JP4768894B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 78
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 97
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 93
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 93
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 34
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 22
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
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- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
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- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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- H01L33/40—Materials therefor
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Description
d・n1・(sinθin−sinθref)=m・λ・・・(1)
である。ここで、n1は入射側の媒質の屈折率、λは入射する光の波長、mは整数である。本実施形態では、n1は、III族窒化物半導体の屈折率となる。図9(a)に示すように、上記(1)式を満たす反射角θrefで、界面へ入射する光は反射される。
d・(n1・sinθin−n2・sinθout)=m’・λ・・・(2)
である。ここで、n2は出射側の媒質の屈折率であり、m’は整数である。本実施形態では、n2は、サファイアの屈折率となる。図9(b)に示すように、上記(2)式を満たす透過角θoutで、界面へ入射する光は透過される。
図10に示すように、発光素子100において活性層114から等方的に放出される光のうち、サファイア基板102へ入射角θinで入射する光は、上記(1)式を満たす反射角θrefで反射するとともに、上記(2)式を満たす透過角θoutで透過する。ここで、全反射臨界角以上の入射角θinでは、強い反射光強度となる。反射光は、p側電極120の反射面122にて反射して、再びモスアイ面102aへ入射するが先に入射したときの入射角θinと異なる入射角θinで入射するため、先の入射条件とは異なる透過特性となる。
回折面102aに入射する光には、一般的な平坦面と同様に全反射の臨界角が存在する。GaN系半導体層とサファイア基板102との界面では、臨界角は約45°である。図5に示すように、入射角θinが45°を超えた領域では、上記(2)式の回折条件を満たすm=1,2,3,4での回折モードでの透過が可能である。ただし、発光素子100の光出射面をなすサファイア基板102の裏面が平坦面であると、サファイア基板102と素子外部との全反射臨界角が存在するため、透過角θoutが当該臨界角以内でないと、透過光を発光素子100の外部へ取り出すことはできない。仮に外部が空気である場合、サファイア基板102と空気の界面における臨界角は約±34°となり、この場合における有効な回折モードはm=2,3である。
図12に示すように、入射角が45°を超えた領域では、上記(1)式の回折条件を満たすm’=1,2,3,4での回折モードでの反射が可能である。これらの回折モードで反射した反射光は、p側電極120の反射面122で反射され、再び回折面102aへ入射する。このときの入射角θinは、先に回折面102aで反射された角度を維持しており、2回目の入射によって再び回折されることとなる。
図13においては、2回目に入射した光の透過についてのモード指数lを、1回目に入射した際の反射についてのモード指数mと、2回目に入射した際の透過についてのモード指数m’の和として定義しており、l=m+m’である。2回目に入射した光の透過についてのモード指数lは、1回目の反射のモード指数mと、2回目の透過のモード指数m’がいかなる値をとっても、モード指数lが同じであれば同様の透過特性を持っている。1回目に入射する光の透過特性では、m’=0が許容されていないが、2回目に入射する光の透過特性では、l=0が許容される。例えば、l=1の場合、(m,m’)=(2,−1),(3,−2),(4,−3),(−1,2),(−2,3)の5つのモードが存在する。すなわち、l=1で透過する角度の光強度が比較的強いものとなる。回折面102aにおける周期がコヒーレント長よりも無限に小さいと仮定すれば、高反射率のp側電極120の付加によって、回折作用によって取り出される光の増加分は約5倍となる。
2 サファイア基板
2a 回折面
2b 平坦部
2c 凸部
2d 側面
2e 湾曲部
2f 上面
10 バッファ層
12 n型GaN層
14 多重量子井戸活性層
16 電子ブロック層
18 p型GaN層
20 p側電極
20a 回折面
22 反射面
24 n側電極
26 反射膜
28 反射面
30 第1マスク層
30a 開口
32 レジスト層
32a 開口
34 ステンシルマスク
34a 開口
36 第2マスク層
100 発光素子
102 サファイア基板
102a 回折面
102b 平坦部
102c 凹部
110 バッファ層
112 n型GaN層
114 多重量子井戸活性層
116 電子ブロック層
118 p型GaN層
119 半導体積層部
120 p側電極
122 反射面
124 n側電極
130 第1マスク層
130a 開口
132 レジスト層
132a 開口
134 ステンシルマスク
134a 開口
136 第2マスク層
200 発光素子
202 サファイア基板
202a 回折面
210 バッファ層
212 n型GaN層
214 多重量子井戸活性層
216 電子ブロック層
218 p型GaN層
220 p側透明電極
224 n側電極
226 反射膜
228 反射面
300 発光素子
302 導電性基板
310 バッファ層
312 n型GaN層
312a 回折面
314 多重量子井戸活性層
316 電子ブロック層
318 p型GaN層
320 p側電極
322 反射面
400 発光素子
402a 回折面
402c 凸部
Claims (6)
- 発光層を含む半導体積層部と、
前記発光層から発せられる光が入射し、当該光の光学波長より大きく当該光のコヒーレント長より小さい周期で凹部又は凸部が形成され、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで反射するとともに、入射光をブラッグの回折条件に従って複数のモードで透過する回折面と、
前記回折面にて回折した複数のモードの光を反射して前記回折面へ再入射させる反射面と、を備え、
前記半導体積層部は、前記回折面上に形成され、
前記回折面の前記凹部又は前記凸部は、側面と、前記側面の上端から前記凹部又は前記凸部の中心側へ湾曲して伸びる湾曲部と、を有する半導体発光素子。 - 前記凹部又は前記凸部の周期は、前記光学波長の2倍より大きい請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記凹部又は前記凸部の周期は、前記コヒーレント長の半分以下である請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記発光層は、青色光を発し、
前記周期は、300nm以上1500nm以下である請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 前記回折面は、屈折率の差が0.5以上の異なる材料同士の界面に形成されている請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 請求項1から5に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
側面と上面の会合部により角が形成された凹部又は凸部を形成を回折面に形成する工程と、
エッチングにより前記角を落として湾曲部を形成する工程と、を含む半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011510757A JP4768894B2 (ja) | 2009-09-07 | 2010-08-23 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009205931 | 2009-09-07 | ||
JP2009205931 | 2009-09-07 | ||
JP2011510757A JP4768894B2 (ja) | 2009-09-07 | 2010-08-23 | 半導体発光素子 |
PCT/JP2010/064154 WO2011027679A1 (ja) | 2009-09-07 | 2010-08-23 | 半導体発光素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011134665A Division JP5126800B2 (ja) | 2009-09-07 | 2011-06-16 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4768894B2 true JP4768894B2 (ja) | 2011-09-07 |
JPWO2011027679A1 JPWO2011027679A1 (ja) | 2013-02-04 |
Family
ID=43649218
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011510757A Expired - Fee Related JP4768894B2 (ja) | 2009-09-07 | 2010-08-23 | 半導体発光素子 |
JP2011134665A Expired - Fee Related JP5126800B2 (ja) | 2009-09-07 | 2011-06-16 | 半導体発光素子 |
JP2012228485A Expired - Fee Related JP5706862B2 (ja) | 2009-09-07 | 2012-10-15 | 半導体発光素子 |
JP2015032462A Expired - Fee Related JP5913664B2 (ja) | 2009-09-07 | 2015-02-23 | 半導体発光素子 |
JP2016073152A Expired - Fee Related JP6410751B2 (ja) | 2009-09-07 | 2016-03-31 | 半導体発光素子 |
JP2018177875A Withdrawn JP2018198340A (ja) | 2009-09-07 | 2018-09-21 | 半導体発光素子 |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011134665A Expired - Fee Related JP5126800B2 (ja) | 2009-09-07 | 2011-06-16 | 半導体発光素子 |
JP2012228485A Expired - Fee Related JP5706862B2 (ja) | 2009-09-07 | 2012-10-15 | 半導体発光素子 |
JP2015032462A Expired - Fee Related JP5913664B2 (ja) | 2009-09-07 | 2015-02-23 | 半導体発光素子 |
JP2016073152A Expired - Fee Related JP6410751B2 (ja) | 2009-09-07 | 2016-03-31 | 半導体発光素子 |
JP2018177875A Withdrawn JP2018198340A (ja) | 2009-09-07 | 2018-09-21 | 半導体発光素子 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8941136B2 (ja) |
EP (2) | EP2477238B1 (ja) |
JP (6) | JP4768894B2 (ja) |
KR (3) | KR20140082852A (ja) |
CN (2) | CN102484183B (ja) |
ES (1) | ES2663320T3 (ja) |
HK (1) | HK1207742A1 (ja) |
WO (1) | WO2011027679A1 (ja) |
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-
2010
- 2010-08-23 ES ES10813628.4T patent/ES2663320T3/es active Active
- 2010-08-23 WO PCT/JP2010/064154 patent/WO2011027679A1/ja active Application Filing
- 2010-08-23 KR KR1020147014333A patent/KR20140082852A/ko active Application Filing
- 2010-08-23 US US13/394,543 patent/US8941136B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-23 CN CN201080039456.9A patent/CN102484183B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-23 CN CN201410752922.8A patent/CN104600167B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-23 KR KR1020127006037A patent/KR101417541B1/ko active IP Right Grant
- 2010-08-23 JP JP2011510757A patent/JP4768894B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-23 KR KR1020177023492A patent/KR20170102364A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-08-23 EP EP10813628.4A patent/EP2477238B1/en not_active Not-in-force
- 2010-08-23 EP EP17190798.3A patent/EP3293775A1/en active Pending
-
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- 2011-06-16 JP JP2011134665A patent/JP5126800B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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-
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-
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- 2015-02-23 JP JP2015032462A patent/JP5913664B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-08-27 HK HK15108327.0A patent/HK1207742A1/xx unknown
-
2016
- 2016-03-31 JP JP2016073152A patent/JP6410751B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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JP2016146502A (ja) | 2016-08-12 |
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JP5706862B2 (ja) | 2015-04-22 |
JP2015099939A (ja) | 2015-05-28 |
JPWO2011027679A1 (ja) | 2013-02-04 |
JP2018198340A (ja) | 2018-12-13 |
EP2477238A1 (en) | 2012-07-18 |
CN102484183A (zh) | 2012-05-30 |
CN102484183B (zh) | 2015-01-14 |
JP2013042162A (ja) | 2013-02-28 |
KR101417541B1 (ko) | 2014-07-08 |
KR20170102364A (ko) | 2017-09-08 |
JP6410751B2 (ja) | 2018-10-24 |
JP2011176379A (ja) | 2011-09-08 |
EP2477238B1 (en) | 2017-12-20 |
KR20120068857A (ko) | 2012-06-27 |
EP2477238A4 (en) | 2015-03-11 |
JP5126800B2 (ja) | 2013-01-23 |
WO2011027679A1 (ja) | 2011-03-10 |
HK1207742A1 (en) | 2016-02-05 |
KR20140082852A (ko) | 2014-07-02 |
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