール１２２ａ、１２２ｂに配置される。そして、真空中もしくは不活性ガス中のリフロー炉内で溶かされ、ウエハを封止する。これにより、キャビティＣＴ内が真空になった又は不活性ガスで満たされた複数の第１水晶振動子１００が得られる。

ステップＳ１６では、接合されたリッドウエハ１１Ｗと、ベースウエハ１２Ｗとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図６及び図７に示された一点鎖線のスクライブラインＳＬに沿って第１水晶振動子１００を単位として個片化する。

（第２実施形態）
＜第２水晶振動子２００の全体構成＞
第２水晶振動子２００の全体構成について、図８〜図１０を参照しながら説明する。
図８は、第２水晶振動子２００の分解斜視図で、図９に示される接続電極１４ａ、１４ｂが省略して描かれている。図９は図８のＢ−Ｂ断面図である。図１０（ａ）は＋Ｙ’側から見た水晶フレーム２０の表面Ｍｅの平面図で、（ｂ）は−Ｙ’側から見た水晶フレーム２０の裏面Ｍｉの平面図で、（ｃ）は＋Ｙ’側から見たベース部２２の平面図である。

図８及び図９に示されたように、第２水晶振動子２００は、リッド部凹部２１１を有するリッド部２１と、ベース部凹部２２１を有するベース部２２と、リッド部２１及びベース部２２に挟まれるＡＴカットされた水晶フレーム２０とを備える。なお、リッド部２１は第１実施形態で説明されたリッド部１１と同じ構成となっている。

水晶フレーム２０は、表面Ｍｅ及び裏面Ｍｉを有し、両面に励振電極２０１ａ、２０１ｂが形成された水晶振動部２７と水晶振動部２７を囲む外枠２５とで構成されている。また、水晶振動部２７と外枠２５との間には、水晶振動部２７からＸ軸方向の両側に沿ってそれぞれ伸びるように外枠２５と連結した一対の連結部２６ａ、２６ｂを有している。このため、水晶振動部２７と外枠２５との間に２つの「Ｌ」字型の間隙部２３ａ、２３ｂが形成される。なお、連結部２６ａの表面Ｍｅには励振電極２０１ａから引き出した引出電極２０２ａが形成され、連結部２６ｂの表面Ｍｉには励振電極２０１ｂから引き出した引出電極２０２ｂが形成されている。

水晶フレーム２０のＸ側に配置されＺ’軸方向に伸びる両辺には、角丸長方形の水晶貫通孔ＣＨ（図１２を参照）を形成した際の水晶キャスタレーション２０４ａ、２０４ｂが形成されている。水晶キャスタレーション２０４ａ、２０４ｂには水晶側面電極２０３ａ、２０３ｂが形成されている。

また、外枠２５の表面Ｍｅ及び裏面Ｍｉは表面粗さが例えば、Ｒａ１０μｍ〜４０μｍとなる粗面である。また、表面Ｍｅ及び裏面Ｍｉには引出電極２０２ａ、２０２ｂとそれぞれに電気的に接続された金属膜ＡＣ１２、ＡＣ２１が形成されている。これにより、引出電極２０２ａが金属膜ＡＣ１２を介して水晶側面電極２０３ａに接続され、引出電極２０２ｂが金属膜ＡＣ２１を介して水晶側面電極２０３ｂ接続される。なお、金属膜ＡＣ１２、ＡＣ２１は下地としてのクロム（Ｃｒ）層とクロム層の上に形成された金（Ａｕ）層とで構成され、クロム層の厚さは５００Å程度で、金層の厚さは１５００〜２５００Å程度である。金属膜ＡＣ１２、ＡＣ２１が形成される表面Ｍｅ及び裏面Ｍｉが粗面となっているので、金属膜ＡＣ１２、ＡＣ２１の付着強度を向上することができる。

ここで、後述する外部電極２２２ａ、２２２ｂに交番電圧（正負を交番する電位）が印加されると、水晶側面電極２０３ａと水晶側面電極２０３ｂと、及び励振電極２０１ａと励振電極２０１ｂとは異なる極性となる。したがって、極性が異なる電極同士がショートしないように、金属膜ＡＣ１２、ＡＣ２１の形状が以下のように形成されている。

金属膜ＡＣ１２が励振電極２０１ａと水晶側面電極２０３ａとを接続し、金属膜ＡＣ２１が励振電極２０１ｂと水晶側面電極２０３ｂとを接続する。図１０（ａ）に示されたように、励振電極２０１ａに接続された金属膜ＡＣ１２は、励振電極２０１ｂに接続された水晶側面電極２０３ｂとショートしないように水晶側面電極２０３ｂから一定の距離ＳＰ離れて形成される。図１０（ｂ）に示されたように、同様に、励振電極２０１ｂに接続された金属膜ＡＣ２１は、励振電極２０１ａに接続された水晶側面電極２０３ａとショートしないように水晶側面電極２０３ａから一定の距離ＳＰ離れて形成される。

図８及び図９に戻り、第２水晶振動子２００はベース部凹部２２１を周回する第２端面Ｍ２を有する水晶材料からなるベース部２２をさらに備える。また、リッド部２１及び水晶フレーム２０の外枠２５とともに水晶振動部２７を収納するキャビティＣＴが形成される。キャビティＣＴは、窒素ガスで満たされたり又は真空状態にされる。

ベース部２２は、実装面（水晶振動子の実装面）のＸ軸方向の両側に一対の外部電極２２２ａ、２２２ｂがそれぞれ形成されている。水晶フレーム２０の水晶キャスタレーション２０４ａ、２０４ｂと対応するように、Ｘ軸方向の両辺に角丸長方形のベース部貫通孔ＢＨ（図１４を参照）を形成した際のベース部キャスタレーション２２４ａ、２２４ｂが形成されている。また、ベース部キャスタレーション２２４ａには一端が外部電極２２２ａに接続され、他端が水晶フレーム２０の水晶キャスタレーション２０４ａに接続されたベース部側面電極２２３ａが形成されている。同様に、ベース部キャスタレーション２２４ｂには一端が外部電極２２２ｂに接続され、他端が水晶フレーム２０の金属膜ＡＣ２１に接続されたベース部側面電極２２３ｂが形成されている。

これにより、励振電極２０１ａ、２０１ｂは引出電極２０２ａ、２０２ｂ、金属膜ＡＣ１２、ＡＣ２１、水晶側面電極２０３ａ、ベース部側面電極２２３ａ、２２３ｂを介して外部電極２２２ａ、２２２ｂにそれぞれ接続される。

また、ベース部２２の第２端面Ｍ２は表面粗さが例えば、Ｒａ１０μｍ〜４０μｍの粗面である。また、第２端面Ｍ２には、下地としてのクロム（Ｃｒ）層とクロム層の上に形成された金（Ａｕ）層とで構成された金属膜ＡＣ２２が形成されている。金属膜ＡＣ２２において、クロム層の厚さは５００Å程度で、金層の厚さは１５００〜２５００Å程度である。ここで、金属膜ＡＣ２２が形成される第２端面Ｍ２が粗面となっているので、金属膜ＡＣ２２の付着強度を向上することができる。

ここで、ベース部側面電極２２３ａとベース部側面電極２２３ｂとがショートしないように、金属膜ＡＣ２２の形状を以下のようにする。具体的には、図１０（ｃ）に示されたように、金属膜ＡＣ２２はベース部側面電極２２３ａ、２２３ｂとショートしないようにそれぞれから一定の距離ＳＰ離れて形成される。なお、金属膜ＡＣ２２がベース部側面電極２２３ａ、２２３ｂと一定距離ＳＰ離れているが、いずれか一方は接続されてもよい。

再び図８及び図９に戻り、リッド部２１と水晶フレーム２０とは、金属膜ＡＣ１２及び金属膜ＡＣ１２を封止材である低融点ガラスＬＧによって接合される。同様に、水晶フレーム２０とベース部２２とは、金属膜ＡＣ２１及び金属膜ＡＣ２２を封止材である低融点ガラスＬＧによって接合される。

第２水晶振動子２００では、リッド部１１の粗面に金属膜ＡＣ１１が形成され水晶フレーム２０における両面の粗面に金属膜ＡＣ１２、ＡＣ２１が形成されベース部２２の粗面にＡＣ２２が形成されることで、互いの接合強度が強くなる。このため、リッド部２１と、水晶フレーム２０と、ベース部２２とが確実に接合することができる（表１を参照）。さらに、リッド部２１と、水晶フレーム２０と、ベース部２２とが確実に接合しているので、気体などが外側からキャビティＣＴ内へ又はその逆の距離が長くなり、リークが少なくなる（表２を参照）。

図９に示されたように、第２水晶振動子２００は外部電極２２２ａ、２２２ｂの全部又は一部、ベース部側面電極２２３ａ、２２３ｂ及び水晶側面電極２０３ａ、２０３ｂを覆うように接続電極１４ａ、１４ｂがそれぞれ形成されている。つまり、低融点ガラスＬＧにより接続できなかった水晶側面電極２０３ａとベース部側面電極２２３ａと、及び金属膜ＡＣ２１とベース部側面電極２２３ｂとが接続電極１４ａ、１４ｂによって確実に接続される。すなわち、外部電極２２２ａ、２２２ｂが励振電極２０１ａ、２０１ｂと確実に電気的に接続される。

第２水晶振動子２００において、水晶キャスタレーション及びベース部キャスタレーションが水晶フレーム及びベース部のＸ軸方向の両側に形成された角丸形状であるが、水晶フレーム及びベース部の四隅に形成された１/４円弧に窪んだ形状となってもよい。

＜第２水晶振動子２００の製造方法＞
図１１は、第２水晶振動子２００の製造を示したフローチャートである。図１１において、水晶フレーム２０の製造ステップとＴ２０と、リッド部２１の製造ステップＴ２１と、ベース部２２の製造ステップＴ２２とは別々に並行して行うことができる。また、図１２は第２実施形態の水晶ウエハ２０Ｗの平面図で、図１３は第２実施形態のリッドウエハ２１Ｗの平面図で、図１４は第２実施形態のベースウエハ２２Ｗの平面図である。

ステップＴ２０では、水晶フレーム２０が製造される。ステップＴ２０はステップＴ２０１〜Ｔ２０３を含んでいる。
ステップＴ２０１において、両面が鏡面化された水晶ウエハ１０Ｗが用意される。

ステップＴ２０２において、図１２に示されたように、均一の水晶ウエハ２０Ｗにエッチングにより複数の水晶フレーム２０の外形が形成される。すなわち、水晶振動部２７と、外枠２５と、間隙部２３とが形成される。同時に、各水晶フレーム２０のＸ軸方向の両側には水晶ウエハ２０Ｗを貫通するように角丸形の水晶貫通孔ＣＨが形成される。水晶貫通孔ＣＨが半分割されると１つの水晶キャスタレーション２０４（図８を参照）になる。

ステップＴ２０３において、外枠２５の表面Ｍｅ及び裏面Ｍｉがエッチング又はサンドブラスト等により表面粗さがＲａ１０μｍ〜４０μｍにされる（図９を参照）。

ステップＴ２０４において、まずスパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ２０Ｗの両面及び水晶貫通孔ＣＨに金属層が形成される。そして、金属層の全面にフォトレジストが均一に塗布される。その後、露光装置（不図示）を用いて、フォトマスクに描かれた励振電極２０１ａ、２０１ｂ、引出電極２０２ａ、２０２ｂ、金属膜ＡＣ１２、ＡＣ２１及び水晶側面電極２０３ａ、２０３ｂのパターンが水晶ウエハ２０Ｗに露光される。次に、フォトレジストから露出した金属層がエッチングされる。これにより、水晶ウエハ２０Ｗ両面には励振電極２０１ａ、２０１ｂ、引出出極２０２ａ、２０２ｂ及び金属膜ＡＣ１２、ＡＣ２１が形成され、水晶貫通孔ＣＨには水晶側面電極２０３ａ、２０３ｂ形成される（図８及び図１０を参照）。

ステップＴ２１では、リッド部２１が製造される。ステップＴ２１はステップＴ２１１〜Ｔ２１４を含んでいる。

ステップＴ２１１において、両面が粗いリッドウエハ２１Ｗが用意される。水晶原石からＡＴカットして得られたリッドウエハ半製品（図示しない）は全体的に尖った凸凹となっている。リッドウエハ半製品をこのまま使用すると、後述の露光装置を用いてフォトレジストを露光する（例えばステップＳ２１３）際、尖った凸凹により乱反射が起こって露光パターンの形成が困難になる。このため、両面に尖った凸凹が形成されたリッドウエハ半製品（図示しない）をウェットエッチングする。これにより、尖った凸凹がなだらかになることができ、露光装置からの乱反射を抑制することができ、露光パターンがより精確に形成される。ステップＴ２１１ではリッドウエハ２１Ｗの両面がウェットエッチングされたが、片方のみがエッチングされてもよい。

ステップＴ２１２において、図１３に示されたように、均一厚さの水晶平板のリッドウエハ２１Ｗにリッド部凹部２１１が数百から数千個形成される。また、リッド部凹部２１１の周囲には第１端面Ｍ１が形成される。

ステップＴ２１３において、ステップＴ２０３で説明されたスパッタ及びエッチング方法により、第１端面Ｍ１全面に金属膜ＡＣ１１が形成される。

ステップＴ２１４において、図１３に示されたように、スクリーン印刷でリッドウエハ２１Ｗの第１端面Ｍ１における金属膜ＡＣ１１の上に低融点ガラスＬＧが印刷される。なお、低融点ガラスＬＧは水晶貫通孔ＣＨ（水晶キャスタレーション２０４）に対応する箇所２１２には形成されていない。

ステップＴ２２では、ベース部２２が製造される。ステップＴ２２はステップＴ２２１〜Ｔ２２４を含んでいる。
ステップＴ２２１において、Ｔ２１１と同様に、両面が粗いベースウエハ２２Ｗが用意される。

ステップＴ２２２において、図１４に示されたように、均一厚さの水晶平板のベースウエハ２２Ｗにベース部凹部２２１が数百から数千個形成される。また、ベース部凹部２２１の周囲には第２端面Ｍ２が形成される。同時に、各ベース部２２のＸ軸方向の両側にはベースウエハ２２Ｗを貫通するように角丸形のベース部貫通孔ＢＨが形成される。ベース部貫通孔ＢＨが半分割されると１つのベース部キャスタレーション２２４（図８を参照）になる。

ステップＴ２２３において、ステップＴ２０３で説明されたスパッタ及びエッチング方法により、第２端面Ｍ２に金属膜ＡＣ２２が形成される。同時に、ベース部貫通孔ＢＨにベース部側面電極２２３ａ、２２３ｂが形成され、ベースウエハ２２Ｗの実装面（圧電振動子の実装面）に外部電極２２２ａ、２２２ｂが形成される（図８を参照）。

ステップＴ２２４において、図１４に示されたように、スクリーン印刷でベースウエハ２２Ｗの第２端面Ｍ２における金属膜ＡＣ２２の上に低融点ガラスＬＧが印刷される。

ステップＴ２３では、低融点ガラスＬＧが加熱され水晶ウエハ２０Ｗとベースウエハ２２Ｗとが加圧される。そして水晶ウエハ２０Ｗとベースウエハ２２Ｗとが低融点ガラスＬＧにより接合する。

ステップＴ２４では、外部電極２２２ａ、２２２ｂ、ベース部側面電極２２３ａ、２２３ｂ及び水晶側面電極２０３ａ、２０３ｂを覆うように一対の接続電極１４ａ、１４ｂが形成される。詳しく説明すると、接合された水晶ウエハ２０Ｗとベースウエハ２２Ｗとは水晶ウエハ２０Ｗが下向きになるようにテーブル（図示しない）に載置される。その後、外部電極２２２ａ、２２２ｂに対応する領域及びベース部貫通孔ＢＨに対応する領域に開口が形成されたマスク（図示しない）が、ベースウエハ２２Ｗの実装面側に配置される。そして、スパッタ又は真空蒸着されることで、接続電極１４ａ、１４ｂが形成される。これにより、ステップＴ２２３で形成されたベース部側面電極２２３ａ、２２３ｂとステップＴ２０３で形成された水晶側面電極２０３ａ、２０３ｂとが確実に電気的に接続される（図９を参照）。

ステップＴ２５では、低融点ガラスＬＧが加熱されリッドウエハ２１Ｗと水晶ウエハ２０Ｗとが加圧される。そしてリッドウエハ２１Ｗが低融点ガラスＬＧにより水晶ウエハ２０Ｗの表面Ｍｅに接合される。

ステップＴ２６では、接合されたリッドウエハ２１Ｗと、水晶ウエハ２０Ｗと、ベースウエハ２２Ｗとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図１２〜図１４に示された一点鎖線のスクライブラインＳＬに沿って第２水晶振動子２００を単位として個片化する。これにより、数百から数千の第２水晶振動子２００が製造される。

図１１で説明された第２水晶振動子２００の製造方法では、接合する前に低融点ガラスＬＧがリッドウエハ２１Ｗ及びベースウエハ２２Ｗに形成されているが、水晶ウエハ２０Ｗの両面に形成されてもよい。

以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば、本発明は、圧電振動子以外にも、発振回路を組み込んだＩＣなどをキャビティ内に収容した圧電発振器にも適用できる。また、本明細書ではＡＴカット型の水晶振動片を一例として説明したが、一対の振動腕を有する音叉型の圧電振動片にも適用できる。
リッド部及びベース部が水晶材料である場合では、ＡＴカットされた水晶材料が用いられてもよいし、Ｚカットされた水晶材料が用いられてもよい。
また、本発明では封止材として低融点ガラスが用いられているが、低融点ガラスの代わりにポリイミド樹脂などが用いられてもよい。封止材としてポリイミド樹脂が用いられる際には、スクリーン印刷により所定領域にポリイミド樹脂が塗布されてもよいし、感光性のポリイミド樹脂を全面に塗布した後に露光して形成することもできる。

１０ … 水晶振動片、 ２０ … 水晶フレーム
１１、２１ … リッド部、 １１Ｗ、２１Ｗ … リッドウエハ
１２、２２ … ベース部、 １２Ｗ、２２Ｗ … ベースウエハ
１３ … 導電性接着剤
１４ａ、１４ｂ … 接続電極
２３ … 間隙部
２５ … 外枠
２６ａ、２６ｂ … 連結部
２７ … 水晶振動部
１００、２００ … 水晶振動子
１０１ … 水晶片
１０２ａ、１０２ｂ、２０１ａ、２０１ｂ … 励振電極
１０３ａ、１０３ｂ、２０２ａ、２０２ｂ … 引出電極
１１１、２１１ … リッド部凹部、 １２１、２２１ … ベース部凹部
１２２ａ、１２２ｂ … スルーホール
１２３ａ、１２３ｂ … スルーホール電極
１２４ … 封止材
１２５ａ、１２５ｂ、２２２ａ、２２２ｂ … 外部電極
２０３ａ、２０３ｂ、２２３ａ、２２３ｂ … 側面電極
２０４ａ、２０４ｂ、２２４ａ、２２４ｂ … キャスタレーション
ＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ１１、ＡＣ１２、ＡＣ２１、ＡＣ２２ … 金属膜
ＥＡ … 接合領域
ＬＧ … 低融点ガラス

Claims (13)

1. 電圧の印加により振動する圧電振動片を収納する圧電デバイスであって、
   平面の周囲に所定の幅で形成された第１端面を有するリッド部と、
   前記リッド部の前記第１端面に接合される第２端面と前記第２端面から凹んだ凹部とを有するベース部と、を備え、
   前記リッド部の前記第１端面及び前記ベース部の前記第２端面の少なくとも一方は粗面であり、前記粗面には金属膜が形成され、
   前記リッド部と前記ベース部とは前記金属膜を介して封止材で接合される圧電デバイス。
2. 前記圧電振動片は、圧電材料で構成され、
   前記粗面が前記圧電材料の表面より粗く形成される請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 前記ベース部の前記第２端面は、前記所定の幅より広く形成され、
   前記圧電振動片が導電性接着剤により前記ベース部の前記第２端面に載置され、
   前記金属膜が前記第２端面における前記第１端面及び前記第２端面の接合領域のみに形成される請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイス。
4. 前記第２端面は、前記接合領域のみが粗面である請求項３に記載の圧電デバイス。
5. 前記接合領域と前記導電性接着剤との間には前記封止材が前記圧電振動片側に流れ込まないように、前記第２端面から凹んだ溝部が形成されている請求項３又は請求項４に記載の圧電デバイス。
6. 前記リッド部の前記第１端面と前記ベース部の前記第２端面とが同じ幅に形成され、
   前記圧電振動片が導電性接着剤により前記凹部内に載置される請求項１に記載の圧電デバイス。
7. 前記ベース部には、前記ベース部を貫通した一対のスルーホールが形成されている請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
8. 電圧の印加により振動する圧電振動片とその圧電振動片を囲むように形成され一主面及び他主面を有する外枠とを含む圧電フレームと、
   前記圧電フレームの前記外枠の前記一主面に接合される第１端面を有するリッド部と、
   前記圧電フレームの前記外枠の前記他主面に接合される第２端面を有するベース部と、を備え、
   前記外枠の一主面及び前記リッド部の前記第１端面の少なくとも一方、並び前記外枠の他主面及び前記ベース部の前記第２端面の少なくとも一方は粗面であり、前記粗面には金属膜が形成され、
   前記リッド部と前記外枠と、及び前記外枠と前記ベース部とは前記金属膜を介して封止材により接合される圧電デバイス。
9. 前記圧電フレームの前記外枠の外周の縁部には一対の第１キャスタレーションが形成され、前記ベース部の外周の縁部には前記圧電フレームと前記ベース部とを接合する際に前記第１キャスタレーションと対応する一対の第２キャスタレーションが形成され、
   前記圧電フレームは、前記圧電振動片の前記一主面及び前記他主面に形成された一対の励振電極と、前記一主面側の励振電極から前記第１キャスタレーションまで引き出された前記一主面の第１引出電極及び前記他主面側の励振電極から前記第１キャスタレーションまで引き出された前記他主面の第２引出電極と、前記第１引出電極に電気的に接続され前記第１キャスタレーションに形成された第１側面電極とを有し、
   前記ベース部は、前記第１側面電極又は前記第２引出電極にそれぞれ電気的に接続され前記一対の第２キャスタレーションに形成された一対の第２側面電極を有し、
   前記第１及び第２キャスタレーションには、前記第１側面電極又は前記第１引出電極と前記第２側面電極とを電気的に接続するように一対の接続電極が形成されている請求項８に記載の圧電デバイス。
10. 前記封止材は３５０℃〜４１０℃で溶融するガラス又はポリイミド樹脂を含む請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
11. 前記リッド部及び前記ベース部は、ガラス又は圧電材料から構成される請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
12. 電圧の印加により振動する圧電振動片を用意する第１用意工程と、
    平面の周囲に所定の幅で形成された第１端面を有するリッド部を複数含むリッドウエハを用意する第２用意工程と、
    前記リッドウエハに形成された粗面に金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、
    第２端面と前記第２端面から凹んだ凹部とを有するベース部を複数含むベースウエハを用意する第３用意工程と、
    前記ベースウエハに形成された粗面に金属膜を形成する第２金属膜形成工程と、
    前記圧電振動片を導電性接着剤で前記ベース部に載置する載置工程と、
    前記リッドウエハと前記ベースウエハとを封止材で接合する接合工程と、
    を備える圧電デバイスの製造方法。
13. 前記リッドウエハ及び前記ベースウエハに形成された粗面は、サンドブラスト又はエッチングを含む請求項１２に記載の圧電デバイス。