JP2006121087A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の金属箔と、
   前記第１の金属箔を覆って配置された誘電体と、
   第２の金属箔と、
   ２つの対向する表面を有し、前記第２の金属箔を覆って配置された抵抗層であって、前記抵抗層の一方の表面は誘電体層である抵抗層と、
   前記第１の金属箔をエッチングすることにより形成された第１の電極と、
   前記第２の金属箔をエッチングすることにより離間して形成された、第２の電極及び導電性トレースと、
   を備え、
   前記第１の電極、前記誘電体層、及び前記第２の電極がキャパシタを形成し、
   前記抵抗層の対向する表面の少なくとも一部が前記第２の電極及び前記導電性トレースとの両方と接触することにより、抵抗要素が形成され、
   前記抵抗要素が前記誘電体層と接触し、
   前記誘電体層が高誘電率粉体相で充填されたポリマーを含み、
   前記誘電体層が５〜４０の間の誘電率で厚さ８〜２５μｍであり、
   前記誘電体層が前記ポリマー、溶媒、及び第１の金属箔、第２の金属箔又は第１及び第２の金属箔よりも高い高誘電率粉体相を含む誘電スラリーを鋳造することにより形成されており、
   前記キャパシタ及び抵抗要素が少なくとも２つの有機誘電ラミネート層に積層され、有機誘電ラミネート層内に埋め込まれたことを特徴とするデバイス。
2. 前記抵抗要素が前記誘電体と前記第２の電極との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の容量性／抵抗性デバイス。
3. 前記誘電体は、ポリイミドポリマーを含むことを特徴とする請求項１に記載の容量性／抵抗性デバイス。
4. 前記高誘電率粉体相が、チタン酸バリウム、チタン酸バリウム・ストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛、チタン酸マグネシウム鉛、チタン酸カルシウム銅、およびそれらの混合物から選択されることを特徴とする請求項１に記載の容量性／抵抗性デバイス。
5. 少なくとも１つの請求項１に記載のラミネート構造と、
   プリント配線板の上面に配置された少なくとも１つのＩＣデバイスであって、前記容量性／抵抗性デバイスに電気的に結合されるＩＣデバイスと
   を備えたことを特徴とするプリント配線板。