JPH02205365A - スーパールミネッセントダイオード - Google Patents
スーパールミネッセントダイオードInfo
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- JPH02205365A JPH02205365A JP8925289A JP2528989A JPH02205365A JP H02205365 A JPH02205365 A JP H02205365A JP 8925289 A JP8925289 A JP 8925289A JP 2528989 A JP2528989 A JP 2528989A JP H02205365 A JPH02205365 A JP H02205365A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光フアイバジャイロを始めとする各種光計測
の分野での光源として有用な、インコヒーレントな光を
大きな強度と小さな放射角で放射できる事を特徴とする
スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）に関する
ものである。特に従来の発明に係わるものよりも、より
小さい電流で大きな光出力を得られること、放射する光
の偏波方向を揃えることができることなどに大きな特徴
を有する。
の分野での光源として有用な、インコヒーレントな光を
大きな強度と小さな放射角で放射できる事を特徴とする
スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ）に関する
ものである。特に従来の発明に係わるものよりも、より
小さい電流で大きな光出力を得られること、放射する光
の偏波方向を揃えることができることなどに大きな特徴
を有する。
活性層端面から大出力のインコヒーレント光を取り出そ
うとするＳＬＤでは電流の注入で活性層内に生じている
利得により活性層内で発生した光をファブリペロ（ＦＰ
）モードでレーザ発振させることなく増幅する。従って
ＦＰモードによるレーザ発振を抑圧することが重要であ
る。高性能化のためには活性層の光導波路としての特性
、素子全体のサイズや電気的特性はレーザダイオードと
殆ど同様に作られるので電流の高注入下でもＦＰモード
を抑えるには素子端面での光の反射率を可能な限り低減
することが重要である。このために、端面の無反射（Ａ
Ｒ）コート、非励起領域の設置、端面の斜めエツチング
、端面埋め込みによるウィンドー構造、曲がり導波路等
の各種対策が実施されてきた。
うとするＳＬＤでは電流の注入で活性層内に生じている
利得により活性層内で発生した光をファブリペロ（ＦＰ
）モードでレーザ発振させることなく増幅する。従って
ＦＰモードによるレーザ発振を抑圧することが重要であ
る。高性能化のためには活性層の光導波路としての特性
、素子全体のサイズや電気的特性はレーザダイオードと
殆ど同様に作られるので電流の高注入下でもＦＰモード
を抑えるには素子端面での光の反射率を可能な限り低減
することが重要である。このために、端面の無反射（Ａ
Ｒ）コート、非励起領域の設置、端面の斜めエツチング
、端面埋め込みによるウィンドー構造、曲がり導波路等
の各種対策が実施されてきた。
以上述べてきたように従来のＳＬＤの開発においては端
面での光の反射を減少させる事に重点がおかれ、その活
性層の光学的特性に関してはあまり注意が払われず、活
性層の厚みとしては０．１−０．２μｍ程度のいわゆる
ダブルへテロ（ＤＨ）構造が利用されてきた。このため
に放射される光の偏波状態としてはいわゆるＴＩ！と７
Ｍ偏波が混在し、使用にあたってはフィルタを用いて不
要な光を除去していた。しかし同一活性層中からＴＥ、
ＴＭの両部波光が放出されるということは７８７７Ｍ
間での光強度分配の揺らぎに伴う不安定性を生じ、高精
度な光計測のための光源としては雑音要因を内在させて
いた。
面での光の反射を減少させる事に重点がおかれ、その活
性層の光学的特性に関してはあまり注意が払われず、活
性層の厚みとしては０．１−０．２μｍ程度のいわゆる
ダブルへテロ（ＤＨ）構造が利用されてきた。このため
に放射される光の偏波状態としてはいわゆるＴＩ！と７
Ｍ偏波が混在し、使用にあたってはフィルタを用いて不
要な光を除去していた。しかし同一活性層中からＴＥ、
ＴＭの両部波光が放出されるということは７８７７Ｍ
間での光強度分配の揺らぎに伴う不安定性を生じ、高精
度な光計測のための光源としては雑音要因を内在させて
いた。
また、高い光出力を得るためには活性層に大きな電流を
注入する必要がある。ＳＬＤはレーザダイオードと異な
り量子効率が低いため大電流注入下では活性層の発熱が
著しく素子の信頬性に深刻な影響を与えてきた。
注入する必要がある。ＳＬＤはレーザダイオードと異な
り量子効率が低いため大電流注入下では活性層の発熱が
著しく素子の信頬性に深刻な影響を与えてきた。
本発明はこれらの従来素子の有する欠点を解決するため
になされたもので、小さな注入電流で大きな光出力を得
ることが出来、放射光中の偏波状態はＴＨモードに統一
されたＳＬＤを提供し、もって高精度な光計測用光源を
供給可能とすることを目的とする。
になされたもので、小さな注入電流で大きな光出力を得
ることが出来、放射光中の偏波状態はＴＨモードに統一
されたＳＬＤを提供し、もって高精度な光計測用光源を
供給可能とすることを目的とする。
この目的達成のため、本発明のＳＬＤは光を発生する活
性部に量子井戸構造をとって電子と正札の各々がもつエ
ネルギー揺らぎを小さくしたものとし励起電流に対して
効率的に発光するようにした。
性部に量子井戸構造をとって電子と正札の各々がもつエ
ネルギー揺らぎを小さくしたものとし励起電流に対して
効率的に発光するようにした。
ここで、本発明でいうＳＬＤと他のダイオードとの差異
を述べる。
を述べる。
ＳＬＤは電流−光出力特性が発光ダイオード（ＬＥＤ）
の特性にくらべて非直線性が強く、注入電流を僅かに増
すと光出力が急激に増え、注入電流によるスペクトルの
依存性もＬＥＤにくらべて変化が大きい。このため、注
入電流を僅かに増すとスペクトルの幅が著しく狭くなる
。しがもＳＬＤのコヒーレント長はレーザダイオードの
それが数十ｃｍ以上であるのに対して、数鵬以下のもの
をいう。
の特性にくらべて非直線性が強く、注入電流を僅かに増
すと光出力が急激に増え、注入電流によるスペクトルの
依存性もＬＥＤにくらべて変化が大きい。このため、注
入電流を僅かに増すとスペクトルの幅が著しく狭くなる
。しがもＳＬＤのコヒーレント長はレーザダイオードの
それが数十ｃｍ以上であるのに対して、数鵬以下のもの
をいう。
また、量子井戸構造とは、井戸層の厚みが３００Å以下
のものをいい、多重量子井戸構造とは、バリヤ層の厚み
が２００Å以下のものをいう。
のものをいい、多重量子井戸構造とは、バリヤ層の厚み
が２００Å以下のものをいう。
量子井戸構造は高性能なレーザダイオードの活性部への
応用を初めとして各種光素子への応用が盛んに試みられ
ているがＳＬＤへの応用例はこれまで全く知られていな
い。レーザの活性層としてながめたとき量子井戸構造は
普通のＤＢ構造を利用したものとくらべて次の２点にお
いて特徴を有する。
応用を初めとして各種光素子への応用が盛んに試みられ
ているがＳＬＤへの応用例はこれまで全く知られていな
い。レーザの活性層としてながめたとき量子井戸構造は
普通のＤＢ構造を利用したものとくらべて次の２点にお
いて特徴を有する。
ｌ）発振しきい値密度が小さい
２）ＴＥ偏波状態で発振する
１）の特徴は階段状に形成された状態密度に起因するも
ので、小さな注入電流でも大きな利得が得られることを
示している。また２）の特徴は量子井戸構造では電子と
重い正孔の結合が支配的であることに起因している。こ
れらの特徴をＳＬＤに応用すると１）は小さな注入電流
で大きな光出力が得られることに対応し、２）はＴＥ偏
波での発光を意味する。この様な特徴は自然放出光をそ
のままの状態で取り出して使用する発光ダイオードでは
何らの利点になるものではない。しかしながらレーザ発
振には至らせずにいわゆるｓｉｎｇｌｅ ｐａｓｓｇａ
ｉｎ （単一通過利得）を利用する光素子にとってはレ
ーザ素子と同様重要な特性である。例えばＳＬＤ以外に
進行波型光増幅器にとっても１）の特性は非常に好まし
い。しかし、増幅器と言う観点からすれば量子井戸構造
は↑Ｅ偏波に対する選択性が強すぎて外部から、特に光
ファイバを介して入ってくる偏波面が時間的に揺らいで
いる信号を扱うには２）の特性は好ましいものとはいえ
ない。
ので、小さな注入電流でも大きな利得が得られることを
示している。また２）の特徴は量子井戸構造では電子と
重い正孔の結合が支配的であることに起因している。こ
れらの特徴をＳＬＤに応用すると１）は小さな注入電流
で大きな光出力が得られることに対応し、２）はＴＥ偏
波での発光を意味する。この様な特徴は自然放出光をそ
のままの状態で取り出して使用する発光ダイオードでは
何らの利点になるものではない。しかしながらレーザ発
振には至らせずにいわゆるｓｉｎｇｌｅ ｐａｓｓｇａ
ｉｎ （単一通過利得）を利用する光素子にとってはレ
ーザ素子と同様重要な特性である。例えばＳＬＤ以外に
進行波型光増幅器にとっても１）の特性は非常に好まし
い。しかし、増幅器と言う観点からすれば量子井戸構造
は↑Ｅ偏波に対する選択性が強すぎて外部から、特に光
ファイバを介して入ってくる偏波面が時間的に揺らいで
いる信号を扱うには２）の特性は好ましいものとはいえ
ない。
この点、ＳＬＤへの応用はすでに述べた様に量子井戸構
造の特徴を充分に生かすもので、しかもレーザ素子とは
異なった観点からの、これまでに全く試みられていない
利用の方法である。
造の特徴を充分に生かすもので、しかもレーザ素子とは
異なった観点からの、これまでに全く試みられていない
利用の方法である。
第１図は本発明のＳＬＤの構造の一実施例を示す。
ＳＬＤの製作に当たっては先にも述べた様に端面の光反
射率を低減する構造が重要であるが本発明の目的の為に
はどの様な構造であっても採用する事ができる。第１図
は反射防止のために光出射端の反対側に非励起領域を設
置した例であり、半導体材料としては１ｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ系材料が用いられている。
射率を低減する構造が重要であるが本発明の目的の為に
はどの様な構造であっても採用する事ができる。第１図
は反射防止のために光出射端の反対側に非励起領域を設
置した例であり、半導体材料としては１ｎＧａＡｓＰ／
ＩｎＰ系材料が用いられている。
本発明のＳＬＤを得るには、１回目の成長とし液相成長
法（ＬＰＥ）及び気相成長法（ＶＰＥ、 ＭＯ−ＣＶＤ
）又は分子線エピタキシー（ＭＢＢ）法等により、ｎ形
ＩｎＰ基機上１上にｎ形Ｇａ１ｎＡｓＰ光ガイド層（λ
：１．３μｍ組成）２、ノンドープ多重量子井戸層３（
バリヤ層１ｎＰ 、井戸層Ｇａ１ｎＡｓＰ、バリヤ層厚
み２００人、井戸層厚み５０人、井戸層のＩｎＧａＡｓ
Ｐ層の組成はバンドギャップ換算波長で１．５μｍ）ｐ
形１ｎＰクラッド層４、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ電極層（λ
：１．１μｍ組成）５を成長する。
法（ＬＰＥ）及び気相成長法（ＶＰＥ、 ＭＯ−ＣＶＤ
）又は分子線エピタキシー（ＭＢＢ）法等により、ｎ形
ＩｎＰ基機上１上にｎ形Ｇａ１ｎＡｓＰ光ガイド層（λ
：１．３μｍ組成）２、ノンドープ多重量子井戸層３（
バリヤ層１ｎＰ 、井戸層Ｇａ１ｎＡｓＰ、バリヤ層厚
み２００人、井戸層厚み５０人、井戸層のＩｎＧａＡｓ
Ｐ層の組成はバンドギャップ換算波長で１．５μｍ）ｐ
形１ｎＰクラッド層４、ｐ形ＩｎＧａＡｓＰ電極層（λ
：１．１μｍ組成）５を成長する。
次に、ＲＰ２極スパッタ又はＣＶＤ法等によりＳｉｎｇ
もしくはＳｉＮ等の薄膜をｐ形Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層５
の全表面に形成する。その後活性層を埋め込むためにフ
ォトエツチング技術を用いてこれらの薄膜を＜１１０＞
方向に沿った巾４〜５μｍのストライブ状に加工した。
もしくはＳｉＮ等の薄膜をｐ形Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層５
の全表面に形成する。その後活性層を埋め込むためにフ
ォトエツチング技術を用いてこれらの薄膜を＜１１０＞
方向に沿った巾４〜５μｍのストライブ状に加工した。
このＳ’ｒＯｔのストライブ薄膜もしくはＳｉＮストラ
イブ薄膜をマスクとして利用し、ブロムメタノール４％
溶液により５，４，３．２の各層を基板１に達するまで
エツチングして逆メサ状の積層体を形成する。
イブ薄膜をマスクとして利用し、ブロムメタノール４％
溶液により５，４，３．２の各層を基板１に達するまで
エツチングして逆メサ状の積層体を形成する。
次に、２回目の成長としてＬＰＥにより、エツチングに
より取り除いた部分にｐ形１ｎＰ層６、及びｎ形１ｎＰ
層７の電流狭窄用埋め込み成長を行った。
より取り除いた部分にｐ形１ｎＰ層６、及びｎ形１ｎＰ
層７の電流狭窄用埋め込み成長を行った。
こうして得たウェハの上面にはＡｕ−Ｚｎを蒸着してｐ
形オーミック電極８をフォトエツチング技術を用いて電
流注入領域９にのみ形成し、また基板１側には全体の厚
みが８０μｍ程度になるまで研磨したのちＡｕ−Ｇｅ−
Ｎｉを蒸着し、ｎ形オーミック電極１１を全面に形成し
た。こうして得た素子の各層の構成は第１図の状態にお
いて、次の通りであり、各結晶層はＩｎＰの格子定数に
合致している。
形オーミック電極８をフォトエツチング技術を用いて電
流注入領域９にのみ形成し、また基板１側には全体の厚
みが８０μｍ程度になるまで研磨したのちＡｕ−Ｇｅ−
Ｎｉを蒸着し、ｎ形オーミック電極１１を全面に形成し
た。こうして得た素子の各層の構成は第１図の状態にお
いて、次の通りであり、各結晶層はＩｎＰの格子定数に
合致している。
１：Ｓｎドープｎ形ＩｎＰ基板、厚み８０ ｕｍ ：キ
ャリア密度３ Ｘ １０ ”ｅｌｍ−”、ＥＰＤ ５
Ｘ １０’ Ｃｌ１１−”２：ｎ形Ｇａ１ｎＡｓＰ光ガ
イド層、厚み０．２ｐｍ。
ャリア密度３ Ｘ １０ ”ｅｌｍ−”、ＥＰＤ ５
Ｘ １０’ Ｃｌ１１−”２：ｎ形Ｇａ１ｎＡｓＰ光ガ
イド層、厚み０．２ｐｍ。
Ｓｎドープ、キャリア密度５ Ｘ １０ ”ｃｍ−”３
：ノンドープ多重量子井戸層、井戸層数７層平均キャリ
ア密度６Ｘ１０Ｉｂロー３ ４：ｐ形１ｎＰ結晶層、厚み１．５μｍ、Ｚｎドープ、
キャリア密度５ Ｘ Ｉ Ｑ ｌ？Ｃ１１−”５：ｐ形
Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層、厚み０．７μｍ５Ｚｎドープ、
キャリア密度５ Ｘ １０ ”ｃｍ−’６：ｐ形１ｎＰ
電流狭窄層、厚み’ｉｆ、５μｍ５Ｚｎドープ、キャリ
ア密度Ｉ Ｘ １０ ”Ｃｌ−３７：ｎ形１ｎＰ電流狭
窄層、厚み！＝：１．５μｍ、Ｓｎドープ、キャリア密
度Ｉ Ｘ １０ ”Ｃｆｆ１−”素子各部のサイズは電
流注入領域８の長さが３００μｍ、非励起領域１０の長
さが２００μｍ、活性領域中が２μｍである。この素子
をＡｕＳｎハンダによりＳｔヒートシンク上にマウント
として電流、光出力特性を測定したところ２５°Ｃ連続
動作において電流注入に従って光出力はレーザ発振する
ことなく増加し、１５０ｍＡにおいて５ｍＷのインコヒ
ーレント光出力を得ることができた。光出力のピーク波
長は１．３１μｍ、スペクトルの半値巾は２５０人であ
り、スペクトル形状はなめらかで、干渉計を用いて測定
したコヒーレント長は５０μｍ以下であった。
：ノンドープ多重量子井戸層、井戸層数７層平均キャリ
ア密度６Ｘ１０Ｉｂロー３ ４：ｐ形１ｎＰ結晶層、厚み１．５μｍ、Ｚｎドープ、
キャリア密度５ Ｘ Ｉ Ｑ ｌ？Ｃ１１−”５：ｐ形
Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層、厚み０．７μｍ５Ｚｎドープ、
キャリア密度５ Ｘ １０ ”ｃｍ−’６：ｐ形１ｎＰ
電流狭窄層、厚み’ｉｆ、５μｍ５Ｚｎドープ、キャリ
ア密度Ｉ Ｘ １０ ”Ｃｌ−３７：ｎ形１ｎＰ電流狭
窄層、厚み！＝：１．５μｍ、Ｓｎドープ、キャリア密
度Ｉ Ｘ １０ ”Ｃｆｆ１−”素子各部のサイズは電
流注入領域８の長さが３００μｍ、非励起領域１０の長
さが２００μｍ、活性領域中が２μｍである。この素子
をＡｕＳｎハンダによりＳｔヒートシンク上にマウント
として電流、光出力特性を測定したところ２５°Ｃ連続
動作において電流注入に従って光出力はレーザ発振する
ことなく増加し、１５０ｍＡにおいて５ｍＷのインコヒ
ーレント光出力を得ることができた。光出力のピーク波
長は１．３１μｍ、スペクトルの半値巾は２５０人であ
り、スペクトル形状はなめらかで、干渉計を用いて測定
したコヒーレント長は５０μｍ以下であった。
この素子の光出射側端面にＡＲコートを施して光の反射
率を低下させたところ光出力は上昇し１５０ｍＡで１５
ｍＷを得た。
率を低下させたところ光出力は上昇し１５０ｍＡで１５
ｍＷを得た。
尚、本発明はｎ形ＩｎＰ ５板を用いた例について説明
したが、ｐ形１ｎＰ基板を使用しても効果は同じであり
、その場合は各構造においてｎ形領域とｐ形領域を入れ
替えれば良い。又、実施例では埋込ミへテロ構造（ＢＨ
）タイプ、埋め込み形ＳＬＤについて述べたが、他の二
重チャネルブレーナ埋込みへテロ構造（ＤＣＰＢＨ）等
のタイプでも同様の効果を得ることが出来る。
したが、ｐ形１ｎＰ基板を使用しても効果は同じであり
、その場合は各構造においてｎ形領域とｐ形領域を入れ
替えれば良い。又、実施例では埋込ミへテロ構造（ＢＨ
）タイプ、埋め込み形ＳＬＤについて述べたが、他の二
重チャネルブレーナ埋込みへテロ構造（ＤＣＰＢＨ）等
のタイプでも同様の効果を得ることが出来る。
上記の実施例１では波長１．５μｍのＩｎＰＧａＩｎＡ
ｓＰ系の半導体について説明したが、ＧａＡｓ −Ｇａ
ＡＩＡｓ系半導体を用いた発光素子についても本発明が
適用できることは明らかであり、さらにＦＰモード抑圧
のための機構としてもこの実施例で述べた直線状の非励
起領域の設置だけに限られるものではないことも明らか
である。
ｓＰ系の半導体について説明したが、ＧａＡｓ −Ｇａ
ＡＩＡｓ系半導体を用いた発光素子についても本発明が
適用できることは明らかであり、さらにＦＰモード抑圧
のための機構としてもこの実施例で述べた直線状の非励
起領域の設置だけに限られるものではないことも明らか
である。
以上述べたごとく本発明によれば、ＳＬＤの活性層とし
て量子井戸構造を採用したことにより電子と正孔のもつ
エネルギーの幅が制限されるから、その結果低い注入電
流で大きな光出力が得られ最大光出力も著しく向上した
。また光の偏波状態もＴＥ波に統一された。この事によ
り高い信軌度を有し雑音の少ないＳＬＤが製作可能とな
った。量子井戸構造では自然放出光に対する吸収係数が
大きくなることが良く知られており、この事は反射率低
減の為の構造として非励起領域を利用する場合にとって
非常に有利な事情である。もちろん他の様々な反射防止
の機構の応用に当たっての制限事項は全くない。
て量子井戸構造を採用したことにより電子と正孔のもつ
エネルギーの幅が制限されるから、その結果低い注入電
流で大きな光出力が得られ最大光出力も著しく向上した
。また光の偏波状態もＴＥ波に統一された。この事によ
り高い信軌度を有し雑音の少ないＳＬＤが製作可能とな
った。量子井戸構造では自然放出光に対する吸収係数が
大きくなることが良く知られており、この事は反射率低
減の為の構造として非励起領域を利用する場合にとって
非常に有利な事情である。もちろん他の様々な反射防止
の機構の応用に当たっての制限事項は全くない。
さらに量子井戸の様々な構造、各種の埋め込み構造を始
めとする素子構造に対する制約、使用する半導体材料に
対する制約もない事は明らかである。
めとする素子構造に対する制約、使用する半導体材料に
対する制約もない事は明らかである。
第１図（ａ）は本発明のＳＬＤ構造例を示す平面図、第
１図（ｂ）および（Ｃ）は本発明のＳＬＤの構造例を示
す断面図である。 １ ・・・ｎ形１ｎＰ基板、２ ・・・ｎ形Ｇａ１ｎＡ
ｓＰ光ガイド層、３・・・ノンドープＧａ１ｎＡｓＰ
／ＩｎＰ多重量子井戸層、４ ・・・ｐ形ＴｎＰクラッ
ド層、５ ・Ｐ形Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層、６・・・ｐ形
１ｎＰ電流狭窄層、７・・・ｎ形１ｎＰ電流狭窄層、８
・・・ｐ形オーミック電極、９・・・電流注入領域、１
０・・・非励起領域、１１・・・ｎ形オーミック電極、
１２・・・ＡＲ膜。
１図（ｂ）および（Ｃ）は本発明のＳＬＤの構造例を示
す断面図である。 １ ・・・ｎ形１ｎＰ基板、２ ・・・ｎ形Ｇａ１ｎＡ
ｓＰ光ガイド層、３・・・ノンドープＧａ１ｎＡｓＰ
／ＩｎＰ多重量子井戸層、４ ・・・ｐ形ＴｎＰクラッ
ド層、５ ・Ｐ形Ｇａ１ｎＡｓＰ電極層、６・・・ｐ形
１ｎＰ電流狭窄層、７・・・ｎ形１ｎＰ電流狭窄層、８
・・・ｐ形オーミック電極、９・・・電流注入領域、１
０・・・非励起領域、１１・・・ｎ形オーミック電極、
１２・・・ＡＲ膜。
Claims (1)
- Ｐ形領域とＮ形領域との間に活性層を有するスーパール
ミネッセントダイオードにおいて、前記活性層が、量子
井戸構造となっていることを特徴とするスーパールミネ
ッセントダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8925289A JPH02205365A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | スーパールミネッセントダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8925289A JPH02205365A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | スーパールミネッセントダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02205365A true JPH02205365A (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=12161859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8925289A Pending JPH02205365A (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | スーパールミネッセントダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02205365A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5223722A (en) * | 1991-03-26 | 1993-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Superluminescent diode |
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-
1989
- 1989-02-03 JP JP8925289A patent/JPH02205365A/ja active Pending
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