JP2004063667A5 - - Google Patents
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Claims (5)
- 基板上に形成された多層配線層と、
前記多層配線層中の所定の配線層内に配置され下部電極、誘電膜及び上部電極を有したキャパシタと、
前記所定の配線層内に形成され前記キャパシタの少なくとも上部電極の上面に接続された第１のビアと、
前記所定の配線層の上に積層された上部配線層内に形成され前記第１のビア上部に形成された第２のビアとを具備することを特徴とする多層配線層内に形成されたキャパシタを有する半導体装置。 - 前記第１のビアは第２のビアより太く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線層内に形成されたキャパシタを有する半導体装置。
- 前記所定の配線層は、前記下部電極上に形成された第３のビアと、前記第３のビアに接続されて前記所定の配線層表面に埋め込み形成された配線とを有することを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線層内に形成されたキャパシタを有する半導体装置。
- 前記所定の配線層内には前記キャパシタの下部電極の上方に形成された第３のビアが設けられ、
前記上部配線層内には前記第３のビア上部に接続された状態で形成され前記第３のビアより細い第４のビアが設けられ、
前記第２、第４のビアが前記上部配線層の表面に埋め込み形成された第１、第２の配線と接続されることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線層内に形成されたキャパシタを有する半導体装置。 - 半導体基板の第１の領域に形成された少なくとも一つの不純物拡散層と、
前記半導体基板上に積層され、前記不純物拡散層に接続されたコンタクトおよび前記コンタクト上に接続された状態で埋め込み形成された第１の配線とを有する第１の配線層を含む複数の配線層と、
前記半導体基板の前記第１の領域とは異なる第２の領域上に形成された前記複数の配線層中の所定の配線層中に形成され、下部電極、誘電膜、上部電極の積層構造を有するキャパシタと、
前記所定の配線層中の少なくとも前記上部電極上に形成された第１のビアと、
前記所定の配線層の上に積層された層間絶縁膜と、この層間絶縁膜中に形成され前記第１のビアに接続されかつ前記第１のビアより細く形成された第２のビアと、前記第２のビアに接続され前記層間絶縁膜の表面部に埋め込み形成された第２の配線とを有する上部配線層と、
を具備することを特徴とする多層配線層内に形成されたキャパシタを有する半導体装置。
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