KR100809236B1

KR100809236B1 - 편광 발광 다이오드

Info

Publication number: KR100809236B1
Application number: KR1020060082935A
Authority: KR
Inventors: 민복기; 손철수
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2006-08-30
Filing date: 2006-08-30
Publication date: 2008-03-05
Also published as: US8004000B2; JP2008060534A; JP5130426B2; US20080054283A1

Abstract

편광 발광다이오드가 개시된다. 개시된 편광 발광다이오드는, 지지층과; 상기 지지층 위에 마련된 것으로, 발광층을 가지는 반도체 다층막; 및 상기 반도체 다층막 위에 마련된 것으로, 서로 나란하게 배열된 복수개의 메탈 나노와이어를 가지는 편광제어층;을 포함하여, 상기 메탈 나노와이어가 배열된 방향으로 편광된 광을 방출하는 것을 특징으로 한다.

Description

편광 발광 다이오드{Polarized light emitting diode}

도 1은 본 발명의 실시예에 의한 편광 발광다이오드를 개략적으로 나타낸다.

도 2는 도 1의 편광 발광다이오드에서 편광제어층의 구조를 나타낸다.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 의한 편광 발광다이오드의 제조방법을 설명하는 도면이다.

도 4는 메탈 나노와이어의 폭에 따른 편광제어층에서의 투과율을 제1편광과 제2편광으로 나누어 나타낸 그래프이다.

도 5는 메탈 나노와이어의 폭에 따른 편광제어층에서의 반사율을 제1편광과 제2편광으로 나누어 나타낸 그래프이다.

도 6은 편광제어층을 투과한 광의 편광비를 메탈 나노와이어의 폭에 따라 나타낸 그래프이다.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 의한 편광 발광다이오드를 개략적으로 나타낸다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100,300...편광 발광다이오드 110,310...지지층

130,330...반도체 다층막 132,332...P형반도체층

134,334...발광층 136,336...N형반도체층

150,350...편광제어층 152,352...유전체층

154,354...메탈 나노와이어 340...편광소멸층

120,320...반사층

본 발명은 편광된 광을 제공하는 편광 발광다이오드에 관한 것이다.

최근, 발광 다이오드(Light emitting diode,LED)는 고효율의 친환경적인 새로운 광원으로 주목받고 있으며 자동차용 광원, 디스플레이 장치의 광원, 광통신 및 일반 조명용 광원 등으로 그 응용 영역이 빠르게 확대되고 있다.

많은 응용분야에서 광원에서 나온 빛을 편리하게 제어하기 위하여 빛의 편광 특성을 이용한다. 특히 액정표시소자를 이용한 디스플레이 장치 및 광통신장치에서는 편광현상이 중요한 원리가 된다. 예를 들어, 액정표시장치는 전극이 형성된 기판 사이에 액정 물질을 주입하여 제작되며, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 액정 분자의 상태에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다. 즉, 액정표시장치는 통과하는 직선편광의 편광방향을 변화시킴으로써 빛을 통과시키거나 차단하는 셔터 기능을 수행하는 것이므로 일 방향으로 직선 편광된 광만을 사용하게 된다. 그러나 광원에서 제공되는 광은 무편광의 광이므로 액정표시장치의 양면에 편광판이 구비되게 된다. 이 때, 편광판은 일 방향으로 편광된 광은 투과시키고 다른 방향으로 편광된 광은 흡수하여, 입사광의 약 50%를 흡수하기 때문에, 광효율이 낮다는 문제점이 있어, 효율적인 편광수단에 대한 많은 연구가 계속되고 있다. 또한, 광통신 장치의 경우에도 편광특성에 따라 외부의 수동 광소자와의 커플링 효율이 큰 차이를 나타내므로 편광된 광을 만드는 기술이 중요시된다.

본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 편광된 광을 공급하는 발광다이오드를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 편광 발광다이오드는 지지층과; 상기 지지층 위에 마련된 것으로, 발광층을 가지는 반도체 다층막; 및 상기 반도체 다층막 위에 마련된 것으로, 서로 나란하게 배열된 복수개의 메탈 나노와이어를 가지는 편광제어층;을 포함하여, 상기 메탈 나노와이거가 배열된 방향으로 편광된 광을 방출하는 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 편광 발광다이오드를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 아래에 예시되는 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니며, 본 발명을 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 충분히 설명하기 위해 제공되는 것이다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 편광 발광다이오드를 개략적으로 나타내며, 도 2는 도 1의 편광 발광다이오드에서 편광제어층의 구조를 나타낸다. 도면들을 참조하면, 편광 발광다이오드(100)는 지지층(110)과, 지지층(110) 위에 마련된 반도체 다층막(130)과, 반도체 다층막(130) 위에 마련된 편광제어층(150)을 포함한다.

반도체 다층막(130)은, P형반도체층(132)과 N형반도체층(136)과 상기 P형반도체층(132)과 N형반도체층(136) 사이에 마련된 발광층(134)을 포함하는 구조로 되어 있다. 발광층(134)은 예를 들어, 다중양자우물구조로 이루어질 수 있다.

지지층(110)과 반도체 다층막(130) 사이에는 반사층(120)이 마련될 수 있으며, 반사층(120)은 발광층(134)에서 생성되는 되는 광이 편광제어층(150) 쪽 상부로 방출되게 하는 것이다. 반사층(120)은 반사도가 높은 은(Ag), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd) 등을 포함하는 금속층이나 굴절률이 다른 유전체가 반복된 구조의 유전체 거울로 이루어질 수 있다.

일반적으로 발광 다이오드는 박막의 형태이며 상 하부 표면이 옆면보다 수 십배 이상 큰 구조를 가지게 되므로 발광층(134)에서 생성되는 대부분의 광이 편광제어층(150)을 통하여 나오게 된다. 만일 옆면으로의 방출이 큰 구조라면 옆면에 유전체 거울 등의 반사층을 마련해 광의 방출을 막을 수 있다. 반사층은 절연층과 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 또는 백금(Pt) 등의 고반사 금속층으로 구성될 수도 있다.

편광제어층(150)은 발광층(134)에서 생성되어 방출되는 광의 편광을 제어하는 것으로, 복수개의 메탈 나노와이어(154)를 포함하여 이루어진다. 편광제어 층(150)은 예를 들어, 유전체층(152)과 유전체층(152) 내부에 매립되는 복수개의 메탈 나노와이어(154)로 이루어질 수 있다. 유전체층(152)으로는 SiO₂등의 투명한 산화물 및 투명 전극 재질인 ITO,ZnO가 채용될 수 있다. 복수개의 메탈 나노와이어(154)는 제1방향, 도면에서는 X방향을 따라 간격 d를 가지고 배열되어 있으며, 길이방향은 제2방향, 도면에서는 Y방향과 나란하게 되어 있다. 메탈 나노와이어(154)의 단면은 소정 폭(w)과 소정 두께(t)를 갖는 사각형 형상으로 되어 있다. 다만, 단면형상이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태, 예를 들면 다각형 형상 또는 원형 형상도 가능하다. 메탈 나노와이어(154)는 입사되는 광 중 편광방향이 길이방향과 나란한 광은 반사시키고 편광방향이 폭 방향과 나란한 광은 투과시키기 위한 것으로, 반사율이 높은 금속재질로 형성되는 것이 좋다. 예를 들어, 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 또는 백금(Pt)이 채용될 수 있다. 상기 금속재질은 전기 전도도가 높으므로, 이러한 경우, 메탈 나노와이어(154)를 반도체 다층막(130)에 전압을 인가하는 전극으로 사용하는 것도 가능하다. 편광제어층(150)의 구체적인 구조, 즉, w,t,d는 메탈 나노와이어(154)의 재질과 편광제어층(150)에 입사되는 광의 파장(λ)을 고려하여 적절히 설계되는 양이다. 예를 들어, 메탈 나노와이어(154)의 두께(t)는 메탈 나노와이어(154)의 길이방향으로 편광된 광에 대해서는 반사금속으로 작용하기에 충분한 두께가 되어야 하며, 예를 들어 대략 50nm 이상이 되는 것이 바람직하며, 광흡수를 고려하여 대략 1000nm 이하의 두께가 바람직하다. 또한, 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)은 발광층(134)에서 생성되는 광의 파 장에 비해 충분히 짧아야 한다. 또한, 이웃하는 메탈 나노와이어(154) 사이의 피치 p는 규칙적 배열에 의한 회절효과가 나타나지 않도록 λ/2 보다 작아야 한다.

편광 발광다이오드(100)가 제조되는 단계를 도 3a 및 도 3b를 참조하여 간단히 설명하면 다음과 같다. 도 3a를 참조하면, 먼저, 사파이어 기판(S1) 상에 N형반도체층(136), 발광층(134), P형 반도체층(132)을 포함하는 반도체 다층막(130)을 형성한다. N형반도체층(136) 및 P형 반도체층(132)은 예를 들어 N형GaN층, P형GaN층으로 이루어질 수 있다. P형반도체층(132) 위에 반사층(120)을 형성하고, 반사층(120) 위에 본딩 또는 도금등의 방법으로 지지층(110)을 부착한 후 사파이어 기판(S1)을 분리한다. 이 때, 레이저 리프트 오프(laser lift off) 또는 케미컬 리프트 오프 (chemical lift off) 방법을 사용하여 사파이어 기판(S1)을 분리할 수 있다. 다음에 메탈 나노와이어(154)를 구비한 편광제어층(150)을 N형반도체층(136) 위에 형성한다. 도 3b는 반도체 다층막(130)을 형성하기 위한 기판으로 SiC 기판(S2)을 사용하는 경우의 제조방법을 설명한다. 도 3a에서 설명한 방법과 다른 점은 CMP(chemical mechanical polishing) 또는 선택적 식각(selective etching) 방법을 사용하여 SiC기판(S2)을 얇게 하거나 제거한다는 것이다. 도면에서는 SiC기판(S2)이 제거된 것으로 나타내었으나 일부 남아 있을수도 있다. 다음에 메탈 나노와이어(154)를 구비한 편광제어층(150)을 N형반도체층(136) 위에 형성한다.

상술한 방법 외에, 기판 상에 반도체 다층막, 편광제어층을 순차적으로 형성하는 방법으로 제조하는 것도 가능하다.

편광 발광다이오드(100)가 편광된 광을 방출하는 원리는 다음과 같다. P형반 도체층(132)과 N형반도체층(136) 사이에 미도시된 전극을 통해 전압이 인가되면, P형반도체층(132)의 정공과 N형반도체층(136)의 전자가 발광층(134)에서 결합하여 광이 생성되어 방출된다. 이 때 생성되는 광은 무편광의 광, 즉, 임의의 편광이 고르게 분포된 광이다. 편광제어층(150)은 메탈 나노와이어(154)를 이루는 금속 내부의 자유전자의 편광에 대한 반응특성에 기인하여 편광을 제어한다. 발광층(134)에서 생성된 무편광의 광(I₀) 중 제2편광의 광(I₂), 즉, 편광방향이 메탈 나노와이어(154)의 길이 방향과 나란한 광이 메탈 나노와이어(154)에 입사되면, 메탈 나노와이어(154)의 자유전자들은 길이방향으로 진동하며 이에 따른 전자기파 상쇄에 의해 일부는 흡수되고 나머지 대부분은 반사된다. 즉, 제2편광의 광(I₂)에 대해 메탈 나노와이어(154)는 고반사금속특성을 나타낸다. 한편, 발광층(134)에서 생성된 무편광의 광(I₀) 중 제1편광의 광(I₁), 즉, 편광방향이 메탈 나노와이어(154)의 폭 방향과 나란한 광이 메탈 나노와이어(154)에 입사되는 경우, 메탈 나노와이어(154)의 자유전자들의 폭 방향 진동은 공간적으로 제한을 받게 되어, 제1편광의 광(I₁)의 일부는 흡수되고 나머지 대부분은 투과하게 된다. 즉, 제1편광의 광(I₁)에 대해 메탈 나노와이어(154)는 손실있는 유전체의 특성을 나타낸다.

도 4는 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)에 따른 편광제어층(150)에서의 투과율을 제1편광의 광(I₁)과 제2편광의 광(I₂)으로 나누어 나타낸 그래프이고, 도 5는 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)에 따른 편광제어층(150)에서의 반사율을 제1편광의 광(I₁)과 제2편광의 광(I₂)으로 나누어 나타낸 그래프이다. 상기 그래프들은, 방출되는 광의 파장은 460nm이고, 메탈 나노와이어(154)의 두께(t)는 150nm이며, 피치(p)는 상기 파장의 1/3인 경우에 대한 것이다.

도 4를 참조하면, 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)에 상관없이, 제1편광의 광(I₁)의 투과율이 제2편광의 광(I₂)의 투과율보다 항상 크게 나타나고 있다. 이는 전술한 바와 같이 메탈 나노와이어(154)의 자유전자들의 제1방향 진동이 공간적으로 제한을 받기 때문에, 입사된 광을 대부분 투과시키는 것이다. 한편, 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)이 증가함에 따라 제1편광의 광(I₁)이나 제2편광의 광(I₂)의 투과율은 모두 감소한다. 폭(w)이 커질수록, 메탈 나노와이어(154)의 자유전자들의 폭 방향 진동이 원활해지므로 메탈 나노와이어(154)가 제1편광의 광(I₁)이나 제2편광의 광(I₂) 모두에 대해 반사금속으로 작용하는 것이다.

도 5는 반사율에 관한 것이므로, 도 4의 그래프와는 반대의 특성을 나타낸다. 즉, 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)에 상관없이, 제2편광의 광(I₂)의 반사율이 제1편광의 광(I₁)의 반사율보다 항상 크게 나타나며, 또한, 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)이 증가함에 따라, 제1편광의 광(I₁)이나 제2편광의 광(I₂)의 반사율은 모두 증가한다. 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)은 파장(λ)에 비해 충분히 작은 것이 바람직하며 메탈 나노와이어(154)의 피치 p에 따라 적절히 결정되어야 한다. 예를 들 어 메탈 나노와이어의 피치 p가 1/3파장인 경우 투과되는 제1편광의 광(I₁)이 입사광의 대략 40% 이상이 되기 위하여 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)은 메탈 나노와이어(154) 피치의 1/2보다 작은 것이 좋다.

도 6은 편광제어층(150)을 투과한 광의 편광비를 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)에 따라 나타낸 그래프이다. 편광비는 편광제어층(150)을 투과한 광의 편광특성을 나타내는 수치이다. 투과된 전체 광에서 제1편광의 광(I₁)과 제2편광의 광(I₂)의 차이를 제1편광의 광(I₁)과 제2편광의 광(I₂)의 합에 대한 비로 나타낸 것이며, (T(I₁)-T(I₂))/(T(I₁)+T(I₂))로 정의된다. 그래프를 참조하면, 편광비는 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)이 증가함에 따라 1에 근접함을 알 수 있다. 이는, 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)이 증가함에 따라 제1편광의 광(I₁)이나 제2편광의 광(I₂)의 투과율은 모두 감소하지만, 제2편광의 광(I₂)이 먼저 0에 근접하기 때문이다. 메탈 나노와이어(154)의 폭은 메탈 나노와이어(154)의 피치에 따라 편광비가 충분히 크면서 제1편광의 광(I₁)의 투과량이 절대적으로도 많게 되는 범위에서 적절히 결정되어야 한다. 예를 들어, 제1편광의 광(I₁)의 투과율이 입사광의 대략 반 이상이 되면서 편광비가 대략 0.8 이상이 되기 위해 메탈 나노와이어(154)의 폭(w)은 파장의 0.1 내지 0.15의 범위에 있는 것이 좋다.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 편광 발광다이오드를 개략적으로 나타낸다. 도면을 참조하면, 편광 발광다이오드는 지지층(310)과, 지지층(310) 위에 형 성된 반도체 다층막(330)과, 반도체 다층막(330) 위에 형성된 편광소멸층(340) 및 편광소멸층(340) 위에 형성된 편광제어층(350)을 포함한다. 지지층(310)과 반도체 다층막(330) 사이에는 반사층(320)이 마련될 수 있으며, 반사층은 발광층(334)에서 생성되는 되는 광이 편광제어층(350) 쪽 상부로 방출되게 하는 것이다. 반사층(320)은 반사도가 높은 은(Ag), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd) 등을 포함하는 금속층이나 굴절률이 다른 유전체가 반복된 구조의 유전체 거울로 이루어질 수 있다.반도체 다층막(330)은, P형반도체층(332)과 N형반도체층(336)과 상기 P형반도체층(332)과 N형반도체층(336) 사이에 마련된 발광층(334)을 포함하는 구조로 되어 있다. 발광층(334)은 예를 들어, 다중양자우물구조로 이루어질 수 있다. 편광제어층(350)은 발광층(334)에서 생성되어 방출되는 광의 편광을 제어하는 것으로, 복수개의 메탈 나노와이어(354)를 포함하여 이루어진다. 편광제어층(350)은 예를 들어, 유전체층(352)과 유전체층(352) 내부에 마련되는 복수개의 메탈 나노와이어(354)로 이루어질 수 있다. 유전체층(352)으로는 SiO₂등의 투명한 산화물 또는 투명 전극 재질인 ITO,ZnO가 채용될 수 있다. 복수개의 메탈 나노와이어(354)는 제1방향, 도면에서는 X방향을 따라 피치 p를 가지고 배열되어 있으며, 길이방향은 제2방향, 도면에서는 Y방향과 나란하게 되어 있다. 메탈 나노와이어(354)의 단면은 소정 폭(w)과 소정 두께(t)를 갖는 사각형 형상으로 되어 있다. 다만, 단면형상이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 형상으로 변형 가능하다. 메탈 나노와이어(354)는 입사되는 광 중 편광방향이 길이방향과 나란한 광은 반사시키고 편광방향이 폭 방향과 나란한 광은 투과시키기 위한 것으로, 반사율이 높은 금속재질로 형성되는 것이 좋다. 예를 들어, 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd) 또는 백금(Pt)이 채용될 수 있다. 편광제어층(350)의 구체적인 구조나 편광을 제어하는 작용은 도 1의 실시예에서 설명한 것과 실질적으로 동일하다. 즉, 발광층(354)에서 생성된 광(I_o)중 제1편광의 광(I₁)은 편광제어층(350)을 투과하고 제2편광의 광(I₂)은 편광제어층(350)에서 반사된다. 편광소멸층(340)은 편광제어층(350)에서 반사된 광(I₂)의 편광을 소멸시켜 무편광의 광(I_o')으로 만들기 위한 것이다. 편광소멸층(340)은 반도체 다층막(330)과 편광제어층(350) 사이에 마련된 것으로 도시되었으나, 그 위치는 이에 한정되지 않으며, 예를 들어 반사층(320)과 반도체 다층막(330) 사이나 반도체 다층막(330)의 내부에 마련되는 것도 가능하다. 편광소멸층(340)은 광학적 이방성물질로 구성될 수 있다. 광학적 이방성물질은 편광에 따라 다른 굴절률을 가지므로, 이에 입사되는 광의 편광에 따라 굴절, 반사되는 광의 경로가 달라져 무편광의 광으로 변하게 된다. 또는 산란물질로 이루어진 산란층으로 구성될 수 있다. 산란층 내에 존재하는 굴절률의 미세 변동에 의해 다중산란이 일어나고, 이에 의해 입사광의 편광이 무편광의 광으로 변하게 된다. 편광제어층(340)에서 반사된 광은 주로 제2편광의 광(I₂)이므로, 이러한 광을 무편광의 광으로 만드는 것은 제1편광의 광(I₁)을 재생산하는 것이 된다. 이렇게 재생산된 제1편광의 광(I₁)은 편광제어층(350)을 투과할 수 있고, 따라서, 방출되는 제1편광의 광(I₁)은 더 많아지게 된 다.

본 발명에 따른 편광 발광다이오드는 메탈 나노와이어를 가지는 편광제어층을 구비하는 것을 특징으로 하여 편광된 광을 방출하는 편광 발광다이오드를 제공한다. 또한, 편광소멸층을 더 구비함으로써 편광된 광의 방출량을 더욱 증가시킬 수 있다. 본 발명의 편광 발광 다이오드는 편광된 광을 직접 제공하는 광원으로 사용되므로, 편광특성을 이용하는 광통신 장치나 디스플레이 장치에 채용되는 경우 별도의 편광제어모듈을 구비할 필요가 없다.

상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 아래의 특허청구범위 내에서 정해져야만 할 것이다.

Claims

지지층과;

상기 지지층 위에 마련된 것으로, 발광층을 가지는 반도체 다층막; 및

상기 반도체 다층막 위에 마련된 것으로, 서로 나란하게 배열된 복수개의 메탈 나노와이어를 가지는 편광제어층;을 포함하여, 상기 메탈 나노와이어가 배열된 방향으로 편광된 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제1항에 있어서,

상기 편광제어층은 유전체층을 포함하며,

상기 메탈 나노와이어는 상기 유전체 내부에 매립되는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제1항에 있어서,

상기 메탈 나노와이어의 단면 형상은 다각형 또는 원형인 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제3항에 있어서,

상기 메탈 나노와이어의 단면 형상은 사각형인 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제4항에 있어서,

상기 메탈 나노와이어의 두께는 50nm 보다 크고 1000nm 보다는 작은 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제4항에 있어서,

상기 메탈 나노와이어의 폭은 상기 상기 메탈 나노와이어 피치의 1/2배 보다 작은 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 지지층과 상기 반도체 다층막 사이에 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 이웃하는 메탈 나노와이어 사이의 피치는 상기 발광층에서 방출하는 광의 파장의 1/2 이하인 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 메탈 나노와이어는 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 메탈 나노와이어가 상기 반도체 다층막에 전압을 인가하는 전극으로 사용되는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제1항에 있어서,

상기 반도체 다층막과 편광제어층 사이에 위치하여, 상기 편광제어층에 의해 반사된 광의 편광을 소멸시키는 편광소멸층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 발광 다이오드.
제11항에 있어서,

상기 편광소멸층은 광의 편광방향에 따라 다른 굴절률을 갖는 광학적 이방성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제11항에 있어서,

상기 편광소멸층은 산란층인 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 지지층과 상기 반도체 다층막 사이에 반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 편광소멸층은 상기 편광제어층과 상기 반도체 다층막 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 편광소멸층은 상기 반도체 다층막 내부에 형성되는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 편광소멸층은 상기 지지층과 반도체 다층막 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제14항에 있어서,

상기 편광소멸층은 상기 반사층과 상기 반도체 다층막 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 지지층, 반도체 다층막 및 편광제어층의 옆면에 반사층이 더 마련되는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.
제11항에 있어서,

상기 지지층, 반도체 다층막 및 편광제어층의 옆면에 반사층이 더 마련되는 것을 특징으로 하는 편광 발광다이오드.