JP2009070965A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 第１上面、前記第１上面に形成された複数の第１上面導電パッド、前記第１上面とは反対側の第１下面、前記第１下面に形成された複数の第１下面導電パッド、および前記第１下面に形成された複数のテスト用導電パッドを有する第１配線基板と、
   前記第１上面に搭載された第１半導体チップと、
   第２上面、複数の第２上面導電パッド、前記第２上面とは反対側の第２下面、および複数の第２下面導電パッドを有し、前記第２下面が前記第１上面と対向するように前記第１配線基板上に積層された第２配線基板と、
   前記第２上面に搭載された第２半導体チップと、
   前記複数の第１下面導電パッドとそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ電極と、
   を含み、
   前記複数のテスト用導電パッドは、前記複数の第１上面導電パッドとそれぞれ電気的に接続されており、
   前記複数の第２下面導電パッドは、前記複数の第１上面導電パッドとそれぞれ電気的に接続されており、
   前記複数の第２上面導電パッドは、前記複数の第２下面導電パッドとそれぞれ電気的に接続されており、
   前記複数の第１上面導電パッドは、平面視において前記半導体チップの周囲に配置され、かつ、平面視において前記半導体チップよりも前記第１上面の周縁部側に配置されており、
   前記複数のテスト用導電パッドは、平面視において前記複数の第１下面導電パッドの周囲に配置され、かつ、平面視において前記複数の第１下面導電パッドよりも前記第１下面の周縁部側に配置されており、
   前記複数のバンプ電極は、前記複数のテスト用導電パッドとそれぞれ電気的に接続されていないことを特徴とする半導体装置。
2. 前記第１配線基板は、ビルドアップ工法によって製造されたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記第１配線基板の絶縁層は、繊維に樹脂を含浸させたプリプレグによって構成されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
4. 前記第１配線基板の平面形状は、矩形状からなり、
   前記第１半導体チップは、前記第１配線基板の前記第１上面に形成された複数の第３上面導電パッド上にフリップチップ実装されており、
   前記複数の第３上面導電パッドは、前記第１配線基板の辺と平行な方向に沿って２列に配置され、かつ内側の列の第３上面導電パッドと外側の列の第３上面導電パッドは、千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
5. 前記第１配線基板の前記第１下面に形成された前記複数のテスト用導電パッドは、前記外側の列の第３上面導電パッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
6. 前記第１配線基板の前記第１下面に形成された前記複数のテスト用導電パッドの一部は、一端が前記外側の列の第３上面導電パッドよりも外側に延在する内層配線を介して前記内側の列の第３上面導電パッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
7. 前記複数のテスト用導電パッドに電気的に接続された前記外側の列の第３上面導電パッドは、前記第１配線基板の前記第１上面のコーナー部およびその近傍に配置されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
8. 前記第１配線基板は、電源プレーン層を構成する内層配線と、ＧＮＤプレーン層を構成する内層配線とを含む多層配線基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。