JP2011030095A - 圧電振動子、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計 - Google Patents

Abstract

【課題】効率良く製造することができる圧電振動子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】一対の振動腕部１０と、振動腕部１０の基端部に形成された励振電極１５と、振動腕部１０の先端部に形成された重り金属膜２１と、を有する音叉型の圧電振動片４と、圧電振動片４を内部に収容するパッケージと、を備え、振動腕部１０の基端部と先端部との間の中間部には、レーザ照射疵が形成されたゲッタリング膜７４が形成され、励振電極１５に含まれる第１金属膜７１と、重り金属膜２１に含まれる第２金属膜７３ａと、ゲッタリング膜７４とは、同一材料で形成されている圧電振動子を提供する。
【選択図】図１０

Description

本発明は、圧電振動子、圧電振動子の製造方法、発振器、電子機器および電波時計に関する。

近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として、水晶等の圧電材料からなる圧電振動片を利用した圧電振動子が用いられている。圧電振動片として、一対の振動腕部を備えた音叉型の圧電振動片が採用されている。

この種の圧電振動子として、表面実装型（ＳＭＤ、Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔ Ｄｅｖｉｃｅ）の圧電振動子が知られている。
図２１および図２２に示すように、表面実装型の圧電振動子２００として、ベース基板２０１とリッド基板２０２とでパッケージ２０９を形成し、パッケージ２０９の内部に形成されたキャビティＣに、一対の振動腕部２０４を有する圧電振動片２０３を収納したものが提案されている。この圧電振動片２０３において、振動腕部２０４の先端部には、圧電振動子２００の周波数を調整するための重り金属膜２１１が形成され、振動腕部２０４の基端部には、一対の振動腕部２０４を互いに接近または離間する方向に振動させる励振電極２１２が、重り金属膜２１１と異なる材料で形成されている。

ところで、一般に圧電振動子は、等価抵抗値（実効抵抗値、Ｒｅ）を低く抑えることが望まれている。等価抵抗値が低い圧電振動子は、低電力で圧電振動片を振動させることが可能であるため、エネルギー効率のよい圧電振動子になる。
等価抵抗値を抑えるための一般的な方法の一つとして、図２１および図２２に示すように圧電振動片２０３の封止されているキャビティＣ内を真空に近づけて、等価抵抗値と比例関係にある直列共振抵抗値（Ｒ１）を低下させる方法が知られている。そして、キャビティＣ内を真空に近づける方法として、振動腕部２０４上に形成されたゲッタリング膜２２０を外部よりレーザを照射して活性化させる方法（ゲッタリング）が知られている（下記特許文献１参照）。ゲッタリング膜２２０は、励振電極２１２と同一材料（例えば、アルミニウム）で、励振電極２１２から重り金属膜２１１側に向けて連続して形成されている。

特許第３９９８９４８号

しかしながら、前記従来の圧電振動子では、重り金属膜とゲッタリング膜（励振電極）とが互いに異なる材料で形成されているため、圧電振動子を製造する過程において両者を各別に形成しなくてはならず、効率が悪いという問題があった。

本発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、効率良く製造することができる圧電振動子、およびその製造方法を提供することである。

前記課題を解決するために、本発明は以下の手段を提案している。
本発明に係る圧電振動子は、一対の振動腕部と、前記振動腕部の基端部に形成された励振電極と、前記振動腕部の先端部に形成された重り金属膜と、を有する音叉型の圧電振動片と、前記圧電振動片を内部に収容するパッケージと、を備え、前記振動腕部の基端部と先端部との間の中間部には、レーザ照射疵が形成されたゲッタリング膜が形成され、前記励振電極に含まれる第１金属膜と、前記重り金属膜に含まれる第２金属膜と、前記ゲッタリング膜とは、同一材料で形成されていることを特徴とする。

この発明によれば、励振電極に含まれる第１金属膜と、重り金属膜に含まれる第２金属膜と、ゲッタリング膜とが、同一材料で形成されているので、当該圧電振動子を製造する過程において、第１金属膜と第２金属膜とゲッタリング膜とを振動腕部に同時に形成することが可能になり、効率良く製造することができる。これにより、当該圧電振動子の低コスト化を図ることができる。

また、前記ゲッタリング膜は、前記中間部の全域にわたって形成されていても良い。

この場合、ゲッタリング膜が、中間部の全域にわたって形成されているので、振動腕部上においてゲッタリング可能なゲッタリング領域を大きくすることができる。
しかも、第１金属膜と第２金属膜とゲッタリング膜とが、同一材料で形成されているので、ゲッタリング膜を中間部の全域にわたって形成しても、第１金属膜と第２金属膜とゲッタリング膜とが互いに拡散してしまうことがない。

また、前記励振電極は、絶縁膜によって覆われていても良い。

この場合、励振電極が、絶縁膜によって覆われているので、ゲッタリング膜をレーザ照射したときに、仮にレーザ照射された部分が励振電極側に向けて飛散したとしても絶縁膜に付着させることが可能になり、飛散したゲッタリング膜が励振電極に付着するのを抑制することができる。これにより、飛散したゲッタリング膜の付着を起因として励振電極が短絡してしまうおそれをなくすことができる。

また、前記第１金属膜と前記第２金属膜と前記ゲッタリング膜とは、クロム、チタン、バナジウムもしくはジルコニウムのうちの１つで形成されていても良い。

この場合、前述の作用効果を確実に奏功させることができる。

また、本発明に係る圧電振動子に製造方法は、一対の振動腕部と、前記振動腕部の基端部に形成された励振電極と、前記振動腕部の先端部に形成された重り金属膜と、を有する音叉型の圧電振動片と、前記圧電振動片を内部に収容するパッケージと、を備え、前記振動腕部の基端部と先端部との間の中間部には、レーザ照射疵が形成されたゲッタリング膜が形成された圧電振動子を製造する圧電振動子の製造方法であって、前記励振電極に含まれる第１金属膜と、前記重り金属膜に含まれる第２金属膜と、前記ゲッタリング膜とは、同一材料で形成され、前記第１金属膜と前記第２金属膜と前記ゲッタリング膜とを前記振動腕部に同時に形成する工程を備えていることを特徴とする。

この発明によれば、励振電極に含まれる第１金属膜と、重り金属膜に含まれる第２金属膜と、ゲッタリング膜とが、同一材料で形成されているので、第１金属膜と第２金属膜とゲッタリング膜とを振動腕部に同時に形成することが可能になり、圧電振動子を効率良く製造することができる。

また、本発明に係る発振器は、前記本発明に係る圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電子機器は、前記本発明に係る圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明に係る電波時計は、前記本発明に係る圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。

これらの発明によれば、効率良く製造され低コスト化された圧電振動子を備えているので、発振器、電子機器および電波時計のコストを低減することができる。

本発明に係る圧電振動子によれば、効率良く製造することが可能となり、低コスト化を図ることができる。
また、本発明に係る圧電振動子の製造方法によれば、圧電振動子を効率良く製造することができる。

本発明の圧電振動子の一実施形態を示す外観斜視図である。 図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。 図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図である。 図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。 図１に示す圧電振動子を構成する圧電振動片の上面図である。 図５に示す圧電振動片の下面図である。 図５に示す圧電振動片において、絶縁膜を取り除いた状態の上面図である。 図６に示す圧電振動片において、絶縁膜を取り除いた状態の下面図である。 図５に示す断面矢視Ｂ−Ｂ図である。 図５に示す断面矢視Ｃ−Ｃ図である。 図１に示す圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。 図１１に示すフローチャートの続きである。 図１１および図１２に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ウエハに圧電振動片の外形形状及び溝部を形成した状態を示す図である。 図１１および図１２に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ウエハに第１膜および第２膜を成膜した状態を示す図である。 図１１および図１２に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、第１除去工程後の状態を示す図である。 図１１および図１２に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、第２除去工程後の状態を示す図である。 図１１および図１２に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態でベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ体の分解斜視図である。 本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。 本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。 従来の圧電振動子のリッド基板を取り外した状態の平面図である。 図２１の断面矢視Ｄ−Ｄ図である。

以下、図面を参照し、本発明の一実施形態に係る圧電振動子を説明する。
図１〜図４に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、音叉型の圧電振動片４と、圧電振動片４を内部に収容するパッケージ９と、を備えた表面実装型のものである。
なお図３および図４においては、図面を見易くするために、圧電振動片４の励振電極１５、マウント電極１６，１７、絶縁膜２０、重り金属膜２１、およびゲッタリング膜７４の図示を省略している。

（圧電振動片）
図５〜図１０に示すように、圧電振動片４は、水晶やタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動する。この圧電振動片４は、平行に配置された一対の振動腕部１０、１１と、該一対の振動腕部１０、１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０、１１の基端部の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０、１１を振動させる第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５と、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４に電気的に接続されたマウント電極１６，１７とを有している。また圧電振動片４は、一対の振動腕部１０、１１の両主面上に、該振動腕部１０、１１の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部１８を備えている。この溝部１８は、振動腕部１０、１１の基端側から略中間付近まで形成されている。なお図７および図８は、圧電振動片４から絶縁膜２０を取り除いた状態を示している。

図７〜図９に示すように、第１の励振電極１３と第２の励振電極１４とからなる励振電極１５は、一対の振動腕部１０、１１を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部１０、１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされている。具体的には、第１の励振電極１３が、一方の振動腕部１０の溝部１８上と他方の振動腕部１１の両側面上とに主に形成され、第２の励振電極１４が、一方の振動腕部１０の両側面上と他方の振動腕部１１の溝部１８上とに主に形成されている。なお図示の例では、励振電極１５は、圧電振動片４の長手方向に沿って、一対の振動腕部１０，１１の基端部から基部１２の振動腕部１０，１１側部分までの電極領域の外表面に形成されている。
また、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４はそれぞれ、基部１２の両主面上においてマウント電極１６，１７に電気的に接続されており、圧電振動片４には、このマウント電極１６，１７を介して電圧が印加される。

また図５および図６に示すように、励振電極１５は、絶縁膜２０によって覆われている。絶縁膜２０は、前記電極領域、つまり振動腕部１０，１１および基部１２において、圧電振動片４の長手方向で励振電極１５が位置する領域の外表面に、励振電極１５の外側から成膜されている。図示の例では、絶縁膜２０は、前記電極領域の全域にわたって形成されている。

また、一対の振動腕部１０、１１の先端部には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように質量調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が形成されている。なお、この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａ及び微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部１０、１１の周波数をデバイスの公称（目標）周波数の範囲内に収めることができる。

また図１０に示すように、励振電極１５は、振動腕部１０，１１（前記電極領域）の外表面に形成された単層の金属層（第１金属膜）７１で構成されている。さらに、マウント電極１６，１７は、振動腕部１０，１１および基部１２の外表面に形成された下地層７２ａと、この下地層７２ａに積層された仕上層７２ｂとで構成されている。また本実施形態では、励振電極１５の金属層７１とマウント電極１６，１７の下地層７２ａとは、同一材料で連続して一体的に形成されている。

また、重り金属膜２１は、振動腕部１０，１１の先端部の外表面に全周にわたって形成された第１重り層（第２金属膜）７３ａと、この第１重り層７３ａに積層された第２重り層７３ｂと、この第２重り層７３ｂにおける振動腕部１０，１１の先端側に積層された第３重り層７３ｃと、を備えている。そして重り金属膜２１において、第１重り層７３ａ、第２重り層７３ｂおよび第３重り層７３ｃが３層に積層された部分が粗調膜２１ａを構成しており、第１重り層７３ａおよび第２重り層７３ｂが２層に積層された部分が微調膜２１ｂを構成している。
なお図示の例では、第３重り層７３ｃは、第２重り層７３ｂにおける振動腕部１０，１１の先端側かつ両主面側に積層されている。そして第２重り層７３ｂの一部は、キャビティＣ内に露出している。

また図５、図６および図１０に示すように、振動腕部１０，１１の基端部と先端部との間の中間部には、レーザ照射疵７５が形成されたゲッタリング膜７４が形成されている。
ゲッタリング膜７４は、振動腕部１０，１１の中間部の外表面に形成され、キャビティＣ内に露出した状態となっている。
また図５および図６に示すように、レーザ照射疵７５は、ゲッタリング膜７４における振動腕部１０，１１の両主面側に形成されている。レーザ照射疵７５は、ゲッタリング膜７４にレーザを照射して、ゲッタリング膜７４が蒸発して除去されることで形成される。例えば、ゲッタリング膜７４の一点にレーザを照射（点照射）すると、レーザ照射疵７５は椀状に形成される。またレーザを走査しながら点照射を短距離間隔で繰り返すと、レーザ照射疵７５は溝状に形成される。なお図１０では、図面の見易さのため、レーザ照射疵７５の図示を省略している。

そして本実施形態では、図１０に示すように、励振電極１５の金属層７１と重り金属膜２１の第１重り層７３ａとゲッタリング膜７４とは、同一材料で形成されている。これらの金属層７１、第１重り層７３ａおよびゲッタリング膜７４は、レーザ照射により活性化して周囲のガスを吸着しうる材料、例えば、クロム、チタン、バナジウムもしくはジルコニウムのうちの１つで形成されている。図示の例では、金属層７１、第１重り層７３ａおよびゲッタリング膜７４は、クロムで形成されるとともに、厚さが互いに等しく（例えば、５００〜１０００Å）なっている。
さらに本実施形態では、ゲッタリング膜７４は、前記中間部の全域にわたって形成されている。つまりゲッタリング膜７４は、励振電極１５と重り金属膜２１との間に連続して形成されるとともに、金属層７１および第１重り層７３ａと一体的に形成されている。

また本実施形態では、マウント電極１６，１７の仕上層７２ｂと重り金属膜２１の第２重り層７３ｂとは、同一材料で形成されている。これらの仕上層７２ｂおよび第２重り層７３ｂは、例えば金で形成されるとともに、厚さが互い等しくなっている。
また図示の例では、絶縁膜２０は、例えば二酸化珪素で形成され、重り金属膜２１の第３重り層７３ｃは、例えば金で形成されている。

このように構成された圧電振動片４は、図３、図４に示すように、金等のバンプＢを利用して、パッケージ９の後述するベース基板２側にバンプ接合されている。より具体的には、ベース基板２の上面（内面、リッド基板３が接合される接合面）にパターニングされた後述する引き回し電極３６，３７上に形成された２つのバンプＢ上に、一対のマウント電極１６，１７がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。これにより、圧電振動片４は、ベース基板２の上面から浮いた状態で支持されると共に、マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。

（圧電振動子）
図１〜図４に示すように、パッケージ９は、間にキャビティＣを形成するように重ね合わされたベース基板２およびリッド基板３を備えている。
リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、図１、図３及び図４に示すように、板状に形成されている。そして、リッド基板３の下面（内面、ベース基板２が接合される接合面）には、圧電振動片４が収まる矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、両基板２、３が重ね合わされたときに、圧電振動片４を収容するキャビティＣとなるキャビティ用の凹部である。そして、リッド基板３は、この凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に陽極接合されている。

ベース基板２は、リッド基板３と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、図１から図４に示すように、リッド基板３に対して重ね合わせ可能な大きさで板状に形成されている。
図２および図３に示すように、このベース基板２には、該ベース基板２を貫通する一対のスルーホール（貫通孔）３０，３１が形成されている。一対のスルーホール３０，３１は、キャビティＣの対角線の両端部に形成されている。そして、これら一対のスルーホール３０，３１には、該スルーホール３０，３１を埋めるように形成された一対の貫通電極３２，３３が形成されている。これら貫通電極３２，３３は、Ａｇペースト等の導電材料によって構成されている。ベース基板２の下面（外面）には、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続される一対の外部電極３８，３９が形成されている。

図２および図４に示すように、ベース基板２の上面には、陽極接合用の接合膜３５と、一対の引き回し電極３６、３７とがパターニングされている。このうち接合膜３５は、例えばアルミニウム等の導電性材料からなり、リッド基板３に形成された凹部３ａの周囲を囲むようにベース基板２の周縁に沿って形成されている。
一対の引き回し電極３６、３７は、例えばクロムを下層、金を上層とする二層構造の電極膜である。また、図２から図４に示すように、一対の引き回し電極３６、３７は、一方の引き回し電極３６が、一方の貫通電極３２と圧電振動片４の一方のマウント電極１６とを電気的に接続すると共に、他方の引き回し電極３７が、他方の貫通電極３３と圧電振動片４の他方のマウント電極１７とを電気的に接続するようにパターニングされている。

また、ベース基板２の下面には、図１、図３及び図４に示すように、一対の貫通電極３２、３３に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極３８、３９が形成されている。つまり、一方の外部電極３８は、一方の貫通電極３２及び一方の引き回し電極３６を介して圧電振動片４の第１の励振電極１３に電気的に接続されている。また、他方の外部電極３９は、他方の貫通電極３３及び他方の引き回し電極３７を介して、圧電振動片４の第２の励振電極１４に電気的に接続されている。この結果、一対の励振電極１５が、それぞれキャビティＣの外部と電気的に接続可能な状態となっている。

このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極３８、３９に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる一対の励振電極１５に電流を流すことができ、一対の振動腕部１０、１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０、１１の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。

（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子１を、図１１及び図１２に示すフローチャートを参照しながら、ベース基板用ウエハ（ベース基板）４０とリッド基板用ウエハ（リッド基板）５０とを利用して一度に複数製造する製造方法について以下に説明する。なお、本実施形態では、ウエハ状の基板を利用して圧電振動子１を一度に複数製造するが、これに限られたものではなく、例えば予めベース基板２及びリッド基板３の外形に寸法を合わせたものを加工して、一度に一つのみ製造する等しても構わない。

始めに、圧電振動片作製工程として、図５から図１０に示す圧電振動片４を作製する。
具体的には、図１３に示すように、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。次に、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハＳとする（Ｓ１０）。

次に、外形形成工程として、研磨後のウエハＳをフォトリソ技術等によりエッチングして、複数の圧電振動片４の外形形状をパターニングする（Ｓ２０）。これにより、一対の振動腕部１０、１１及び基部１２の外形形状がウエハＳに複数形成される。次に、本実施形態では、溝部形成工程として、各一対の振動腕部１０、１１に、フォトリソ技術等によりエッチングして溝部１８を形成する（Ｓ３０）。

次いで、図１４に示すように、第１成膜工程として、励振電極１５の金属層７１と、マウント電極１６，１７の下地層７２ａと、重り金属膜２１の第１重り層７３ａと、ゲッタリング膜７４となる第１膜８１を振動腕部１０，１１の外表面に成膜する（Ｓ３２）。本実施形態では、振動腕部１０，１１および基部１２の外表面において、長手方向の端面を除いた全域にわたって、クロムを例えばスパッタリングすることで第１膜８１を成膜する。
次いで、第２成膜工程として、マウント電極１６，１７の仕上層７２ｂと、重り金属膜２１の第２重り層７３ｂとなる第２膜８２を第１膜８１に積層するように成膜する（Ｓ３４）。本実施形態では、金を例えばスパッタリングすることで第２膜８２を成膜する。

次いで、図１５に示すように、第１除去工程として、第１膜８１および第２膜８２において、励振電極１５、マウント電極１６，１７、重り金属膜２１およびゲッタリング膜７４の形成領域とは異なる領域に位置する部分を除去する（Ｓ３６）。
この工程では、まず、エッチング加工の際のマスクとなるフォトレジスト膜（図示せず）を、スプレーコート等により第２膜８２の外側から成膜した後、フォトリソ技術でパターニングする。この際、励振電極１５、マウント電極１６，１７、重り金属膜２１およびゲッタリング膜７４の形成領域にフォトレジスト膜が残るようにパターニングする。次いで、フォトレジスト膜をマスクとして、第１膜８１および第２膜８２をエッチング加工して、励振電極１５、マウント電極１６，１７、重り金属膜２１およびゲッタリング膜７４の形成領域とは異なる領域に位置する部分を除去する。

次いで、図１６に示すように、第２除去工程として、第２膜８２において、マウント電極１６，１７および重り金属膜２１の形成領域とは異なる領域に位置する部分を除去する（Ｓ３８）。
この工程では、まず、エッチング加工の際のマスクとなるフォトレジスト膜（図示せず）を、スプレーコート等により第２膜８２の外側から成膜した後、フォトリソ技術でパターニングする。この際、マウント電極１６，１７および重り金属膜２１の形成領域にフォトレジスト膜が残るようにパターニングする。次いで、フォトレジスト膜をマスクとして、第２膜８２をエッチング加工して、マウント電極１６，１７および重り金属膜２１の形成領域とは異なる領域に位置する部分を除去する。

以上に説明した第１成膜工程、第２成膜工程、第１除去工程および第２除去工程を行うことで、励振電極１５の金属層７１と重り金属膜２１の第１重り層７３ａとゲッタリング膜７４とを振動腕部１０，１１に同時に形成することができる。さらに本実施形態では、第１成膜工程、第２成膜工程、第１除去工程および第２除去工程を行うことで、マウント電極１６，１７の仕上層７２ｂと重り金属膜２１の第２重り層７３ｂとを同時に形成することができる。

次に、絶縁膜形成工程として、一対の励振電極１５を覆うように振動腕部１０，１１および基部１２に絶縁膜２０を形成する（Ｓ５０）。この際、前記電極領域の外表面に励振電極１５の外側から、二酸化珪素を例えば熱ＣＶＤ法によって成膜することで絶縁膜２０を形成する。
また、第２重り層７３ｂに金を例えば蒸着させることによって第３重り層７３ｃを形成して重り金属膜２１を形成する（Ｓ６０）。

絶縁膜２０および重り金属膜２１を形成した後、粗調工程として、各圧電振動片４に対して、共振周波数を粗く調整する（Ｓ７０）。この際、重り金属膜２１の粗調膜にレーザ光を照射して、一対の振動腕部１０、１１の先端にかかる重量を軽減させることで、周波数を粗く調整する。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。これについては、後に説明する。

次いで、切断工程として、ウエハＳと圧電振動片４とを連結していた連結部を切断して、圧電振動片４をウエハＳから切り離して小片化する（Ｓ８０）。これにより、１枚のウエハＳから圧電振動片４を一度に複数製造することができる。
以上で、圧電振動片作製工程が終了する。

次に、図１７に示すように、圧電振動片作製工程と同時或いは前後のタイミングで、第１のウエハ作製工程として、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する（Ｓ９０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ９１）。次いで、凹部形成工程として、リッド基板用ウエハ５０の下面に、エッチング等により行列方向にキャビティ用の凹部３ａを複数形成する（Ｓ９２）。この時点で、第１のウエハ作製工程が終了する。

次に、図１７に示すように、第１のウエハ作製工程と同時或いは前後のタイミングで、第２のウエハ作製工程として、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する（Ｓ１００）。まず、リッド基板用ウエハ５０と同様に、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ１０１）。

次に、貫通電極形成工程として、ベース基板用ウエハ４０に一対の貫通電極３２、３３を複数形成する（Ｓ１０２）。この際、例えば、ベース基板用ウエハ４０を貫通する一対のスルーホール３０，３１をサンドブラスト法やプレス加工等の方法で複数形成した後、これら複数のスルーホール３０，３１内に一対の貫通電極３２、３３を形成する。この一対の貫通電極３２、３３により、ベース基板用ウエハ４０の上面側と下面側との導電性が確保される。

次に、接合膜形成工程として、ベース基板用ウエハ４０の上面に導電性材料をパターニングして、接合膜３５を形成する（Ｓ１０３）と共に、引き回し電極形成工程として、各一対の貫通電極３２、３３にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極３６、３７を複数形成する（Ｓ１０４）。なお図１７では、図面の見易さのため接合膜３５の図示を省略している。
この時点で第２のウエハ作製工程が終了する。

なお図１２では、接合膜形成工程（Ｓ１０３）および引き回し電極形成工程（Ｓ１０４）をこの順に行う工程順序としているが、工程順序はこれらに限らず適宜変更しても構わないし、これら工程の一部或いは全部を同時に行っても構わない。

次に、接合工程として、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とを接合する（Ｓ１１０）。この接合工程について詳しく説明すると、始めにマウント工程として、作製した複数の圧電振動片４を、それぞれ引き回し電極３６、３７を介してベース基板用ウエハ４０の上面側に接合する（Ｓ１１１）。この際、まず一対の引き回し電極３６、３７上にそれぞれ金等のバンプＢを形成する。そして、圧電振動片４の基部１２をバンプＢ上に載置した後、バンプＢを所定温度に加熱しながら圧電振動片４をバンプＢに押し付ける。これにより、圧電振動片４は、バンプＢに機械的に支持されると共に、マウント電極１６、１７と引き回し電極３６、３７とが電気的に接続された状態となる。よって、この時点で圧電振動片４の一対の励振電極１５は、一対の貫通電極３２、３３に対してそれぞれ導通した状態となる。

圧電振動片４のマウントが終了した後、重ね合わせ工程として、ベース基板用ウエハ４０に対してリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる（Ｓ１１２）。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ４０、５０を正しい位置にアライメントする。これにより、圧電振動片４および引き回し電極３６、３７が、ベース基板用ウエハ４０に形成された凹部３ａと両ウエハ４０、５０とで囲まれるキャビティＣ内に収容された状態となる。

重ね合わせ工程後、重ね合わせた２枚のウエハ４０、５０を図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する（Ｓ１１３）。具体的には、接合膜３５とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。すると、接合膜３５とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合した図１７に示すウエハ体６０を得ることができる。
なお図１７においては、図面を見易くするために、ウエハ体６０を分解した状態を図示しており、点線Ｍは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。
以上で接合工程が終了する。

次に、外部電極形成工程として、ベース基板用ウエハ４０の下面に導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極３２、３３にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極３８、３９を複数形成する（Ｓ１２０）。この工程により、外部電極３８、３９を利用してキャビティＣ内に収容された圧電振動片４を作動させることができる。

次に、ゲッタリング工程として、ウエハ体６０の各キャビティＣ内に収容された圧電振動片４のゲッタリング膜７４をレーザ照射してキャビティＣ内の真空度を調整する（Ｓ１３０）。具体的には、ウエハ体６０を、図示しないゲッタリング調整機にセットして、ゲッタリング調整機内で外部電極３８、３９に所定の電圧を印加して圧電振動片４を振動させ、等価抵抗値と比例関係にある直列振動抵抗値を測定する。この直列振動抵抗値に基づいて、例えばベース基板用ウエハ４０側からレーザを照射することでゲッタリング膜７４を活性化して、ゲッタリングを適正回数行う。なお、ゲッタリング膜７４をレーザ照射することで、ゲッタリング膜７４にレーザ照射疵７５が形成される。

なお、ゲッタリングの適正回数の判断方法としては、例えば、圧電振動子１の種類ごとに直列振動抵抗値の閾値を予め設定しておき、この閾値を下回った際に適正と判断する方法としてもよい。また、ゲッタリング直前の直列振動抵抗値を記憶してからゲッタリングを行い、ゲッタリング直後の直列振動抵抗値との変化の割合を算出し、この変化の割合を予め設定した値と比較することで判断してもよい。

ゲッタリング工程に続けて、ウエハ体６０の状態で、微調工程として、キャビティＣ内に収容された個々の圧電振動片４の周波数を微調整して所定の範囲内に収める（Ｓ１４０）。具体的に説明すると、ベース基板用ウエハ４０の下面に形成された一対の外部電極３８、３９に電圧を印加して圧電振動片４を振動させる。そして、周波数を計測しながらベース基板用ウエハ４０を通して外部からレーザ光を照射し、重り金属膜２１の微調膜２１ｂを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部１０、１１の先端側の重量が変化するので、圧電振動片４の周波数を、公称周波数の所定範囲内に収まるように微調整することができる。

周波数の微調が終了した後、切断工程として、接合されたウエハ体６０を図１７に示す切断線Ｍに沿って切断して小片化する（Ｓ１５０）。その結果、パッケージ９内に圧電振動片４が収容された図１に示す２層構造式表面実装型の圧電振動子１を一度に複数製造することができる。
なお、切断工程（Ｓ１５０）を行って個々の圧電振動子１に小片化した後に、微調工程（Ｓ１４０）を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、微調工程（Ｓ１４０）を先に行うことで、ウエハ体６０の状態で微調を行うことができるので、複数の圧電振動子１をより効率良く微調することができる。よって、スループットの向上化を図ることができるので好ましい。

その後、内部の電気特性検査を行う（Ｓ１６０）。即ち、圧電振動片４の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子１の製造が終了する。

以上説明したように、本実施形態に係る圧電振動子１によれば、励振電極１５に含まれる金属層７１と、重り金属膜２１に含まれる第１重り層７３ａと、ゲッタリング膜７４とが、同一材料で形成されているので、当該圧電振動子１を製造する過程において、金属層７１と第１重り層７３ａとゲッタリング膜７４とを振動腕部１０，１１に同時に形成することが可能になり、効率良く製造することができる。これにより、当該圧電振動子１の低コスト化を図ることができる。

また、マウント電極１６，１７の仕上層７２ｂと重り金属膜２１の第２重り層７３ｂとが、同一材料で形成されているので、当該圧電振動子１を製造する過程において、仕上層７２ｂと第２重り層７３ｂとを同時に形成することが可能になり、より効率良く製造することができる。
しかも、本実施形態では、仕上層７２ｂおよび第２重り層７３ｂが金で形成されているので、耐食性を具備させて長期間にわたって安定した性能を発揮させることが可能になり、当該圧電振動子１の高品質化を図ることができる。特に、本実施形態のように仕上層７２ｂおよび第２重り層７３ｂがキャビティＣ内に露出している場合には、耐食性を具備させることによる高品質化の効果が顕著なものとなる。

また、ゲッタリング膜７４が、振動腕部１０，１１の中間部の全域にわたって形成されているので、振動腕部１０，１１上においてゲッタリング可能なゲッタリング領域を大きくすることができる。
しかも、金属層７１と第１重り層７３ａとゲッタリング膜７４とが、同一材料で形成されているので、ゲッタリング膜７４を中間部の全域にわたって形成しても、金属層７１と第１重り層７３ａとゲッタリング膜７４とが互いに拡散してしまうことがない。

また、励振電極１５が、絶縁膜２０によって覆われているので、ゲッタリング膜７４をレーザ照射したときに、仮にレーザ照射された部分が励振電極１５側に向けて飛散したとしても絶縁膜２０に付着させることが可能になり、飛散したゲッタリング膜７４が励振電極１５に付着するのを抑制することができる。これにより、飛散したゲッタリング膜７４の付着を起因として励振電極１５が短絡してしまうおそれをなくすことができる。
しかも、励振電極１５を絶縁膜２０によって保護することができ、励振電極１５への外部からの直接的な接触を抑えることができる。
さらに本実施形態では、励振電極１５における金属層７１がクロムで形成されているので、クロムの金属層７１上に、クロムと密着性が高い二酸化珪素で絶縁膜２０が成膜されることとなり、励振電極１５と絶縁膜２０とを強固に密着させて絶縁膜２０の剥離を抑制することができる。

また、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法によれば、ゲッタリング膜７４が振動腕部１０，１１の中間部に形成され、かつゲッタリング工程後に続けて微調工程を行うので、微調工程の開始時に、レーザの照射位置を、振動腕部１０，１１の中間部から先端部に変更するだけで良い。したがって、例えばゲッタリング膜７４が基部１２に形成されている場合に比べて、微調工程の開始時に、レーザの照射位置の変更に要する距離および時間を短縮することが可能になり、圧電振動子１をより一層効率良く製造することができる。

なお、本願発明者は鋭意検討した結果、振動腕部１０，１１を形成する材料（例えば水晶など）と密着性が高く、重り金属膜２１の第１重り層７３ａとして好適に採用されるクロムをレーザ照射することで、周囲のガス（例えば酸素）を吸着するゲッタリング効果が得られるという知見を得るに至った。さらに、本願発明者は、クロムのゲッタリング効果が、例えば従来のゲッタリング膜として用いられていたアルミニウムのゲッタリング効果に比べて同等あるいは同等以上であるという知見も見出した。
そのため、本実施形態のように、クロムからなる金属層７１、第１重り層７３ａおよびゲッタリング膜７４を振動腕部１０，１１の外表面に形成することで、励振電極１５、重り金属膜２１およびゲッタリング膜７４をそれぞれ振動腕部１０，１１に強固に密着させるとともに、ゲッタリングによるキャビティＣ内の真空度の向上を効率良くかつ確実なものとした上で、前述の作用効果を奏功させることができる。

（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１８を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図１８に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上記集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。

このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、該圧電振動子１内の圧電振動片４が振動する。この振動は、圧電振動片４が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。

そして本実施形態では、低コスト化された圧電振動子１を備えているので、発振器１００のコストを低減することができる。

（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１９を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。

次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図１９に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。

制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、該ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、該ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。

計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片４が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。

通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。

また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。

電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。

即ち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。

そして本実施形態では、低コスト化された圧電振動子１を備えているので、携帯情報機器１１０のコストを低減することができる。

（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図２０を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図２０に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。

以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。本実施形態における圧電振動子１は、上記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部（圧電振動片）１３８、１３９をそれぞれ備えている。

更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。

なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。

そして本実施形態では、低コスト化された圧電振動子１を備えているので、電波時計１３０のコストを低減することができる。

なお、本発明の技術的範囲は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

例えば、上記実施形態では、圧電振動片４の一例として振動腕部１０、１１の両面に溝部１８が形成された溝付きの圧電振動片４を例に挙げて説明したが、溝部１８がないタイプの圧電振動片でも構わない。但し、溝部１８を形成することで、一対の励振電極１５に所定の電圧を印加させたときに、一対の励振電極１５間における電界効率を上げることができるため、振動損失をより抑えて振動特性をさらに向上することができる。つまり、ＣＩ値（Crystal Impedance）をさらに低くすることができ、圧電振動片４のさらなる高性能化を図ることができる。この点において、溝部１８を形成する方が好ましい。

また、上記実施形態では、ベース基板２とリッド基板３とを接合膜３５を介して陽極接合したが、陽極接合に限定されるものではない。但し、陽極接合することで、両基板２、３を強固に接合できるため好ましい。
また、上記実施形態では、圧電振動片４をバンプ接合したが、バンプ接合に限定されるものではない。例えば、導電性接着剤により圧電振動片４を接合しても構わない。但し、バンプ接合することで、圧電振動片４をベース基板２の上面から浮かすことができ、振動に必要な最低限の振動ギャップを自然と確保することができる。よって、バンプ接合することが好ましい。

また、圧電振動片４は、絶縁膜２０を備えていなくても良い。
また、上記実施形態では、ゲッタリング膜７４が、振動腕部１０，１１の中間部の全域にわたって形成されているものとしたが、これに代えて、振動腕部１０，１１の中間部の一部に形成されていても良い。なお、ゲッタリング工程において、ベース基板用ウエハ４０側やリッド基板用ウエハ５０側からレーザ照射する場合には、ゲッタリング膜７４は、振動腕部１０，１１の中間部における両主面に形成されていることが好ましく、振動腕部１０，１１の中間部における両主面の全域にわたって形成されていることがより好ましい。

また、上記実施形態では、マウント電極１６，１７の仕上層７２ｂと、重り金属膜２１の第２重り層７３ｂとは同一材料、例えば金で形成されているものとしたが、異なる材料で形成されていても良く、金とは異なる材料で形成されていても良い。
また、励振電極１５の金属層７１と、重り金属膜２１の第１重り層７３ａと、ゲッタリング膜７４とを形成する材料は、同一材料であれば上記実施形態に示したものでなくても良い。

また、励振電極１５、マウント電極１６，１７、重り金属膜２１は、上記実施形態に示したものに限られるものではない。例えば、励振電極１５は、金属層７１のみで構成されていなくても良く、複数の金属膜が積層されて構成されていても良い。また、マウント電極１６，１７は、単層であっても良く、また３層以上に積層されていても良い。さらに、重り金属膜２１は、２層以下であっても良く、また４層以上に積層されていても良い。
さらに、例えばマウント電極１６，１７が仕上層７２ｂを備えずに、第２重り層７３ｂおよび第３重り層７３ｃを局所的に形成することで重り金属膜２１を形成する場合などには、上記本実施形態に係る圧電振動子の製造方法において、第２成膜工程と第２除去工程とを行わなくても良い。この場合、第１成膜工程と第１除去工程とを行うことで、金属層７１と第１重り層７３ａとゲッタリング膜７４とを振動腕部１０，１１に同時に形成することができる。

さらにまた、上記実施形態では、励振電極１５の金属層７１と重り金属膜２１の第１重り層７３ａとが、ゲッタリング膜７４と同一材料で形成されているものとしたが、励振電極１５および重り金属膜２１のそれぞれが、ゲッタリング膜７４と同一材料で形成された金属膜（第１金属膜および第２金属膜）を含んでいれば、これに限られるものではない。例えば、励振電極１５の金属層７１と重り金属膜２１の第２重り層７３ｂとが、ゲッタリング膜７４と同一材料であっても良い。

その他、本発明の趣旨に逸脱しない範囲で、前記実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、前記した変形例を適宜組み合わせてもよい。

Ｃ…キャビティ
１…圧電振動子
４…圧電振動片
９…パッケージ
１５…励振電極
２１…重り金属膜
４０…ベース基板用ウエハ（ベース基板）
５０…リッド基板用ウエハ（リッド基板）
７１…金属層（第１金属膜）
７３ａ…第１重り層（第２金属膜）
７４…ゲッタリング膜
７５…レーザ照射疵
１００…発振器
１０１…発振器の集積回路
１１０…携帯情報機器（電子機器）
１１３…電子機器の計時部
１３０…電波時計
１３１…電波時計のフィルタ部

Claims (8)

1. 一対の振動腕部と、前記振動腕部の基端部に形成された励振電極と、前記振動腕部の先端部に形成された重り金属膜と、を有する音叉型の圧電振動片と、
   前記圧電振動片を内部に収容するパッケージと、を備え、
   前記振動腕部の基端部と先端部との間の中間部には、レーザ照射疵が形成されたゲッタリング膜が形成され、
   前記励振電極に含まれる第１金属膜と、前記重り金属膜に含まれる第２金属膜と、前記ゲッタリング膜とは、同一材料で形成されていることを特徴とする圧電振動子。
2. 請求項１記載の圧電振動子であって、
   前記ゲッタリング膜は、前記中間部の全域にわたって形成されていることを特徴とする圧電振動子。
3. 請求項１又は２記載の圧電振動子であって、
   前記励振電極は、絶縁膜によって覆われていることを特徴とする圧電振動子。
4. 請求項１から３いずれか１項に記載の圧電振動子であって、
   前記第１金属膜と前記第２金属膜と前記ゲッタリング膜とは、クロム、チタン、バナジウムもしくはジルコニウムのうちの１つで形成されていることを特徴とする圧電振動子。
5. 一対の振動腕部と、前記振動腕部の基端部に形成された励振電極と、前記振動腕部の先端部に形成された重り金属膜と、を有する音叉型の圧電振動片と、
   前記圧電振動片を内部に収容するパッケージと、を備え、
   前記振動腕部の基端部と先端部との間の中間部には、レーザ照射疵が形成されたゲッタリング膜が形成された圧電振動子を製造する圧電振動子の製造方法であって、
   前記励振電極に含まれる第１金属膜と、前記重り金属膜に含まれる第２金属膜と、前記ゲッタリング膜とは、同一材料で形成され、
   前記第１金属膜と前記第２金属膜と前記ゲッタリング膜とを前記振動腕部に同時に形成する工程を備えていることを特徴とする圧電振動子の製造方法。
6. 請求項１から４いずれか１項に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
7. 請求項１から４いずれか１項に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
8. 請求項１から４いずれか１項に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。

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