CN107408599B - 太阳能电池单元的制造方法 - Google Patents

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Abstract

太阳能电池单元的制造方法包括如下工序：在半导体层之上设置绝缘层(23)，其中，该半导体层被设置在半导体基板(10)的主面上的至少一部分；在绝缘层(23)之上设置掩模层(31)；利用激光照射来除去掩模层(31)的一部分而形成使绝缘层(23)露出的第一开口部(41)；利用蚀刻剂来除去在第一开口部(41)露出的绝缘层(23)而形成使半导体层露出的第二开口部。

Description

太阳能电池单元的制造方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池单元的制造方法，特别涉及背面接合型的太阳能电池单元的制造方法。
背景技术
作为发电效率较高的太阳能电池，存在背面接合型的太阳能电池，其在与供光入射的受光面对置的背面形成有n型半导体层和p型半导体层这双者。在n型半导体层与p型半导体层之间设置有使两者绝缘的绝缘层。这些半导体层、绝缘层是通过使用了光致抗蚀剂等掩模的蚀刻而被图案化的(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2012/090643号
发明内容
[发明要解决的课题]
希望能够用运转成本更低的方法来制造太阳能电池单元。
本发明是鉴于这种状况而完成的，其目的在于提供用更低成本来制造太阳能电池单元的方法。
[用于解决课题的手段]
本发明的某一技术方案的太阳能电池单元的制造方法包括如下工序：在半导体层之上设置绝缘层，其中，该半导体层被设置在半导体基板的主面上的至少一部分；在绝缘层之上设置掩模层；利用激光照射来除去掩模层的一部分而形成使绝缘层露出的第一开口部；以及利用蚀刻剂来除去在第一开口部露出的绝缘层而形成使半导体层露出的第二开口部。
[发明效果]
根据本发明，能够提供能以更低成本制造的太阳能电池单元的制造方法。
附图说明
图1是表示实施方式的太阳能电池单元的俯视图。
图2是表示实施方式的太阳能电池单元的构造的剖视图。
图3是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
图4是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
图5是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
图6是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
图7是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
图8是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
图9是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
图10是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
图11是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
图12是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
图13是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
图14是概略地表示太阳能电池单元的制造工序的剖视图。
[具体实施方式]
在具体说明本发明之前，先描述其概要。本发明的实施方式是太阳能电池单元的制造方法。该方法包括如下工序：在设置在半导体基板的主面上的至少一部分的半导体层之上设置绝缘层；在绝缘层中上设置掩模层；通过激光照射来除去掩模层的一部分而形成使绝缘层露出的第一开口部；以及通过蚀刻来除去在第一开口部露出的绝缘层而形成使半导体层露出的第二开口部。根据本实施方式，由于利用激光对掩模层进行图案形成，故不必使用光刻工序就能够图案形成掩模层，并形成绝缘层及半导体层的图案。由此，能够减少成本较高的光刻工序，降低太阳能电池单元的制造成本。
以下，参照附图详细说明用于实施本发明的实施方式。需要说明的是，在附图的说明中，对于同一要素标注相同的附图标记，并适当省略重复的说明。
图1是表示实施方式的太阳能电池单元70的俯视图，表示太阳能电池单元70的背面70b的构造。太阳能电池单元70包括设置在背面70b的n侧电极14、以及p侧电极15。n侧电极14被形成为包含在x方向延伸的汇流条电极14a、和在y方向延伸的多个指状电极14b的梳齿状。同样，p侧电极15被形成为包含在x方向延伸的汇流条电极15a、和在y方向延伸的多个指状电极15b的梳齿状。n侧电极14及p侧电极15被形成为各自的梳齿啮合而相互嵌插的方式。需要说明的是，n侧电极14及p侧电极15各自也可以是仅由多个指构成、不具有汇流条的无汇流条型的电极。
图2是表示实施方式的太阳能电池单元70的构造的剖视图，表示图1的A－A线剖面。太阳能电池单元70包括半导体基板10、第一i型层12i、第一导电型层12n、第二i型层13i、第二导电型层13p、第一绝缘层16、第三i型层17i、第三导电型层17n、第二绝缘层18、以及电极层19。电极层19构成n侧电极14或p侧电极15。太阳能电池单元70是在背面70b侧设置有第一导电型层12n及第二导电型层13p的背面接合型的光伏元件。
半导体基板10具有：被设置在受光面70a侧的第一主面10a；以及被设置在背面70b侧的第二主面10b。半导体基板10对入射到第一主面10a的光进行吸收，并生成电子及空穴作为载流子。半导体基板10由具有n型或p型的导电型的结晶性的半导体材料构成。本实施方式中的半导体基板10是n型的单晶硅基板。
此处，受光面70a是指在太阳能电池单元70中主要被入射光(太阳光)的主面，具体而言，表示入射到太阳能电池单元70的光的大部分所入射的面。另一方面，背面70b表示与受光面70a对置的另一个主面。
在半导体基板10的第二主面10b上，形成有第一层叠体12、以及第二层叠体13。第一层叠体12及第二层叠体13分别被以与n侧电极14及p侧电极15对应的方式形成为梳齿状，被以相互嵌插的方式形成。因此，设置有第一层叠体12的第一区域W1、和设置有第二层叠体13的第二区域W2在第二主面10b上在x方向交替地排列。此外，在x方向相邻的第一层叠体12和第二层叠体13被设置为接触。因而，在本实施方式中，利用第一层叠体12及第二层叠体13将第二主面10b的实质上的整体覆盖。
第一层叠体12包括：第一i型层12i，其被形成在第二主面10b之上；以及第一导电型层12n，其被形成在第一i型层12i之上。第一i型层12i由实质上本征非晶半导体(以下，将本征半导体也称为“i型层”)构成。需要说明的是，在本实施方式中，“非晶半导体”中包含微结晶半导体。微结晶半导体是指在非晶半导体中析出有半导体结晶的半导体。
第一i型层12i由包含氢(H)的i型的非晶硅构成，例如，具有几nm～25nm程度的厚度。第一i型层12i的形成方法没有特别限定，例如能够利用等离子体CVD法等化学气相沉积(CVD)法来形成。
第一导电型层12n由添加有与半导体基板10相同的导电型即n型的掺杂剂的非晶半导体构成。本实施方式中的第一导电型层12n由含有氢的n型非晶硅构成。第一导电型层12n例如具有2nm～50nm程度的厚度。
在第一层叠体12之上形成有第一绝缘层16。第一绝缘层16未被设置在第一区域W1中的相当于x方向的中央部的第三区域W3，而是被设置在相当于刨去第三区域W3后的其两端的第4区域W4。形成有第一绝缘层16的第4区域W4的宽度例如是第一区域W1的宽度的约1/3程度。此外，未设置第一绝缘层16的第三区域W3例如是第一区域W1的宽度的约1/3程度。
第一绝缘层16例如由氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)等形成。第一绝缘层16希望由氮化硅形成，优选含有氢。
第二层叠体13被形成在第二主面10b中的未设置第一层叠体12的第二区域W2、和设置有第一绝缘层16的第4区域W4的端部之上。因此，第二层叠体13的两端部被设置为与第一层叠体12在高度方向(z方向)重叠。
第二层叠体13包括：第二i型层13i，其被形成在第二主面10b之上；以及第二导电型层13p，其被形成在第二i型层13i之上。第二i型层13i由含有氢的i型的非晶硅构成，例如具有几nm～25nm程度的厚度。
第二导电型层13p由添加有与半导体基板10不同的导电型即p型的掺杂剂的非晶半导体构成。本实施方式中的第二导电型层13p由含有氢的p型的非晶硅构成。第二导电型层13p例如具有2nm～50nm程度的厚度。
在第一导电型层12n之上形成有收集电子的n侧电极14。在第二导电型层13p之上形成有收集空穴的p侧电极15。在n侧电极14与p侧电极15之间形成有槽，两电极被电绝缘。在本实施方式中，n侧电极14及p侧电极15由第一导电层19a～第4导电层19d这4层的导电层的层叠体构成。
第一导电层19a例如由氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)等透明导电性氧化物(TCO)形成。本实施方式中的第一导电层19a由铟锡氧化物形成，例如具有50nm～100nm程度的厚度。
第二导电层19b～第4导电层19d是含有铜(Cu)、锡(Sn)、金(Au)、银(Ag)等金属的导电性的材料。在本实施方式中，第二导电层19b及第三导电层19c由铜形成，第4导电层19d由锡形成。第二导电层19b、第三导电层19c、第4导电层19d分别具有50nm～1000nm程度、10μm～20μm程度、1μm～5μm程度的厚度。
第一导电层19a～第4导电层19d的形成方法没有特别限定，例如，能够利用溅射法、化学气相沉积法(CVD)等薄膜形成方法、电镀法等来形成。在本实施方式中，第一导电层19a及第二导电层19b是利用薄膜形成法来形成的，第三导电层19c及第4导电层19d是利用电镀法形成的。
在半导体基板10的第一主面10a之上，设置有第三i型层17i。第三i型层17i由含有氢的i型的非晶硅形成，例如具有几nm～25nm程度的厚度。
在第三i型层17i之上设置有第三导电型层17n。第三导电型层17n由添加有与半导体基板10相同导电型即n型的掺杂剂的非晶半导体构成。本实施方式中的第三导电型层17n由含有氢的n型非晶硅构成，例如具有2nm～50nm程度的厚度。
在第三导电型层17n之上，设置有具有作为防反射膜及保护膜的功能的第二绝缘层18。第二绝缘层18例如由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成。第二绝缘层18的厚度被根据作为防反射膜的防反射特性等来适当设定，例如被设定为80nm～1000nm程度。
需要说明的是，第三i型层17i、第三导电型层17n、第二绝缘层18的层叠构造也可以具有作为半导体基板10的钝化层的功能。
接下来，参照图3～图14说明本实施方式的太阳能电池单元70的制造方法。
如图3所示，在半导体基板10的第二主面10b之上，形成i型非晶半导体层21、n型非晶半导体层22、绝缘层23。此外，在半导体基板10的第一主面10a之上，形成第三i型层17i、第三导电型层17n、第二绝缘层18。i型非晶半导体层21、n型非晶半导体层22、绝缘层23、第三i型层17i、第三导电型层17n、第二绝缘层18各自的形成方法没有特别限定，但是，例如能够利用等离子体CVD法等化学气相沉积(CVD)法、溅射法来形成。
在半导体基板10的第一主面10a及第二主面10b之上形成各层的顺序能够适当设定。在本实施方式中，在第二主面10b之上形成i型非晶半导体层21、n型非晶半导体层22、绝缘层23的各工序中，在第一主面10a之上形成成为第三i型层17i的i型非晶半导体层、成为第三导电型层17n的n型非晶半导体层、成为第二绝缘层18的绝缘层。
接下来，如图4所示，在绝缘层23之上形成第一掩模层31。第一掩模层31是成为用于对i型非晶半导体层21、n型非晶半导体层22及绝缘层23进行图案形成的掩模的层。第一掩模层31由在太阳能电池单元70的半导体层、绝缘层中使用的材料构成，由与绝缘层23相比耐碱性低的材料构成。绝缘层23例如由非晶硅、硅含有率较高的氮化硅、含有氧的硅、含有碳(C)的硅等含硅材料构成。第一掩模层31希望使用非晶硅，本实施方式中的第一掩模层31由i型的非晶硅层构成。此外，第一掩模层31被形成得较薄，以便在后面的图5所示的激光照射的工序中容易除去，例如具有2nm～50nm程度的厚度。
接下来，如图5所示，向第一掩模层31照射激光50，除去第一掩模层31的一部分。激光50被照射到将会设置第二层叠体13的第二区域W2，在第二区域W2形成使绝缘层23露出的第一开口部41。激光50被以主要仅将第一掩模层31除去那样的强度照射，并被以在激光照射部中比绝缘层23靠下的层不会露出那样的强度照射。需要说明的是，为了抑制因第一掩模层31的表面的凹凸而导致的多重反射，也可以在第一掩模层31之上设置水、氧化硅等与第一掩模层31相比折射率低的液体或低折射率膜并照射激光50。
图6及图7是表示利用激光50形成第一开口部41的工序的图。图6表示与图5所示的剖面正交的剖视图，图7表示从上方观察第一掩模层31的俯视图。图5相当于图7的B－B线剖面，图6相当于图7的C－C线剖面。激光50被如图6所示一边在Y方向错开照射位置一边照射，蚀刻第一掩模层31的一部区域，以便如图7所示形成呈带状延伸的第一开口部41。
激光50被以相邻的照射位置的激光50的照射范围54几乎不会重叠的方式照射，被错开地照射，以便使激光50的中心52不会位于通过激光照射而露出了绝缘层23的范围。也就是说，希望以与通过激光50的照射而除去第一掩模层31的照射范围54的半径D1相比，相邻的激光照射的间隔D2更大的方式照射激光50。通过使激光50的照射范围54不重叠，从而使得因激光照射而导致的损伤不会影响到绝缘层23的下方的半导体层。
激光50为了减少向激光照射部的热影响，希望是脉冲宽度为纳秒(ns)或皮秒(ps)程度的短脉冲激光。作为这样的激光50，使用YAG激光、准分子激光等即可。在本实施方式中，作为激光光源，使用Nd：YAG激光(波长1064nm)的第三高次谐波(波长355nm)，并以每1脉冲约0.1～0.5J/cm2的强度照射激光50。需要说明的是，为了能够利用激光50在短时间内形成第一开口部41，希望使用重复频率较高的激光光源。
接下来，如图8所示，使用利用激光照射图案形成的第一掩模层31，对在第一开口部41露出的绝缘层23进行蚀刻。在绝缘层23由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅构成的情况下，绝缘层23的蚀刻例如能够使用氟酸水溶液等酸性的蚀刻剂来进行。化学蚀刻中所使用的蚀刻剂可以是液体，也可以是气体。通过对位于第二区域W2的绝缘层23进行蚀刻，形成使n型非晶半导体层22露出的第二开口部42。
接下来，如图9所示，将图案形成后的绝缘层23用作掩模，蚀刻i型非晶半导体层21和n型非晶半导体层22。i型非晶半导体层21及n型非晶半导体层22能够使用碱性的蚀刻剂来蚀刻。通过除去位于第二区域W2的i型非晶半导体层21及n型非晶半导体层22，从而形成使半导体基板10的第二主面10b露出的第三开口部43。此外，利用残留在第一区域W1的i型非晶半导体层21及n型非晶半导体层22形成第一层叠体12。绝缘层23之上的第一掩模层31在i型非晶半导体层21及n型非晶半导体层22的蚀刻工序中被一起除去。在蚀刻工序后形成的第二开口部42及第三开口部43构成以半导体基板10的第二主面10b为底面的一体的槽。需要说明的是，第一掩模层31也可以利用与i型非晶半导体层21及n型非晶半导体层22的蚀刻独立的工序来除去。
接下来，如图10所示，以覆盖第二主面10b及绝缘层23之上的方式形成i型非晶半导体层24，在i型非晶半导体层24之上形成p型非晶半导体层25。i型非晶半导体层24、p型非晶半导体层25的形成方法没有特别限定，但是，例如能够利用CVD法等薄膜形成法来形成。需要说明的是，i型非晶半导体层24及p型非晶半导体层25作为用于绝缘层23的进一步图案形成的第二掩模层32而发挥功能。
接下来，如图11所示，向位于第一区域W1的绝缘层23之上的第二掩模层32的一部分照射激光50。在照射激光50的第三区域W3形成使绝缘层23露出的第4开口部44。通过激光照射，第二掩模层32的第三区域W3以外的部分残留，i型非晶半导体层24成为第二i型层13i，p型非晶半导体层25成为第二导电型层13p。也就是说，利用第二掩模层32形成第二层叠体13。
接下来，如图12所示，使用图案形成后的第二掩模层32，进行在第4开口部44露出的绝缘层23的蚀刻。绝缘层23能够与上述的图8所示的工序同样使用氟酸水溶液等酸性的蚀刻剂来进行。由此，在绝缘层23上形成第5开口部45而使第一导电型层12n露出，从绝缘层23形成第二绝缘层18。除去了绝缘层23的部分成为第三区域W3，第二绝缘层18残留的部分成为第4区域W4。在蚀刻工序后形成的第4开口部44及第5开口部45构成以第一导电型层12n的表面为底面的一体的槽。
接下来，如图13所示，在第一导电型层12n及第二导电型层13p之上形成导电层26、27。导电层26是铟锡氧化物(ITO)等透明电极层，导电层27是由铜(Cu)等金属、合金构成的金属电极层。导电层26、27是利用等离子体CVD法等CVD法、溅射法等薄膜形成法形成的。
接下来，如图14所示，将导电层26、27中位于第二绝缘层18之上的部分切断来形成槽。由此，从导电层26、27形成第一导电层19a及第二导电层19b，将n型电极和p侧电极分离。导电层26、27的切断例如能够利用湿蚀刻、激光照射来进行。
最后，在第一导电层19a及第二导电层19b之上，利用电镀法形成含有铜(Cu)的第三导电层19c、和含有锡(Sn)的第4导电层19d。
利用以上的制造工序，完成图2所示的太阳能电池单元70。
根据本实施方式，由于利用激光照射来图案形成掩模层，所以，能够减少用于图案形成的光刻工序。通常，在使用抗蚀剂的光刻工序中，需要形成抗蚀剂膜的工序、利用光照射来固化抗蚀剂膜的工序、除去未固化的抗蚀剂膜的工序、在图案形成后除去抗蚀剂膜的工序等，运转成本高。在本实施方式中，由于将含有硅的材料用于掩模层，所以，不必使用高价的光致抗蚀剂就能够形成掩模层，此外，能够利用与形成其他半导体层、绝缘层的情况同样的工序来形成。由此，能够减少太阳能电池单元70的制造所花费的成本。此外，通过减少光致抗蚀剂的使用，从而能够减轻太阳能电池单元70的制造工序中的环境负荷。
此外，根据本实施方式，由于组合利用激光照射进行的蚀刻和利用蚀刻剂进行的蚀刻，所以，能够在开口部中形成陡峭的端面。在想要利用激光照射来形成具有深度的开口部时，难以形成相对于半导体基板10的主面接近垂直的端面。此外，在想要利用激光除去在半导体基板10之上较薄地形成的i型非晶半导体层21、n型非晶半导体层22时，这些层有可能在开口部的附近剥离、或者由于激光照射所导致的热影响而受到损伤。另一方面，根据本实施方式，由于利用蚀刻剂来蚀刻i型非晶半导体层21、n型非晶半导体层22及绝缘层23，所以，与仅使用激光的情况下相比，能够形成陡峭的端面，并抑制界面处的半导体层的剥离。此外，能够防止第二主面10b的界面受到激光照射所导致的损伤，并导致发电效率降低。
此外，根据本实施方式，由于将i型非晶半导体层24及p型非晶半导体层25用作第二掩模层32，所以，不必另行设置在太阳能电池单元70的构成中不需要的掩模层，就能够图案形成。此外，p型非晶半导体层25由于与其他层相比难以利用蚀刻剂除去，所以，通过使用激光照射，从而能够使得p型非晶半导体层25的图案形成简单。由此，能够降低太阳能电池单元70的制造所花费的成本。
此外，通过在激光照射时在掩模层之上设置低折射率的液体或低折射率膜，从而能够抑制由于掩模层的凹凸而产生多重反射而使激光照射的蚀刻量不均匀。此外，通过在掩模层之上设置液体或低折射率膜，从而能够防止由于激光照射而从掩模层产生的碎片等附着到其他半导体层。
此外，通过组合利用激光照射进行的蚀刻和利用蚀刻剂进行的蚀刻，从而能够将设置在第一层叠体12与第二层叠体13之间的绝缘层23的厚度设定得较薄。此外，通过将被照射激光50的掩模层之下的绝缘层23的厚度设定得较薄，从而能够防止激光50在绝缘层23的界面反射而局部地光强度提高。由此，能够防止由于激光照射而在掩模层以外的半导体层、绝缘层中产生损伤，能够抑制太阳能电池单元70的输出特性的降低。
本实施方式的一实施方式是太阳能电池单元70的制造方法。该方法包括如下工序：
在半导体层(n型非晶半导体层22)之上设置绝缘层23，其中，半导体层被设置在该半导体基板10的主面(第二主面10b)上的至少一部分；
在绝缘层23之上设置掩模层(第一掩模层31或第二掩模层32)；
利用激光照射来除去掩模层(第一掩模层31或第二掩模层32)的一部分而形成使绝缘层23露出的第一开口部(第一开口部41或第4开口部44)；以及
利用蚀刻剂来除去在第一开口部(第一开口部41或第4开口部44)露出的绝缘层23而形成使半导体层(n型非晶半导体层22)露出的第二开口部(第二开口部42或第5开口部45)。
也可以是，掩模层(第一掩模层31或第二掩模层32)由含有硅的材料形成。
也可以是，在掩模层(第一掩模层31或第二掩模层32)之上还包括与掩模层相比折射率低的液体或低折射率膜，
激光照射是从液体或低折射率膜之上进行的。
也可以是，半导体层(n型非晶半导体层22)由含有硅的n型半导体材料形成，掩模层(第二掩模层32)由含有硅的p型半导体材料形成。
也可以是，还包括如下工序：形成与在第二开口部(第5开口部45)露出的半导体层(n型非晶半导体层22)电连接的n侧电极14、和与掩模层(第二掩模层32)电连接的p侧电极15。
也可以是，还包括如下工序：利用蚀刻剂来除去在第二开口部42露出的半导体层(n型非晶半导体层22)而形成使半导体基板10露出的第三开口部43。
也可以是，掩模层是第一掩模层31，
还包括如下工序：
利用蚀刻剂来除去第一掩模层31而使绝缘层23之上露出；
在第三开口部43露出的半导体基板10之上、和绝缘层23之上设置第二掩模层32；
利用激光照射来除去位于绝缘层23之上的第二掩模层32的一部分而形成使绝缘层23露出的第4开口部44；以及
利用蚀刻剂来除去在第4开口部44露出的绝缘层23而形成使半导体层(n型非晶半导体层22)露出的第5开口部45。
也可以是，半导体层(n型非晶半导体层22)由含有硅的n型半导体材料形成，第二掩模层32由含有硅的p型半导体材料形成，
还包括如下工序：形成与在第5开口部45露出的半导体层(n型非晶半导体层22)电连接的n侧电极14、和与第二掩模层电连接的p侧电极15。
以上，参照上述的各实施方式说明了本发明，但是，本发明不限于上述的各实施方式，将各实施方式的构成适当组合而成的实施方式、替换而成的实施方式也包含在本发明中。
在上述的实施方式中，在将位于第二区域W2的绝缘层23除去的工序、和将位于第三区域W3的绝缘层23除去的工序这两者中，使用了通过照射激光50而图案形成的掩模层。在变形例中，也可以在任何一个工序中使用利用激光照射而图案形成的掩模层，并在其他工序中使用利用光刻等而图案形成的抗蚀剂。
工业实用性
根据本发明，能够提供能以更低成本制造的太阳能电池单元的制造方法。
附图标记说明
10…半导体基板、10a…第一主面、10b…第二主面、14…n侧电极、15…p侧电极、21…i型非晶半导体层、22…n型非晶半导体层、23…绝缘层、24…i型非晶半导体层、25…p型非晶半导体层、31…第一掩模层、32…第二掩模层、41…第一开口部、42…第二开口部、43…第三开口部、44…第4开口部、45…第5开口部、50…激光、70…太阳能电池单元。

Claims (9)

1.一种太阳能电池单元的制造方法，其包括如下工序：
在半导体层之上设置绝缘层，其中，上述半导体层被设置在半导体基板的主面上的至少一部分；
在上述绝缘层之上设置第一掩模层；
利用激光照射来除去上述第一掩模层的一部分而形成使上述绝缘层露出的第一开口部；
利用蚀刻剂来除去在上述第一开口部露出的上述绝缘层而形成使上述半导体层露出的第二开口部；
利用蚀刻剂来除去在上述第二开口部露出的上述半导体层而形成第三开口部；以及
在露出于上述第三开口部的上述半导体基板之上和上述绝缘层之上设置第二掩模层，
上述绝缘层由氧化硅、氮化硅或氧氮化硅形成，
上述第一掩模层由非晶硅形成、且由与所述绝缘层相比耐碱性较低的材料形成。
2.如权利要求1所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
还包括如下工序：在设置上述第二掩模层之前利用蚀刻剂来除去上述第一掩模层而使上述绝缘层之上露出，
上述绝缘层由酸性蚀刻剂除去，
上述第一掩模层由碱性蚀刻剂除去。
3.如权利要求1或2所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
上述半导体层由含有硅的n型半导体材料形成，上述第二掩模层由含有硅的p型半导体材料形成。
4.如权利要求3所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
还包括如下工序：
利用激光照射来除去位于上述绝缘层之上的上述第二掩模层的一部分而形成使上述绝缘层露出的第4开口部；以及
利用蚀刻剂来除去在上述第4开口部露出的上述绝缘层而形成使上述半导体层露出的第5开口部。
5.如权利要求4所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
上述半导体层由含有硅的n型半导体材料形成，上述第二掩模层由含有硅的p型半导体材料形成，
还包括如下工序：形成与在上述第5开口部露出的上述半导体层电连接的n侧电极、和与上述第二掩模层电连接的p侧电极。
6.如权利要求5所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
上述第一开口部具有通过第一激光照射形成的第一照射区域和通过第二激光照射形成的第二照射区域，上述第一照射区域和上述第二照射区域沿上述半导体基板的主面排成一排，
上述第一照射区域的中心与上述第二照射区域的中间之间的距离，比上述第一照射区域的半径大。
7.一种太阳能电池单元的制造方法，其包括如下工序：
在半导体层之上设置绝缘层，其中，上述半导体层被设置在半导体基板的主面上的至少一部分；
在上述绝缘层的上表面之上和上述半导体基板的主面上设置掩模层；
利用激光照射来除去上述掩模层的一部分而形成使上述绝缘层露出的第一开口部；以及
除去在上述第一开口部露出的上述绝缘层而形成使上述半导体层露出的第二开口部，
上述绝缘层由氧化硅、氮化硅或氧氮化硅形成，
上述掩模层由非晶硅形成。
8.如权利要求7所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
上述第一开口部具有通过第一激光照射形成的第一照射区域和通过第二激光照射形成的第二照射区域，上述第一照射区域和上述第二照射区域沿上述半导体基板的主面排成一排，
上述第一照射区域的中心与上述第二照射区域的中间之间的距离，比上述第一照射区域的半径大。
9.如权利要求7或8所述的太阳能电池单元的制造方法，其中，
上述半导体层由含有硅的n型半导体材料形成，上述掩模层由含有硅的p型半导体材料形成。
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