KR102449358B1 - 커패시터 부품 - Google Patents

커패시터 부품 Download PDF

Info

Publication number
KR102449358B1
KR102449358B1 KR1020170110691A KR20170110691A KR102449358B1 KR 102449358 B1 KR102449358 B1 KR 102449358B1 KR 1020170110691 A KR1020170110691 A KR 1020170110691A KR 20170110691 A KR20170110691 A KR 20170110691A KR 102449358 B1 KR102449358 B1 KR 102449358B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
electrodes
capacitor component
electrode
unit stacks
Prior art date
Application number
KR1020170110691A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190024084A (ko
Inventor
안성권
주진경
이효연
송승우
이택정
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020170110691A priority Critical patent/KR102449358B1/ko
Priority to US16/009,784 priority patent/US10573462B2/en
Priority to CN201811008929.3A priority patent/CN109427486B/zh
Publication of KR20190024084A publication Critical patent/KR20190024084A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102449358B1 publication Critical patent/KR102449358B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
    • H01G4/385—Single unit multiple capacitors, e.g. dual capacitor in one coil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/38—Multiple capacitors, i.e. structural combinations of fixed capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시 형태는 바디, 상기 바디 내부에 배치된 복수의 내부 전극 및 상기 바디의 두께 방향으로 연장 형성되어 상기 복수의 내부 전극과 연결된 연결 전극을 포함하며, 복수 개 구비되어 적층 구조를 이루는 단위 적층체를 포함하고, 상기 적층 구조를 이루는 단위 적층체들 중 서로 인접한 단위 적층체들의 연결 전극들은 서로 연결되어 있고, 상기 적층 구조를 이루는 단위 적층체들 중 하나 이상은 연결 전극의 직경이 다른 단위 적층체의 연결 전극의 직경과 상이한 커패시터 부품을 제공한다.

Description

커패시터 부품{CAPACITOR COMPONENT}
본 발명은 커패시터 부품에 관한 것이다.
커패시터 부품의 하나인 적층 세라믹 커패시터는 액정 표시 장치(LCD: Liquid Crystal Display) 및 플라즈마 표시 장치 패널(PDP: Plasma Display Panel) 등의 영상 기기, 컴퓨터, 스마트폰 및 휴대폰 등 여러 전자 제품의 인쇄회로기판에 장착되어 전기를 충전시키거나 또는 방전시키는 역할을 하는 칩 형태의 콘덴서이다. 이러한 적층 세라믹 커패시터(MLCC: Multi-Layered Ceramic Capacitor)는 소형이면서 고용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점을 인하여 다양한 전자 장치의 부품으로 사용될 수 있다.
이러한 MLCC는 소형이면서 용량이 보장되고 실장이 용이하다는 장점으로 인하여 다양한 전자 장치의 부품으로 사용될 수 있으며, 최근 고용량 및 고신뢰성의 방향으로 개발이 진행되고 있다.
고용량의 커패시터를 구현하기 위해서는 커패시터 바디를 구성하는 재료의 유전율을 높이거나 유전체층 및 내부 전극의 두께를 박막화하여 적층 수를 증가시키는 방법이 있다. 그러나, 고유전율 재료의 조성 개발이 쉽지 않고 현 공법상으로 유전체층의 두께를 낮추는 데 한계가 있기 때문에 이러한 방법으로 제품의 용량을 증가시키는데 한계가 있다.
또한, 적층 세라믹 커패시터 비아 또는 관통홀을 형성하고, 도전성 물질을 채워서 내부 전극과 연결되는 비아 전극을 형성하고, 비아 전극과 연결을 위한 하면 전극을 형성하는 적층 세라믹 커패시터의 개발이 진행 중이다.
일본 등록특허공보 제4748317호 일본 등록특허공보 제2001-313230호
본 발명의 목적 중 하나는 고 용량으로 구현될 수 있으며 두께가 두꺼워지더라도 연결 전극 간의 얼라인먼트(alignment) 불량이 저감되어 전기 연결성과 신뢰성이 우수한 커패시터 부품을 제공하는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위한 방법으로, 본 발명은 일 실시 형태를 통하여 신규한 커패시터 부품을 제안하고자 하며, 구체적으로, 바디, 상기 바디 내부에 배치된 복수의 내부 전극 및 상기 바디의 두께 방향으로 연장 형성되어 상기 복수의 내부 전극과 연결된 연결 전극을 포함하며, 복수 개 구비되어 적층 구조를 이루는 단위 적층체를 포함하고, 상기 적층 구조를 이루는 단위 적층체들 중 서로 인접한 단위 적층체들의 연결 전극들은 서로 연결되어 있고, 상기 적층 구조를 이루는 단위 적층체들 중 하나 이상은 연결 전극의 직경이 다른 단위 적층체의 연결 전극의 직경과 상이한 형태이다.
본 발명의 여러 효과 중 일 효과로서, 고 용량으로 구현될 수 있으며 두께가 두꺼워지더라도 연결 전극 간의 얼라인먼트 불량이 저감되어 전기 연결성과 신뢰성이 우수한 커패시터 부품을 얻을 수 있다. 다만, 본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 I - I`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 비아 형성에 따라 크랙 및 딜라미네이션이 발생한 것을 촬영한 사진이다.
도 4 및 도 5는 연결 전극의 가능한 연결 형태들을 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 1의 실시 형태에서 외부 전극의 형태가 변형된 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 8은 110A 단위 적층체를 제조하는 일 예를 나타낸다.
도 9는 110B 단위 적층체를 제조하는 일 예를 나타낸다.
도 10은 단위 적층체를 적층한 것을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하, 구체적인 실시형태 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 통상의 기술자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하고, 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다. 나아가, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도면에서, X 방향은 제1 방향 또는 길이 방향, Y 방향은 제2 방향 또는 폭 방향, Z 방향은 제3 방향, 두께 방향 또는 적층 방향으로 정의될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 사시도이다. 도 2는 도 1의 I - I`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 도 3은 비아 형성에 따라 크랙 및 딜라미네이션이 발생한 것을 촬영한 사진이다. 도 4 및 도 5는 연결 전극의 가능한 연결 형태들을 나타낸 것이다.
우선, 도 1 및 2를 함께 참조하면, 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품(100)은 복수의 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)가 적층된 적층 구조(101)이며, 상기 복수의 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)들 중 서로 인접한 단위 적층체들의 연결 전극들은 서로 연결되어 있고, 상기 복수의 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)들 중 하나 이상은 연결 전극의 직경(Da, Db, Dc, Dd)이 다른 단위 적층체의 연결 전극의 직경과 상이하다.
그리고, 제1 및 제2 외부 전극(141, 142)이 커패시터 부품(100)의 하부에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 및 제2 외부 전극(141, 142)은 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D) 중 최하부에 배치된 단위 적층체(110A)의 하면에 형성될 수 있다.
본 실시 형태의 경우, 커패시터 부품(100)의 용량을 효과적으로 증가시키면서도 비아 형성시 비아 주변의 손상, 딜라미네이션(delamination), 크랙(crack) 등의 발생을 방지하기 위하여 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)를 형성한 후 이를 적층하였다.
바디의 두께가 얇은 경우에는 비아 주변의 손상, 비아 형성시 딜라미네이션(delamination), 크랙(crack) 등이 발생할 우려가 적으나, 고 용량을 얻기 위해 한번에 유전체층과 내부 전극들을 다수 적층하여 바디의 두께를 두껍게 한 후 비아를 형성하게 되면, 비아 주변의 손상, 딜라미네이션(delamination), 크랙(crack) 등이 발생할 우려가 있다.
비아를 형성하기 위해서는 레이저 드릴(Laser Drill), 천공기(Mechanical Pin Puncher) 등을 이용할 수 있는데, 바디의 두께가 너무 두꺼운 경우에 레이저 드릴을 이용하면 비아 주변이 손상되어 전극의 연결성이 열위해 질 수 있으며, 천공기를 이용하면 응력이 한번에 집중되어 비아를 형성하기 때문에 도 3에서 확인할 수 있듯이, 딜라미네이션(delamination), 크랙(crack) 등이 발생하는 문제점이 있다.
하지만, 본 발명의 일 실시형태에 따르면, 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)마다 별도로 비아를 형성하여 제작한 후, 이를 적층하는 방식을 사용하므로 고 용량을 확보하면서도 딜라미네이션(delamination), 크랙(crack) 등의 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다. 이러한 방식에 따라, 효율적인 공정을 통해 커패시터 부품(100)의 용량을 효과적으로 증가시킬 수 있으며 용량이나 두께를 조절하는 것도 용이하다. 이 경우, 도 2와 같이, 본 실시 형태에서는 4개의 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)를 사용한 예를 설명하고 있지만, 3개의 단위 적층체를 사용하여 적층 구조를 얻을 수도 있으며, 보다 높은 용량을 얻기 위하여 더 많은 수의 단위 적층체가 사용될 수도 있을 것이다.
이때, 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)의 두께는 90~130㎛일 수 있다.
단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)의 두께가 90㎛ 미만인 경우에는 고 용량을 확보하기 위하여 다량의 단위 적층체가 필요하여 효율적이지 않으며, 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)의 두께가 130㎛ 초과인 경우에는 비아 형성시 비아 주변이 손상될 수 있고, 딜라미네이션(delamination), 크랙(crack) 등이 발생할 수 있다.
연결 전극의 단위 적층체에 대한 고착력을 확보하고, 얼라인먼트(alignment) 불량을 저감시키기 위하여 복수의 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)들 중 하나 이상은 연결 전극의 직경(Da, Db, Dc, Dd)이 다른 단위 적층체의 연결 전극의 직경과 상이하다. 연결 전극의 단면 형상은 특별히 제한할 필요는 없으며 원형, 사각형, 삼각형 등의 형상을 가질 수 있으나, 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 연결 전극의 단면 형상이 원형인 경우에 대하여 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품(100)는 복수의 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)들의 연결 전극의 직경(Da, Db, Dc, Dd)들은 서로 상이할 수 있다. 또한, 연결 전극의 직경이 가장 큰 순서대로 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)들을 적층할 수 있다. 즉, 최하부에 110A 단위 적층체를 배치하고, 110A 단위 적층체 상에 110B 단위 적층체를 배치하고, 110B 단위 적층체 상에 110C 단위 적층체를 배치하고, 110C 단위 적층체 상에 110D 단위 적층체를 배치할 수 있다.
도 3과 같이 연결 전극간의 중심축이 일치되는 경우, 연결 전극의 직경(Da, Db, Dc, Dd)이 모두 동일한 경우에도 연결 전극간의 연결성이 우수할 수 있다. 하지만, 복수 개의 단위 적층체를 적층하는 경우 연결 전극간의 중심축이 일치하지 않을 수 있으며, 연결 전극의 직경(Da, Db, Dc, Dd)이 모두 동일한 경우에는 얼라인먼트(alignment) 불량이 발생하여 연결 전극간의 연결성이 열위할 수 있다.
하지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 본 발명의 일 실시형태에 따른 커패시터 부품(100)는 복수의 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)들의 연결 전극의 직경(Da, Db, Dc, Dd)들이 상이하기 때문에, 도 4에 도시된 바와 같이, 연결 전극간의 중심축이 일치하지 않는 경우에도 얼라인먼트(alignment) 불량이 저감되고 전기연결성과 신뢰성이 향상될 수 있다.
이때, 단위 적층체의 연결 전극의 직경은 50~300㎛일 수 있다.
단위 적층체의 연결 전극의 직경이 50㎛ 미만인 경우에는 전기연결성을 확보하기 어려울 수 있으며, 300㎛ 초과인 경우에는 용량을 확보하기 어려울 수 있다.
예를 들어, 도 2와 같이 4개의 단위 적층체를 이용하여 적층 구조를 형성할 경우, 최하부에 배치되는 110A 단위 적층체의 연결 전극의 직경은 250~300㎛, 110A 단위 적층체 상에 배치되는 110B 단위 적층체의 연결 전극의 직경은 200~250㎛, 110B 단위 적층체 상에 배치되는 110C 단위 적층체의 연결 전극의 직경은 150~200㎛, 110C 단위 적층체 상에 배치되는 110D 단위 적층체의 연결 전극의 직경은 100~150㎛로 할 수 있다.
단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)는 바디, 바디 내부에 배치된 복수의 내부 전극(121, 122) 및 바디의 두께 방향으로 연장 형성되어 복수의 내부 전극(121, 122)과 연결된 연결 전극(131A, 132A, 131B, 132B, 131C, 132C, 131D, 132D)을 포함한다. 본 실시 형태에서는 복수의 내부 전극(121, 122)을 각각 제1 내부 전극(121)과 제2 내부 전극(122)으로, 연결 전극(131A, 132A, 131B, 132B, 131C, 132C, 131D, 132D)은 제1 내부 전극(121)과 연결되는 것은 제1 연결 전극(131A, 131B, 131C, 131D), 제2 내부 전극(122)과 연결되는 것은 제2 연결 전극(132A, 132B, 132C, 132D)으로 칭한다.
바디는 복수의 유전체층(111)이 적층되어 형성될 수 있으며, 이러한 유전체층은 당 기술 분야에서 알려진 세라믹 등을 이용할 수 있다. 예를 들어, BaTiO3(티탄산바륨)계 세라믹 물질 등을 포함하는 그린 시트를 소성하여 바디가 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 BaTiO3계 세라믹 분말은 예를 들면 BaTiO3에 Ca(칼슘), Zr(지르코늄) 등이 일부 고용된 (Ba1 - xCax)TiO3, Ba(Ti1-yCay)O3, (Ba1 - xCax)(Ti1 - yZry)O3 또는 Ba(Ti1-yZry)O3 등이 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 티탄산바륨계 외에도 고유전률을 갖는 다른 물질을 사용할 수 있으며, 예를 들어 티탄산스트론튬(SrTiO3)계 물질을 사용하여 바디를 형성할 수 있다. 또한, 바디에는 세라믹 분말과 함께 필요 시 세라믹 첨가제, 유기용제, 가소제, 결합제 및 분산제 등이 첨가될 수 있다. 한편, 그린 시트의 소성에 의하여 얻어진 유전체층의 경우, 주사전자현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)을 이용하지 않고 확인하기 곤란할 정도로 층간 구분 없이 일체화될 수 있다.
각 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)에 포함된 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 서로 다른 극성을 가지며 유전층을 사이에 두고 서로 교대로 배치되어 있다. 이 경우, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 세라믹 그린 시트 상에 도전성 페이스트를 인쇄하는 등의 방법으로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)을 이루는 물질의 경우, 예컨대 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 도전성 페이스트의 인쇄 방법은 스크린 인쇄법 또는 그라비아 인쇄법 등을 사용할 수 있으며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 및 제2 연결 전극(131A, 132A, 131B, 132B, 131C, 132C, 131D, 132D)은 바디의 두께 방향(도 2에서 Z축 방향)으로 연장 형성되어 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)과 각각 연결되며, 도 2에 도시된 형태와 같이 바디를 관통하여 형성될 수 있다.
이때, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)은 각각 제1 및 제2 절연부(121a, 122a)를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 절연부(121a, 122a)는 각각 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)이 형성되지 않는 영역을 의미하며, 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)이 각각 다른 극성의 외부 전극에만 연결될 수 있도록 하는 역할을 수행할 수 있다. 즉, 제1 연결 전극(131A, 131B, 131C, 131D)은 제2 절연부(122a)에 의해 제2 내부 전극(122)과 이격되며, 제2 연결 전극(132A, 132B, 132C, 132D)은 제1 절연부(121a)에 의해 제1 내부 전극(121)과 이격된다.
제1 및 제2 내부 전극(121, 122)이 제1 및 제2 연결 전극(131A, 132A, 131B, 132B, 131C, 132C, 131D, 132D)에 의해 제1 및 제2 외부 전극(141, 142)과 각각 연결되게 함으로써, 유전층(111)을 사이에 두고 제1 및 제2 내부 전극(121, 122)이 서로 오버랩 되는 면적을 최대화할 수 있으며, 이에 따라 커패시터 부품(100)의 커패시터 용량이 현저히 증가될 수 있다.
한편, 제1 및 제2 연결 전극(131A, 132A, 131B, 132B, 131C, 132C, 131D, 132D) 은 바디와 내부 전극(121, 122)에 비아를 형성하고 이에 도전성 물질이 충진되어 형성될 수 있으며, 이러한 도전성 물질은 도전성 페이스트를 도포하거나 도금 등의 방법을 이용할 수 있다.
이 경우, 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)의 비아(H1, H2)는, 세라믹 그린시트에 레이저 드릴(Laser Drill), 천공기(Mechanical Pin Puncher) 등을 이용하여 얻어질 수 있다.
제1 및 제2 외부 전극(141, 142)은 커패시터 부품(100)을 기판 등에 실장하는 영역으로 제공될 수 있으며, 필요에 따라 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시 형태와 같이 제1 및 제2 외부 전극(141, 142)은 커패시터 부품(100)의 하부에만 형성되고, 상면이나 측면에는 형성되지 않은 형태일 수 있다. 즉, 제1 및 제2 외부 전극(141, 142)은 제1 및 제2 연결 전극(131A, 132A, 131B, 132B, 131C, 132C, 131D, 132D)과 각각 접속되며, 상기 복수의 단위 적층체 중 최하부에 배치된 단위 적층체(110A)의 하면에 형성될 수 있다.
다만, 도 6의 변형 예에 따른 커패시터 부품(200)과 같이 상부에 형성된 외부전극들(143, 144)을 포함할 수도 있을 것이다. 여기서 상부라 함은 복수의 단위 적층체 중 최상부에 배치된 단위 적층체(110D)의 상면으로 이해될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 커패시터 부품을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 7을 참조하면, 커패시터 부품(300)은 앞선 실시 형태와 마찬가지로 복수의 단위 적층체가 적층된 구조이며, 동일한 직경을 가진 단위 적층체들이 서로 인접하지 않도록 적층된 구조(301)이다.
단위 적층체의 연결 전극의 크기가 동일한 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)가 2개씩이고, 총 8개의 단위 적층체들을 적층할 경우, 동일한 직경을 가진 단위 적층체들이 서로 인접하지 않도록 하기 위하여 연결 전극의 직경(Da, Db, Dc, Dd)이 상이한 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)들을 연결 전극의 직경이 가장 큰 순서대로 적층한 후, 다시 110A 단위 적층체부터 연결 직경이 큰 순으로 적층하여 적층 구조(301)를 마련할 수 있다.
즉, 도 7에 도시된 바와 같이, 최하부에 110A 단위 적층체를 배치하고, 110A 단위 적층체 상에 110B 단위 적층체를 배치하고, 110B 단위 적층체 상에 110C 단위 적층체를 배치하고, 110C 단위 적층체 상에 110D 단위 적층체를 배치한 후, 다시 110A 단위 적층체부터 연결 직경이 큰 순으로 적층할 수 있다.
도 8 내지 도 10은 커패시터 부품을 제조하는 일 예를 나타내며, 앞서 설명한 커패시터 부품의 구조는 이러한 제조방법의 설명으로부터 더욱 명확해질 수 있을 것이다.
우선, 도 8을 참조하면, 유전층으로 이루어진 세라믹 그린 시트의 일면에 소정의 두께로 도전성 금속을 포함하는 페이스트를 인쇄한 시트를 적층하여 바디를 마련한다. 그 후, 물리적 관통법을 이용하여 연결 전극의 직경(Da)에 맞추어 비아(H1, H2)를 형성하고, 비아(H1, H2)에 도전성 물질을 채워 제1 및 제2 연결 전극(131A, 132A)을 형성하여 단위 적층체(110A)를 얻는다.
도 9를 참조하면, 유전층으로 이루어진 세라믹 그린 시트의 일면에 소정의 두께로 도전성 금속을 포함하는 페이스트를 인쇄한 시트를 적층하여 바디를 마련한다. 그 후, 물리적 관통법을 이용하여 연결 전극의 직경(Db)에 맞추어 비아(H1, H2)를 형성하고, 비아(H1, H2)에 도전성 물질을 채워 제1 및 제2 연결 전극(131B, 132B)을 형성하여 단위 적층체(110B)를 얻는다.
상술한 110A 및 110B 단위 적층체를 얻는 방법과 마찬가지로, 110C 단위 적층체 및 110D 단위적층체도 별도로 각각의 연결 전극의 직경(Dc, Dd)에 맞추어 비아(H1, H2)를 형성하고, 비아(H1, H2)에 도전성 물질을 채워 제1 및 제2 연결 전극(131C, 132C, 131D, 132D)을 형성하여 단위 적층체(110C, 110D)를 얻는다.
그 후, 도 10에 도시된 바와 같이, 연결 전극의 직경이 가장 큰 순서대로 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)들을 적층하여 적층 구조를 얻는다. 앞서 설명한 바와 같이 단위 적층체(110A, 110B, 110C, 110D)의 개수는 필요한 용량, 두께 조건 등을 고려하여 조절될 수 있을 것이다.
상기 적층 구조를 얻은 후, 최하부에 배치된 단위 적층체(110A)의 하면에 외부 전극을 형성하는 공정이 행해질 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
100, 200, 300: 커패시터 부품
101, 301: 적층 구조
110A, 110B, 110C, 110D: 단위 적층체
111: 유전층
121, 122: 내부 전극
121a, 122a: 절연부
131A, 132A, 131B, 132B, 131C, 132C, 131D, 132D: 연결 전극
Da, Dd, Dc, Dd: 연결 전극의 직경
141, 142, 143, 144: 외부 전극

Claims (13)

  1. 바디, 상기 바디 내부에 배치된 복수의 내부 전극 및 상기 바디의 두께 방향으로 연장 형성되어 상기 복수의 내부 전극과 연결된 연결 전극을 포함하며, 복수 개 구비되어 적층 구조를 이루는 단위 적층체를 포함하고,
    상기 적층 구조를 이루는 단위 적층체들 중 서로 인접한 단위 적층체들의 연결 전극들은 서로 연결되어 있고,
    상기 적층 구조를 이루는 단위 적층체들 중 하나 이상은 연결 전극의 직경이 다른 단위 적층체의 연결 전극의 직경과 상이하며,
    상기 연결 전극은 상기 바디를 관통하는 형태인 커패시터 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적층 구조를 이루는 단위 적층체들의 연결 전극들은 서로 직경이 상이한 커패시터 부품.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 적층 구조는 연결 전극의 직경이 큰 순서대로 단위 적층체들이 적층되어 있는 커패시터 부품.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 단위 적층체의 두께는 90~130㎛인 커패시터 부품.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 단위 적층체의 연결 전극의 직경은 50~300㎛인 커패시터 부품.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 바디는 유전층을 포함하고,
    상기 내부 전극은 상기 유전층을 사이에 두고 서로 교대로 배치된 복수의 제1 및 제2 내부 전극을 포함하는 커패시터 부품.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 연결 전극은 각각 상기 제1 및 제2 내부 전극과 연결된 제1 및 제2 연결 전극을 포함하는 커패시터 부품.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 연결 전극은 제2 절연부에 의해 상기 제2 내부 전극과 이격되며, 상기 제2 연결 전극은 제1 절연부에 의해 상기 제1 내부 전극과 이격된 커패시터 부품.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 연결 전극과 각각 접속되며, 상기 복수의 단위 적층체 중 최하부에 배치된 것의 하면에 형성 제1 및 제2 외부 전극을 더 포함하는 커패시터 부품.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 외부 전극은 상기 복수의 단위 적층체 중 최상부에 배치된 것의 상면에도 형성된 커패시터 부품.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 적층 구조는 동일한 직경을 가진 단위 적층체들이 서로 인접하지 않도록 적층되어 있는 커패시터 부품.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 적층 구조는 3개 이상의 단위 적층체가 적층된 형태인 커패시터 부품.
KR1020170110691A 2017-08-31 2017-08-31 커패시터 부품 KR102449358B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170110691A KR102449358B1 (ko) 2017-08-31 2017-08-31 커패시터 부품
US16/009,784 US10573462B2 (en) 2017-08-31 2018-06-15 Capacitor component
CN201811008929.3A CN109427486B (zh) 2017-08-31 2018-08-31 电容器组件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170110691A KR102449358B1 (ko) 2017-08-31 2017-08-31 커패시터 부품

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190024084A KR20190024084A (ko) 2019-03-08
KR102449358B1 true KR102449358B1 (ko) 2022-09-30

Family

ID=65437990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170110691A KR102449358B1 (ko) 2017-08-31 2017-08-31 커패시터 부품

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10573462B2 (ko)
KR (1) KR102449358B1 (ko)
CN (1) CN109427486B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023128371A1 (ko) * 2021-12-29 2023-07-06 주식회사 아모텍 적층 세라믹 커패시터

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003188048A (ja) * 2001-12-20 2003-07-04 Kyocera Corp コンデンサ素子およびコンデンサ素子内蔵多層配線基板
US20040207043A1 (en) * 2002-07-26 2004-10-21 Takeshi Matsunaga Semiconductor device having capacitor formed in multilayer wiring structure
US20070064374A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Tdk Corporation Laminated capacitor and manufacturing method thereof
US20120300360A1 (en) * 2011-03-17 2012-11-29 Taiyo Yuden Co., Ltd. Capacitor element and capacitor device having the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001313230A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Kyocera Corp コンデンサアレイ
JP2004342671A (ja) 2003-05-13 2004-12-02 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層電子部品の製造方法
KR100674842B1 (ko) 2005-03-07 2007-01-26 삼성전기주식회사 기판 내장용 적층형 칩 커패시터를 구비하는 인쇄회로 기판
JP2008112956A (ja) * 2006-08-03 2008-05-15 Sony Corp キャパシタおよびその製造方法、ならびに、半導体デバイスおよび液晶表示装置
JP4748317B2 (ja) 2006-08-31 2011-08-17 Ｔｄｋ株式会社 端子電極および電子部品
JP4687757B2 (ja) * 2008-07-22 2011-05-25 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法
JP5429019B2 (ja) * 2010-04-16 2014-02-26 富士通株式会社 キャパシタ及びその製造方法
JP5753748B2 (ja) 2011-08-19 2015-07-22 日本特殊陶業株式会社 積層コンデンサ及びコンデンサ内蔵配線基板
US9076600B2 (en) * 2012-03-27 2015-07-07 Tdk Corporation Thin film capacitor
US9349788B2 (en) * 2013-08-08 2016-05-24 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. Thin film capacitors embedded in polymer dielectric
JP2015070058A (ja) 2013-09-27 2015-04-13 株式会社村田製作所 積層薄膜キャパシタの製造方法
KR101548813B1 (ko) 2013-11-06 2015-08-31 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터
US9418788B2 (en) * 2014-03-16 2016-08-16 Apple Inc. Precision half cell for sub-FEMTO unit cap and capacitive DAC architecture in SAR ADC

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003188048A (ja) * 2001-12-20 2003-07-04 Kyocera Corp コンデンサ素子およびコンデンサ素子内蔵多層配線基板
US20040207043A1 (en) * 2002-07-26 2004-10-21 Takeshi Matsunaga Semiconductor device having capacitor formed in multilayer wiring structure
US20070064374A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Tdk Corporation Laminated capacitor and manufacturing method thereof
US20120300360A1 (en) * 2011-03-17 2012-11-29 Taiyo Yuden Co., Ltd. Capacitor element and capacitor device having the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN109427486A (zh) 2019-03-05
KR20190024084A (ko) 2019-03-08
US10573462B2 (en) 2020-02-25
CN109427486B (zh) 2020-11-06
US20190066928A1 (en) 2019-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102620535B1 (ko) 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
US9793051B2 (en) Multilayer ceramic capacitor and board having the same
JP2014165489A (ja) 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法
JP7371318B2 (ja) キャパシタ部品
US10468190B2 (en) Capacitor component
KR102632352B1 (ko) 커패시터 부품
US9362054B2 (en) Multilayer ceramic capacitor
US9589725B2 (en) Multilayer ceramic capacitor, mounting circuit board thereof, and manufacturing method of the same
KR102061505B1 (ko) 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법
KR20190121213A (ko) 세라믹 전자 부품
US10847319B2 (en) Capacitor component
KR102449358B1 (ko) 커패시터 부품
US10840016B2 (en) Capacitor component
US10818435B2 (en) Capacitor component
JP2020120097A (ja) キャパシタ部品及びその製造方法
KR20190136678A (ko) 커패시터 부품
KR102426209B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품
KR102561932B1 (ko) 커패시터 부품
KR20160133184A (ko) 적층형 전자부품
KR20180058034A (ko) 적층형 커패시터
KR20160071610A (ko) 적층세라믹 커패시터 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant