RU2018112372A - Светоизлучающее устройство, интегрированное светоизлучающее устройство и светоизлучающий модуль - Google Patents
Светоизлучающее устройство, интегрированное светоизлучающее устройство и светоизлучающий модуль Download PDFInfo
- Publication number
- RU2018112372A RU2018112372A RU2018112372A RU2018112372A RU2018112372A RU 2018112372 A RU2018112372 A RU 2018112372A RU 2018112372 A RU2018112372 A RU 2018112372A RU 2018112372 A RU2018112372 A RU 2018112372A RU 2018112372 A RU2018112372 A RU 2018112372A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting device
- radiation
- paragraphs
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Led Devices (AREA)
Claims (27)
1. Светоизлучающее устройство, содержащее:
основание, включающее в себя токопроводящие дорожки;
светоизлучающий элемент, установленный на основании и выполненный с возможностью излучать световое излучение;
светоотражающую пленку, расположенную на верхней поверхности светоизлучающего элемента; и
оболочку, покрывающую светоизлучающий элемент и светоотражающую пленку, причем отношение (H/W) высоты (Н) оболочки к ширине (W) нижней поверхности оболочки составляет менее 0,5.
2. Светоизлучающее устройство по п. 1, в котором верхняя поверхность оболочки имеет выпуклую изогнутую форму.
3. Светоизлучающее устройство по п. 1 или 2, в котором светоотражающая пленка выполнена так, что коэффициент пропускания светового излучения светоотражающей пленки для указанного светового излучения зависит от угла падения.
4. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-3, в котором коэффициент пропускания светового излучения светоотражающей пленки для указанного светового излучения увеличивается по мере увеличения абсолютного значения угла падения указанного светового излучения.
5. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-4, в котором светоотражающая пленка сформирована из диэлектрической многослойной пленки.
6. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-5, в котором:
диапазон длин волн, отраженных светоотражающей пленкой, для светового излучения, падающего перпендикулярно на светоотражающую пленку, включает длину волны пикового излучения светоизлучающего элемента, и
в указанном диапазоне длин волн отражения область со стороны более длинных длин волн относительно пика излучения шире, чем область со стороны более коротких длин волн относительно пика излучения.
7. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-6, в котором 30% или более от всего светового излучения, излучаемого светоизлучающим устройством, излучается в направлении под углом наклона менее 20° относительно верхней поверхности основания.
8. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-6, в котором 40% или более от всего светового излучения, излучаемого светоизлучающим устройством, излучается в направлении под углом наклона менее 20° относительно верхней поверхности основания.
9. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-8, в котором отношение (H/W) высоты (Н) оболочки к ширине (W) нижней поверхности оболочки составляет 0,3 или менее.
10. Светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-9, в котором светоизлучающий элемент установлен методом перевернутого кристалла.
11. Интегрированное светоизлучающее устройство, содержащее:
несколько светоизлучающих устройств по любому из пп. 1-10,
при этом по меньшей мере один светоотражающий элемент расположен между соседними указанными светоизлучающими устройствами.
12. Интегрированное светоизлучающее устройство по п. 11, в котором светоотражающий элемент имеет высоту, составляющую 0,3 или менее от расстояния между соседними светоизлучающими устройствами.
13. Интегрированное светоизлучающее устройство по п. 11, в котором светоотражающий элемент имеет высоту, составляющую 0,2 или менее от расстояния между соседними светоизлучающими устройствами.
14. Светоизлучающий модуль, содержащий:
светоизлучающее устройство по любому из пп. 1-10; и
элемент преобразования длины волны, расположенный со стороны световыводящей поверхности светоизлучающего устройства, причем элемент преобразования длины волны выполнен с возможностью поглощать часть светового излучения, испускаемого светоизлучающим элементом и преобразовывать поглощенное световое излучение в световое излучении с длиной волны, отличной от длины волны светового излучения, испускаемого светоизлучающим элементом.
15. Светоизлучающий модуль, содержащий:
интегрированное светоизлучающее устройство по любому из пп. 11-13; и
элемент преобразования длины волны, расположенный со стороны световыводящей поверхности интегрированного светоизлучающего устройства, причем элемент преобразования длины волны выполнен с возможностью поглощать часть светового излучения, испускаемого светоизлучающим элементом и преобразовывать поглощенное световое излучение в световое излучение с длиной волны, отличной от длины волны светового излучения, испускаемого светоизлучающим элементом.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015200445 | 2015-10-08 | ||
JP2015-200445 | 2015-10-08 | ||
JP2016-197968 | 2016-10-06 | ||
JP2016197968A JP6506899B2 (ja) | 2015-10-08 | 2016-10-06 | 発光装置、集積型発光装置および発光モジュール |
PCT/JP2016/004528 WO2017061127A1 (en) | 2015-10-08 | 2016-10-07 | Light-emitting device, integrated light-emitting device, and light-emitting module |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2018112372A true RU2018112372A (ru) | 2019-10-07 |
RU2018112372A3 RU2018112372A3 (ru) | 2019-12-05 |
RU2717381C2 RU2717381C2 (ru) | 2020-03-23 |
Family
ID=58538425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018112372A RU2717381C2 (ru) | 2015-10-08 | 2016-10-07 | Светоизлучающее устройство, интегрированное светоизлучающее устройство и светоизлучающий модуль |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
JP (3) | JP6506899B2 (ru) |
KR (1) | KR102632427B1 (ru) |
CN (2) | CN113437202A (ru) |
AU (1) | AU2016238924B2 (ru) |
BR (1) | BR112018006931B1 (ru) |
CA (1) | CA2999401A1 (ru) |
RU (1) | RU2717381C2 (ru) |
TW (2) | TWI712181B (ru) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7082273B2 (ja) * | 2017-07-21 | 2022-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、集積型発光装置および発光モジュール |
CN109285929B (zh) * | 2017-07-21 | 2023-09-08 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置、集成型发光装置以及发光模块 |
CN109390327B (zh) * | 2017-08-02 | 2020-10-30 | 吴裕朝 | 发光装置、应用其的背光模组、光源模组及其制备方法 |
KR102631105B1 (ko) * | 2017-08-31 | 2024-01-30 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
JP7522529B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2024-07-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7082272B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2022-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7174216B2 (ja) * | 2017-10-23 | 2022-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光モジュールおよび集積型発光モジュール |
TWI793203B (zh) | 2017-10-26 | 2023-02-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
JP6870592B2 (ja) | 2017-11-24 | 2021-05-12 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP7177331B2 (ja) | 2018-06-29 | 2022-11-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7180552B2 (ja) * | 2019-06-21 | 2022-11-30 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造管理方法 |
JP7226131B2 (ja) | 2019-06-25 | 2023-02-21 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2021009806A (ja) * | 2019-07-01 | 2021-01-28 | 大日本印刷株式会社 | バックライトモジュール、および表示装置 |
CN112485803A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-03-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 激光发射装置及制作方法、飞行时间测量装置 |
JP7508278B2 (ja) | 2020-06-04 | 2024-07-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法 |
CN116390846A (zh) * | 2020-10-20 | 2023-07-04 | 大日本印刷株式会社 | 面发光装置、显示装置、面发光装置用封装部件片和面发光装置的制造方法 |
CN116779744A (zh) * | 2023-06-30 | 2023-09-19 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 一种芯片级led封装元件 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6155699A (en) * | 1999-03-15 | 2000-12-05 | Agilent Technologies, Inc. | Efficient phosphor-conversion led structure |
JP2001257381A (ja) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Sharp Corp | 発光ダイオードおよびその製造方法並びに照明装置 |
US6345903B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-02-12 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same |
AU2002217845A1 (en) * | 2000-11-16 | 2002-05-27 | Emcore Corporation | Microelectronic package having improved light extraction |
JP2002280614A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-27 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
RU2207663C2 (ru) * | 2001-07-17 | 2003-06-27 | Ооо Нпц Оэп "Оптэл" | Светодиод |
JP2004253436A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-09 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2004304041A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
DE102004001312B4 (de) * | 2003-07-25 | 2010-09-30 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung |
JP2006049857A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-02-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光源、および光源の作製方法、並びにカラー感熱プリンタ |
JP2006261540A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Stanley Electric Co Ltd | 発光デバイス |
RU53500U1 (ru) * | 2005-11-22 | 2006-05-10 | Емельян Михайлович Гамарц | Электролюминесцентный излучатель |
US7375379B2 (en) * | 2005-12-19 | 2008-05-20 | Philips Limileds Lighting Company, Llc | Light-emitting device |
KR100649765B1 (ko) * | 2005-12-21 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백라이트유닛 |
US7626210B2 (en) | 2006-06-09 | 2009-12-01 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Low profile side emitting LED |
JP2008041290A (ja) * | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Akita Denshi Systems:Kk | 照明装置及びその製造方法 |
US8755005B2 (en) * | 2008-09-24 | 2014-06-17 | Koninklijke Philips N.V. | Thin edge backlight with LEDS optically coupled to the back surface |
JP2010092672A (ja) * | 2008-10-06 | 2010-04-22 | Harison Toshiba Lighting Corp | バックライト装置および表示装置 |
JP5347953B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2013-11-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
TWI557933B (zh) * | 2010-03-30 | 2016-11-11 | Dainippon Printing Co Ltd | A manufacturing method of a wire frame or a substrate for a light emitting diode, a semiconductor device, and a wire frame or a substrate for a light emitting diode |
CN102933893B (zh) * | 2010-06-15 | 2015-06-03 | 夏普株式会社 | 照明装置、显示装置以及电视接收装置 |
JP5178796B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2013-04-10 | 三菱電機株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
JP2012204370A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Sony Corp | 光源回路ユニットおよび照明装置、並びに表示装置 |
JP5401534B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-01-29 | シャープ株式会社 | 発光装置、照明装置、および表示装置 |
JP5796209B2 (ja) * | 2011-05-23 | 2015-10-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
US8624482B2 (en) * | 2011-09-01 | 2014-01-07 | Toshiba Techno Center Inc. | Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED |
JP2013077798A (ja) | 2011-09-14 | 2013-04-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | ガラス封止ledランプ及びその製造方法 |
JP6048001B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2016-12-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TW201413347A (zh) * | 2012-09-19 | 2014-04-01 | Chi Lin Technology Co Ltd | 具有光波長轉換元件之背光模組 |
TWI528083B (zh) * | 2012-11-29 | 2016-04-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 背光模組 |
JP2014187095A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Ledモジュールおよび照明装置 |
JP6179854B2 (ja) * | 2013-07-23 | 2017-08-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 照明器具 |
JP6273124B2 (ja) * | 2013-11-08 | 2018-01-31 | シチズン電子株式会社 | Led照明装置 |
US9890911B2 (en) * | 2013-12-19 | 2018-02-13 | Koninklijke Philips N.V. | LED module with uniform phosphor illumination |
CN104766916A (zh) * | 2014-01-07 | 2015-07-08 | 易美芯光(北京)科技有限公司 | 一种采用倒装蓝光芯片封装的led集成光源 |
CN103872223A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-06-18 | 上海瑞丰光电子有限公司 | 一种led晶片级封装方法 |
RU151161U1 (ru) * | 2014-08-19 | 2015-03-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭНЕРКОМ" | Источник белого света и светильник, содержащий такой источник |
-
2016
- 2016-10-06 JP JP2016197968A patent/JP6506899B2/ja active Active
- 2016-10-07 RU RU2018112372A patent/RU2717381C2/ru active
- 2016-10-07 AU AU2016238924A patent/AU2016238924B2/en active Active
- 2016-10-07 KR KR1020160129813A patent/KR102632427B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-07 BR BR112018006931-0A patent/BR112018006931B1/pt active IP Right Grant
- 2016-10-07 TW TW105132674A patent/TWI712181B/zh active
- 2016-10-07 TW TW109137811A patent/TWI799754B/zh active
- 2016-10-07 CA CA2999401A patent/CA2999401A1/en active Pending
- 2016-10-08 CN CN202110686880.2A patent/CN113437202A/zh active Pending
- 2016-10-08 CN CN201611144127.6A patent/CN106571421B/zh active Active
-
2018
- 2018-04-17 JP JP2018079375A patent/JP7175099B2/ja active Active
-
2021
- 2021-08-06 JP JP2021129946A patent/JP7252483B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI712181B (zh) | 2020-12-01 |
RU2717381C2 (ru) | 2020-03-23 |
CA2999401A1 (en) | 2017-04-13 |
KR20170044032A (ko) | 2017-04-24 |
CN113437202A (zh) | 2021-09-24 |
JP7252483B2 (ja) | 2023-04-05 |
RU2018112372A3 (ru) | 2019-12-05 |
TW202112181A (zh) | 2021-03-16 |
BR112018006931A2 (pt) | 2018-10-16 |
KR102632427B1 (ko) | 2024-01-31 |
CN106571421A (zh) | 2017-04-19 |
TWI799754B (zh) | 2023-04-21 |
JP6506899B2 (ja) | 2019-04-24 |
JP2021170688A (ja) | 2021-10-28 |
JP7175099B2 (ja) | 2022-11-18 |
AU2016238924B2 (en) | 2021-06-10 |
CN106571421B (zh) | 2021-07-09 |
AU2016238924A1 (en) | 2017-04-27 |
JP2018139303A (ja) | 2018-09-06 |
JP2017073549A (ja) | 2017-04-13 |
TW201724554A (zh) | 2017-07-01 |
BR112018006931B1 (pt) | 2022-11-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2018112372A (ru) | Светоизлучающее устройство, интегрированное светоизлучающее устройство и светоизлучающий модуль | |
JP2018139303A5 (ru) | ||
JP2021170688A5 (ru) | ||
JP2020537828A5 (ru) | ||
JP2017535966A5 (ru) | ||
US20180190882A1 (en) | Flip chip light emitting diode package structure | |
JP6235491B2 (ja) | 均一な照明を得るための光学素子 | |
JP2014075584A5 (ru) | ||
US20110292658A1 (en) | Optical light emitting device | |
WO2011112914A3 (en) | Scattered-photon extraction-based light fixtures | |
US10317018B2 (en) | Lighting device | |
EP2667086A3 (en) | Vehicular headlamp | |
RU2013147731A (ru) | Лампа | |
RU2017136552A (ru) | Светодиодное осветительное устройство | |
RU2017112983A (ru) | Гибкое светоизлучающее устройство | |
US9911907B2 (en) | Light-emitting apparatus | |
JP2019080065A5 (ru) | ||
US20130114257A1 (en) | Light Having a Cover Panel | |
JP6251883B2 (ja) | 紫外線発光素子 | |
JP2012511244A5 (ru) | ||
RU2013152975A (ru) | Осветительное сид-устройство с верхней структурой рассеивания тепла | |
JP2013143350A (ja) | ライン光照射装置 | |
JP2013211487A5 (ja) | 二次レンズ、太陽電池実装体及び集光型太陽光発電モジュール | |
JP2013065660A (ja) | 発光モジュールおよび発光装置 | |
US8957446B2 (en) | Light emitting device |