JP2013042162A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 発光層を含む半導体積層部と、
   前記発光層から発せられる光が入射し、当該光の光学波長より大きく当該光のコヒーレント長より小さい周期で凹部又は凸部が形成され、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで反射するとともに、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで透過する回折面と、を備え、
   前記半導体積層部は、前記回折面上に形成され、
   前記回折面の前記凹部又は前記凸部は、側面と、水平面と、を有し、前記側面と前記水平面の会合部による角を落として形成される半導体発光素子。
2. 前記凹部又は前記凸部の周期は、前記光学波長の２倍より大きい請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 前記凹部又は前記凸部の周期は、前記コヒーレント長の半分以下である請求項１または２に記載の半導体発光素子。
4. 前記発光層は、青色光を発し、
   前記周期は、３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下である請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
5. 前記回折面は、屈折率の差が０．５以上の異なる材料同士の界面に形成されている請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
6. 請求項１から５に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
   側面と水平面の会合部により角が形成された凹部又は凸部を回折面に形成する工程と、
   エッチングにより前記角を落とす工程と、を含む半導体発光素子の製造方法。