JP2012227133A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012227133A5
JP2012227133A5 JP2012086238A JP2012086238A JP2012227133A5 JP 2012227133 A5 JP2012227133 A5 JP 2012227133A5 JP 2012086238 A JP2012086238 A JP 2012086238A JP 2012086238 A JP2012086238 A JP 2012086238A JP 2012227133 A5 JP2012227133 A5 JP 2012227133A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reflective electrode
light
layer
semi
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012086238A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6172892B2 (ja
JP2012227133A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012086238A priority Critical patent/JP6172892B2/ja
Priority claimed from JP2012086238A external-priority patent/JP6172892B2/ja
Publication of JP2012227133A publication Critical patent/JP2012227133A/ja
Publication of JP2012227133A5 publication Critical patent/JP2012227133A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6172892B2 publication Critical patent/JP6172892B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (11)

  1. 第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して設けられた第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して設けられたＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
    第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して設けられた第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
    第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
    前記第３の発光素子からは、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子よりも波長の長い光が射出されることを特徴とする発光装置。
  2. 第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して設けられた第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して設けられたＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
    第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して設けられた第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
    第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
    前記ＥＬ層は、λＲの波長の光を射出する第１の発光層を含み、
    前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、
    前記第３の発光素子において、前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
  3. 第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して設けられた第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して設けられたＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
    第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して設けられた第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
    第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
    前記ＥＬ層は、λＲ＞λＧ＞λＢなる波長の関係において、λＲの波長の光を射出する第１の発光層、λＧの波長の光を射出する第２の発光層、及びλＢの波長の光を射出する第３の発光層を含み、
    前記第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、
    前記第１の発光素子において、前記第１の反射電極と前記第２の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、前記第１の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、
    前記第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、
    前記第２の発光素子において、前記第２の反射電極と前記第３の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、前記第２の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、
    前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、
    前記第３の発光素子において、前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
  4. 第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して設けられた第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して設けられたＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
    第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して設けられた第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
    第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
    前記ＥＬ層は、λＹの波長の光を射出する第１の発光層を含み、
    前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、
    前記第３の発光素子において、前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
  5. 第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して設けられた第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して設けられたＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
    第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して設けられた第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
    第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
    前記ＥＬ層は、λＲ＞λＹ＞λＧ＞λＢなる波長の関係において、λＹの波長の光を射出する第１の発光層、及びλＢの波長の光を射出する第２の発光層を含み、
    前記第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、
    前記第１の発光素子において、前記第１の反射電極と前記第１の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、前記第１の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、
    前記第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、
    前記第２の発光素子において、前記第２の反射電極と前記第２の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、前記第２の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、
    前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、
    前記第３の発光素子において、前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    前記ＥＬ層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のいずれか一つ、または複数を有することを特徴とする発光装置。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
    前記第１の透明導電層は、前記第２の透明導電層よりも膜厚が厚いことを特徴とする発光装置。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
    前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、及び前記第３の発光素子は、いずれも異なる波長の光を射出することを特徴とする発光装置。
  9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
    前記第１乃至前記第３の反射電極は、同じ材料を含むことを特徴とする発光装置。
  10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電子機器。
  11. 請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする照明装置。
JP2012086238A 2011-04-08 2012-04-05 発光装置、電子機器、および照明装置 Active JP6172892B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012086238A JP6172892B2 (ja) 2011-04-08 2012-04-05 発光装置、電子機器、および照明装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011085922 2011-04-08
JP2011085922 2011-04-08
JP2012086238A JP6172892B2 (ja) 2011-04-08 2012-04-05 発光装置、電子機器、および照明装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012227133A JP2012227133A (ja) 2012-11-15
JP2012227133A5 true JP2012227133A5 (ja) 2015-05-07
JP6172892B2 JP6172892B2 (ja) 2017-08-02

Family

ID=46965403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012086238A Active JP6172892B2 (ja) 2011-04-08 2012-04-05 発光装置、電子機器、および照明装置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US9287332B2 (ja)
JP (1) JP6172892B2 (ja)
KR (1) KR101960759B1 (ja)
CN (2) CN102738409B (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101960759B1 (ko) 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR101980758B1 (ko) * 2012-12-14 2019-08-28 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP6099420B2 (ja) 2013-02-08 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR102113034B1 (ko) * 2013-05-29 2020-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI567972B (zh) * 2013-06-12 2017-01-21 Joled Inc Organic EL display device
KR102050243B1 (ko) * 2013-12-02 2019-11-29 한국전자통신연구원 자발광형 소자 및 반사형 소자를 포함하는 이중모드 화소 및 이를 이용한 이중모드 디스플레이
JP6656817B2 (ja) * 2014-04-25 2020-03-04 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI745740B (zh) * 2014-05-15 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備
US9874775B2 (en) 2014-05-28 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
KR102377360B1 (ko) * 2014-08-08 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치, 표시 장치, 디스플레이 패널, 전자 기기
WO2016020801A1 (en) 2014-08-08 2016-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
US9343691B2 (en) * 2014-08-08 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP2016072250A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2016085968A (ja) * 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
JP2016085969A (ja) 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
WO2016067159A1 (en) 2014-10-28 2016-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, method for manufacturing the same, module, data processing device
KR102381626B1 (ko) 2014-12-17 2022-04-01 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN104681736A (zh) * 2015-02-10 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种oled单元及其制造方法、显示面板
KR102623039B1 (ko) 2015-05-15 2024-01-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치
JP2017059537A (ja) * 2015-09-17 2017-03-23 Cbc株式会社 白色発光有機ｅｌ照明装置
JP7056964B2 (ja) * 2016-12-02 2022-04-19 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド 放射領域上に配置された導電性コーティングを含むデバイスおよびそのための方法
CN109119438B (zh) * 2017-06-26 2020-11-24 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
JP2019061927A (ja) * 2017-09-28 2019-04-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6843727B2 (ja) * 2017-10-20 2021-03-17 株式会社Ｊｏｌｅｄ 発光装置
KR102468318B1 (ko) * 2017-12-27 2022-11-16 엘지디스플레이 주식회사 마이크로 캐비티 구조를 갖는 고 개구율 마이크로 표시장치
CN108511628B (zh) 2018-05-16 2021-03-02 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光装置
CN108878467A (zh) * 2018-06-27 2018-11-23 马远博 一种自发光式生物特征识别成像传感器及其制备方法
CN108963108B (zh) * 2018-08-01 2020-06-26 京东方科技集团股份有限公司 一种电极及其制作方法、发光器件和显示装置
CN110165070B (zh) * 2018-12-14 2021-04-23 合肥视涯显示科技有限公司 Oled阳极的制作方法及oled显示装置的制作方法
CN109686768B (zh) * 2018-12-25 2021-04-30 武汉天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
JP6900961B2 (ja) * 2019-02-28 2021-07-14 セイコーエプソン株式会社 画像表示装置および虚像表示装置
CN114097102B (zh) 2019-06-26 2023-11-03 Oti照明公司 包括具有光衍射特征的光透射区域的光电设备
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
US20220278299A1 (en) 2019-08-09 2022-09-01 Oti Lumionics Inc. Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition
CN114107746B (zh) * 2020-08-26 2022-09-16 宝山钢铁股份有限公司 一种高性能宽幅6xxx铝合金板带及其制造方法
CN114107748B (zh) * 2020-08-26 2022-09-16 宝山钢铁股份有限公司 一种颗粒增强6xxx铝合金板带及其制备方法
CN114107747B (zh) * 2020-08-26 2022-09-20 宝山钢铁股份有限公司 一种喷射铸轧高性能6xxx铝合金薄带的制备方法
KR20220096979A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN113178464B (zh) * 2021-04-08 2024-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光显示面板及显示装置

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2797883B2 (ja) 1993-03-18 1998-09-17 株式会社日立製作所 多色発光素子とその基板
JP2001043980A (ja) 1999-07-29 2001-02-16 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
GB2353400B (en) 1999-08-20 2004-01-14 Cambridge Display Tech Ltd Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus
TW478019B (en) 1999-10-29 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Self light-emitting device
US6680570B2 (en) 2001-03-21 2004-01-20 Agilent Technologies, Inc. Polymer organic light emitting device with improved color control
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2004079421A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US7158161B2 (en) 2002-09-20 2007-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
JP4526776B2 (ja) 2003-04-02 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電子機器
US7030553B2 (en) 2003-08-19 2006-04-18 Eastman Kodak Company OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel
JP4453316B2 (ja) 2003-09-19 2010-04-21 ソニー株式会社 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置
EP3413369A1 (en) * 2003-09-19 2018-12-12 Sony Corporation Organic light emitting display
JP4476594B2 (ja) 2003-10-17 2010-06-09 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4243237B2 (ja) 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機ｅｌ素子、有機太陽電池、及び、有機ｆｅｔ構造、並びに、有機素子の製造方法
JP2005317506A (ja) 2004-03-31 2005-11-10 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US7129634B2 (en) 2004-04-07 2006-10-31 Eastman Kodak Company Color OLED with added color gamut pixels
US7192659B2 (en) 2004-04-14 2007-03-20 Eastman Kodak Company OLED device using reduced drive voltage
CN100505967C (zh) * 2004-04-21 2009-06-24 出光兴产株式会社 有机电致发光显示装置
KR20070017360A (ko) * 2004-04-21 2007-02-09 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전계 발광 표시 장치
TWI272039B (en) 2004-06-18 2007-01-21 Sanyo Electric Co Electroluminescence panel
JP4731211B2 (ja) 2004-06-18 2011-07-20 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンスパネル
US7554265B2 (en) 2004-06-25 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006295104A (ja) 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
EP1624502B1 (en) 2004-08-04 2015-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, and electronic appliance
EP1820372B1 (en) 2004-09-24 2016-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
EP1803172B1 (en) 2004-09-24 2017-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
JP4879541B2 (ja) 2004-09-29 2012-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
CN100565963C (zh) 2004-09-30 2009-12-02 株式会社半导体能源研究所 发光元件
KR101210858B1 (ko) 2004-11-05 2012-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 이를 이용하는 발광 장치
CN100573963C (zh) 2004-11-05 2009-12-23 株式会社半导体能源研究所 发光元件和使用它的发光器件
US8633473B2 (en) 2004-12-28 2014-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. High contrast light emitting device and method for manufacturing the same
JP4939809B2 (ja) 2005-01-21 2012-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7271537B2 (en) 2005-04-15 2007-09-18 Sony Corporation Display device and a method of manufacturing the display device
US8269227B2 (en) 2005-06-09 2012-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
JP2007011063A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007242498A (ja) * 2006-03-10 2007-09-20 Canon Inc 有機ｅｌ素子およびアレイ
CN101271869B (zh) 2007-03-22 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 发光器件的制造方法
US8513678B2 (en) * 2007-05-18 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP2009043466A (ja) 2007-08-07 2009-02-26 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置および電子機器
JP2009117500A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Canon Inc 有機ｅｌ素子
JP4450051B2 (ja) * 2007-11-13 2010-04-14 ソニー株式会社 表示装置
JP2009266459A (ja) 2008-04-23 2009-11-12 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置および電子機器
JP2009266524A (ja) 2008-04-24 2009-11-12 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
JP2010003577A (ja) 2008-06-20 2010-01-07 Canon Inc 積層型発光表示装置
JP5759669B2 (ja) * 2008-12-01 2015-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
KR101058109B1 (ko) 2009-09-15 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101386828B1 (ko) 2009-09-29 2014-04-17 파나소닉 주식회사 발광 소자 및 그것을 이용한 표시 장치
JP5676867B2 (ja) 2009-09-29 2015-02-25 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5418144B2 (ja) 2009-10-23 2014-02-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
JP2011108899A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Seiko Epson Corp 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
JP5407907B2 (ja) 2010-01-29 2014-02-05 ソニー株式会社 発光素子、照明装置および表示装置
JP5407910B2 (ja) 2010-01-29 2014-02-05 ソニー株式会社 発光装置、照明装置および表示装置
KR101894898B1 (ko) 2011-02-11 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
KR101880183B1 (ko) 2011-02-11 2018-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 표시 장치
US8957442B2 (en) 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
TWI563873B (en) 2011-02-11 2016-12-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting element, light-emitting device, and display device
KR20120106568A (ko) * 2011-03-18 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
KR101960759B1 (ko) * 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012227133A5 (ja)
JP2013219347A5 (ja)
JP2018190702A5 (ja) 表示装置
JP2012212670A5 (ja) 発光素子、発光装置および照明装置
JP2012238589A5 (ja) 発光素子
JP2015057770A5 (ja)
JP2015187982A5 (ja) 発光装置、電子機器、および照明装置
JP2013016816A5 (ja)
JP2012182125A5 (ja)
JP2015232993A5 (ja)
JP2020517041A5 (ja)
JP2008135373A5 (ja)
JP2013051201A5 (ja) 発光装置
JP2012234825A5 (ja)
JP2016157944A5 (ja)
IN2014CN04207A (ja)
JP2010198415A5 (ja)
JP2018142535A5 (ja) 表示装置
JP2012182126A5 (ja)
JP2007043104A5 (ja)
EP2487719A3 (en) Light-emitting device and display device
JP2014007402A5 (ja)
JP2016157691A5 (ja)
JP2012253013A5 (ja) 発光素子
JP2012033510A5 (ja) 発光装置