JP2011243969A5 - 光電変換装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 透光性を有する第１の基板と、
   前記第１の基板上の光電変換素子と、
   前記光電変換素子上の接着層と、
   前記接着層上のコンバータ回路と、
   前記コンバータ回路上の透光性を有する第２の基板と、を有し、
   前記コンバータ回路は、前記光電変換素子の出力を昇圧又は降圧し、
   前記コンバータは、前記第２の基板に接し、
   前記光電変換素子と前記コンバータ回路とは、前記接着層を介して重畳し、
   前記コンバータ回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体であるトランジスタを有することを特徴とする光電変換装置。
2. 透光性を有する第１の基板と、
   前記第１の基板上の光電変換素子と、
   前記光電変換素子上の接着層と、
   前記接着層上のコンバータ回路と、
   前記コンバータ回路上の透光性を有する第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板との間において、前記光電変換素子、前記接着層及び前記コンバータ回路の側面を覆う配線と、を有し、
   前記コンバータ回路は、前記光電変換素子の出力を昇圧又は降圧し、
   前記配線は、前記光電変換素子と前記コンバータ回路とを電気的に接続し、
   前記コンバータは、前記第２の基板に接し、
   前記光電変換素子と前記コンバータ回路とは、前記接着層を介して重畳し、
   前記コンバータ回路は、チャネル形成領域が酸化物半導体であるトランジスタを有することを特徴とする光電変換装置。
3. 請求項２において、
   前記光電変換素子は、前記第１の基板、前記第２の基板、及び前記配線により封入されていることを特徴とする光電変換装置。