CN1255945C - 晶体振子组件、其制造方法及电子元件组件用的若干连体玻璃板的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供晶体振子组件，由基座、安装在该基座上的晶体振子和用于封闭该晶体振子在上述基座上的盖组成，其特征在于，基座和盖中至少一个是用玻璃制成的成型品；在上述基座的一个面上设置接通晶体用的电极、在上述基座的另一个面上设置接通外部用的电极，这些接通晶体用的电极和接通外部用的电极通过埋设在通孔中的导电零件电连接，并将上述晶体振子搭接在上述接通晶体用的电极上。本发明还提供晶体振子组件的制造方法，其特征在于：包括以下程序：成形工序；电极形成工序；晶体搭接工序；密封工序；切断工序。

Description

晶体振子组件、其制造方法及 电子元件组件用的若干连体玻璃板的制造方法

                             技术领域

本发明与晶体振子组件的结构、其制造技术的改进及用于制造电子部件外壳的若干连体玻璃板制造技术的改进有关。

                             背景技术

为了使晶体振子的频率特性优越，常常将其作为一个固体电路组合元件，具体地讲，作为印刷线路板安装零件使用。但是，为了使晶体振子的特性稳定、免受外界空气的影响，要求将其安装在密封容器中，象这样的容器结构的例子，已在特开平11-302034号公报，即「玻璃陶瓷复合体及用其制造的扁平管壳压电零件」等申请中公开。

具体的结构，见上述公报的图1，基座11(符号是公报中记载的，以下相同)中嵌插着晶体片12，再用盖13将晶体12盖上，这就表示了晶体振子组件15的结构。在该发明中，其特征是用几乎与晶体片12热膨胀率相同的材料制成晶体振子组件15，例如，用将玻璃粉末混合在陶瓷中的材料制成晶体振子外壳15。

发明解决的课题

如果是晶体振子组件15的热膨胀率与晶体片12的热膨胀存在显著差异，晶体振子组件15的热伸缩将影响晶体片12，进而造成晶体片12的频率特性恶化，这点是要充分考虑到的。由于在上述的公报中的发明，其两者的热膨胀率是近似相同的，所以上述的担心是不必要的。

但上述的发明存在以下的问题：

①由于盖上盖13后不能从外侧观察到晶体片12，所以想调整晶体片12的频率特性，也不能调整。即，在现有技术中，是单项控制晶体片12的频率特性的，在将其装在晶体振子组件15中的状态是不能调整的，只能承认误差。而且由于是用粘接剂将晶体片12粘接在基座11上的，所以粘接的状况(粘接剂的量及粘接面)会引起晶体片12的频率特性的微妙的变化。

近些年来，在对固体电路组合元件的严格误差控制中，需要实现对用外壳封装化的晶体片的频率特性进行严密的控制。

②由于现有技术的晶体振子组件15是单件生产的、即将晶体片12安装在一个基座11上，然后再用盖13将晶体片12盖上，所以其生产率很低。

③由于必须将晶体片12固定在基座11的适当位置上，所以为了保证正确地固定在确定的位置上，要求基座11有适当的尺寸，现有技术中采用的尺寸是2mm×4mm。超过上述的尺寸难于实现小型化。

本发明的目的在于提供能对在由外壳封装状态中的晶体片实现频率特性调整、提高生产量及容易实现使基座和外壳小型化的技术。

                             发明内容

为了实现上述的发明目的，本发明提供晶体振子组件，由基座、安装在该基座上的晶体振子和用于封闭该晶体掁在上述基座上的盖组成，其特征在于，基座和盖中至少一个是用玻璃制成的成型品；

在上述基座的一个面上设置接通晶体用的电极、在上述基座的另一个面上设置接通外部用的电极，这些接通晶体用的电极和接通外部用的电极通过埋设在通孔中的导电零件电连接，并将上述晶体振子搭接在上述接通晶体用的电极上。

在现有技术中，是用陶瓷制造基座和/或盖的，而本发明是用玻璃制成的成型品，与陶瓷比较，玻璃不但极容易成形而且制造成本也低，由于玻璃热传导率小、因此绝热性好，能对内部的晶体振子发挥良好的保护作用。另外、由于用透射系数高的玻璃板制成基座和/或盖，因此能用激光束容易地对内装的晶体振子实施其频率特性的调整。

上述基座和上述晶体振子之间至少设置50μm的间隙。

由于设置上述的间隙，能容易地用激光束只对晶体振子进行切断。间隙小于50μm，加给晶体振子的热就要向基座传递，这不仅使作业性下降，而且可能造成基座被熔化。因此，基座和晶体振子之间，必须设置至少50μm的间隙。

为了确保上述间隙，在基座上设置凹部。

为了确保间隙，虽然考虑了几种结构，但其中简单的结构是在基座上设置凹部，尤其是能在成形基座的同时成形凹部，从而能降低制造成本。

至少在上述盖的外侧表面上复盖电磁屏蔽膜。

这样能隔断来自外部的电磁干扰的射入或隔断来自晶体振子电磁故障的杂音的传出。

本发明还提供晶体振子组件，由基座、安装在该基座上的晶体振子和用于封闭该晶体振在上述基座上的盖组成，其特征在于，基座和盖中至少一个是用玻璃制成的成型品；

在上述基座的一个面上设置接通晶体用的电极、在上述基座的另一个面上设置接通外部用的电极，将这些接通晶体用的电极和接通外部用的电极经埋设在通孔中的导电零件电连接，并将晶体振子搭接在接通晶体用的电极上。

由于接通晶体用的电极和接通外部用的电极是通过通孔直接接通的，因此配线量少，所以晶体振子的电的特性稳定。

本发明还提供晶体振子组件，由基座、安装在该基座上的晶体振子和用于封闭该晶体振在上述基痤上的盖组成，其特征在于，基座和盖中至少一个是用玻璃制成的成型品；

在基座的一个面上设置接通外部用的电极，在基座的另一个面上设置接通晶体用的电极，在该接通晶体用的电极上搭接晶体振子，并用贯穿上述基座和金属零件将上述接通外部用的电极和接通晶体用的电极电连接。

由于金属零件导电性好，因此能使晶体振子的电的特性更稳定。

本发明还提供晶体振子组件，由基座、安装在该基座上的晶体振子和用于封闭该晶体振在上述基座上的盖组成，其特征在于，基座和盖中至少一个是用玻璃制成的成型品；

在基座的一个面上设置接通外部用的电极，使贯穿上述基座的金属零件接通上述接通外部用的电极，并从上述基座的另一个面上伸出上述金属零件、在该伸出部分的前端面上直接搭接上述晶体振子。

由于直接将晶体振子搭接在金属零件的伸出端的前端面上，所以能省掉接通晶体用的电极，这样不仅减少了工时，也能降低制造成本及降低成品的成本。

本发明提供的晶体振子组件的制造方法，其特征在于包括以下工序：

成形工序，即将材料玻璃放在成形模的上下模之间，使该材料玻璃加热到其软化点温度以上、并加压成形一块玻璃板，在上述一块玻璃板上成形纵m×横n个的晶体振子组件用的若干个连体基座；

电极形成工序，即在获得的各个基座上设置从一个面至另一个面的导电零件，在基座的一个面同另一个面上分别形成电连接在上述那些导电零件上的接通外部用的电极和接通晶体用的电极；

晶体搭接工序，即在形成的接通晶体用的电极上搭接晶体振子；

密封工序，即为封闭上述晶体振子，将盖盖在上述基座上；

切断工序，即将上述一块玻璃板，以上述基座为单位切断成m×n个的晶体振子组件。其中、m、n是1以上的正整数。

由于组件用的基座是用材料玻璃按若干连体式冲压法制成的。所以采用若干连体式，通过1次冲压工序就能获得(m×n)个的基座，因此能格外地提高生产率。

由于是在由若干连体基座形成的玻璃板上安装晶体振子，盖上盖后，再分割基座获得m×n个的晶体振子组件，所以能格外地提高晶体振子组件的生产量。

另外，由于是在所谓大块玻璃板状态下安装晶体振子和盖的，然后再进行分割，所以能容易地实现晶体振子组件的小型化。在上述切断工序之前或之后，从组件外部照射穿过基座且向晶体振子聚焦的激光束，使晶体振子的一部分汽化，或将覆盖在晶体振子上的金属膜去掉一部分，由此实现对晶体振子的频率调整。

由于在基座中采用了透射系数高的玻璃，因此用其构成外壳后，能对晶体振子的频率进行调整，因此，能对晶体振子组件的频率特性进行高精度的控制。

上述切断工序的切断可以用激光束熔断、或用金刚石砂轮磨断，也可以用机械的折弯切断。

用激光束进行切断能缩短切断需要的时间，用廉价的折弯机也能完成机械切断，但产量小，也可以用手工折断。因此，能降低生产成本。

在上述成形工序中，在成形的同时，用设置在成形模上的销子在基座上形成贯穿基座的一个面至另一个面的通孔。

在本发明中，通过设置在成形模上的销，能在成形工序内形成通孔，虽然在常规技术中是分别进行成形工序和加工通孔工序的，但本发明将上述的两道工序合拼在一道工序中是很经济的，减少了加工工序。

在电极形成工序中，将上述导电零件埋设在基座中贯通形成的通孔中，同时用印刷法在基座上形成接通外部用的电极和接通晶体用的电极。

采用印刷法，在短时间内能形成效率良好的电极。即、采用本发明，能缩短电极形成工序的电极形成时间、因此能缩短晶体振子组件的制造时间。

本发明还提供制造将纵m×横n的多个电子元件组件用的基座排列成巧克力状所构成的多个连体玻璃板的方法，其特征在于：在成形模的上下模之间放入材料玻璃，将该材料玻璃加热到其软化点温度以上，在加压成形的同时用设置在成形模上的销，在上述每个基座上加工出通孔。

由于电子元件组件用的基座是用若干个连体式冲压法用材料玻璃制成的。并在冲压同时加工出必要的通孔。

这样在一经连体冲压工序中能获(m×n)个基座，因此能格外地提高生产率。

在将材料玻璃加热到其软化点温度以上的同时，将相邻的基座的交接处加工成比其他部分薄。

由于将基座和基座交接处加工得比其他部分薄，所以容易实现后序的切断作业。

相邻的基座的交接处的厚度为0.1～0.3mm。

若将基座和基座交接处的厚度加工成0.3mm或比其更薄，则可用手工就能折断。但是，上述交接处的厚度小于0.1mm时，会给加工造成困难，加工费用增高，因此基座交接处的厚度定为0.1～0.3mm。

材料玻璃是含铁量不超过3000ppm的低铁分玻璃。

采用含铁量不超过3000ppm的低铁分玻璃，能使激光束充分通过。如果使用含铁量多的玻璃，激光会被这种玻璃吸收，因而可能造成基座被熔化，故不用这种玻璃为好。

                            附图说明

图1是本发明的晶体振子组件的剖面图；

图2是图1中2-2处的剖视图；

图3是本发明的制造基座的成形模的原理图；

图4是图3的作用图；

图5是本发明的制造若干个连体玻璃板基座的程序图；

图6是本发明的若干个连体玻璃板基座的平面图；

图7是本发明的晶体振子组件的制造说明图之1；

图8是本发明的晶体振子组件的制造说明图之2；

图9是本发明的晶体振子组件的制造程序图；

图10是图9的另一个实施例图；

图11是图1的另一个实施例图；

图12是图1的又一个实施例图；

图13是图12中13-13处的剖视图；

图14是图12中14-14处的剖视图；

图15是表示图12中金属零件安装要点图；

图16是图15的另一个实施例图；

图17是图1的又一个实施例图；

图18是图17中18-18处的剖视图；

图19是图1的变化实施例图；

图20是图1的变化实施例图。

                         具体实施方式

图1是本发明的晶体振子组件的剖面图，晶体振子组件10由用透射率较高的玻璃制造的基座20、粘接该基座20上用于接通晶体的电极13且以悬臂支承状态安装的晶体振子14和用于封闭该晶体振子14的盖在基座20上的盖16组成。其中，17是玻璃系粘接剂，为了提高粘接力，应将基座20的用于涂抹该玻璃系粘接剂17的边缘加工成表面粗糙度为3～4μm。用氧化铝磨料研磨能容易地形成上述粗糙面。

盖16可以用金属等不透明材料制成，但是为了用于调整内部晶体振子的频率，激光束要透射基座才能对晶体振子进行照射，因此，为了能使激光束充分地透射，就要求用于制造基座的玻璃板的含铁量在3000ppm以下。作为材料用玻璃板——用于建筑门窗的钠石灰硅酸盐玻璃、用于液晶显示的无碱玻璃和用于PDP显示玻璃的低碱玻璃等均可采用，只要能确保透射率，选用任意成分都可以。

至于盖16也可采用透明玻璃制成的成品或者用玻璃构成。这种场合，至少要在一个表面上覆盖上电磁密封用的金属膜。该金属膜与基座20的GND(接地)端子接连(图中未表示)，这样就能将来自外部的电磁干扰的入射隔断，而且，也能将从晶体振子放出的电磁障碍杂音(EMI杂音)隔断不向外部传递。

将基座和覆盖在其上的盖都用玻璃制成成型品，两者的线膨胀率是一样的，所以，在湿度变化时，外壳是不会变形的，因此，外壳能顺利地膨胀或收缩。

并且，在基座20的上面设有凹21，问其下面设有电极22、23，在基座20的上下面上设置通孔24，边缘25的厚度T在0.3mm以下。12是埋设在通孔24中的银胶等的导电零件。

在现有技术中，采用陶瓷材料制造基座，陶瓷的热传导率为24.3W/(m·k)，而玻璃的热传导率为1W/(m·K)。从手提式电话内装的晶体振子组件10为例，当受日照温度变化大时，用玻璃制造的基座20的绝热性能比用陶瓷制造的高20倍以上，因此，用玻璃制造的晶体振子组件经受温度变化时，装在其中的晶体振子14也能工作充分的时间。

因此，将基座的材质由陶瓷改为玻璃的本发明能实现晶体振子14的振动性能稳定。

图2是图1中2-2处的剖视图，当从上看晶体振子组件10时，U字形的晶体振子14是支撑在接通晶体用的电极13上的，而且是在凹部21上延长的悬臂梁。由于将这样的晶体振子14和凹部21用盖16包围，因此其表明了晶体振子与外面大气隔绝的结构。

下面按顺序说明用于具有以上结构的玻璃制成的基座20，适用于制造基座20的成形模和使用该成形模的制造方法。

图3是本发明的用于制造基座的成形模的原理图，成形模30由可动的上模31和固定型下模41构成。上模31也可以是固定型，而下模则可以是可动的。

在实例中，在上模31上设置用于形成通孔的销32…(…表示若干个，以下相同)及形成交接处用的凸部33…、还在下模41上设置配合销32的凹部42…、通气孔43…和形成凹部用的凸部44…。用点划线45表示材料玻璃。

即，该成形模30是在一道冲压工序就能制造出若干个基座20(见图1、2)的若干个连体模。

图4是图3的工作图，由冲压获得若干个连体玻璃板基座50。在上模31下降到下死点的过程中，用通孔形成用销32…在若干个连体玻璃板基座50上形成通孔24…、用形成交接处的凸部33…形成薄的交接处、用形成凹部的凸部44…形成凹部21…。

以下图归纳在图4说明的制造若干个连体玻璃板基座的制造方法。

图5是本发明的制造若干个连体玻璃板基座的程序图。ST××表示工序号(以下相同)。

ST01：首先、准备材料玻璃和成形模。

ST02：在上下模之间放入材料玻璃。

ST03：将材料玻璃加热到其软化点温度以上。

ST04：实施冲压成形。通过该冲压，同时加工出通孔和薄壁部。

ST05：送出成形的若干个连体玻璃板基座。

图6是本发明的若干个连体玻璃板基座的平面图，若干个连体玻璃板基座50上有凹部20…及通孔24…同时在交接处具有薄壁部51。由纵向薄壁部51和横向薄壁部51构成的棋盘状或巧克力状排列的纵m×横n个基座，从而构成了一块若干个连体玻璃板基座50。

以下，说明用这样的若干个连体玻璃板基座50，制造若干个晶体振子组件的技术。

图7中的(a)～(c)是本发明的晶体振子组件的制造说明图之1。

(a)表示了由前一工序(ST05)加工成形的，其上具有凹部21…、通孔24…同时在交换处具有槽状的薄壁部51…的若干个连体玻璃板基座50。

(b)表示的是这样的组装过程：向通孔24…中填充银胶等导电零件12…、在若于个连体玻璃板基座50的上下面上用印刷法设置接通晶体用的电极13…和接通外部用的电极22…、23…，将晶体振子14…粘接在接通晶体用的电极13…上。

(c)表示的是这样的组装过程：用玻璃系粘接剂17…将盖16…粘在薄壁部51…的上面。

图8中的(a)～(c)是本发明的晶体振子组件的制造说明图之2。

(a)用切断用的激光束52…切断构成交接处的薄壁部51…。也可以象分煎饼和巧克力那样，在薄壁部51…上施加机械折弯力，以机械方法切断。

作为切断的前提，就是要将薄的薄壁部51加工得比其他部分薄。具体地讲，薄的薄壁部51的厚度不能超过0.3mm。尤其是玻璃，当其厚度小于0.3mm时是非常容易切断的。即使是用激光束切断、也是越薄越好。

接着，(b)从基座20的外部用激光束53穿过基座20向晶体振子14的前端照射聚焦，使晶体振子14的前端汽化，其消减量为ΔL，由此实现对晶体振子14的频率的调整。因此，晶体振子14的预留长度应该是(L+ΔL)，即，使其长一点。

由于激光束53是YAG(钇铝石榴石)激光光线的一种，因此玻璃内的铁分对它有屏蔽作用，所以要使用含铁量在3000ppm以下的玻璃。

另外，当用激光向晶体振子14的前端照射聚焦，使晶体加热汽化时，该晶体振子14最好不要与基座20接触或接近。如果接触或接近，热量会从晶体振子14传递到基座20上，这会给要汽化处理的部位造成困难。另外，也不要从基座20的侧面瞄准晶体振子14的前端。

在那里，至少基座20和晶体振子14之间的间隙d为50μm。该间隙d由设定在基座20中具有适宜深度的凹部21的深度予以保证。

(c)是(b)的另一个实施例的视图，即，在晶体振子14上局部地预留金属膜54。该金属膜54的重量能起法码作用。由于盖16是用玻璃制成的，而光能通过，所以，从上边用激光束56照射金属膜54，用激光的热能将金属膜54的一部分汽化掉。结果，由于重量的变化引起晶体振子14的频率也发生变化。即，采用(c)方法，不用剪切晶体振子14就能调整频率。根据晶体振子的种类，由于金属膜54不在晶体振子的前部、而是设置在中央部，因此激光束54配合金属膜54的位置且适宜照射。

用图7、8说明的晶体振子组件的制造方法归纳在第9图中。

图9是本发明的晶体振子组件的制造程序图。

ST11：首先，准备若干个连体玻璃板基座(参见图7(a))。

ST12：在通孔中埋设作为导电材料的银胶(见图7(b))。

ST13：印刷电极。根据需要，进行镀金(见图7(b))。

ST14：安装晶体振子(见图7(b))。

ST15：安装盖(见图7(c))。

ST16：用激光束或者金刚石砂轮切断连体基座或用手或机械折断法切断连体基座。金刚石砂轮是用金刚石砂粒粘附在圆盘外周上形成的，所以在圆盘高速旋转时能切断玻璃。

ST17：用激光束调整晶体振子的频率(见图8(b)或(c))。

ST18：能够以此获得晶体振子组件(见图1、2)。

图10是图9的改进实施例图，不同之处是将图9中的ST18调到ST16(或ST17)的前面。以下，再进行说明。

ST21：首先，准备若干个连体玻璃板基座(见图7(a))。

ST22：在通孔中埋设作为导电材料的银胶(见图7(b))。

ST23：印刷电极，根据需要，进行镀金(见图7(b))。

ST24：安装晶体振子(见图7(b))。

ST25：安装盖(见图7(c))。

ST26：用激光束调整晶体振子频率(见图8(b)或(c))。

ST27：用激光束或者金刚石砂轮切断连体基座或手或机械折断法切断连体基座。

ST28：能够以此获得晶体振子组件(见图1、2)。

图11是图1的改进实施例图，该晶体振子组件10由透射率高的玻璃制造的基座20、接合该基座20上的用于接通晶体的电极13且以悬臂方式支承的晶体振子14、用于封闭该晶体振子14的盖在基座20上的盖16和粘附在基座20的底上的玻璃制成的基座保护板55组成。

基座保护板55能起密封作用，即，能切断通过通孔24的泄漏或有效地防止大气侵入。

图12是图1的另一个改进实施例图，该晶体振子组件10的特征是在基座20的一个面上设置接通外部用的电极22、23。在基座20的另一个面上设置接通晶体的电极13，将晶体振子14搭接在该接通晶体用的电极13上，同时用贯穿基座20的金属零件58将接通外部用的电极22和接通晶体用的电极14接通电流。

将晶体振子14的一端安装在接通晶体的电极13上后，不妨通过粘接剂59增加接合强度。而且，盖16是用玻璃制的成品、能用激光束56照射金属膜56、因此能容易地调整晶体振子14的频率。其他的构成的符号不变、故说明省略。

图13是图12的13-15处的剖视图，晶体振子14搭接在接通晶体用的电极13、13上，在这些接通晶体用电极13、13的下面连接着金属零件58、58。

图14是图12的14-14处视图，用印刷法在基座20的一个面上形成接通外部用的电极22、22、23、23，金属零件58、58从接通外部用的电极22、22向其内表面延伸。

图15(a)～(c)表示了图12中金属零件的安装要点图。

例如，在(a)中，在基座20上开设小孔径的通孔61，在基座20处于热软化状态中，将销状的金属零件58打入通孔61。

(b)表示了打入后的金属零件58和基座20。

在(c)中，在基座20的一个面上印刷接通外部用的电极22、23，在另一个面上印刷接通晶体用的电极13，可以将晶体振子14安装在该接通晶体用的电极13上。

图16(a)～(d)是图15的改进实施例图。

(a)中，将特殊形状的金属零件62压入基座20中。

(b)是特殊形状的金属零件62的斜视图、(c)是(a)的c-c处的剖面图，该金属零件62是由有很大的平头63和矩形断面的轴部64构成的平头销。

(d)中，在金属零件62的平头63上用粘接剂63直接粘上晶体振子14。这样就省掉了接通晶体用的电极13(见图15中的(c))。

图17是图1的另一个改进实施例图，该晶体振子组件10中，在基座20上压入粗销状金属零件66、67，在该金属零件66、67的一端(在图中的下端)与接通外部用的电极22、23连接，将晶体振子14挎接在金属件66、67上，在一个金属件66上用粘接剂59固定。

图18是图17中18-18处的剖面图，晶体振子14是搭载在金属件66、66、67上的。其他的构成的符号不变、故省略了说明。

图19是图1的改进实施例图，和图1相同的部分延用图1的符号，故说明省略。即、在该晶体振子组件10中，盖是由将四壁69用粘接剂17粘在平板68上一体构成的。这样，晶体振子组件10就由基座20、四壁69和平板68这三个要件叠置而成。平板68容易制造、价格便宜。四壁69也是同样。因此、能降低晶体振子组件10的成本。

图20是图1的另一个改进的实施例图，接通外部用的电极22、23延伸到基座20的侧面和上面。并且，将晶体振子14直接搭接在接通外部用的电极22上。这样就能省掉图1中的导电零件12和电极13。

本发明中方法制造的若干个连体玻璃板基座是非常适合在基座上安装晶体振子的，它也适合装载晶体管、二极管等其他固体电路组合元件。因此，用上述方法制造的若干个连体玻璃板基座能被广泛地用在电子元件组件的制造中。

采用本发明的上述结构，能发挥以下的效果：

本发明晶体振子组件，由基座、安装在该基座上的晶体振子和用于封闭该晶体振子的盖在上述基座上的盖组成，其特征在于，基座和盖中至少一个是用玻璃制的成型品。即，在现有技术中是用陶瓷制造基座和/或盖的，而本发明是用玻璃制成的成型品。与陶瓷比较，玻璃不但极容易成形而且制造成本也低，由于玻璃热传导率小，绝热性好，因此能对内部的晶体振子发挥良好的保护作用。另外、又由于用透射系数高的玻璃板制成基座和/或盖，因此能用激光束容易地对内装的晶体振子实施其频率特性的调整。

上述基座和上述晶体振子之间，至少设置50μm的间隙。

由于设置上述的间隙，因此能容易地用激光束只对晶体振子进行切断。间隙小于50μm，加给晶体振子的热向基座传递，这不仅使作业性下降，而且可能造成基座被熔化。因此，基座和晶体振子之间必须设置至少要有50μm的间隙。

为了确保上述间隙，在基座上设置凹部。

为了确保间隙，虽然考虑了几种结构，但其中简单的结构是在基座上设置凹部，从而能降低制造成本。

至少在上述盖的外侧表面上复盖电磁屏蔽膜。

这样能隔断来自外部的电磁干扰的射入或隔断来自晶体振子电磁故障的杂音的传出。

在上述基座的一个面上设置接通晶体用的电极、在上述基座的另一个面上设置接通外部用的电极，将这些接通晶体用的电极和接通外部用的电极经埋设在通孔中的导电零件接通电流，并将上述晶体振子搭接在上述接通晶体用的电极上。

由于接通晶体用的电极和接通外部用的电极是经通孔直接接通的，因此配线量少，晶体振子的电特性稳定。

在上述基座的一个面上设置接通外部用的电极、在上述基座的另一个面上设置接通晶体用的电极，在该接通晶体用的电极上搭接上述晶体振子，并用贯穿基座的金属零件将上述接通外部用的电极和接通晶体用的电极接通电流。

由于金属零件导电性好，所以能使晶体振子的电特性更稳定。

在上述基座的一个面上设置接通外部用的电极、用贯穿上述基座的金属零件接通上述接通外部用的电极，并从上述基座铁另一个面上伸出上述金属零件，在该伸出部分的前端面上直接搭接上述晶体振子。

由地直接将晶体振子搭接在金属零件的伸出端的前端面上，所以能省掉接通晶体用的电极，这样不仅减少了工时，而且还能降低制造成本及降低成品的成本。

本发明提供的晶体振子组件的制造方法，其特征在于包括以下程序：

成形工序，即将材料玻璃放在成形模的上下模之间，将该材料玻璃加热到其软化点温度以上，并加压成形一块玻璃板，在上述一块玻璃板上加压成型纵m×横n个的晶体振子组件用的若干个连体基座；

电极形成工序，即从获得的各各基的一个面向另一个面上设置导电零件，并在上述各面上形成由上述那些导电零件接通电流的接通外部用的电极和接通晶体用的电极；

晶体搭接工序，即在形成接通晶体用的电极上搭接晶体振子；

封闭工序，即为封闭上述晶体振子，将盖盖在上述基座上；

切断工序，即将上述一块玻璃板，以上述基座为单元切断成m×n个的晶体振子组件。

由于组件用的基座是用材料玻璃按若干个连体式冲压法制成的，所以采用连体式，通过1次冲压就能获得(m×n)个的基座，因此能格外地提高生产率。

由于是在由若干个连体基座形成的玻璃板上安装晶体振子，再将盖盖在基座上，然后再分割基座获得m×n个的晶体振子组件，所以能格外地提高晶体振子组件的生产量。

另外，由于是在所谓大块玻璃板状态下安装晶体振子和盖的，然后再进行分割，所以能容易地实现晶体振子组件的小型化。

在切断工序之前或之后，从外壳外部用激光束穿过基座向晶体振子照射聚焦，使晶体振子的一部分汽化，或将覆盖在晶体振子上的金属膜去掉一部分，由此实现对晶体振子的频率的调整。

由于采用透射系数高的玻璃制造基座，在组装后，能对晶体振子的频率进行调整。因此，能对晶体振子组件的频率特性进行高精度的控制。

上述切断工序的切断，可以用激光束熔断、可以用金刚石砂轮磨断，也可以机械的折弯切断。

用激光束进行切断能缩短切断需要的时间或用廉价的折弯机也能完成机械切断，但产量小，也可以用手工折断。因此，能降低生产成本。

在上述成形工序中，在成形的同时，用设置在成形模上的销子在基座上形成贯穿基座的一个面至另一个面的通孔。

由于在成形模上设置了销，所以能在成形工序内形成通孔，而在常规技术中是分别进行成形工序和加工通孔工序的，本发明将上述的两道工序合拼在一道工序中是很经济的，其减少了加工工序。

在上述电极形成工序中，将上述导电零件埋设在基座的通孔中，同时用印刷法在基座上形成接通外部用的电极和接通晶体用的电极。

采用印刷法，在短时间内能形成效率良好的电极。即，采用本发明能缩短电极形成工序的电极形成时间，因此能缩短晶体振子组件制造的工序时间。

由电子元件组件用的基座是用若干个连体式冲压法用材料玻璃制成的，并在冲压同时加工出必要的通孔，这样在一道工序连体冲压工序中就能获得(m×n)个基座，因此能格外地提高生产率。

在将材料玻璃加热到其软化点温度以上的同时，将相邻的基座的交接处加工成比其他部分薄。由于将基座和基座交接处加工得比其他部分薄，所以容易实现后序的切断作业。

相邻的基座的交接处的厚度为0.1～0.3mm。将基座和基座交接处的厚度加工成0.3mm或比其更薄，用手工就能折断。但是，上述交接处的厚度小地0.1mm时，会对加工造成困难，加工费增大，因此基座交接处的厚度定为0.1～0.3mm。

上述材料玻璃是含铁量不超过3000ppm的低铁分玻璃。采用含铁量不超过3000ppm的低铁分玻璃，能使激光束充分通过。如果使用含铁量多的玻璃，激光会被这种玻璃吸收，可能造成基座被熔化，因此不用这种玻璃为好。

Claims (15)

1、晶体振子组件，由基座、安装在该基座上的晶体振子和用于封闭该晶体振子在上述基座上的盖组成，其特征在于，基座和盖中至少一个是用玻璃制成的成型品；

在上述基座的一个面上设置接通晶体用的电极、在上述基座的另一个面上设置接通外部用的电极，这些接通晶体用的电极和接通外部用的电极通过埋设在通孔中的导电零件电连接，并将上述晶体振子搭接在上述接通晶体用的电极上。

2、晶体振子组件，由基座、安装在该基座上的晶体振子和用于封闭该晶体振子在上述基座上的盖组成，其特征在于，基座和盖中至少一个是用玻璃制成的成型品；

在上述基座的一个面上设置接通外部用的电极，在上述基座的另一个面上设置接通晶体用的电极，在该接通晶体用的电极上搭接上述晶体振子，并用贯穿上述基座的金属零件将上述接通外部用的电极和接通晶体用的电极电连接。

3、晶体振子组件，由基座、安装在该基座上的晶体振子和用于封闭该晶体振子在上述基座上的盖组成，其特征在于，基座和盖中至少一个是用玻璃制成的成型品，

在上述基座的一个面上设置接通外部用的电极、使贯穿上述基座的金属零件接通上述接通外部用的电极，并从上述基座的另一个面上伸出上述金属零件、在该伸出部分的前端面上直接搭接上述晶体振子。

4、根据权利要求1-3任一的晶体振子组件，其特征在于，上述基座和上述晶体振子之间至少设置50μm的间隙。

5、根据权利要求4的晶体振子组件，其特征在于，为了确保上述间隙，在基座上设置凹部。

6、根据权利要求1-3任一的晶体振子组件，其特征在于，至少在上述盖的外侧表面上覆盖电磁屏蔽膜。

7、晶体振子组件的制造方法，其特征在于：包括以下程序：

成形工序，将材料玻璃放在成形模的上下模之间，将该材料玻璃加热到其软化点温度以上，并加压成形一块玻璃板，在上述一块玻璃板上加压成形纵m×横n个的晶体振子组件用的若干连体基座；

电极形成工序，在获得的各个基座上设置从一个面至另一个面的导电零件，在基座的一个面同另一个面上分别形成电连接在上述那些导电零件上的接通外部用的电极和接通晶体用的电极；

晶体搭接工序，在形成的接通晶体用的电极上搭接晶体振子；

密封工序，为封闭上述晶体振子，将盖盖在上述基座上；

切断工序，将上述一块玻璃板，以上述基座为单位切断成m×n个晶体振子组件。

8、根据权利要求7的晶体振子组件的制造方法，其特征在于，在上述切断工序之前或之后，从组件外部用激光束穿过基座向晶体振子照射聚焦，使晶体振子的一部分蒸发，或将复盖在晶体振子上的金属膜去掉一部分，由此进行对晶体振子的频率的调整。

9、根据权利要求7的晶体振子组件的制造方法，其特征在于，上述切断工序的切断可以用激光束熔断或用金刚石砂轮磨断，也可以用机械的折弯切断。

10、根据权利要求7的晶体振子组件的制造方法，其特征在于，在上述成形工序中，在成形的同时，用设置在所述成形模上的销子在基座上形成贯穿基座的一个面至另一个面的通孔。

11、根据权利要求7的晶体振子组件的制造方法，其特征在于，在上述电极形成工序中，将上述导电零件埋设于在基座中贯通形成的通孔中，同时用印刷法在基座上形成接通外部用的电极和接通晶体用的电极。

12、电子元件组件用的若干个连体玻璃板的制造方法，当m、n是1以上的整数时，将纵m×横n的若干个电子元件组件用的基座排列成巧克力板状，其特征在于，在成形模的上下模之间放入材料玻璃，将该材料玻璃加热到其软化点温度以上，在加压成形的同时，用设置在成形模上的销，在上述每个基座上同时加工出通孔。

13、根据权利要求12的电子元件组件用的若干个连体玻璃板的制造方法，其特征在于，在将材料玻璃加热到其软化点温度以上的同时，将相邻的基座的交接处加工成比其他部分薄。

14、根据权利要求13的电子元件组件用的若干个连体玻璃板的制造方法，其特征在于，相邻的基座的交接处的厚度为0.1～0.3mm。

15、根据权利要求12、13或14的电子元件组件用的若干个连体玻璃板的制造方法，其特征在于，上述材料玻璃是含铁量不超过3000ppm的低铁分玻璃。

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