JP2008052721A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 凹部を有する構造体と、
   前記凹部の底部に固定された半導体チップと、
   前記構造体の内部に設けられた導電体と、
   前記導電体を介して前記半導体チップに電気的に接続された接続電極と、
   前記接続電極に電気的に接続されたアンテナと、
   前記アンテナの支持基材と、を有し、
   前記構造体は、前記支持基材よりも剛性の高い材料からなることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記構造体は、セラミックを有することを特徴とする半導体装置。
3. 凹部を有し、複数の誘電体層で構成される構造体と、
   前記凹部の底部に固定された半導体チップと、
   前記複数の誘電体層の少なくとも１つの層を貫通する貫通電極と、
   前記貫通電極を介して前記半導体チップに電気的に接続された接続電極と、
   前記接続電極に電気的に接続されたアンテナと、
   前記アンテナの支持基材と、を有し、
   前記構造体は、前記支持基材よりも剛性の高い材料からなることを特徴とする半導体装置。
4. 凹部を有し、複数の誘電体層で構成される構造体と、
   前記凹部の底部に固定された半導体チップと、
   前記複数の誘電体層の少なくとも１つの層を貫通する貫通電極と、
   前記貫通電極を介して前記半導体チップに電気的に接続された接続電極と、
   前記接続電極に電気的に接続されたアンテナと、
   前記アンテナの支持基材と、
   前記凹部の底部に設けられた導電層と、
   前記構造体の内部に設けられ、前記導電層を介して前記半導体チップに電気的に接続された受動素子と、を有し、
   前記構造体は、前記支持基材よりも剛性の高い材料からなることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４において、
   前記受動素子は、抵抗、コンデンサ、またはコイルであることを特徴とする半導体装置。
6. 凹部を有し、複数の誘電体層で構成される構造体と、
   前記凹部の底部に固定された半導体チップと、
   前記複数の誘電体層の少なくとも１つの層を貫通する貫通電極と、
   前記貫通電極を介して前記半導体チップに電気的に接続された接続電極と、
   前記接続電極に電気的に接続された第１のアンテナと、
   前記アンテナの支持基材と、
   前記凹部の底部に設けられた導電層と、
   前記構造体の内部に設けられ、前記導電層を介して前記半導体チップに電気的に接続された第２のアンテナと、を有し、
   前記構造体は、前記支持基材よりも剛性の高い材料からなることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項６において、
   前記複数の誘電体層は、第１の誘電体層と第２の誘電体層を有し、
   前記第２のアンテナは、前記第１の誘電体層を貫通し、前記第１の誘電体層の上に設けられた第１の配線と前記第２の誘電体層の上に設けられた第２の配線とを電気的に接続する貫通電極を有することを特徴とする半導体装置。
8. 請求項３乃至請求項７のいずれか一項において、
   前記複数の誘電体層は、セラミックを有することを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記接続電極は、前記構造体の上面に設けられることを特徴とする半導体装置。