JP2010534931A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. ｎ型領域とｐ型領域との間に配される光放射層と、半導体構造の面内又は面上に形成される屈折率の変動部であって、光結晶である屈折率の前記変動部とを有する前記半導体構造と、前記光放射層により放射される光の通路に配される、波長変換物質を有するセラミック層とを有する、デバイス。
2. 前記セラミック層が剛性の凝集蛍光体粒子を有する、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記デバイスの半導体層の全体の厚さが約１μｍより小さい、請求項１に記載のデバイス。
4. 前記セラミック層の面が加工されている、請求項１に記載のデバイス。
5. ホスト基板を更に有する請求項１に記載のデバイスであって、前記半導体構造が前記ホスト基板に取り付けられ、前記セラミック層が前記ホスト基板とは反対側の前記半導体構造の面近くに配される、デバイス。
6. 前記半導体構造と前記セラミック層との間に配される光バルブを更に有する、請求項１に記載のデバイス。
7. 前記光バルブが誘電体積層、配布されたブラッグリフレクタ、ダイクロイックフィルタ、２次元光結晶及び３次元光結晶のうちの一つを有する、請求項６に記載のデバイス。
8. 屈折率の前記変動部が、あらかじめ決められた角度放射プロフィール内の光を放射し、前記光バルブが、前記あらかじめ決められた角度放射プロフィール内で放射されて前記光バルブに入射する主要な部分の光を透過する、請求項６に記載のデバイス。
9. 前記半導体構造から出る光の６０％より多い光が前記半導体構造の主表面に対する法線から円錐４５°内で放射され、前記円錐４５°内で放射される光の９０％より多い光が前記光バルブにより透過される、請求項８に記載のデバイス。
10. 前記セラミック層により放射される光の１０％より少ない光が前記光バルブにより透過される、請求項９に記載のデバイス。
11. 前記光放射層により放射される光の通路に配される誘電体集光器を更に有する、請求項１に記載のデバイス。
12. 前記誘電体集光器がガラスレンズである、請求項１１に記載のデバイス。
13. 屈折率の前記変動部が、あらかじめ決められた放射プロフィール内で光を放射し、前記誘電体集光器は、前記あらかじめ決められた放射プロフィール内で放射される主要な光が前記誘電体集光器へ放射されるように構成されている、請求項１１に記載のデバイス。
14. 反射層を更に有する請求項１に記載のデバイスであって、前記セラミック層が前記反射層と前記半導体構造との間に配される、デバイス。