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  1. 孔を有する載置基部と、
    第１の表面及び第１の側面を有する第１の基板、並びに前記第１の表面に設けられる第１の発光ダイオード構造を有する第１の発光ダイオードチップと、
    第２の表面及び第２の側面を有する第２の基板、並びに前記第２の表面に設けられる第２の発光ダイオード構造を有する第２の発光ダイオードチップと、を含み、
    前記第１の側面及び前記第２の側面は、前記孔に向かっている、発光装置。
  2. 前記第１の発光ダイオードチップは、前記第１の発光ダイオード構造を覆う第１のエネルギー変換層をさらに含み、
    前記第２の発光ダイオードチップは、前記第２の発光ダイオード構造を覆う第２のエネルギー変換層をさらに含む、請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第１の側面は、前記第１のエネルギー変換層により覆われておらず、
    前記第２の側面は、前記第２のエネルギー変換層により覆われていない、請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記第１の発光ダイオードチップは、前記第１の表面を覆う第１のエネルギー変換層をさらに含む、請求項１に記載の発光装置。
  5. 前記第１の発光ダイオードチップは、前記第１の表面に対向する第３の表面と、前記第３の表面を覆う第２のエネルギー変換層をさらに含む、請求項４に記載の発光装置。
  6. 前記載置基部は、前記第１の発光ダイオードチップに連結され、且つ前記第１の基板と３０°〜１５０°の夾角をなす、請求項１に記載の発光装置。
  7. 前記載置基部は、前記第２の発光ダイオードチップに連結され、且つ前記第２の基板と３０°〜１５０°の夾角をなす、請求項６に記載の発光装置。
  8. 前記第１の基板又は前記第２の基板は、サファイア又はガラスを含む、請求項１に記載の発光装置。
  9. 前記第１の基板又は前記第２の基板は、２００μｍ以上の厚さを有する請求項１に記載の発光装置。
  10. 前記第１の発光ダイオードチップ又は前記第２の発光ダイオードチップは、０．２ワットよりも小さいパワーを有する、請求項１に記載の発光装置。
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