TW201709317A - Led元件 - Google Patents

Led元件 Download PDF

Info

Publication number
TW201709317A
TW201709317A TW105110701A TW105110701A TW201709317A TW 201709317 A TW201709317 A TW 201709317A TW 105110701 A TW105110701 A TW 105110701A TW 105110701 A TW105110701 A TW 105110701A TW 201709317 A TW201709317 A TW 201709317A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
light
sic
convex
sic substrate
Prior art date
Application number
TW105110701A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Naniwae
Masaki Ohya
Kenji Yamashita
Johan Ekman
Original Assignee
El-Seed Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by El-Seed Corp filed Critical El-Seed Corp
Publication of TW201709317A publication Critical patent/TW201709317A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本發明的課題為提供一種可維持利用繞射作用之光取出效率的提高，同時抑制強度分布的不均之LED元件。 本發明的解決手段為一種LED元件，凹凸區域配置於元件表面，將入射到凹凸區域的入射光取出到元件外部，凹凸區域具有：由以比入射光的光波長大比入射光的相干長度小的週期形成的凹部或凸部構成，藉由繞射作用將入射光取出到元件外部之第一凹凸構造；以及藉由與第一凹凸構造的繞射作用不同的作用將入射光取出到元件外部之第二凹凸構造。

Description

LED元件
本發明是關於LED元件。
已知有包含發光層之三族氮化物半導體(group III nitride semiconductor)形成於藍寶石基板(sapphire substrate)上的LED元件(參照專利文獻1)。在專利文獻1記載有：在LED元件的表面以比由發光層發出的光的光波長(optical wavelength)大比相干長度(coherence length)小的週期形成凹部或凸部。在該LED元件中，藉由在凹部或凸部的形成區域利用繞射作用使光透過，謀求光取出效率的提高。
 [專利文獻1]國際公開第2011/027679號
但是，在專利文獻1所記載的LED元件中，雖然藉由利用繞射作用提高光取出效率，但因在元件內外的界面光以滿足繞射條件的特定的角度透過，故由元件取出的光的角度偏向，有光的強度分布產生過度的不均之虞。
本發明是鑑於前述情況所進行的創作，其目的為提供一種可維持利用繞射作用之光取出效率的提高，同時抑制強度分布的不均之LED元件。
為了達成前述目的，在本發明中提供一種LED元件，凹凸區域配置於元件表面，將入射到該凹凸區域的入射光取出到元件外部，前述凹凸區域具有：由以比前述入射光的光波長大比前述入射光的相干長度小的週期形成的凹部或凸部構成，藉由繞射作用將前述入射光取出到元件外部之第一凹凸構造；以及藉由與前述第一凹凸構造的繞射作用不同的作用將前述入射光取出到元件外部之第二凹凸構造。
在上述LED元件中，前述第二凹凸構造與前述第一凹凸構造中的前述凹部或前述凸部的前述週期不同，且由以比前述入射光的光波長大比前述入射光的相干長度小的週期形成的凹部或凸部構成，藉由與前述第一凹凸構造的繞射作用不同的繞射作用將前述入射光取出到元件外部也可以。
在上述LED元件中，前述第二凹凸構造由隨機形成的凹部或凸部構成，藉由菲涅耳反射(Fresnel reflection)抑制作用將前述入射光取出到元件外部也可以。
在上述LED元件中，前述第一凹凸構造與前述第二凹凸構造為互相的區域個別形成也可以。
在上述LED元件中，前述第一凹凸構造與前述第二凹凸構造為互相的區域的至少一部分重疊形成也可以。
依照本發明的LED元件，因藉由在第二凹凸構造中與第一凹凸構造不同的作用而取出光，故可抑制由元件取出的光偏向特定的角度，可抑制光的強度分布產生不均。
圖1至圖14是顯示本發明的一實施形態之圖，圖1是LED元件之模式剖面圖。
如圖1所示，LED元件1包含：包含施體雜質(donor impurity)及受體雜質的SiC基板10；形成於該SiC基板10上之GaN系半導體層20。光一由GaN系半導體層20入射到SiC基板10，入射光就在SiC基板10被吸收而產生由雜質能階(impurity level)造成的螢光。
SiC基板10藉由6H型的SiC結晶形成，包含氮當作施體雜質，並且包含硼或鋁當作受體雜質。SiC基板10具有：摻雜有氮及鋁之第一SiC層11；摻雜有氮及硼之第二SiC層12及第三SiC層13。
第一SiC層11、第二SiC層12及第三SiC層13都是施體雜質的濃度比受體雜質的濃度高，該等雜質的濃度的差成為1×1018 /cm3 以下。第一SiC層11、第二SiC層12及第三SiC層13依氮的濃度低的順序自GaN系半導體層20側起排列。在本實施形態中，第二SiC層12的硼的濃度比5×1018 /cm3 低，第三SiC層13的硼的濃度比5×1018 /cm3 高。
在SiC基板10的背面14週期地形成有凹部或凸部。在本實施形態中，在背面14週期地形成有凸部14a、14b。如圖1所示，在背面14形成有：由週期地形成的複數個凸部14a構成的第一凹凸構造；以由與第一凹凸構造的凸部14a不同的週期週期地形成的複數個凸部14b構成的第二凹凸構造。在本實施形態中，第一凹凸構造與第二凹凸構造形成於個別的區域，第一凹凸構造、第二凹凸構造分別形成於第一蛾眼區域10a、第二蛾眼區域10b。如圖2(a)所示，當作第一凹凸區域的第一蛾眼區域10a形成於背面14的中心側，當作第二凹凸區域的第二蛾眼區域10b形成於背面14的外緣側。第一蛾眼區域10a的各凸部14a及第二蛾眼區域10b的各凸部14b的形狀除了圓錐、多角錐等的錐狀之外，也能以將錐的上部切掉的圓錐台、多角錐台等的錐台狀。在本實施形態中，第一蛾眼區域10a與第二蛾眼區域10b的各凸部14a、14b分別形成圓錐狀。
SiC基板10的製造方法是任意的，惟可藉由例如昇華法、化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition method)使SiC結晶成長而製造。此時，可藉由適度調整結晶成長中的環境下的氮氣(N2 )的分壓而任意地設定SiC基板10中的氮的濃度。另一方面，硼可藉由使硼單體或硼化合物對原料適量混合而任意地設定SiC基板10中的硼的濃度。而且，鋁可藉由使鋁單體或鋁化合物對原料適量混合而任意地設定SiC基板10中的鋁的濃度。此處，雜質濃度(impurity concentration)的設定值越低其雜質濃度的控制性越高。
如圖1所示，GaN系半導體層20由SiC基板10側起依如下的順序連續地具有：由AlGaN構成的緩衝層(buffer layer)21，與由n-GaN構成的第一接觸層22，與由n-AlGaN構成的第一包覆層23，與由GaInN/GaN構成的發光層24，與由p-AlGaN構成的電子阻隔層25，與由p-AlGaN構成的第二包覆層26，與由p-GaN構成的第二接觸層27。GaN系半導體層20在SiC基板10上藉由例如金屬有機化學氣相沉積法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition method)積層。
而且，在第二接觸層27的表面形成有p電極31。在本實施形態中，p電極31自第二接觸層27側起依ITO層31a、APC層31b、Ni層31c、Ti層31d及Au層31e的順序形成。ITO層31a由ITO(Indium_Tin_Oxide：銦錫氧化物)構成，厚度為例如20nm。APC層31b由Ag-Pd-Cu-Ge系的合金材料構成，厚度為例如500nm。Ni層31c由Ni構成，厚度為例如30nm。Ti層31d由Ti構成，厚度為例如10nm。Au層31e由Au構成，厚度為例如500nm。
而且，藉由由第二接觸層27到第一接觸層22的規定位置在厚度方向進行蝕刻(etching)使第一接觸層22露出，在該露出部分形成有n電極32。在本實施形態中，n電極32自第二接觸層27側起依ITO層32a、APC層32b、Ni層32c、Ti層32d及Au層32e的順序形成。ITO層32a由ITO構成，厚度為例如20nm。APC層32b由Ag-Pd-Cu-Ge系的合金材料構成，厚度為例如500nm。Ni層32c由Ni構成，厚度為例如30nm。Ti層32d由Ti構成，厚度為例如10nm。Au層32e由Au構成，厚度為例如500nm。
在本實施形態中，發光層24是由Ga0.95 In0.05 N/GaN構成，發光的峰值波長(peak wavelength)為385nm。此外，發光層24中的峰值波長可任意地變更。而且，至少包含第一導電型層、主動層(active layer)及第二導電型層，若為電壓一被施加於第一導電型層及第二導電型層，就藉由電子及電洞的再結合(recombination)而在主動層發出光的話，則GaN系半導體層20的層構成是任意的
一將順向的電壓施加於如以上構成的LED元件1的p電極31與n電極32，電流就被注入GaN系半導體層20，在發光層24中於近紫外區域放出具有峰值波長的光。所放出的近紫外光入射到摻雜有受體雜質與施體雜質的SiC基板10而大致全部被吸收。在SiC基板10中，藉由以近紫外光當作激發光(excitation light)並使施體電子與受體電洞再結合而產生螢光，在第一SiC層11中由藍色發光成綠色，在第二SiC層12及第三SiC層13中由黃色到紅色發光。
圖3是顯示不同的折射率的界面中的光的繞射作用之說明圖。 由布拉格的繞射條件(Bragg's condition of diffraction)，於光在界面透過的情形下，對入射角θin 透射角θout 應滿足的條件為 d・(n1・(sinθin -n2・sinθout )＝ｍ・λ・・・(1) 此處，n1為入射側的介質的折射率，n2為射出側的介質的折射率，m為整數。當光由例如SiC基板10射出到元件外部的空氣時，n2成為空氣的折射率。如圖3所示，以滿足上述(1)式的透射角θout 入射到界面的光被透過。
為了存在充分滿足上述(1)式的繞射條件的透射角θout ，SiC基板10的背面14中的凹凸的週期必須比光波長之(λ/n1)大。因此，SiC基板10的第一蛾眼區域10a其週期設定為比(λ/n1)大，以充分得到繞射作用。而且，第二蛾眼區域10b的各凸部14b的週期設定為比第一蛾眼區域10a的各凸部14a的週期大，以得到與第一蛾眼區域10a不同的光學作用。
如圖2(b)所示，第一蛾眼區域10a及第二蛾眼區域10b以在平面視中各凸部14a、14b的中心成為正三角形的頂點的位置的方式而以規定的週期排列於假想的三角格子的交點而形成。第一蛾眼區域10a的各凸部14a的週期比由SiC基板10發出的光的光波長大，比該光的相干長度小。此外，此處所謂的週期是指鄰接的各凸部14a、14b中的高度的尖峰位置(peak position)的距離。而且，光波長是意味著實際的波長除以折射率的值。而且，相干長度是指相當於依照規定的頻譜寬度(spectral width)的光子群(photon group)的各個的波長的不同而使波的週期的振動被互相抵消，到相干性(coherence)消失為止的距離。相干長度1c若設光的波長為λ，設該光的半值寬(half value width)為Δλ，則大致具有1c=(λ2 /Δλ)的關係。
此處，各凸部14a、14b的週期為光波長的1倍以上對臨界角以上的角度的入射光繞射作用逐漸有效地起作用起來，若比由SiC基板10發出的光的光波長的2倍大的話，則透過模式的數目充分增加，故較佳。而且，若各凸部14a、14b的週期以未滿由SiC基板10發出的光的相干長度的一半，則繞射作用變得比較大。另一方面，若各凸部14a、14b的週期以由SiC基板10發出的光的相干長度的一半以上，則擴散作用逐漸變大。
在本實施形態中，第一蛾眼區域10a的各凸部14a的週期為460nm，第二蛾眼區域10b的各凸部14b的週期為1000nm。由SiC基板10的第一SiC層11發出的光的波長為484nm，由第二SiC層12發出的光的波長為571nm，由第三SiC層13發出的光的波長為605nm。此處，SiC的折射率為484nm為2.71，571nm為2.67，605nm為2.65。在考慮相干長度上的折射率能以入射側與射出側的介質的折射率的平均，當SiC基板10的背面14的外側為空氣時，空氣的折射率為1.00，故484nm為1.855，571nm為1.835，605nm為1.825。因此，在考慮相干長度上之由第一SiC層11發出的光的光波長為261nm，由第二SiC層12發出的光的光波長為311nm，由第三SiC層13發出的光的光波長為332nm。
而且，在考慮相干長度上之由SiC基板10的第一SiC層11發出的光的光學的半值寬為36nm，由第二SiC層12發出的光的光學的半值寬為61nm，由第三SiC層13發出的光的光學的半值寬為68nm。也就是說，由第一SiC層11發出的光的相干長度為1892nm，由第二SiC層12發出的光的相干長度為1586nm，由第三SiC層13發出的光的相干長度為1621nm。
也就是說，第一蛾眼區域10a的各凸部14a的週期成為比由SiC基板10發出的所有的光的光波長的2倍大，且相干長度的一半以下。而且，第二蛾眼區域10b的各凸部14b的週期比由SiC基板10發出的所有的光的相干長度的一半大。
此處，就SiC基板10中的螢光作用，參照圖4進行說明。圖4是模式地顯示入射到SiC基板的光被轉換成螢光的樣子之說明圖。 因SiC基板10主要是以SiC結晶構成，故形成6H型SiC結晶的能帶隙能量(band-gap energy)Eg 。 光一被入射到SiC基板10，自由電子(free electron)a就被由價帶(valence band)E2激發到傳導帶(conduction band)E1，在E2產生自由電洞(free hole)b。然後，在數ns到數μs的短時間之中，自由電子a朝施體能階NSD ,NDD 緩和而成為施體電子aS ’,aD ’， 自由電洞b朝受體能階(acceptor level)NA 緩和而成為受體電洞b’。此外，受體能階NA 在矽位置(silicon site)與碳位置(carbon site)不同。 此處，判明了立方位置(cubic site)的施體形成深的施體能階NDD ，六方位置(hexagonal site)的施體形成淺的施體能階NSD 。
朝深的施體能階NDD 緩和的施體電子aD ’被使用於施體受體對(DAP：Donor-Acceptor Pair)發光，與受體電洞b’再結合。然後具有相當於其躍遷能(transition energy)(Eg -EDD -EA )的能量的光子(photon)c被放出到SiC基板10的外部。被放出到SiC基板10的外部的光子c的波長取決於躍遷能(Eg -EDD -EA )。 另一方面，朝淺的施體能階NSD 緩和的施體電子aS ’因淺的施體的活化能(activation energy)ESD 能量地充分小，故藉由熱能再激發，結果停在傳導帶E1。其結果施體電子aS ’會被使用於與Γ能帶(band)的能帶內吸收，不與受體電洞b’再結合。也就是說無助於發光。
為了確切地進行施體受體對發光，在SiC結晶中的室溫下的載子濃度(carrier concentration)比施體濃度與受體濃度的差小較佳。 再者，因氮的游離能(ionization energy)比硼及鋁小，故在室溫下某種程度的氮游離(ionize)。於是，被激發的施體電子aD ’就會再度躍遷至傳導帶E1，與受體電洞b’成對的施體電子aD ’就會不足。無成對的施體電子aD ’的受體電洞b’無法有助於螢光發光，為了激發該受體電洞b’的能量就會被浪費地消耗。也就是說，可藉由預先預料游離的氮量並將氮濃度設定為比硼濃度稍多一些，以便施體電子aD ’與受體電洞b’可適切地再結合而實現高的螢光量子效率(fluorescence quantum efficiency)。
此處，依照硼配置於鄰接碳空位(carbon vacancy)的矽位置或配置於碳位置而使受體能階NA 變化，使發光波長變化。此處，考慮為硼配置於哪一個位置是取決於硼濃度。圖5是顯示使硼的濃度變化的情形的波長與發光強度的關係之圖表。此處，試樣體A是硼的濃度以3.5×1018 /cm3 ，氮的濃度以4.5×1018 /cm3 而製作，試樣體B是硼的濃度以9×1018 /cm3 ，氮的濃度以1×1019 /cm3 而製作。
如圖5所示，在試樣體A中峰值波長成為571nm，在試樣體B中峰值波長成為605nm。考慮為在試樣體A中配置於鄰接碳空位的矽位置的硼較多，在試樣體B中配置於碳位置的硼較多。考慮為若硼的濃度以5×1018 /cm3 ，則峰值波長為596.5nm，若使硼的濃度比5×1018 /cm3 還低，則硼容易配置於鄰接碳空位的矽位置，若提高的話，則硼容易配置於碳位置。若硼的濃度為大約5×1017 ~5×1018 /cm3 ，則以較短的波長發光，若是大約5×1018 ~5×1019 /cm3 左右，則可以說以較長的波長發光。
圖6是顯示以試樣體B的一般演色指數(CRI：Color_ Rendering_Index)為基準，在混合了試樣體A與試樣體B的情形下，一般演色指數提高了何種程度呢之表。此處，圖6中的試樣體A與試樣體B的混合比率是以各試樣體的發光峰值波長的發光強度為基準而設定。此外，各試樣體的發光強度可藉由如下而調整：例如若各試樣體為板狀的話使板厚變化，或者各試樣體為粉末狀的話使粉末的量變化。如圖6所示可理解，若以試樣體A為基準，則在混合了試樣體B的情形下CRI提高。
圖7是顯示受體雜質以鋁的情形的波長與發光強度的關係之圖表。該試樣體是鋁的濃度以1×1018 /cm3 ，氮的濃度以2×1018 /cm3 而製作。如圖7所示，在該試樣體中中心波長為484nm，存在467nm及486nm的兩個峰值波長。
圖8是顯示具有第一SiC層、第二SiC層及第三SiC層的SiC基板的波長與發光強度的關係之圖表。此處，第一SiC層11的雜質濃度與圖7所示的試樣體一樣，第二SiC層12的雜質濃度與試樣體A一樣，第三SiC層13的雜質濃度與試樣體B一樣。如圖8所示，SiC基板10具有由藍色到紅色的發射光譜(emission spectrum)。特別是黃色到紅色，第二SiC層12與第三SiC層13的發射光譜互相重疊。
其次，參照圖9就SiC基板10的製造方法進行說明。圖9是結晶成長裝置之說明圖。 如圖9所示，該結晶成長裝置100具有：配置有晶種基板(seed crystal substrate)110及原料120之內部容器130；收納內部容器130之收納管140；覆蓋內部容器130之絕熱容器150；將氣體導入到收納管140內之導入管160；測量被由導入管160導入的氣體的流量之流量計170；調整收納管140內的壓力之泵(pump)180；配置於收納管140的外側，用以將晶種基板110加熱之RF線圈(RF coil)190。
內部容器130例如由石墨構成，具有：上方開口之坩堝131；將坩堝131的開口堵塞之蓋132。在蓋132的內表面安裝有由單晶SiC構成的晶種基板110。而且，在坩堝131的內部收納有昇華再結晶的原料120。在本實施形態中，原料120使用SiC結晶的粉末與成為B源或Al源的粉末。
當製造SiC螢光材料時，首先以蓋132將填充了原料120的坩堝131閉合，透過石墨製的支撐棒設置於收納管140的內部後，以絕熱容器150包覆內部容器130。然後，經由流量計170並藉由導入管160使Ar氣體、N2 氣體及H2 氣體流到收納管140的內部，當作環境氣體。接著，使用RF線圈190將原料120加熱，並且使用泵180控制收納管140內的壓力。
具體上，收納管140內的壓力以0.03Pa到600Pa之間，晶種基板110的初始温度至少以1100℃。初始温度1500℃以下較佳，1400℃以下更佳。再者，將原料120與晶種基板110之間的溫度梯度(temperature gradient)設定為1℃到10℃之間。
其次，由初始温度起以15℃/分到25℃/分的比率將晶種基板110加熱，使其上升至成長溫度。成長溫度以1700℃到1900℃之間較佳。成長率以10μm/時到200μm/時之間較佳。
據此，原料120昇華後藉由根據溫度梯度而形成的濃度梯度(concentration gradient)而被擴散輸送於晶種基板110的方向。SiC螢光材料的成長是藉由到達晶種基板110的原料氣體再結晶於晶種上而實現。此外，SiC結晶的摻雜濃度(doping concentration)可藉由將雜質氣體添加於結晶成長時的環境氣體中，以及將雜質元素(impurity element)或其化合物添加於原料粉末而控制。也就是說，可連續地製作摻雜元素及濃度不同的第一SiC層11、第二SiC層12及第三SiC層13。
但是，若所設定的施體雜質及受體雜質的濃度變高，則所添加的雜質元素或其化合物增加，故雜質濃度的控制的精度變差。若雜質濃度的誤差變大，則有產生自由載子(free carrier)造成的吸收等而使發光效率降低之虞。也就是說，所設定的雜質濃度越高，越容易產生起因於雜質濃度的誤差的自由載子吸收。
在本實施形態中，N2 氣體被添加於結晶成長時的環境氣體中，B或Al的單體或化合物被添加於原料120。進而H2 氣體被添加於結晶成長時的環境氣體中，據此，抑制施體雜質之與六方位置的碳原子的置換，促進與立方位置的碳原子的置換。
如此被製作的SiC結晶經過外周研磨、切片(slice)、表面研磨(s​u​r​f​a​c​e​ ​gr​i​n​d​i​n​g​)、表面拋光(s​u​r​f​a​c​e​ ​p​o​l​i​s​h​i​n​g​)等的製程，成為凹凸加工前的SiC基板10。其次，參照圖10到圖14就SiC基板10的加工方法進行說明。圖10是用以將SiC基板加工的電漿蝕刻裝置(plasma etching equipment)之概略說明圖。
如圖10所示，電漿蝕刻裝置91為感應耦合型(ICP(Inductively Coupled Plasma:感應耦合電漿))，具有:保持SiC基板10 之平板狀的基板保持台92；收納基板保持台92的容器93；在容器93的上方隔著石英板96被配設的線圈(coil)94；連接於基板保持台92之電源95。線圈94為立體漩渦形的線圈，由線圈中央供給高頻電力(high-frequency power)，線圈外周的末端被接地。蝕刻對象的SiC基板10 直接或透過運送用托盤被承載於基板保持台92。在基板保持台92內裝有用以將SiC基板10 冷卻的冷卻機構，該冷卻機構透過冷卻控制部97控制。容器93具有供給口(supply port)，可供給O2 氣體、Ar氣體等的各種氣體。
當藉由該電漿蝕刻裝置91進行蝕刻時，在將SiC基板10 承載於基板保持台92後，排出容器93內的空氣而當作減壓狀態。然後將規定的處理氣體供給至容器93內，調整容器93內的氣體壓力。然後將高輸出的高頻電力供給至線圈94及基板保持台92規定時間，使反應氣體的電漿98產生。透過該電漿98進行SiC基板10 的蝕刻。
接著，參照圖11、圖12、圖13及圖14就使用電漿蝕刻裝置91的蝕刻方法進行說明。 圖11是顯示蝕刻方法之流程圖。如圖11所示，本實施形態的蝕刻方法包含:罩幕層形成製程S1、光阻膜形成製程S2、圖案形成製程S3、殘膜除去製程S4、光阻變質製程S5、罩幕層的蝕刻製程S6、SiC基板的蝕刻製程S7、罩幕層除去製程S8。
圖12是顯示SiC基板及罩幕層的蝕刻方法的過程，(a)是顯示加工前的SiC基板，(b)是顯示在SiC基板上形成了罩幕層的狀態，(c)是顯示在罩幕層上形成了光阻膜的狀態，(d)是顯示使模接觸了光阻膜的狀態，(e)是顯示在光阻膜形成有圖案的狀態。 圖13是顯示SiC基板及罩幕層的蝕刻方法的過程，(f)是顯示除去了光阻膜的殘膜的狀態，(g)是顯示使光阻膜變質了的狀態，(h)是顯示以光阻膜為罩幕對罩幕層進行了蝕刻的狀態，(i)是顯示以罩幕層為罩幕對SiC基板進行了蝕刻的狀態。此外，變質後的光阻膜在圖中是以塗滿表現。 圖14是顯示SiC基板及罩幕層的蝕刻方法的過程，(j)是顯示以罩幕層為罩幕更進一步對SiC基板進行了蝕刻的狀態，(k)是顯示由SiC基板除去了殘留的罩幕層的狀態。 此外，圖12到圖14是顯示SiC基板的一部分，圖示第一蛾眼區域10a。
首先如圖12(a)所示，製備加工前的SiC基板10 。在蝕刻之前以規定的清洗液清洗SiC基板10。在本實施形態中SiC基板10 為SiC基板。
接著如圖12(b)所示，在SiC基板10 形成罩幕層230(罩幕層形成製程:S1)。在本實施形態中，罩幕層230具有：SiC基板10 上的SiO2 層231，與SiO2 層231上的Ni層232。各層231、232的厚度為任意，惟例如可設SiO2 層為1nm以上30nm以下，設Ni層232為10nm以上100nm以下。此外，罩幕層230也能以單層。罩幕層230是藉由濺鍍法(sputtering method)、真空蒸鍍法(vacuum evaporation method）、CVD法(Chemical Vapor Deposition method:化學氣相沉積法)等形成。
接著如圖12(c)所示，在罩幕層230上形成光阻膜240(光阻膜形成製程:S2)。在本實施形態中，光阻膜240使用熱塑性樹脂(thermoplastic resin)，藉由旋塗法(spin coating method)形成均勻的厚度。光阻膜240例如由環氧樹脂(epoxy resin)構成，厚度例如為70nm以上150nm以下。此外，光阻膜240也能使用光硬化性樹脂(photo-curing resin)。
然後，每次將SiC基板10 加熱使光阻膜240軟化，如圖12(d)所示，以模250沖壓光阻膜240。在模250的接觸面形成有凹凸構造251，光阻膜240沿著凹凸構造251變形。
然後在保持沖壓狀態下，每次將SiC基板10 冷卻使光阻膜240硬化。然後，藉由使模250由光阻膜240分離，如圖12(e)所示，凹凸構造241被轉印到光阻膜240(圖案形成製程:S3)。此處，凹凸構造241的週期成為1μm以下。在本實施形態中凹凸構造241的週期關於第一蛾眼區域10a例如為460nm，關於第二蛾眼區域10b例如為1000nm。而且，在本實施形態中凹凸構造241的凸部243的直徑成為150nm以上250nm以下，例如為200nm。而且，凸部243的高度成為200nm以上250nm以下，例如為230nm。在該狀態下，在光阻膜240的凹部形成有殘膜242。
將如以上形成有光阻膜240的SiC基板10 安裝於電漿蝕刻裝置91的基板保持台92。然後藉由例如電漿灰化除去殘膜242，如圖13(f)所示使工件之罩幕層230露出(殘膜除去製程:S4)。在本實施形態中使用O2 氣體當作電漿灰化的處理氣體。此時，光阻膜240的凸部243也受到灰化的影響，凸部243的側面244不是對罩幕層230的表面垂直，而是傾斜約規定的角度。
然後如圖13(g)所示，以變質用條件將光阻膜240曝露於電漿，使光阻膜240變質提高蝕刻選擇比(光阻變質製程:S5)。在本實施形態中使用Ar氣體當作光阻膜240的變質用的處理氣體。而且在本實施形態中，變質用條件被設定為用以將電漿導引到SiC基板10側的電源95的偏壓輸出比後述的蝕刻用條件低。
然後，以蝕刻用條件曝露於電漿，以蝕刻選擇比變高的光阻膜240當作罩幕進行當作工件的罩幕層230的蝕刻(罩幕層的蝕刻製程：S6)。在本實施形態中使用Ar氣體當作光阻膜240的蝕刻用的處理氣體。據此如圖13(h)所示，在罩幕層230形成有圖案233。
此處，就變質用條件與蝕刻用條件可適宜變更處理氣體、天線輸出(antenna output)、偏壓輸出等，惟如本實施形態使用同一個處理氣體並變更偏壓輸出較佳。具體上就變質用條件，若令處理氣體為Ar氣體，線圈94的天線輸出為350W，電源95的偏壓輸出為50W的話，則光阻膜240的硬化被觀察到。再者，就蝕刻用條件，若令處理氣體為Ar氣體，線圈94的天線輸出為350W，電源95的偏壓輸出為100W的話，則罩幕層230的蝕刻被觀察到。此外，對蝕刻用條件除了降低偏壓輸出之外，即使降低天線輸出或減少氣體流量，光阻的硬化也可能。
接著如圖13(i)所示，以罩幕層230為罩幕進行SiC基板10的蝕刻(SiC基板的蝕刻製程：S7)。在本實施形態中是在罩幕層230上殘留了光阻膜240的狀態下進行蝕刻。而且，進行使用SF6 等的含氟氣體當作處理氣體的電漿蝕刻。
然後如圖14(j)所示，若蝕刻進行的話，在SiC基板10形成有各凸部14a、14b。在本實施形態中各凸部14a、14b的高度為500nm。此外，也能使凹凸構造的高度比500nm大。此處，若使凹凸構造的高度像例如300nm般較淺的話，則如圖13(i)所示，在殘留了光阻膜240的狀態下結束蝕刻也沒關係。
在本實施形態中透過罩幕層230的SiO2 層231使得側向蝕刻(side etching)被促進，各凸部14a、14b的側面傾斜。而且，也能透過光阻膜240的側面244的傾斜角控制側向蝕刻的狀態。此外，若罩幕層230以Ni層232的單層的話，則可使各凸部14a、14b的側面對主表面(principal surface)大致垂直。
然後如圖14(k)所示，使用規定的剝離液除去殘留於SiC基板10上的罩幕層230(罩幕層除去製程：S8)。在本實施形態中，在藉由使用王水(硝酸(1)：鹽酸(3))除去Ni層232後，使用緩衝氫氟酸(buffered hydrofluoric acid)除去SiO2 層231。此外，即使光阻膜240殘留於罩幕層230上，也能透過王水一起除去Ni層232，惟當光阻膜240的殘留量多時，透過O2 灰化預先除去光阻膜240較佳。經過以上的製程製作在表面具有凹凸構造的SiC基板10。
使三族氮化物半導體磊晶成長(epitaxial growth)於如以上製作的SiC基板10。在本實施形態中藉由例如金屬有機化學氣相沉積法使緩衝層21、第一接觸層22、第一包覆層23、發光層24、電子阻隔層25、第二包覆層26及第二接觸層27成長。形成氮化物半導體層後，形成各電極31、32，藉由透過切割(dicing)分割成複數個LED元件1而製造LED元件1。
依照如以上構成的LED元件1，入射到SiC基板10的背面14的入射光在第一蛾眼區域10a中利用繞射作用而被取出到元件外部，在第二蛾眼區域10b中藉由與第一蛾眼區域10a不同的作用被取出到元件外部。因入射到第一蛾眼區域10a的入射光以滿足上述式(1)的角度被取出，故僅在特定的角度下光的強度變強。
另一方面，入射到第二蛾眼區域10b的入射光藉由繞射作用及擴散作用而被取出。因第二蛾眼區域10b中的繞射條件與第一蛾眼區域10a中的繞射條件不同，故受到繞射作用的光以與第一蛾眼區域10a不同的角度射出到元件外部。而且，在第二蛾眼區域10b中受到擴散作用的光不會像繞射作用般以特定的角度射出，而是遍及所有的角度射出。如此，在第二蛾眼區域10b入射光會得到繞射作用與擴散作用的兩方的作用，而在任一作用中都會以與第一蛾眼區域10a的射出角度不同的角度射出。據此，可抑制由LED元件1取出的光偏向特定的角度，可抑制光的強度分布產生不均。
而且，因第一蛾眼區域10a的凸部的週期比由SiC基板10發出的所有的光的光波長大，比所有的光的相干長度的一半小，故關於在元件產生的所有的波長的光，可在第一蛾眼區域10a得到繞射作用。進而因第二蛾眼區域10b的凸部的週期比由SiC基板10發出的所有的光的相干長度的一半大，故關於在元件產生的所有的波長的光，可在第二蛾眼區域10b得到擴散作用。
特別是在本實施形態中，可在元件產生複數個波長域的光，可不取決於射出角度而確切地混合各波長域的光。也就是說，除了第一蛾眼區域10a之外還藉由形成第二蛾眼區域10b，可抑制像僅形成第一蛾眼區域10a的情形般特定的波長域的光偏向特定的角度。據此，由元件射出的光不成為每一角度被分光的狀態，無須在外部配設用以混合各波長域的光的擴散部等。
此外，在前述本實施形態中雖然顯示了將第一蛾眼區域10a配置於背面14的中央側，將第二蛾眼區域10b配置於背面14的外緣側，但凹凸週期不同的各區域的配置狀態不是被限定於此。例如如圖15所示，以第一蛾眼區域310a與第二蛾眼區域310b分別以正方形配置成格子狀的LED元件301也可以。
而且，在前述本實施形態中雖然顯示了形成了凹凸的週期不同的兩個區域，但形成週期不同的3個以上的區域也可以。例如如圖16所示，也能以由中央側將週期不同的複數個區域排列於外緣側而形成的LED元件401。在圖16的LED元件401中，週期不同的4個區域由中央側朝外緣側排列而形成，形成於中央的第一蛾眼區域410a週期最小，鄰接第一蛾眼區域410a的第二蛾眼區域410b週期接著小於第一蛾眼區域410a，鄰接第二蛾眼區域410b的第三蛾眼區域410c週期接著小於第二蛾眼區域410b，鄰接第三蛾眼區域410c配置於最外側的第四蛾眼區域410d成為週期最大。
而且，在前述本實施形態中雖然顯示了以週期地形成的凸部構成第一蛾眼區域10a及第二蛾眼區域10b者，但當然以週期地形成的凹部構成也可以。而且，除了將凸部或凹部排列於三角格子的交點而形成之外，例如也能排列於假想的正方格子的交點而形成。
而且，在前述本實施形態中雖然顯示了在SiC基板10的背面14形成有第一蛾眼區域10a及第二蛾眼區域10b，但例如為凹部或凸部形成於半導體層或電極的表面者也可以。
而且，在前述本實施形態中雖然顯示了第二蛾眼區域10b的凸部的週期比入射光的光波長的相干長度的一半大，但若比第一蛾眼區域10a的凸部的週期大，則比相干長度的一半小也可以。
而且，在前述本實施形態中雖然顯示了第一凹凸構造與第二凹凸構造為互相形成於個別的區域者，但例如如圖17所示，彼此的區域的至少一部分重疊而形成也可以。圖17為LED元件的一部分底面圖，在該LED元件中，構成第一凹凸構造的複數個凸部114a與構成第二凹凸構造的複數個凸部114b形成於相同的區域。更詳細為，以第一凹凸構造的各凸部114a比第二凹凸構造的各凸部114b大的週期，且在平面視中形成大徑。在圖17中雖然第一及第二凹凸構造的各凸部114a、114b分別形成於LED元件的基板的平面部，但例如第二凹凸構造的一部分的凸部114b形成於第一凹凸構造的凸部114a也可以。而且，第一及第二凹凸構造未必需要藉由複數個凸部114a、114b構成，藉由複數個凹部構成第一及第二凹凸構造的至少一方也可以。
而且，在前述本實施形態中雖然顯示了第一凹凸構造與第二凹凸構造都具有繞射作用，但例如如圖18所示，第二凹凸構造不具有繞射作用也可以。圖18是顯示變形例的LED元件之一部分模式剖面圖，在該LED元件中，第二凹凸構造由包含隨機形成的複數個凸部的粗面部214b構成，具有菲涅耳反射抑制作用。該粗面部214b例如可藉由規定的濕式蝕刻(wet etching)形成。在圖18中雖然第二凹凸構造的粗面部214b形成於LED元件的基板的平面部，但例如如圖19所示，第二凹凸構造的粗面部314b不僅平面部，也可以形成於第一凹凸構造的凸部314a。
而且，在前述本實施形態中雖然顯示了SiC基板10由發出不同的波長的3個螢光層構成，但SiC基板10的螢光層的數目為任意。進而當然使用SiC以外的基板當作LED元件1的基板也可以。例如也能將本發明適用於在藍寶石基板上形成有包含發光層的三族氮化物半導體，由發光層發出的藍色光被由藍寶石基板的背面取出的LED元件。
1、301、401‧‧‧LED元件
10‧‧‧SiC基板
10a、310a、410a‧‧‧第一蛾眼區域
10b、310b、410b‧‧‧第二蛾眼區域
11‧‧‧第一SiC層
12‧‧‧第二SiC層
13‧‧‧第三SiC層
14‧‧‧背面
14a、14b‧‧‧凸部
20‧‧‧GaN系半導體層
21‧‧‧緩衝層
22‧‧‧第一接觸層
23‧‧‧第一包覆層
24‧‧‧發光層
25‧‧‧電子阻隔層
26‧‧‧第二包覆層
27‧‧‧第二接觸層
31‧‧‧p電極
31a‧‧‧ITO層
31b‧‧‧APC層
31c‧‧‧Ni層
31d‧‧‧Ti層
31e‧‧‧Au層
32‧‧‧n電極
32a‧‧‧ITO層
32b‧‧‧APC層
32c‧‧‧Ni層
32d‧‧‧Ti層
32e‧‧‧Au層
91‧‧‧電漿蝕刻裝置
92‧‧‧基板保持台
93‧‧‧容器
94‧‧‧線圈
95‧‧‧電源
96‧‧‧石英板
97‧‧‧冷卻控制部
98‧‧‧電漿
100‧‧‧結晶成長裝置
110‧‧‧晶種基板
114a、114b、214a、314a‧‧‧凸部
120‧‧‧原料
130‧‧‧內部容器
131‧‧‧坩堝
132‧‧‧蓋
140‧‧‧收納管
150‧‧‧絕熱容器
160‧‧‧導入管
170‧‧‧流量計
180‧‧‧泵
190‧‧‧RF線圈
214b、314b‧‧‧粗面部
230‧‧‧罩幕層
231‧‧‧SiO2層
232‧‧‧Ni層
233‧‧‧圖案
240‧‧‧光阻膜
241、251‧‧‧凹凸構造
242‧‧‧殘膜
243‧‧‧凸部
244‧‧‧側面
250‧‧‧模
410c‧‧‧第三蛾眼區域
410d‧‧‧第四蛾眼區域
a‧‧‧自由電子
aD’、aS’‧‧‧施體電子
b‧‧‧自由電洞
b’‧‧‧受體電洞
E1‧‧‧傳導帶
E2‧‧‧價帶
Eg‧‧‧能帶隙能量
NA‧‧‧受體能階
NDD、NSD‧‧‧施體能階
圖1是顯示本發明的一實施形態的LED元件之模式剖面圖。 圖2(a)、(b)是LED元件之底面說明圖，(a)是顯示SiC基板的背面全體中的第一蛾眼(moth-eye)區域與第二蛾眼區域的配置狀態，(b)是顯示第一蛾眼區域與第二蛾眼區域的邊界部分中的各蛾眼區域的凸部的形成狀態。 圖3是顯示不同的折射率的界面中的光的繞射作用之說明圖。 圖4是模式地顯示入射到SiC基板的光被轉換成螢光的樣子之說明圖。 圖5是顯示使硼的濃度變化的情形的波長與發光強度的關係之圖表。 圖6是顯示以試樣體B的一般演色指數(CRI：Color_ Rendering_Index)為基準，在混合了試樣體A與試樣體B的情形下，一般演色指數提高了何種程度呢之表。 圖7是顯示受體雜質(acceptor impurity)以鋁的情形的波長與發光強度的關係之圖表。 圖8是顯示具有第一SiC層、第二SiC層及第三SiC層的SiC基板的波長與發光強度的關係之圖表。 圖9是結晶成長裝置之說明圖。 圖10是電漿蝕刻裝置(plasma etching equipment)之概略說明圖。 圖11是顯示SiC基板的蝕刻方法之流程圖。 圖12(a)、(b)、(c)、(d)、(e)是顯示SiC基板及罩幕層(mask layer)的蝕刻方法的過程，(a)是顯示加工前的SiC基板，(b)是顯示在SiC上形成罩幕層的狀態，(c)是顯示在罩幕層上形成光阻膜(resist film)的狀態，(d)是顯示使模(mold)接觸光阻膜的狀態，(e)是顯示在光阻膜形成有圖案(pattern)的狀態。 圖13(f)、(g)、(h)、(i)是顯示SiC基板及罩幕層的蝕刻方法的過程，(f)是顯示除去了光阻膜的殘膜的狀態，(g)是顯示使光阻膜變質了的狀態，(h)是顯示以光阻膜為罩幕對罩幕層進行了蝕刻的狀態，(i)是顯示以罩幕層為罩幕對藍寶石基板進行了蝕刻的狀態。 圖14(j)、(k)是顯示SiC基板及罩幕層的蝕刻方法的過程，(j)是顯示以罩幕層為罩幕更進一步對SiC基板進行了蝕刻的狀態，(k)是顯示由SiC基板除去了殘留的罩幕層的狀態。 圖15是顯示變形例的LED元件之底面說明圖。 圖16是顯示變形例的LED元件之底面說明圖。 圖17是顯示變形例的LED元件之一部分底面說明圖。 圖18是顯示變形例的LED元件之一部分模式剖面圖。 圖19是顯示變形例的LED元件之一部分模式剖面圖。
1‧‧‧LED元件
10‧‧‧SiC基板
10a‧‧‧第一蛾眼區域
10b‧‧‧第二蛾眼區域
11‧‧‧第一SiC層
12‧‧‧第二SiC層
13‧‧‧第三SiC層
14‧‧‧背面
14a、14b‧‧‧凸部
20‧‧‧GaN系半導體層
21‧‧‧緩衝層
22‧‧‧第一接觸層
23‧‧‧第一包覆層
24‧‧‧發光層
25‧‧‧電子阻隔層
26‧‧‧第二包覆層
27‧‧‧第二接觸層
31‧‧‧p電極
31a‧‧‧ITO層
31b‧‧‧APC層
31c‧‧‧Ni層
31d‧‧‧Ti層
31e‧‧‧Au層
32‧‧‧n電極
32a‧‧‧ITO層
32b‧‧‧APC層
32c‧‧‧Ni層
32d‧‧‧Ti層
32e‧‧‧Au層

Claims (5)

  1. 一種LED元件，凹凸區域配置於元件表面，將入射到該凹凸區域的入射光取出到元件外部， 該凹凸區域具有： 由以比該入射光的光波長大比該入射光的相干長度小的週期形成的凹部或凸部構成，藉由繞射作用將該入射光取出到元件外部之第一凹凸構造；以及 藉由與該第一凹凸構造的繞射作用不同的作用將該入射光取出到元件外部之第二凹凸構造。
  2. 如申請專利範圍第1項之LED元件，其中該第二凹凸構造 與該第一凹凸構造中的該凹部或該凸部的該週期不同，且由以比該入射光的光波長大比該入射光的相干長度小的週期形成的凹部或凸部構成， 藉由與該第一凹凸構造的繞射作用不同的繞射作用將該入射光取出到元件外部。
  3. 如申請專利範圍第1項之LED元件，其中該第二凹凸構造 由隨機形成的凹部或凸部構成， 藉由菲涅耳反射抑制作用將該入射光取出到元件外部。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項之LED元件，其中該第一凹凸構造與該第二凹凸構造為互相的區域個別形成。
  5. 如申請專利範圍第2項或第3項之LED元件，其中該第一凹凸構造與該第二凹凸構造為互相的區域的至少一部分重疊形成。
TW105110701A 2015-04-15 2016-04-06 Led元件 TW201709317A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015083486 2015-04-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201709317A true TW201709317A (zh) 2017-03-01

Family

ID=57125951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105110701A TW201709317A (zh) 2015-04-15 2016-04-06 Led元件

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TW201709317A (zh)
WO (1) WO2016167281A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10243099B2 (en) 2017-05-16 2019-03-26 Epistar Corporation Light-emitting device

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005005679A (ja) * 2003-04-15 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
JP2010092936A (ja) * 2008-10-03 2010-04-22 Yamaguchi Univ 半導体装置
CN102484183B (zh) * 2009-09-07 2015-01-14 崇高种子公司 半导体发光元件及其制造方法
JP5592904B2 (ja) * 2012-01-12 2014-09-17 株式会社東芝 半導体発光素子
JP5553292B1 (ja) * 2013-12-03 2014-07-16 エルシード株式会社 Ｌｅｄ素子

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016167281A1 (ja) 2016-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007294972A (ja) 発光素子及びその製造方法
WO2010109750A1 (ja) サファイア基板の製造方法、および半導体装置
US20130126907A1 (en) Group iii nitride semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2009147140A (ja) 発光素子および発光素子の製造方法
JP2008283037A (ja) 発光素子
US20180097144A1 (en) Method for manufacturing light emitting element and light emitting element
TW201432938A (zh) Led元件及其製造方法
WO2013176291A1 (ja) 複合基板、発光素子および複合基板の製造方法
JP6226681B2 (ja) Ｌｅｄ素子
TW201709317A (zh) Led元件
US11769858B2 (en) Light emitting device and method of making the same
WO2017056660A1 (ja) 光学装置及び発光素子
Shiraki et al. Electroluminescence from Micro-Cavities of Photonic Crystals, Micro-Disks and Rings Including Ge Dots Formed on SOI Substrates
JP2010275141A (ja) 立方晶型窒化物半導体ウェハ及びその製造方法、並びに立方晶型窒化物半導体自立基板の製造方法
TWI484663B (zh) 半導體發光元件及其製作方法
JP2018022919A (ja) Ｌｅｄ素子
JP2012015154A (ja) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
JP5946333B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体デバイス及びその製造方法
JP5866044B1 (ja) 発光素子の製造方法及び発光素子
Wang et al. Nanofabrication of III-Nitride Emitters for Solid-State Lighting
TWI392115B (zh) 增加氮化鎵發光二極體之光取出效率之方法
KR20100003317A (ko) 질화물계 발광소자 및 그의 제조방법
JP6755230B2 (ja) 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
WO2015194382A1 (ja) 発光素子の製造方法及び発光素子
TWI553901B (zh) 紫外光發光二極體及其製造方法