JP2011199065A - 真空パッケージ、真空パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 - Google Patents

Abstract

【課題】気密性に優れるとともに、実装強度の向上を図ることができる真空パッケージ、真空パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供する。
【解決手段】互いに接合されたベース基板２及びリッド基板３と、ベース基板２とリッド基板３との間に形成された圧電振動片４を封入可能なキャビティＣと、ベース基板２を厚さ方向に貫通し、キャビティＣの内部と外部とを導通させる貫通電極３２，３３とを備えたパッケージ９であって、ベース基板２及びリッド基板３におけるキャビティＣの周囲は、基板２，３同士が接合される接合領域を構成し、ベース基板２における角部には、ベース基板２の厚さ方向から見てリッド基板３の接合面を露出させる切欠き部２６が形成されていることを特徴とする。
【選択図】図４

Description

本発明は、真空パッケージ、真空パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計に関するものである。

近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子（真空パッケージ）が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装型の圧電振動子が知られている（例えば、特許文献１参照）。

ここで、図１８，図１９に示すように、圧電振動子２００は、接合膜２０７を介して互いに陽極接合されたベース基板２０１及びリッド基板２０２と、両基板２０１，２０２の間に形成されたキャビティＣ内に封止された圧電振動片２０３とを備えている。
基板２０１，２０２は、ガラス等からなる絶縁基板であり、ベース基板２０１には、ベース基板２０１を貫通する貫通孔２０４が形成されている。貫通孔２０４内には、貫通孔２０４を塞ぐように貫通電極２０５が形成されている。貫通電極２０５は、ベース基板２０１の外面に形成された外部電極２０６に電気的に接続される一方、内面（キャビティＣ内）に形成された引き回し電極２０９を介して圧電振動片２０３に電気的に接続されている。圧電振動片２０３は、例えば音叉型の振動片であって、その基端側で引き回し電極２０９上に導電性接着剤Ｅ等を介してマウントされている。圧電振動子２００は、図１９に示すように、外部電極２０６とシリコンデバイス２１０上に設けられたランド２１１とがハンダ２１２等によって接続されることで、実装される。

続いて、図２０に基づいて上述した圧電振動子の製造方法について簡単に説明する。なお、図２０においては、図面を見易くするため、キャビティＣ内に収容される圧電振動片２０３等を省略する。
図２０に示すように、キャビティＣ用の凹部２２０ａが複数形成されたリッド基板用ウエハ２２０と、複数の圧電振動片２０３（図１８参照）がマウントされたベース基板用ウエハ２３０とを、接合膜２０７を介して真空雰囲気下で陽極接合する。これにより、複数の圧電振動子２００がウエハ２２０，２３０の行列方向に形成されたウエハ体２４０とする。その後、ウエハ体２４０を各キャビティＣ毎に行列方向に切断することで、ウエハ体２４０を複数の圧電振動子２００に個片化するようになっている。

特開２００２−１２４８４５号公報

ところで、上述した圧電振動子２００の製造工程においては、リッド基板用ウエハ２２０とベース基板用ウエハ２３０とを陽極接合する際に、接合部からアウトガス（例えば、酸素）が放出される。この際、アウトガスは、両ウエハ２２０，２３０間の隙間を通って、両ウエハ２２０，２３０の外周端部から外部へ排出されるようになっている。

しかしながら、上述したように凹部２２０ａ内に放出されるアウトガスの排出口は両ウエハ２２０，２３０の外周端部のみであるため、各凹部２２０ａからアウトガスを抜くのが難しい。そのため、凹部２２０ａ内にアウトガスが残存した状態で、両ウエハ２２０，２３０同士が陽極接合されてしまう虞がある。その結果、キャビティＣ内の真空度が低下し、等価抵抗値（実効抵抗値：Ｒｅ）が高くなる。この場合、圧電振動子２００の駆動電圧が高くなり、エネルギー効率が低下するという問題がある。

さらに、圧電振動子２００をシリコンデバイス２１０に実装する際、外部電極２０６とランド２１１とは平面同士の接合であるため、圧電振動子２００の側面にフィレット（ハンダ２１２が圧電振動子２００の側面を濡れ上がり、側面を覆った部分）が形成され難く、実装強度が低いという問題がある。

そこで、本発明は、上述した問題に鑑みてなされたものであり、気密性に優れるとともに、実装強度の向上を図ることができる真空パッケージ、真空パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供するものである。

上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明に係る真空パッケージは、互いに接合された第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に形成された電子部品を封入可能なキャビティと、前記複数の基板のうち、前記第１基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内部と外部とを導通させる貫通電極とを備えた真空パッケージであって、前記第１基板及び前記第２基板における前記キャビティの周囲は、前記基板同士が接合される接合領域を構成し、前記第１基板における前記接合領域の外周側には、前記第１基板の厚さ方向から見て前記第２基板の前記接合領域を露出させる切欠き部が形成されていることを特徴としている。

この構成によれば、第１基板の接合領域に切欠き部を形成することで、複数の真空パッケージ（キャビティ）が形成されたウエハの状態で第１基板と第２基板とを接合する際、接合時に接合領域から発生するアウトガスが切欠き部を通って排出されることになる。すなわち、切欠き部が接合領域からのアウトガスの排出口として機能するため、ウエハにおけるキャビティ毎に排出口が形成されることになる。そのため、従来のようにアウトガスがウエハの外周端部のみからしか排出されない場合に比べて、アウトガスを効果的に排出することができる。その結果、キャビティ内でのアウトガスの残存を抑制した上で各基板を接合できるので、気密性に優れた真空パッケージを提供できる。
また、本発明に係る真空パッケージを電子デバイス等に実装する場合に、真空パッケージと電子デバイス上のランドとをハンダ等により接続すると、ハンダ等が切欠き部内に濡れ上がり、真空パッケージを側面側から覆うようなフィレットが形成される。そのため、真空パッケージと電子デバイスとの接合面積を向上させ、真空パッケージの実装強度を向上できる。

また、前記切欠き部の内面には導電性を有する金属膜が形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、切欠き部の内面に金属膜が形成されているため、真空パッケージを電子デバイスに実装する場合に、ハンダ等が金属膜上を伝って切欠き部内に濡れ上がり易くなる。そのため、フィレットが形成され易くなり、真空パッケージの実装強度を確実に向上できる。

また、前記第１基板は厚さ方向から見て矩形状に形成され、前記切欠き部が、前記第１基板の角部に形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、第１基板の各角部に切欠き部を形成することで、ウエハの接合時に接合領域から発生するアウトガスを効率的に排出することができ、真空パッケージの真空度をさらに向上できる。
また、真空パッケージの各角部周辺にフィレットが形成されることになるので、真空パッケージの実装強度をさらに向上できるとともに、真空パッケージをバランス良く実装することができる。

また、本発明の真空パッケージの製造方法は、上記本発明の真空パッケージの製造方法であって、前記第１基板の前記接合領域の外周側に、前記第１基板の厚さ方向から見て前記第２基板の接合領域を露出させる切欠き部を形成する切欠き部形成工程と、前記第１基板と前記第２基板との間に形成された導電性を有する接合膜により、前記基板同士を陽極接合する接合工程とを有していることを特徴としている。
この構成によれば、切欠き部形成工程において第１基板に切欠き部を形成しておくことで、接合工程においてウエハの接合時に発生するアウトガスが切欠き部を通って排出されることになる。すなわち、切欠き部が接合領域からのアウトガスの排出口として機能するため、キャビティ毎に排出口が形成されることになる。そのため、従来のようにアウトガスが基板の外周端部のみからしか排出されない場合に比べて、アウトガスを効果的に排出できる。その結果、キャビティ内でのアウトガスの残存を抑制した上で各基板を接合できるので、気密性に優れた真空パッケージを提供できる。
また、本発明に係る真空パッケージを電子デバイス等に実装する場合に、真空パッケージの貫通電極と電子デバイス上のランドとをハンダ等により接続すると、ハンダ等が切欠き部内に濡れ上がり、真空パッケージを側面側から覆うようなフィレットが形成される。そのため、真空パッケージと電子デバイスとの接合面積を向上させ、真空パッケージの実装強度を向上できる。

また、前記切欠き部形成工程の後段に、前記第１基板の外面に前記貫通電極を覆う外部電極を形成する外部電極形成工程を有し、前記外部電極形成工程と同時に、前記切欠き部の内面に前記外部電極と同材料の前記金属膜を形成することを特徴としている。
この構成によれば、第１基板に切欠き部が形成されているため、外部電極の成膜時において外部電極となる導電性材料が切欠き部内にも付着する。これにより、切欠き部内に金属膜を形成できる。すなわち、外部電極形成工程において外部電極と金属膜とをまとめて形成できるので、金属膜の形成工程を別途行う必要がなく、金属膜を追加することに伴う製造効率の低下を抑制できる。

また、本発明の圧電振動子は、上記本発明の真空パッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明の気密性に優れた真空パッケージを備えているので、圧電振動子の真空封止の信頼性を向上させることができる。これにより、圧電振動子の直列共振抵抗値（Ｒ１）が低い状態に維持されるので、低電力で圧電振動片を振動させることが可能になり、エネルギー効率に優れた圧電振動子を製造することができる。

また、本発明に係る発振器は、上記本発明の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。

また、本発明に係る電子機器は、上記本発明の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。

また、本発明に係る電波時計は、上記本発明の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。

本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、エネルギー効率に優れた圧電振動子を備えているので、圧電振動子と同様にエネルギー効率に優れた製品を提供できる。

本発明に係るパッケージ及びパッケージの製造方法によれば、気密性に優れるとともに、実装強度の向上を図ることができる。
また、本発明に係る圧電振動子によれば、エネルギー効率に優れた圧電振動子を製造することができる。
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、圧電振動子と同様にエネルギー効率に優れた製品を提供することができる。

実施形態に係る圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図である。 実施形態に係る圧電振動子をベース基板側から見た外観斜視図である。 圧電振動子のリッド基板を取り外した状態の平面図である。 図３のＡ−Ａ線に沿う側面断面図である。 圧電振動子の分解斜視図である。 圧電振動片の平面図である。 圧電振動片の底面図である。 図６のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。 圧電デバイスの断面図である。 圧電振動子の製造方法のフローチャートである。 ウエハ体の分解斜視図である。 リッド基板用ウエハに接合材が形成された状態を示す図である。 ベース基板用ウエハに貫通電極が形成された状態を示す図である。 図１１のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。 実施形態に係る発振器の構成図である。 実施形態に係る電子機器の構成図である。 実施形態に係る電波時計の構成図である。 従来の圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。 図１８のＦ−Ｆ線に相当する断面図であって、従来の圧電振動デバイスの断面図である。 従来のウエハ体を示す断面図である。

以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（圧電振動子）
次に、本発明の実施形態に係る圧電振動子を、図面を参照して説明する。図１は実施形態に係る圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図であり、図２はベース基板側から見た外観斜視図である。また、図３は圧電振動子のリッド基板を取り外した状態の平面図である。図４は図３のＡ−Ａ線に沿う側面断面図である。図５は、圧電振動子の分解斜視図である。なお図５では、図面を見易くするために、後述する圧電振動片４の励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７及び重り金属膜２１の図示を省略している。
図１〜図５に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板（第１基板）２及びリッド基板（第２基板）３が接合材３５を介して陽極接合されたパッケージ９と、パッケージ９のキャビティＣに収納された圧電振動片４と、を備えた表面実装型の圧電振動子１である。

図６は圧電振動片の平面図であり、図７は底面図であり、図８は図６のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
図６〜図８に示すように、圧電振動片４は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。この圧電振動片４は、平行に配置された一対の振動腕部１０，１１と、該一対の振動腕部１０，１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に形成された溝部１８とを備えている。この溝部１８は、該振動腕部１０，１１の長手方向に沿って振動腕部１０，１１の基端側から略中間付近まで形成されている。

また、本実施形態の圧電振動片４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０，１１を振動させる第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５と、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４に電気的に接続されたマウント電極１６，１７とを有している。励振電極１５、マウント電極１６，１７及び引き出し電極１９，２０は、例えば、クロム（Ｃｒ）やニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）等の導電性材料の被膜により形成されている。

励振電極１５は、一対の振動腕部１０，１１を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極である。励振電極１５を構成する第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、第１の励振電極１３が、一方の振動腕部１０の溝部１８上と他方の振動腕部１１の両側面上とに主に形成され、第２の励振電極１４が、一方の振動腕部１０の両側面上と他方の振動腕部１１の溝部１８上とに主に形成されている。また、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９，２０を介してマウント電極１６，１７に電気的に接続されている。

また、一対の振動腕部１０，１１の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。

図１，図２，図４及び図５に示すように、リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な基板であり、略板状に形成されている。リッド基板３におけるベース基板２との接合面側には、圧電振動片４を収容するキャビティＣ用の凹部３ａが形成されている。

リッド基板３におけるベース基板２との接合面（内面）側のほぼ全体には、陽極接合用の接合材３５が形成されている。具体的に、接合材３５は、凹部３ａの内面全体に加えて、凹部３ａの周囲に形成されたベース基板２との接合面である額縁領域３ｃの角部以外の全域に亘って形成されている。すなわち、額縁領域３ｃにおける各角部は、接合材３５の非形成領域３ｂとなっており、額縁領域３ｃから非形成領域３ｂを除いた領域が本発明の接合領域を構成している。なお、本実施形態においては、非形成領域３ｂは、例えばリッド基板３の角部を中心にした扇状（中心角が９０度）に形成されている。そして、この非形成領域３ｂ上には、導電性材料からなる金属膜２５が形成されている。この金属膜２５は、接合材３５の端部から間隔を空けて形成されており、接合材３５と金属膜２５とは電気的に切り離された状態となっている。なお、本実施形態の接合材３５はＳｉ膜で形成されているが、接合材３５をＡｌで形成することも可能である。なお接合材として、ドーピング等により低抵抗化したＳｉバルク材を可能することも可能である。そして後述するように、この接合材３５とベース基板２とが陽極接合され、キャビティＣが真空封止されている。

ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる基板であり、図１〜図５に示すように、リッド基板３と同等の外形で略板状に形成されている。
ベース基板２の内面２ａ側（リッド基板３との接合面側）には、一対の引き回し電極３６，３７がパターニングされている。各引き回し電極３６，３７は、例えば下層のＣｒ膜及び上層のＡｕ膜の積層体によって形成されている。
そして図４，図５に示すように、引き回し電極３６，３７の表面に、金等のバンプＢを介して、上述した圧電振動片４のマウント電極１６，１７がバンプ接合されている。圧電振動片４は、ベース基板２の内面２ａから振動腕部１０，１１を浮かせた状態で接合されている。

またベース基板２には、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極３２，３３が形成されている。各貫通電極３２，３３は、ステンレスやＡｇ、Ａｌ等の導電性を有する金属材料によって形成されている。一方の貫通電極３２は、一方の引き回し電極３６の直下に形成されている。他方の貫通電極３３は、振動腕部１１の先端付近に形成され、引き回し配線を介して他方の引き回し電極３７に接続されている。
またベース基板２の外面２ｂには、図１，図２，図４及び図５に示すように、一対の外部電極３８，３９が形成されている。一対の外部電極３８，３９は、ベース基板２の長手方向の両端部に形成され、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続されている。外部電極３８，３９は、圧電振動子１が後述するシリコンデバイス７０に実装される際にシリコンデバイス７０のランド部７２に接続され、外部電極３８，３９を介して圧電振動片４に電圧が印加されるようになっている。

ここで、ベース基板２の角部には、角部を中心にした扇状（例えば、中心角が９０度）に切り欠かれた切欠き部２６が形成されている。これら切欠き部２６は、ベース基板２の外面２ｂ側から内面２ａ側に向かって厚さ方向全体に亘って形成されており、ベース基板２の厚さ方向から見て、上述したリッド基板３の角部（非形成領域３ｂ）が露出するようになっている。すなわち、リッド基板３の接合面（額縁領域３ｃ）の角部は、ベース基板２と重ならない部位となっている。また、基板２，３の面方向において、切欠き部２６の端面位置は、上述したリッド基板３の角部よりも面方向内側で、接合材３５の端部（非形成領域３ｂとの境界部分）よりも面方向外側に配置されている。そして、リッド基板３の角部におけるベース基板２と重ならない部位（角部の端部側）に、上述した金属膜２５が形成されている。これにより、金属膜２５と外部電極３８，３９とが電気的に切り離されることなる。なお、金属膜２５は、上述した外部電極３８，３９の形成時に外部電極３８，３９の構成材料が付着して形成される膜であるため、リッド基板３の非形成領域３ｂ上に加え、図示しないが切欠き部２６の内面にも形成されている。すなわち、外部電極３８，３９と金属膜２５とは同一材料により連続的に形成されている。

（圧電デバイス）
図９は、圧電デバイスを示す断面図である。なお、図９において、圧電振動子１は図４に相当する断面を示しており、図面を見易くするためにキャビティＣ内に収容された圧電振動片４等は省略する。
図９に示すように、圧電デバイス６９は、ＲＣＴモジュール等のシリコンデバイス７０と、シリコンデバイス７０上に実装された上述した圧電振動子１とを備えている。シリコンデバイス７０上には、圧電振動子１との電気的接続を行うためのランド部７２が形成されており、圧電振動子１の外部電極３８，３９と、ランド部７２とがハンダ７３により実装されている。

この場合、本実施形態では、切欠き部２６の端面及びリッド基板３の非形成領域３ｂ上に外部電極３８，３９から連続的に形成された金属膜２５が形成されているので、圧電振動子１をハンダ付けする際に、ハンダ７３の一部が金属膜２５を伝って、リッド基板３の非形成領域３ｂ上に向かって濡れ上がる。これにより、圧電振動子１の角部周辺には、圧電振動子１の側面を覆うとともに、シリコンデバイス７０の面方向に沿って裾野状に広がったフィレット７５が形成されるため、シリコンデバイス７０上に圧電振動子１を強固に固定できる。よって、圧電振動子１の実装強度を向上させ、圧電デバイス６９の強度を確保できる。また、フィレット７５は、圧電振動子１における各角部の周辺に形成されるため、圧電振動子１の実装強度を確保できるとともに、シリコンデバイス７０上に圧電振動子１をバランスよく実装できる。

このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、シリコンデバイス７０のランド部７２を介してベース基板２に形成された外部電極３８，３９に、所定の駆動電圧を印加する。すると、一方の外部電極３８から、一方の貫通電極３２及び一方の引き回し電極３６を介して、圧電振動片４の第１の励振電極１３に通電される。また他方の外部電極３９から、他方の貫通電極３３及び他方の引き回し電極３７を介して、圧電振動片４の第２の励振電極１４に通電される。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５に電流を流すことができ、一対の振動腕部１０，１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０，１１の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。

（圧電振動子の製造方法）
次に、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法について説明する。図１０は、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法のフローチャートである。図１１は、ウエハ体の分解斜視図である。以下には、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０との間に複数の圧電振動片４を封入してウエハ体６０を形成し、ウエハ体６０を切断することにより複数の圧電振動子を同時に製造する方法について説明する。なお、図１１以下の各図に示す破線Ｍは、切断工程で切断する切断線を図示したものである。

本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）と、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）と、組立工程（Ｓ４０以下）とを有している。そのうち、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）及びベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）は、並行して実施することが可能である。また本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、リッド基板及びベース基板が接合材を介して陽極接合されてなるパッケージの製造方法を含んでいる。

圧電振動片作製工程（Ｓ１０）では、図６〜図８に示す圧電振動片４を作製する。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、該ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片４の外形形状にパターニングするとともに、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７、重り金属膜２１を形成する。これにより、複数の圧電振動片４を作製することができる。次に、圧電振動片４の共振周波数の粗調を行う。これは、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、振動腕部１０，１１の重量を変化させることで行う。

図１０，図１１に示すように、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）では、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を作製する。まず、ソーダ石灰ガラスからなる円板状のリッド基板用ウエハ５０を、所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０におけるベース基板用ウエハ４０との接合面側に、キャビティ用の凹部３ａを複数形成する（Ｓ２２）。凹部３ａの形成は、加熱プレス成形やエッチング加工等によって行う。次に、ベース基板用ウエハ４０との接合面（額縁領域３ｃ）を研磨する（Ｓ２３）。

図１２は、リッド基板用ウエハに接合材が形成された状態を示す図であり、図１２（ａ）は内面側から見た平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
次に、図１１，図１２に示すように、リッド基板用ウエハ５０におけるベース基板用ウエハ４０との接合面（以下、内面５０ａという）側に接合材３５を形成する（Ｓ２４）。具体的に、まずリッド基板用ウエハ５０の内面５０ａ（凹部３ａの内面全体及び凹部３ａの周囲の額縁領域３ｃ）全体に接合材３５を成膜する。そして、後にリッド基板３の角部に相当する領域の接合材３５をパターニングして除去することで、切断線Ｍの交点を中心とした円形状の非形成領域５０ｂを形成する。この非形成領域５０ｂは、後の切断工程でリッド基板用ウエハ５０が分割（４分割）されることで、リッド基板３の角部となる領域で接合材３５が除去された非形成領域３ｂとなる。このように、各リッド基板３の非形成領域３ｂをまとめて非形成領域５０ｂとして形成することで、切断後のリッド基板３の各角部に均等に非形成領域３ｂを形成できる。これにより、各リッド基板３毎に非形成領域５０ｂを形成する場合に比べて、パターニングのためのマスク等が簡素化され、簡単、かつ高精度なパターニングを行うことができる。

なお、接合材３５は、成膜後にパターニングすることで、リッド基板用ウエハ５０におけるベース基板用ウエハ４０との接合領域のみに形成する構成でも構わない。また、接合材形成工程（Ｓ２４）の前に研磨工程（Ｓ２３）を行っているので、接合材３５の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。

図１３は、ベース基板用ウエハに貫通電極が形成された状態を示す図であり、図１３（ａ）は内面側から見た平面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
図１３に示すように、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）では、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を作製する。まず、ソーダ石灰ガラスからなる円板状のベース基板用ウエハ４０を、所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去する（Ｓ３１）。次いで、ベース基板用ウエハ４０に一対の貫通電極３２，３３を形成する貫通電極形成工程を行う（Ｓ３２）。貫通電極３２，３３は、例えば、ベース基板用ウエハ４０に貫通孔３０，３１を形成し、貫通孔３０，３１内に銀ペースト等の導電材を充填した後、焼成することで形成する。この際、貫通孔３０，３１の形成と同時に、切断線Ｍの交点を中心とした円形状の貫通孔４３を形成する。すなわち、リッド基板用ウエハ５０における各キャビティＣの各対角線上に貫通孔４３を形成する。この貫通孔４３は、後の切断工程で分割（４分割）されることで、ベース基板２の角部となる領域が切り欠かれた切欠き部２６となる。このように、各ベース基板２の切り欠き部２６をまとめて貫通孔４３として形成することで、切断後のベース基板２の各角部に均等に切欠き部２６を形成できる。これにより、各ベース基板２毎に切欠き部２６を形成する場合に比べて、簡単、かつ高精度に切欠き部２６を形成することができる。なお、貫通孔４３の内径は、リッド基板用ウエハ５０に形成された非形成領域５０ｂの内径よりも小さく形成されている。
次に、一対の貫通電極３２，３３に電気的接続された引き回し電極３６，３７を形成する引き回し電極形成工程を行う（Ｓ３３）。

ところで、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａに、引き回し電極３６，３７とともに接合材３５を形成することも考えられる。しかしながら、この場合には、引き回し電極３６，３７の形成後に接合材３５を形成することになり、製造時間が長くなる。また両者間の拡散を防止するため、引き回し電極３６，３７をマスクしつつ接合材３５を形成する必要があり、製造工程が複雑化する。これに対して、本実施形態では、リッド基板用ウエハ５０に接合材３５を形成し、ベース基板用ウエハ４０に引き回し電極３６，３７を形成する。これにより、引き回し電極３６，３７の形成と接合材３５の形成とを並行して実施することが可能になり、製造時間を短縮することができる。また両者間の拡散を考慮する必要がないので、製造工程を簡略化することができる。

マウント工程（Ｓ４０）では、作製した複数の圧電振動片４を、ベース基板用ウエハ４０の引き回し電極３６，３７の上面に接合する。具体的には、まず一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれ金等のバンプＢを形成する。次に、圧電振動片４の基部１２をバンプＢ上に載置し、バンプＢを所定温度に加熱しながら圧電振動片４をバンプＢに押し付ける。これにより、圧電振動片４の振動腕部１０，１１がベース基板用ウエハ４０の上面から浮いた状態で、基部１２がバンプＢに機械的に固着される。また、マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とが電気的に接続された状態となる。

重ね合わせ工程（Ｓ５０）では、圧電振動片４のマウントが終了したベース基板用ウエハ４０に対して、リッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ４０、５０を正しい位置にアライメントする。これにより、ベース基板用ウエハ４０にマウントされた圧電振動片４が、リッド基板用ウエハ５０の凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収容された状態となる。なお、この際ベース基板用ウエハ４０の貫通孔４３とリッド基板用ウエハ５０の凹部３ａとが、互い連通しない位置関係で重ね合わされる。

図１４は、図１１のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。なお、図１４においては、図面を見易くするため、キャビティＣ内に収容された圧電振動片４等の電子部品は省略する。
両ウエハ４０，５０の重ね合わせ後、重ね合わせた２枚のウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハの外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する（Ｓ６０：接合工程）。これにより、圧電振動片４をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合したウエハ体６０を得ることができる。

ところで、上述した接合工程（Ｓ６０）において、ウエハ体６０を加熱すると、ウエハ体６０の接合材３５からアウトガスが放出される。アウトガスは、一部がウエハ体６０の外側端部（ウエハ４０，５０間の隙間）から外部に放出されるとともに、ベース基板用ウエハ４０の貫通孔４３を通って外部に排出されることになる。すなわち、ベース基板用ウエハ４０の貫通孔４３がアウトガスの排出口として機能する。なお、陽極接合後は、両ウエハ４０，５０は接合材３５によって陽極接合されるため、貫通孔４３とキャビティＣとの間は接合材３５によって遮断される。

外部電極形成工程（Ｓ７０）では、ベース基板用ウエハの裏面に外部電極３８，３９を形成する。具体的に、ベース基板用ウエハ４０の外面４０ｂ上にスパッタ等により導電性材料を成膜し、導電性材料がベース基板２の長手方向両端部のみに残存するようにパターニングする。これにより、外部電極３８，３９が形成される。なお、成膜時の導電性材料が貫通孔４３の内面や、貫通孔４３から露出するリッド基板用ウエハ５０の非形成領域５０ｂ上にも付着する。これにより、貫通孔４３の内面やリッド基板用ウエハ５０の内面５０ａの非形成領域３ｂ上に金属膜２５が形成される。すなわち、外部電極形成工程（Ｓ７０）において外部電極３８，３９と金属膜２５とをまとめて形成できるので、金属膜２５の形成工程を別途行う必要がなく、金属膜２５を追加することに伴う製造効率の低下を抑制できる。この際、金属膜２５と接合材３５との間は分離しているため、接合材３５を介して外部電極３８，３９間が短絡することを防止できる。

微調工程（Ｓ８０）では、個々の圧電振動子１の周波数を微調整する。具体的には、まず外部電極３８，３９から所定電圧を継続的に印加して、圧電振動片４を振動させつつ周波数を計測する。この状態で、ベース基板用ウエハ４０の外部からレーザ光を照射し、重り金属膜２１の微調膜２１ｂを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部１０，１１の先端側の重量が低下するため、圧電振動片４の周波数が上昇する。これにより、圧電振動子１の周波数を微調整して、公称周波数の範囲内に収めることができる。

切断工程（Ｓ９０）では、接合されたウエハ体６０を切断線Ｍに沿って切断する。具体的には、まずウエハ体６０のベース基板用ウエハ４０の表面にＵＶテープを貼り付ける。次に、リッド基板用ウエハ５０側から切断線Ｍに沿ってレーザを照射する（スクライブ）。次に、ＵＶテープの表面から切断線Ｍに沿って切断刃を押し当て、ウエハ体６０を割断する（ブレーキング）。その後、ＵＶを照射してＵＶテープを剥離する。これにより、ウエハ体６０を複数の圧電振動子１に分離することができる。この際、切断線Ｍを中心に形成された貫通孔４３は、４分割されて各ベース基板２の角部に扇状の切欠き部２６が形成されることになる。同様に、非形成領域５０ｂも４分割されてリッド基板３の角部に扇状の非形成領域３ｂが形成されることになる。なお、これ以外のダイシング等の方法によりウエハ体６０を切断してもよい。

電気特性検査工程（Ｓ１００）では、圧電振動子１の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等も併せてチェックする。最後に、圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。
以上により、圧電振動子１が完成する。

このように、本実施形態では、ベース基板用ウエハ４０にリッド基板用ウエハ５０の接合面に重なり合わない貫通孔４３（切欠き部２６）を形成する構成とした。
この構成によれば、ベース基板用ウエハ４０に貫通孔４３を形成することで、ウエハ４０，５０の接合時に接合材３５から発生するアウトガスが貫通孔４３を通って排出されることになる。すなわち、貫通孔４３がウエハ４０，５０の接合領域からのアウトガスの排出口として機能するため、キャビティＣ毎に排出口が形成されることになる。そのため、従来のようにアウトガスがウエハ２２０，２３０（図２０参照）の外周端部のみからしか排出されない場合に比べて、アウトガスを効果的に排出することができる。その結果、キャビティＣ内にアウトガスの残存が少ない状態で各ウエハ２２０，２３０を接合できるので、気密性に優れたパッケージ９を提供することができる。そのため、圧電振動子１の真空封止の信頼性を向上させることができる。したがって、圧電振動子１の直列共振抵抗値（Ｒ１）が低い状態に維持されるので、低電力で圧電振動片４を振動させることが可能になり、エネルギー効率に優れた圧電振動子１を製造することができる。

さらに、上述したように圧電振動子１をシリコンデバイス７０上に実装する場合には、ハンダ７３が金属膜２５を伝って切欠き部２６内に濡れ上がり、切欠き部２６周辺に裾野状に広がったフィレット７５が形成される。そのため、圧電振動子１とシリコンデバイス７０との接合面積を向上させ、圧電振動子１の実装強度を向上できる。
また、貫通電極形成工程において、貫通孔３０，３１と同時に貫通孔４３を形成することで、製造工程を増加させることなく、貫通孔４３を形成できる。そのため、製造効率を維持した上で、気密性に優れた圧電振動子１を提供することができる。

（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１５を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図１５に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上記集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。

このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、該圧電振動子１内の圧電振動片４が振動する。この振動は、圧電振動片４が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。

上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、ベース基板２とリッド基板３とが確実に陽極接合され、キャビティＣ内の気密が確実に確保され、エネルギー効率に優れた高品質な圧電振動子１を備えているため、発振器１００自体も同様にエネルギー効率を高めて高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。

（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１６を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。

次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図１６に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。

制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、該ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、該ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。

計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片４が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。

通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。

また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。

電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。

即ち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしてもよい。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。

上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、キャビティＣ内の気密が確実に確保され、エネルギー効率に優れた高品質な圧電振動子１を備えているため、携帯情報機器自体も同様に、エネルギー効率を高めて高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。

（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１７を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図１７に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。

以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。 本実施形態における圧電振動子１は、上記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。

更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。 続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。

なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。

上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、ベース基板２とリッド基板３とが確実に陽極接合され、キャビティＣ内の気密が確実に確保され、エネルギー効率に優れた高品質な圧電振動子１を備えているため、電波時計自体も同様にエネルギー効率を高めて高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。

なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成等はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。

例えば、上述した実施形態では、リッド基板用ウエハ５０の内面５０ａに接合材３５を形成したが、これとは逆に、ベース基板用ウエハ４０の内面４０ａに接合材３５を形成してもよい。但し、金属膜２５と接合材３５が接触しないように接合材３５をパターニングする必要がある。
また、上述した実施形態では、各角部に切欠き部２６を形成する場合について説明したが、切欠き部２６の形状や大きさ、個数等は、適宜設計変更が可能である。例えば、上述した実施形態ではベース基板２の角部に扇状の切欠き部２６を形成する場合について説明したが、リッド基板３の額縁領域３ｃに到達するような貫通孔（切欠き部）を形成することも可能である。
さらに、上述した実施形態では、非形成領域３ｂ上に直接金属膜２５を形成する場合について説明したが、絶縁膜を介して金属膜２５を形成しても構わない。

また上述した実施形態では、本発明に係るパッケージの製造方法を使用しつつ、パッケージの内部に圧電振動片を封入して圧電振動子を製造したが、パッケージの内部に圧電振動片以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することも可能である。
さらに、上述した実施形態ではベース基板２とリッド基板３との間にキャビティＣを形成した２層構造タイプの圧電振動子１に本発明を適用した場合について説明したが、これに限らず、圧電基板をベース基板とリッド基板とで上下から挟み込むように接合した３層構造タイプの圧電振動子に適用しても構わない。

１…圧電振動子 ２…ベース基板（第１基板） ３…リッド基板（第２基板） ４…圧電振動片 ９…パッケージ ２５…金属膜 ２６…切欠き部 ３２，３３…貫通電極 ３８，３９…外部電極 １００…発振器 １０１…発振器の集積回路 １１０…携帯情報機器（電子機器） １１３…電子機器の計時部 １３０…電波時計 １３１…電波時計のフィルタ部 Ｃ…キャビティ

Claims (9)

1. 互いに接合された第１基板及び第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に形成された電子部品を封入可能なキャビティと、
   前記複数の基板のうち、前記第１基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内部と外部とを導通させる貫通電極とを備えた真空パッケージであって、
   前記第１基板及び前記第２基板における前記キャビティの周囲は、前記基板同士が接合される接合領域を構成し、
   前記第１基板における前記接合領域の外周側には、前記第１基板の厚さ方向から見て前記第２基板の前記接合領域を露出させる切欠き部が形成されていることを特徴とする真空パッケージ。
2. 前記切欠き部の内面には導電性を有する金属膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の真空パッケージ。
3. 前記第１基板は厚さ方向から見て矩形状に形成され、前記切欠き部が、前記第１基板の角部に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の真空パッケージ。
4. 請求項１ないし請求項３の何れか１項に記載の真空パッケージの製造方法であって、
   前記第１基板の前記接合領域の外周側に、前記第１基板の厚さ方向から見て前記第２基板の接合領域を露出させる切欠き部を形成する切欠き部形成工程と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に形成された導電性を有する接合膜により、前記基板同士を陽極接合する接合工程とを有していることを特徴とする真空パッケージの製造方法。
5. 前記切欠き部形成工程の後段に、前記第１基板の外面に前記貫通電極を覆う外部電極を形成する外部電極形成工程を有し、
   前記外部電極形成工程と同時に、前記切欠き部の内面に前記外部電極と同材料の前記金属膜を形成することを特徴とする請求項４記載の真空パッケージの製造方法。
6. 請求項１ないし請求項３の何れか１項に記載の真空パッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴とする圧電振動子。
7. 請求項６記載の前記圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
8. 請求項６記載の前記圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
9. 請求項６記載の前記圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。

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