CN113178464B - 有机发光显示面板及显示装置 - Google Patents
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- CN113178464B CN113178464B CN202110375048.0A CN202110375048A CN113178464B CN 113178464 B CN113178464 B CN 113178464B CN 202110375048 A CN202110375048 A CN 202110375048A CN 113178464 B CN113178464 B CN 113178464B
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 39
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 5
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 5
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(4-methylphenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 YWKKLBATUCJUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 3
- ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N n-[4-(4-aminophenyl)phenyl]naphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 ZTLUNQYQSIQSFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003349 3-pyridyl group Chemical group N1=C([H])C([*])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 580
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 9
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- LGSHLJZZLIZNHC-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis(2,4-difluorophenyl)pyridine Chemical compound FC1=CC=C(C(=C1)F)C=1C(=NC=CC1)C1=CC=C(C=C1F)F LGSHLJZZLIZNHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- KPCZJLGGXRGYIE-UHFFFAOYSA-N [C]1=CC=CN=C1 Chemical group [C]1=CC=CN=C1 KPCZJLGGXRGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical class [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Abstract
本申请实施例公开了一种有机发光显示面板及显示装置，包括阳极层、发光层和阴极层，其中，发光层包括腔长调节层以及与腔长调节层对应设置的像素发光层，像素发光层包括依次横向排列的第一像素发光层、第二像素发光层和第三像素发光层，腔长调节层包括依次横向排列的第一腔长调节层、第二腔长调节层和第三腔长调节层。通过调节第一腔长调节层的厚度，可以降低第一像素发光层的启亮电压，使之不足以启亮第二像素发光层和第三像素发光层。从而使第二像素发光层和第三像素发光层不会通过侧向漏电被带亮，避免了低灰阶色偏现象的发生，提高了有机发光显示面板的良率。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种有机发光显示面板及显示装置。
背景技术
目前，随着科学技术水平的进步，柔性有机发光半导体(Organic Light EmittingDiode，OLED)显示屏幕被应用到越来越多的消费电子领域，如手机、平板、车载中控、电子标签、智能音响等科技产品，其应用边界不断扩展，应用潜力不断被挖掘。但是，伴随着消费者对显示品质的追求不断提升，也反映和暴露出一些问题。
其中，由于OLED属于半导体发光器件，其子像素在满足一定电压的条件下就会被启亮发光。因此当一种颜色的子像素发光时，其他颜色子像素可能会侧向漏电而被带亮。从而在显示低灰阶静态画面时出现色不纯，色偏严重，色域覆盖降低等问题，严重影响了用户体验。
因此，怎么解决现有的有机发光显示面板存在的低灰阶色偏的技术问题是现有面板厂家需要努力攻克的难关。
发明内容
本申请实施例提供一种有机发光显示面板及显示装置，可以解决现有的有机发光显示面板存在的低灰阶色偏的技术问题。
本申请实施例提供一种有机发光显示面板，包括：
阳极层，所述阳极层包括依次层叠设置的第一透明阳极层、金属层以及第二透明阳极层；
发光层，所述发光层包括腔长调节层以及与所述腔长调节层对应设置的像素发光层，所述腔长调节层设置在所述第二透明阳极层远离所述第一透明阳极层的一面上，所述像素发光层设置在所述腔长调节层远离所述第二透明阳极层的一面上，所述像素发光层包括依次横向排列的第一像素发光层、第二像素发光层和第三像素发光层，所述腔长调节层包括依次横向排列的第一腔长调节层、第二腔长调节层和第三腔长调节层；其中，
所述第一像素发光层的发光中心与所述金属层靠近所述第二透明阳极层的一面的距离为第一距离，所述第二像素发光层的发光中心与所述金属层靠近所述第二透明阳极层的一面的距离为第二距离，所述第三像素发光层的发光中心与所述金属层靠近所述第二透明阳极层的一面的距离为第三距离，所述第一距离与所述第一像素发光层波长的比值小于所述第二距离与所述第二像素发光层波长的比值，所述第一距离与所述第一像素发光层波长的比值小于所述第三距离与所述第三像素发光层波长的比值，所述第二距离与所述第二像素发光层波长的比值等于所述第三距离与所述第三像素发光层波长的比值；
阴极层，所述阴极层设置在所述发光层远离所述阳极层的一面上。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层还包括透光层，所述透光层包括第一透光层和第二透光层，所述第一透光层与所述第二腔长调节层相对设置，所述第一透光层设置在所述第二腔长调节层靠近所述第二透明阳极层的一面上，所述第二透光层与所述第三腔长调节层相对设置，所述第二透光层设置在所述第三腔长调节层靠近所述第二透明阳极层的一面上。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一距离与所述第一像素发光层波长的比值为四分之一，所述第二距离与所述第二像素发光层波长的比值为四分之三，所述第三距离与所述第三像素发光层波长的比值为四分之三。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一像素发光层为绿色像素发光层，所述第二像素发光层为红色像素发光层，所述第三像素发光层为蓝色像素发光层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一像素发光层为红色像素发光层，所述第二像素发光层为绿色像素发光层，所述第三像素发光层为蓝色像素发光层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一像素发光层为蓝色像素发光层，所述第二像素发光层为红色像素发光层，所述第三像素发光层为绿色像素发光层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一距离与所述第一像素发光层波长的比值为四分之三，所述第二距离与所述第二像素发光层波长的比值为四分之五，所述第三距离与所述第三像素发光层波长的比值为四分之五。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层还包括像素定义层，所述像素定义层设置在所述第二透明阳极层远离金属层的一面上，所述像素定义层填充所述腔长调节层的间隔和所述像素发光层的间隔，且所述像素定义层远离所述阳极层的一面与所述像素发光层远离所述阳极层的一面平齐。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述像素发光层的材料为有机小分子发光材料，所述像素发光层的厚度为20纳米至50纳米。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述有机发光显示面板还包括电子传输层，所述电子传输层设置在所述阴极层和所述发光层之间。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述电子传输层的材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶中的一种或多种的组合。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阴极层的材料为镱、钙、镁、银、银镁合金中的一种或多种的组合，所述阴极层的厚度为8纳米至20纳米。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述腔长调节层的材料为4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]中的一种或多种的组合，所述腔长调节层的厚度为20纳米至180纳米。
本申请实施例提供一种显示装置，所述显示装置包括上述所述的有机发光显示面板。
在本申请实施例提供的有机发光显示面板及显示装置中，通过使第一距离与第一像素发光层波长的比值小于第二距离与第二像素发光层波长的比值，第一距离与第一像素发光层波长的比值小于第三距离与第三像素发光层波长的比值，第二距离与第二像素发光层波长的比值等于第三距离与第三像素发光层波长的比值，可以降低第一像素发光层的启亮电压。这样，在第一像素发光层发光时，虽然第一像素发光层也会向第二像素发光层和第三像素发光层漏电；但是，由于第一像素发光层的启亮电压太低，不足以启亮第二像素发光层和第三像素发光层。从而使第二像素发光层和第三像素发光层不会通过侧向漏电被带亮，避免了低灰阶色偏现象的发生，提高了有机发光显示面板的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的有机发光显示面板的第一结构示意图。
图2为本申请实施例提供的有机发光显示面板的第二结构示意图。
图3为本申请实施例提供的有机发光显示面板的第三结构示意图。
图4为本申请实施例提供的有机发光显示面板的第四结构示意图。
图5为本申请实施例提供的有机发光显示面板的第五结构示意图。
图6为本申请实施例提供的有机发光显示面板的第六结构示意图。
图7为本申请实施例提供的有机发光显示面板的第七结构示意图。
图8为本申请实施例提供的有机发光显示面板的第八结构示意图。
图9为本申请实施例提供的有机发光显示面板的第九结构示意图。
图10为本申请实施例提供的有机发光显示面板的第十结构示意图。
图11为本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。
本申请实施例提供一种有机发光显示面板及显示装置。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
具体的，请参阅图1，图1为本申请实施例提供的有机发光显示面板10的第一结构示意图，本申请实施例提供的有机发光显示面板10包括阳极层101、发光层102和阴极层103。其中，阳极层101包括依次层叠设置的第一透明阳极层1011、金属层1012以及第二透明阳极层1013。发光层102包括腔长调节层1021以及与腔长调节层1021对应设置的像素发光层1022，腔长调节层1021设置在第二透明阳极层1013远离第一透明阳极层1011的一面上，像素发光层1022设置在腔长调节层1021远离第二透明阳极层1013的一面上。像素发光层1022包括依次横向排列的第一像素发光层1022b、第二像素发光层1022a和第三像素发光层1022c，腔长调节层1021包括依次横向排列的第一腔长调节层1021b、第二腔长调节层1021a和第三腔长调节层1021c。阴极层103设置在发光层102远离所述阳极层101的一面上。
其中，第一像素发光层1022b的发光中心与金属层1012靠近第二透明阳极层1013的一面的距离为第一距离L3，第二像素发光层1022a的发光中心与金属层1012靠近第二透明阳极层1013的一面的距离为第二距离L1，第三像素发光层1022c的发光中心与金属层1012靠近第二透明阳极层1013的一面的距离为第三距离L2，第一距离L3与第一像素发光层1022b波长的比值小于第二距离L1与第二像素发光层1022a波长的比值，第一距离L3与第一像素发光层1022b波长的比值小于第三距离L2与第三像素发光层1022c波长的比值，第二距离L1与第二像素发光层1022a波长的比值等于第三距离L2与第三像素发光层1022c波长的比值。
其中，需要说明的，在适当的激发条件下，固体中产生发光的原子或原子团称为发光中心。发光中心为发光体中被激发的电子跃迁回基态(或与空穴复合)发射出光子的特定中心。具体地说，发光体吸收外界的能量以后，经过传输、转换等一系列过程，最后以光的形式发射出来。光的发射对应着电子在某些能级之间的跃迁。如果所涉及的能级是属于一定的离子、离子团或分子时，这种离子、离子团或分子就称为发光中心。发光中心可以为组成基质的离子、离子团或掺入的杂质。
其中，需要说明的，有机发光显示面板10属于半导体发光器件，因此，像素发光层1022需要在满足一定电压的条件下才能启亮发光，这个电压称之为像素发光层1022的启亮电压。而像素发光层1022的启亮电压与像素发光层1022的发光中心到金属层1012靠近第二透明阳极层1013的一面的距离以及像素发光层1022的波长有关；像素发光层1022的发光中心到金属层1012靠近第二透明阳极层1013的一面的距离与像素发光层1022的波长的比值越小，像素发光层1022的启亮电压越低。
其中，通过使第一距离L3与第一像素发光层1022b波长的比值小于第二距离L1与第二像素发光层1022a波长的比值，第一距离L3与第一像素发光层1022b波长的比值小于第三距离L2与第三像素发光层1022c波长的比值，第二距离L1与第二像素发光层1022a波长的比值等于第三距离L2与第三像素发光层1022c波长的比值，可以降低第一像素发光层1022b的启亮电压。这样，在第一像素发光层1022b发光时，虽然第一像素发光层1022b也会向第二像素发光层1022a和第三像素发光层1022c漏电；但是，由于第一像素发光层1022b的启亮电压太低，不足以启亮第二像素发光层1022a和第三像素发光层1022c。从而使第二像素发光层1022a和第三像素发光层1022c不会通过侧向漏电被带亮，避免了低灰阶色偏现象的发生，提高了有机发光显示面板10的良率。
其中，金属层1012为全反射层，金属层1012具备全反射效应。全反射是一种光学现象，具体地说，全反射指的是当光线从较高折射率的介质进入到较低折射率的介质时，如果入射角大于某一临界角时，折射光线将会消失，所有的入射光线将被反射而不进入低折射率的介质的现象。金属层1012的材料为金属银，金属层1012的材料也可以选用其他具备全反射性质的金属。金属层1012选用的具备全反射性质的金属材料由有机发光显示面板10具体的工艺需求所确定。
其中，需要说明的，有机发光显示面板10通常采用真空蒸镀法配合精细掩模板制备；因此，在半透明的阴极层103和具有全反射效应的金属层1012之间会形成一个光学微腔。而光子在光学微腔中来回反射，会形成某些固定波长光线强度增强，某些波长光线减弱的光学微腔效应。利用这种效应可以增强出射光的色饱和度和器件发光效率。
其中，法布里微腔光学共振公式(1.1)和公式(1.2)如下所示：
其中，公式(1.1)表示阳极层101的全反射层与阴极层103之间的微腔长度为半波长的整数m倍，公式(1.2)表示阳极层101的全反射层与像素发光层1022的发光中心之间的距离为半波长的(m-1/2)倍。L指阳极层101与阴极层103之间的光学长度，L1指像素发光层1022的发光中心到阳极层101的光学长度；φ1和φ2分别指阳极层101和阴极层103界面反射造成的相位差；和/>分别指阳极层101和阴极层103界面反射形成的光程。
其中，需要说明的，由法布里微腔光学共振公式(1.1)和公式(1.2)可知，像素发光层1022的发光中心到金属层1012靠近第二透明阳极层1013的一面的距离为像素发光层1022的半波长的整数倍。
其中，第一距离L3为第一像素发光层1022b半波长的一倍，第一距离L3与第一像素发光层1022b波长的比值为四分之一；第二距离L1为第二像素发光层1022a半波长的三倍，第二距离L1与第二像素发光层1022a波长的比值为四分之三；第三距离L2为第三像素发光层1022c半波长的三倍，第三距离L2与第三像素发光层1022c波长的比值为四分之三。
其中，像素发光层1022的发光中心到金属层1012靠近第二透明阳极层1013的一面的距离越短，在半透明的阴极层103和具有全反射效应的金属层1012之间形成的光学微腔能量越强，像素发光层1022的发光效率最高。
因此，使第一距离L3为第一像素发光层1022b半波长的一倍、第二距离L1为第二像素发光层1022a半波长的三倍以及第三距离L2为第三像素发光层1022c半波长的三倍。此时第一像素发光层1022b为第一微腔结构，第二像素发光层1022a和第三像素发光层1022c为第二微腔结构。不仅可以避免低灰阶色偏现象的发生，还可以提高像素发光层1022的发光效率，从而提高了有机发光显示面板10的良率。
在现有的有机发光显示面板中，第一距离L3为第一像素发光层1022b半波长的三倍、第二距离L1为第二像素发光层1022a半波长的三倍以及第三距离L2为第三像素发光层1022c半波长的三倍。此时第一像素发光层1022b、第二像素发光层1022a和第三像素发光层1022c均为第二微腔结构。
请参阅表1，表1为现有的有机发光显示面板与本申请实施例提供的有机发光显示面板10的性能对比表。
表1
其中，通过表1可知，本申请实施例提供的有机发光显示面板10与现有的有机发光显示面板相比。本申请实施例提供的有机发光显示面板10的第一像素发光层的启亮电压更低，低灰阶色偏更不明显。
因此，通过使第一像素发光层1022b为第一微腔结构，第二像素发光层1022a和第三像素发光层1022c为第二微腔结构。可以降低第一像素发光层1022b的启亮电压，从而避免低灰阶色偏现象的发生。还可以提高像素发光层1022的发光效率，从而提高了有机发光显示面板10的良率。
其中，像素发光层1022的材料为有机小分子发光材料，像素发光层1022的材料可以为8-羟基喹啉铝、三(2-苯基吡啶)合铱、联苯乙炔芳基衍生物、苯乙烯衍生物、香豆素衍生物、双(4,6-二氟苯基)吡啶C2，N]甲酰合铱中的一种。像素发光层1022的具体材料由有机发光显示面板10具体的工艺需求所确定。
其中，需要说明的，采用有机小分子发光材料作为像素发光层1022的材料，在蒸镀形成像素发光层1022时，不会发生针孔现象，容易获得极平滑的膜层。而且，采用有机小分子发光材料形成的像素发光层1022，不仅耐热性高，而且载流子传输性能良好。
其中，像素发光层1022的厚度为20纳米至50纳米，具体地，像素发光层1022的厚度为20纳米、22纳米、24纳米、27纳米、30纳米、35纳米、40纳米或50纳米，其中，像素发光层1022的具体厚度由有机发光显示面板10具体的工艺需求进行设置。
其中，阴极层103的材料可以为镱、钙、镁、银、银镁合金中的一种或多种的组合。其中，阴极层103的具体材料由有机发光显示面板10具体的工艺需求所确定。
其中，需要说明的，为了提高阴极层103的电子注入效率，需要尽可能地降低注入能垒，因而需要要求阴极层103的金属逸出功要尽可能地低。而阴极层103采用的材料功函数越低，阴极层103的金属逸出功也就越低。因此，阴极层103采用功函数较低的材料，可以提高阴极层103的电子注入效率。但是，功函数较低的材料相对比较活泼，容易受到周围环境的影响而发生化学反应，从而导致器件失效。
因此，当采用银镁合金作为阴极层103的材料，能够在不导致器件失效的前提下，尽可能地提高了阴极层103的电子注入效率。其中，在阴极层103所采用的银镁合金材料中，金属银和金属镁的摩尔比为7:1、8:1、8.5:1、10:1、12:1或15:1，当金属银和金属镁的摩尔比为10:1时，阴极层103所能达到的效果更好。
其中，阴极层103的厚度为8纳米至20纳米，具体地，阴极层103的厚度为8纳米、9纳米、10纳米、12纳米、14纳米、17纳米或20纳米，其中，阴极层103的具体厚度由有机发光显示面板10具体的工艺需求进行设置。
其中，腔长调节层1021的材料为空穴型有机小分子材料，腔长调节层1021的材料可以为4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]中的一种或多种的组合。其中，腔长调节层1021的具体材料由有机发光显示面板10具体的工艺需求所确定。
其中，腔长调节层1021的厚度为20纳米至180纳米，具体地，腔长调节层1021的厚度为20纳米、30纳米、40纳米、60纳米、80纳米、130纳米或180纳米，其中，腔长调节层1021的具体厚度由有机发光显示面板10具体的工艺需求进行设置。
其中，需要说明的，通过改变腔长调节层1021的厚度可以调节像素发光层102的发光中心到金属层1012靠近第二透明阳极层1013的一面的距离。从而避免了低灰阶色偏现象的发生，提高了有机发光显示面板10的良率。另外，腔长调节层1021还可以用于传输空穴，便于空穴与电子在像素发光层102复合发光。
具体的，请参阅图2，图2为本申请实施例提供的有机发光显示面板10的第二结构示意图，图2提供的有机发光显示面板10与图1提供的有机发光显示面板10的区别在于：发光层102还包括透光层1023，透光层1023包括第一透光层1023a和第二透光层1023b，第一透光层1023a与第二腔长调节层1021a相对设置，第一透光层1023a设置在第二腔长调节层1021a靠近第二透明阳极层1013的一面上，第二透光层1023b与第三腔长调节层1021c相对设置，第二透光层1023b设置在第三腔长调节层1021c靠近第二透明阳极层1013的一面上。
其中，需要说明的，在阳极层101上二次沉积形成第一透光层1023a和第二透光层1023b，使第一透光层1023a和第二透光层1023b成为发光层102的微腔中的一部分，从而可以降低第二腔长调节层1021a和第三腔长调节层1021c的材料消耗量，降低有机发光显示面板10的成本。
具体的，请参阅图3，图3为本申请实施例提供的有机发光显示面板10的第三结构示意图，图3提供的有机发光显示面板10与图1提供的有机发光显示面板10的区别在于：第一像素发光层1022b为绿色像素发光层，第二像素发光层1022a为红色像素发光层，第三像素发光层1022c为蓝色像素发光层。
其中，通过使第一距离L3与绿色像素发光层波长的比值小于第二距离L1与红色像素发光层波长的比值，第一距离L3与绿色像素发光层波长的比值小于第三距离L2与蓝色像素发光层波长的比值，第二距离L1与红色像素发光层波长的比值等于第三距离L2与蓝色像素发光层波长的比值，可以降低绿色像素发光层的启亮电压。这样，在绿色像素发光层发光时，虽然绿色像素发光层也会向红色像素发光层和蓝色像素发光层漏电；但是，由于绿色像素发光层的启亮电压太低，不足以启亮红色像素发光层和蓝色像素发光。从而使红色像素发光层和蓝色像素发光层不会通过侧向漏电被带亮，避免了低灰阶色偏现象的出现，提高了有机发光显示面板10的良率。
具体的，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的有机发光显示面板10的第四结构示意图，图4提供的有机发光显示面板10与图3提供的有机发光显示面板10的区别在于：第一像素发光层1022b为红色像素发光，第二像素发光层1022a为绿色像素发光层，第三像素发光层1022c为蓝色像素发光层。
其中，通过使第一距离L3与红色像素发光层波长的比值小于第二距离L1与绿色像素发光层波长的比值，第一距离L3与红色像素发光层波长的比值小于第三距离L2与蓝色像素发光层波长的比值，第二距离L1与绿色像素发光层波长的比值等于第三距离L2与蓝色像素发光层波长的比值，可以降低红色像素发光层的启亮电压。这样，在红色像素发光层发光时，虽然红色像素发光层也会向绿色像素发光层和蓝色像素发光层漏电；但是，由于红色像素发光层的启亮电压太低，不足以启亮绿色像素发光层和蓝色像素发光层。从而使绿色像素发光层和蓝色像素发光层不会通过侧向漏电被带亮，避免了低灰阶色偏现象的出现，提高了有机发光显示面板10的良率。
具体的，请参阅图5，图5为本申请实施例提供的有机发光显示面板10的第五结构示意图，图5提供的有机发光显示面板10与图3提供的有机发光显示面板10的区别在于：第一像素发光层1022b为蓝色像素发光层，第二像素发光层1022a为红色像素发光层，第三像素发光层1022c为绿色像素发光层。
其中，通过使第一距离L3与蓝色像素发光层波长的比值小于第二距离L1与红色像素发光层波长的比值，第一距离L3与蓝色像素发光层波长的比值小于第三距离L2与绿色像素发光层波长的比值，第二距离L1与红色像素发光层波长的比值等于第三距离L2与绿色像素发光层波长的比值，可以降低蓝色像素发光层的启亮电压。这样，在蓝色像素发光层发光时，虽然蓝色像素发光层也会向红色像素发光层和绿色像素发光层漏电；但是，由于蓝色像素发光层的启亮电压太低，不足以启亮红色像素发光层和绿色像素发光层。从而使红色像素发光层和绿色像素发光层不会通过侧向漏电被带亮，避免了低灰阶色偏现象的出现，提高了有机发光显示面板10的良率。
具体的，请参阅图6，图6为本申请实施例提供的有机发光显示面板10的第六结构示意图，图6提供的有机发光显示面板10与图1提供的有机发光显示面板10的区别在于：第一距离L3与第一像素发光层1022b波长的比值为四分之三，第二距离L1与第二像素发光层1022a波长的比值为四分之五，第三距离L2与第三像素发光层1022c波长的比值为四分之五。
其中，需要说明的，由法布里微腔光学共振公式(1.1)和公式(1.2)可知，像素发光层102的发光中心到金属层1012靠近第二透明阳极层101的一面的距离为像素发光层102的半波长的整数倍。第一距离L3为第一像素发光层1022b半波长的三倍；第二距离L1为第二像素发光层1022a半波长的五倍；第三距离L2为第三像素发光层1022c半波长的五倍。
其中，需要说明的，通过使第一距离L3与第一像素发光层1022b波长的比值为四分之三，第二距离L1与第二像素发光层1022a波长的比值为四分之五，第三距离L2与第三像素发光层1022c波长的比值为四分之五，可以降低第一像素发光层1022b的启亮电压。这样，在第一像素发光层1022b发光时，虽然第一像素发光层1022b也会向第二像素发光层1022a和第三像素发光层1022c漏电；但是，由于第一像素发光层1022b的启亮电压太低，不足以启亮第二像素发光层1022a和第三像素发光层1022c。从而使第二像素发光层1022a和第三像素发光层1022c不会通过侧向漏电被带亮，避免了低灰阶色偏现象的发生，提高了有机发光显示面板10的良率。
具体的，请参阅图7，图7为本申请实施例提供的有机发光显示面板10的第七结构示意图，图7提供的有机发光显示面板10与图1提供的有机发光显示面板10的区别在于：发光层102还包括像素定义层1024，像素定义层1024设置在第二透明阳极层1013远离金属层1012的一面上，像素定义层1024填充腔长调节层1021的间隔和像素发光层1022的间隔，且像素定义层1024远离阳极层101的一面与像素发光层1022远离阳极层101的一面平齐。
其中，像素定义层1024的材料为有机材料，主要是为了隔绝不同的像素发光层1022，防止发生颜色串扰的现象。
具体的，请参阅图8，图8为本申请实施例提供的有机发光显示面板10的第八结构示意图，图8提供的有机发光显示面板10与图1提供的有机发光显示面板10的区别在于：有机发光显示面板10还包括电子传输层104，电子传输层104设置在阴极层103和发光层102之间。
其中，电子传输层104的材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶中的一种或多种的组合。其中，电子传输层104的具体材料由有机发光显示面板10具体的工艺需求所确定。
其中，电子传输层104的厚度为20纳米至80纳米，具体地，电子传输层104的厚度为20纳米、25纳米、30纳米、40纳米、50纳米、65纳米或80纳米，其中，电子传输层104的具体厚度由有机发光显示面板10具体的工艺需求进行设置。
其中，电子传输层104主要用于传输电子，以使电子和空穴在像素发光层102复合发光。
具体的，请参阅图9，图9为本申请实施例提供的有机发光显示面板10的第九结构示意图，图9提供的有机发光显示面板10与图7提供的有机发光显示面板10的区别在于：有机发光显示面板10还包括基板105、有机层106、第一介电层107、第二介电层108、平坦层109、半导体层110、第一栅极层111、第二栅极层112和源漏极层113。
其中，半导体层110间隔设置在基板105上。有机层106设置在半导体层110远离基板105的一面上，且有机层106的两端延伸至基板105靠近半导体层110的一面上，并覆盖半导体层110。有机层106还用作半导体层110的绝缘层，使半导体层110与其他膜层隔绝。
其中，第一栅极层111间隔设置在有机层106远离基板105的一面上，且第一栅极层111与半导体层110对应设置。第一介电层107设置在第一栅极层111远离基板105的一面上，且第一介电层107的两端延伸至有机层106靠近第一栅极层111的一面上，并覆盖第一栅极层111。第一介电层107还用作第一栅极层111的绝缘层，使第一栅极层111与其他膜层隔绝。
其中，第二栅极层112间隔设置在第一介电层107远离基板105的一面上，且第二栅极层112与半导体层110对应设置。第二介电层108设置在第二栅极层112远离基板105的一面上，且第二介电层108的两端延伸至第一介电层107靠近第二栅极层112的一面上，并覆盖第二栅极层112。第二介电层108还用作第二栅极层112的绝缘层，使第二栅极层112与其他膜层隔绝。
其中，源漏极层113间隔设置在第二介电层108远离基板105的一面上。源漏极层113远离基板105的一面上设置有平坦层109。
其中，源漏极层113靠近基板105的一面上设置有第一通孔113a，第一通孔113a依次贯穿第二介电层108、第一介电层107和有机层106至半导体层110远离基板105的一面上。源漏极层113经第一通孔113a与半导体层110连接。
其中，源漏极层113远离基板105的一面上设置有第二通孔113b，第二通孔113b贯穿平坦层109至阳极层101靠近基板105的一面上。源漏极层113经第二通孔113b与阳极层101连接。
具体的，请参阅图10，图10为本申请实施例提供的有机发光显示面板10的第十结构示意图，图10提供的有机发光显示面板10与图9提供的有机发光显示面板10的区别在于：发光层102还包括透光层1023，透光层1023包括第一透光层1023a和第二透光层1023b，第一透光层1023a与第一像素发光层1022b相对设置，第一透光层1023a设置在第一像素发光层1022b靠近阳极层101的一面上，第二透光层1023b与第三像素发光层1022c相对设置，第二透光层1023b设置在第三像素发光层1022c靠近阳极层101的一面上。
在本申请提供的有机发光显示面板中，通过使第一距离与第一像素发光层波长的比值小于第二距离与第二像素发光层波长的比值，第一距离与第一像素发光层波长的比值小于第三距离与第三像素发光层波长的比值，第二距离与第二像素发光层波长的比值等于第三距离与第三像素发光层波长的比值，可以降低第一像素发光层的启亮电压。这样，在第一像素发光层发光时，虽然第一像素发光层也会向第二像素发光层和第三像素发光层漏电；但是，由于第一像素发光层的启亮电压太低，不足以启亮第二像素发光层和第三像素发光层。从而使第二像素发光层和第三像素发光层不会通过侧向漏电被带亮，避免了低灰阶色偏现象的发生，提高了有机发光显示面板的良率。
相应的，本申请实施例提供了一种有机发光显示面板的制备方法。
请参阅图11，图11为本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法的流程示意图，本申请实施例提供的有机发光显示面板的制备方法包括：
201、提供阳极层，阳极层包括依次层叠设置的第一透明阳极层、金属层以及第二透明阳极层。
202、在阳极层上形成腔长调节层。
其中，腔长调节层是采用金属精细掩模板，真空蒸镀沉积形成。腔长调节层包括依次横向排列的第一腔长调节层、第二腔长调节层和第三腔长调节层。
203、在腔长调节层上形成与之对应设置的像素发光层。
其中，像素发光层包括依次横向排列的第一像素发光层、第二像素发光层和第三像素发光层。像素发光层也是通过蒸镀工艺形成。
其中，腔长调节层和像素发光层共同构成有机发光显示面板的发光层。
204、在像素发光层上形成电子传输层。
其中，电子传输层也是通过蒸镀工艺形成。
205、在电子传输层上形成阴极层。
其中，阴极层也是通过蒸镀工艺形成。
相应的，本申请实施例还提供了另一种有机发光显示面板的制备方法，本申请实施例提供的另一种有机发光显示面板的制备方法，包括：
301、提供阳极层，阳极层包括依次层叠设置的第一透明阳极层、金属层以及第二透明阳极层。
302、在阳极层上设置第一透光层和第二透光层。
其中，第一透光层和第二透光层是通过沉积工艺形成。
303、在第一透光层和第二透光层上形成腔长调节层。
其中，腔长调节层是采用金属精细掩模板，真空蒸镀沉积形成。腔长调节层包括依次横向排列的第一腔长调节层、第二腔长调节层和第三腔长调节层。第二腔长调节层与第一透光层对应设置，第三腔长调节层与第二透光层对应设置。
304、在腔长调节层上形成与之对应设置的像素发光层。
其中，像素发光层包括依次横向排列的第一像素发光层、第二像素发光层和第三像素发光层。像素发光层也是通过蒸镀工艺形成。
其中，腔长调节层和像素发光层共同构成有机发光显示面板的发光层。
305、在像素发光层上形成电子传输层。
其中，电子传输层也是通过蒸镀工艺形成。
306、在电子传输层上形成阴极层。
其中，阴极层也是通过蒸镀工艺形成。
相应的，本申请实施例还提供一种显示装置。该显示装置包括以上所述的有机发光显示面板。本申请实施方式提供的显示装置可以为智能手机(smartphone)、平板电脑(tablet personal computer)、移动电话(mobile phone)、视频电话机、电子书阅读器(e-book reader)、手提电脑(laptop PC)、上网本(netbook computer)、工作站(workstation)、服务器、个人数字助理(personal digital assistant)、便携式媒体播放器(portable multimedia player)、MP3播放器、移动医疗机器、照相机、游戏机、数码相机、车载导航仪、电子广告牌、自动取款机、智能手环、智能手表、虚拟现实(Virtual Reality,VR)设备或可穿戴设备(wearable device)中的至少一个。上述实施例已经对显示面板进行了详细描述，因此，本申请实施例中，对显示面板不做过多赘述。
在本申请提供的显示装置中，通过使第一距离与第一像素发光层波长的比值小于第二距离与第二像素发光层波长的比值，第一距离与第一像素发光层波长的比值小于第三距离与第三像素发光层波长的比值，第二距离与第二像素发光层波长的比值等于第三距离与第三像素发光层波长的比值，可以降低第一像素发光层的启亮电压。这样，在第一像素发光层发光时，虽然第一像素发光层也会向第二像素发光层和第三像素发光层漏电；但是，由于第一像素发光层的启亮电压太低，不足以启亮第二像素发光层和第三像素发光层。从而使第二像素发光层和第三像素发光层不会通过侧向漏电被带亮，避免了低灰阶色偏现象的发生，提高了显示装置的良率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种有机发光显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包括：
阳极层，所述阳极层包括依次层叠设置的第一透明阳极层、金属层以及第二透明阳极层；
发光层，所述发光层包括腔长调节层以及与所述腔长调节层对应设置的像素发光层，所述腔长调节层设置在所述第二透明阳极层远离所述第一透明阳极层的一面上，所述像素发光层设置在所述腔长调节层远离所述第二透明阳极层的一面上，所述像素发光层包括依次横向排列的第一像素发光层、第二像素发光层和第三像素发光层，所述腔长调节层包括依次横向排列的第一腔长调节层、第二腔长调节层和第三腔长调节层；所述第一像素发光层为绿色像素发光层，所述第二像素发光层为红色像素发光层，所述第三像素发光层为蓝色像素发光层，所述绿色像素发光层位于所述红色像素发光层和所述蓝色像素发光层之间；其中，
所述第一像素发光层的发光中心到所述金属层靠近所述第二透明阳极层的一面的距离为第一距离，所述第二像素发光层的发光中心到所述金属层靠近所述第二透明阳极层的一面的距离为第二距离，所述第三像素发光层的发光中心到所述金属层靠近所述第二透明阳极层的一面的距离为第三距离，所述第一距离与所述第一像素发光层波长的比值小于所述第二距离与所述第二像素发光层波长的比值，所述第一距离与所述第一像素发光层波长的比值小于所述第三距离与所述第三像素发光层波长的比值，所述第二距离与所述第二像素发光层波长的比值等于所述第三距离与所述第三像素发光层波长的比值；所述第一距离与所述第一像素发光层波长的比值为四分之一，所述第二距离与所述第二像素发光层波长的比值为四分之三，所述第三距离与所述第三像素发光层波长的比值为四分之三；
阴极层，所述阴极层设置在所述发光层远离所述阳极层的一面上；
所述腔长调节层的材料为空穴型有机小分子材料，用于传输空穴。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述发光层还包括透光层，所述透光层包括第一透光层和第二透光层，所述第一透光层与所述第二腔长调节层对应设置，所述第一透光层设置在所述第二腔长调节层靠近所述第二透明阳极层的一面上，所述第二透光层与所述第三腔长调节层对应设置，所述第二透光层设置在所述第三腔长调节层靠近所述第二透明阳极层的一面上。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述发光层还包括像素定义层，所述像素定义层设置在所述第二透明阳极层远离金属层的一面上，所述像素定义层填充所述腔长调节层的间隔和所述像素发光层的间隔，且所述像素定义层远离所述阳极层的一面与所述像素发光层远离所述阳极层的一面平齐。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述像素发光层的材料为有机小分子发光材料，所述像素发光层的厚度为20纳米至50纳米。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光显示面板还包括电子传输层，所述电子传输层设置在所述阴极层和所述发光层之间。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述电子传输层的材料为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶中的一种或多种的组合，电子传输层的厚度为20纳米至80纳米。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述阴极层的材料为镱、钙、镁、银、银镁合金中的一种或多种的组合，所述阴极层的厚度为8纳米至20纳米。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述腔长调节层的材料为4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基、N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]中的一种或多种的组合，所述腔长调节层的厚度为20纳米至180纳米。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的有机发光显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110375048.0A CN113178464B (zh) | 2021-04-08 | 2021-04-08 | 有机发光显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110375048.0A CN113178464B (zh) | 2021-04-08 | 2021-04-08 | 有机发光显示面板及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113178464A CN113178464A (zh) | 2021-07-27 |
| CN113178464B true CN113178464B (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=76923196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110375048.0A Active CN113178464B (zh) | 2021-04-08 | 2021-04-08 | 有机发光显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113178464B (zh) |
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- 2021-04-08 CN CN202110375048.0A patent/CN113178464B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113178464A (zh) | 2021-07-27 |
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