JP2017535966A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. マイクロＬＥＤ（μＬＥＤ）であって、
   実質的に放物面状のメサ構造と、
   前記メサ構造内の発光源と、
   メサ構造の頂部と対向するμＬＥＤの一側の主放射面と
   を備え、
   前記メサ構造は、（Ｈ２＊Ｈ２）／Ａｃで定義される、０．５未満のアスペクト比を有し、μＬＥＤはさらに、前記発光源から前記主放射面までの領域に位置する反射面を備え、前記反射面は、５００ｎｍ未満の粗さＲａを有し、Ｈ２は、前記メサ構造の底面の上方にある前記発光源の高さであり、Ａｃは、前記発光源の高さにおけるメサ構造の断面積である、μＬＥＤ。
2. 前記反射面は、主放射面である、請求項１に記載のμＬＥＤ。
3. 前記粗さＲａは、３００ｎｍ未満である、請求項１に記載のμＬＥＤ。
4. 前記反射面は、第１の屈折率を有する第１の材料と第２の屈折率を有する第２の材料との間の界面である、請求項１に記載のμＬＥＤ。
5. 前記第１の材料は、エピ層を含み、前記第２の材料は、前記μＬＥＤが形成される基板を含む、請求項４に記載のμＬＥＤ。
6. μＬＥＤが、サファイア基板上のＧａＮから形成され、２つの材料間の界面が、前記ＧａＮと前記サファイア基板との間の界面である、請求項４に記載のμＬＥＤ。
7. 前記反射面は、前記メサ構造の底面の断面積以上の領域において５００ｎｍ未満の粗さＲａを有し、かつ前記メサ構造の中心軸に位置合わせされている、請求項１に記載のμＬＥＤ。
8. アスペクト比が０．３未満である、請求項１に記載のμＬＥＤ。
9. 前記メサ構造は、切頭頂部を含む、請求項１に記載のμＬＥＤ。
10. 前記発光源は、前記メサ構造の中心軸からオフセットされている、請求項１に記載のμＬＥＤ。
11. 前記発光源は、前記主放射面に平行な平面内にある１つまたは両方の垂直軸上の距離だけオフセットされている、請求項１０に記載のμＬＥＤ。
12. 前記垂直軸の各々におけるオフセット距離は、１μｍ〜５μｍの範囲内にある、請求項１１に記載のμＬＥＤ。
13. 前記垂直軸の各々におけるオフセット距離は、前記垂直軸の各々において前記中心軸からメサの端部までの全距離の１０％から５０％の範囲内にある、請求項１１に記載のμＬＥＤ。
14. 前記発光源は、前記発光源から光が、μＬＥＤからの光の放射方向に対して実質的に垂直な方向に放射されるように、異方性に光を放射するように構成されている、請求項１に記載のμＬＥＤ。
15. 前記発光源からの光の放射が、屈折率ガイドおよびダイポール異方性の１つまたは複数を用いて制御される、請求項１４に記載のμＬＥＤ。
16. 前記主放射面に適用された追加層をさらに備え、前記追加層は、任意の角度および／または任意の波長を超える波長で前記追加層上に入射する光を減衰させる、請求項１に記載のμＬＥＤ。
17. 前記追加層が多層誘電体フィルタである、請求項１６に記載のμＬＥＤ。
18. 前記メサ構造の発光層内の前記発光源の光源占有率は、２０％から５０％の範囲内である、請求項１に記載のμＬＥＤ。