TWI464868B - 固態光源模組及固態光源陣列 - Google Patents

固態光源模組及固態光源陣列 Download PDF

Info

Publication number
TWI464868B
TWI464868B TW100133037A TW100133037A TWI464868B TW I464868 B TWI464868 B TW I464868B TW 100133037 A TW100133037 A TW 100133037A TW 100133037 A TW100133037 A TW 100133037A TW I464868 B TWI464868 B TW I464868B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
state light
solid state
light emitting
light source
source module
Prior art date
Application number
TW100133037A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201312741A (zh
Inventor
Ching Chin Yu
Mong Ea Lin
Original Assignee
Lextar Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lextar Electronics Corp filed Critical Lextar Electronics Corp
Priority to TW100133037A priority Critical patent/TWI464868B/zh
Priority to CN201110304523.1A priority patent/CN103000652B/zh
Priority to US13/448,643 priority patent/US8610139B2/en
Priority to EP12181120A priority patent/EP2571054A2/en
Publication of TW201312741A publication Critical patent/TW201312741A/zh
Priority to US14/078,563 priority patent/US20140070241A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI464868B publication Critical patent/TWI464868B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
    • F21V19/003—Fastening of light source holders, e.g. of circuit boards or substrates holding light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

固態光源模組及固態光源陣列
本發明是有關於一種光源模組，且特別是有關於一種固態光源模組及固態光源陣列。
發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)主要是透過電能轉化為光能的方式發光。發光二極體的主要的組成材料是半導體，其中含有帶正電的電洞比率較高的稱為P型半導體，含有帶負電的電子比率較高的稱為N型半導體。P型半導體與N型半導體相接處形成PN接面。在發光二極體晶片的正極及負極兩端施加電壓時，電子將與電洞結合。電子與電洞結合後便以光的形式發出。
然而，傳統的發光二極體以平置的方式配置在散熱基板上，部分光線被散熱基板反射或吸收，只能單面出光，因此無法達到預期的發光效果。此外，傳統的發光二極體以金線打線接合至二電極接腳，僅適用於單點光源，若要製作大面積之陣列光源模組，傳統的做法因基板的面積有限，無法有效地提高出光面積，有待進一步改善。
本發明係有關於一種固態光源模組及固態光源陣列，藉由面陣列排列之固態發光元件，以透明基板垂直地插置在散熱底座上，來增加出光面積及出光量，進而提高照明的範圍，以達到雙面出光的效果。
根據本發明之一方面，提出一種固態光源模組，包括一透明基板、N列固態發光元件串以及一散熱底座。透明基板具有彼此互相平行且相背對之一第一表面與一第二表面。N列固態發光元件串設置於該第一表面，每一列固態發光元件串均包括M個串聯之固態發光元件，其中N,M為正整數且N≧1，M≧2，每一固態發光元件均包括一第一型電極墊以及一第二型電極墊，且每一列固態發光元件串之第一個固態發光元件之第一型電極墊均電性連接至一位在第一表面邊緣之一第一導線，而每一列固態發光元件串之第M個固態發光元件之第二型電極墊均電性連接至一位在第一表面邊緣之一第二導線，其中第一導線與第二導線係物理性地互相不連接。散熱底座係由互相隔離之一第一散熱底座及一第二散熱底座所構成，其中第一散熱底座以及第二散熱底座分別設置有一內部有一第一型電極部之第一插槽與一內部有一第二型電極部之第二插槽，使得透明基板可藉由插入第一插槽及第二插槽內而被固定，並且使透明基板之第一表面邊緣之第一、第二導線分別與第一型、第二型電極部電性連接。
根據本發明之另一方面，提出一種固態光源陣列，包括一透明基板以及N列固態發光元件串。透明基板具有彼此互相平行且相背對之一第一表面與一第二表面。N列固態發光元件串設置於第一表面，每一列固態發光元件串均包括M個串聯之固態發光元件，其中N,M為正整數且N≧1，M≧2，每一固態發光元件均包括一第一型電極墊以及一第二型電極墊，且每一列固態發光元件串之第一個固態發光元件之第一型電極墊均電性連接至一位在第一表面邊緣之一第一導線，而每一列固態發光元件串之第M個固態發光元件之第二型電極墊均電性連接至一位在第一表面邊緣之一第二導線，其中第一導線與第二導線係物理性地互相不連接。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本實施例之光源模組，係以雙面出光之固態發光元件所組成之固態光源陣列為光源，固態發光元件例如為發光二極體，其可由ⅢA族元素之氮化物所構成之半導體磊晶結構，依序包括一第二型半導體層、一主動層以及一第一型半導體層，其中部分第二型半導體層裸露出來。固態發光元件的第一型電極墊可形成在第一型半導體層上，第二型電極墊可形成於裸露之第二型半導體層上。透明基板可藉由直立地插入散熱底座的插槽內而被固定，以使固態發光元件之正反兩面均能出光。因此，藉由面陣列排列之固態發光元件來增加出光面積及出光量，進而提高照明的範圍，以達到雙面出光的效果。
以下係提出各種實施例進行詳細說明，實施例僅用以作為範例說明，並非用以限縮本發明欲保護之範圍。
第一實施例
請參照第1A及1B圖，其分別繪示依照本發明一實施例之固態光源模組的正面示意圖及側面示意圖。固態光源模組100包括一固態光源陣列110以及一散熱底座130。散熱底座130係由互相隔離之一第一散熱底座131及一第二散熱底座132所構成。第一散熱底座131設置有第一插槽133，第二散熱底座132設置有第二插槽134。第一插槽133內部有一第一型電極部135，第二插槽134內部有一第二型電極部136。第一型電極部135與第二型電極部136為電性相異之電極部，用以連接外部電源，並提供固態光源陣列110所需之驅動電壓而使其發光。
固態光源陣列110包括一透明基板120以及N列固態發光元件串125～127。透明基板120具有彼此互相平行且相背對之一第一表面121與一第二表面122。第一表面121配置N列固態發光元件串，每一列固態發光元件串均包括M個串聯之固態發光元件，其中N,M為正整數且N≧1，M≧2，而第二表面122可為具有凹凸結構之粗糙面。粗糙面可減少出射光線在透明基板120之第二表面122發生全反射，進而增加出光效率。
如第1A圖所示，本發明之一實施例是在第一表面121上配置3列固態發光元件串125～127，每一列固態發光元件串125～127包括2個串聯之固態發光元件。
固態發光元件串可為一列或多列，每一列固態發光元件串包括2個或2個以上串聯之固態發光元件，本發明不加以限制。
請參照第2A及2B圖，其分別繪示依照本發明一實施例之固態光源陣列的示意圖以及沿著I-I線的剖面示意圖。
在第2B圖中，固態發光元件例如為發光二極體150，其包括有一第二型半導體層153、一主動層152以及一第一型半導體層151依序形成於透明基板120上。固態發光元件以陣列方式配置在透明基板120之第一表面121，且每一個固態發光元件均包括一第一型電極墊E1以及一第二型電極墊E2。在第2B圖中，每一個固態發光元件被圖案化後，部分第二型半導體層153裸露出來，而形成一平台狀結構。固態發光元件之第一型電極墊E1是形成於第一型半導體層151上，第二型電極墊E2則是形成於裸露之第二型半導體層153上。主動層152位於第一型半導體層151與第二型半導體層153之間，可包括多量子井層。
第一型半導體層151可為添加P型雜質之氮化物半導體層，第二型半導體層153可為添加N型雜質之氮化物半導體層。第一型半導體層151與第二型半導體層153可為電性相異之P型半導體層與N型半導體層，可由週期表ⅢA族元素之氮化物所構成，例如為氮化鎵、氮化鎵鋁、氮化銦鎵或氮化鋁銦鎵等。且，第一型電極墊E1為P極，第二型電極墊E2為N極。
此外，發光二極體150更可包括一未摻雜的半導體層154位在第二型半導體層153與透明基板120之間，例如是由週期表ⅢA族元素之氮化物所構成之未摻雜的半導體層154。另外，發光二極體150更可包括一緩衝層155位在未摻雜的半導體層154與透明基板120之間。緩衝層155之材質係選自氮化鋁或氮化鎵鋁所構成之族群。透明基板120例如是藍寶石基板，於透明基板120上形成緩衝層155，再依序形成所需的磊晶層，可獲得品質較佳的氮化鎵晶體。
在第2A及2B圖中，每一列固態發光元件串之第一個固態發光元件之第一型電極墊E1均電性連接至一位在第一表面121邊緣(鄰近第一側邊L1)之一第一導線141，而每一列固態發光元件串之最後一個(第M個，M為大於等於2之正整數)固態發光元件之第二型電極墊E2均電性連接至一位在第一表面121邊緣(鄰近第二側邊L2)之一第二導線142。此外，每一列固態發光元件串之第i-1個(2≦i≦M，i為正整數)固態發光元件之第二型電極墊E2以及第i個固態發光元件之第一型電極墊E1之間，均分別以一第三導線143連接。也就是說，第三導線143可分別使每一列之M個固態發光元件彼此串聯。
如第2A圖所示，固態發光元件串125具有兩個固態發光元件A1和A2串聯，固態發光元件A1與A2都具有第一型電極墊E1(P極)與第二型電極墊E2(N極)。固態發光元件A1之第一型電極墊E1(P極)電性連接第一導線141，固態發光元件A1的第二型電極墊E2(N極)與固態發光元件A2的第一型電極墊E1(P極)電性連接，固態發光元件A2之第二型電極墊E2(N極)電性連接第二導線142。同理，固態發光元件串126與127與固態發光元件串125相同，遂不再贅述。
在第2B圖中，第三導線143行經於第一個固態發光元件A1與第二個固態發光元件A2之間時，為了避免短路，除了第一型電極墊E1及第二型電極墊E2位置外，更可形成一介電層144於第三導線143下。此外，第一導線141與第二導線142分別行經第一個固態發光元件A1與最後一個固態發光元件A2時，為了避免短路，亦可分別形成一介電層145於第一導線141與第二導線142下。在結構上，第一導線141與第二導線142互相不連接，且分別對應於第一插槽133內部之第一型電極部135以及第二插槽134內部之第二型電極部136，其中第一型電極部135為P極，第二型電極部136為N極。
如第1A圖所示，當透明基板120直立地插入散熱底座130的二插槽133、134內而被固定時，位於透明基板120之第一表面121邊緣的第一導線141與第一型電極部135電性連接，而第二導線142與第二型電極部136電性連接，以使固態發光元件發光時會經由透明基板120的第一表面121與第二表面122出光，達到雙面出光的效果。因此，本實施例之固態光源模組100藉由面陣列排列之固態發光元件，以透明基板120垂直地插置在散熱底座130上，來增加出光面積及出光量，進而提高照明的範圍，以達到雙面出光的效果。
請參照第3圖，其繪示依照本發明之另一實施例之固態光源陣列210的示意圖。三串固態發光元件串225、226、227位在透明基板220第一表面221上，每一固態發光元件串225～227具有四個固態發光元件A1~A4串聯，固態發光元件A1～A4都具有第一型電極墊E1(P極)與第二型電極墊E2(N極)。固態發光元件A1之第一型電極墊E1(P極)電性連接第一導線241，固態發光元件A1的第二型電極墊E2(N極)與固態發光元件A2的第一型電極墊E1(P極)電性連接，固態發光元件A2的第二型電極墊E2(N極)與固態發光元件A3的第一型電極墊E1(P極)電性連接，固態發光元件A3的第二型電極墊E2(N極)與固態發光元件A4的第一型電極墊E1(P極)電性連接，固態發光元件A4之第二型電極墊E2(N極)電性連接第二導線242。同理，固態發光元件串226與227與固態發光元件串225相同，遂不再贅述。
當透明基板220直立地插入如第1A圖中之散熱底座130的二插槽133、134內而被固定時，位於透明基板220之第一表面221邊緣的第一導線241與第一型電極部135電性連接，而第二導線242與第二型電極部136電性連接，以使固態發光元件發光時會經由透明基板220的正反兩面出光。
綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．固態光源模組
110、210．．．固態光源陣列
120、220．．．透明基板
121、221．．．第一表面
122．．．第二表面
125～127、225～227．．．固態發光元件串
130．．．散熱底座
131．．．第一散熱底座
132．．．第二散熱底座
133．．．第一插槽
134．．．第二插槽
135．．．第一型電極部
136．．．第二型電極部
141、241．．．第一導線
142、242．．．第二導線
143．．．第三導線
144、145．．．介電層
150．．．發光二極體
151．．．第一型半導體層
152．．．主動層
153．．．第二型半導體層
154．．．未摻雜的半導體層
155．．．緩衝層
L1．．．第一側邊
L2．．．第二側邊
E1．．．第一型電極墊
E2．．．第二型電極墊
A1、A2、A3、A4．．．固態發光元件
第1A及1B圖分別繪示依照本發明一實施例之固態光源模組的正面示意圖及側面示意圖。
第2A及2B圖分別繪示依照本發明一實施例之固態光源陣列的示意圖以及沿著I-I線的剖面示意圖。
第3圖繪示依照本發明之另一實施例之固態光源陣列的示意圖。
100．．．固態光源模組
120．．．透明基板
121．．．第一表面
122．．．第二表面
125、126、127．．．固態發光元件串
131．．．第一散熱底座
132．．．第二散熱底座
133．．．第一插槽
134．．．第二插槽

Claims (10)

  1. 一種固態光源模組，包括：一透明基板，具有彼此互相平行且相背對之一第一表面與一第二表面；N列固態發光元件串設置於該第一表面，每一列該等固態發光元件串均包括M個串聯之固態發光元件，其中N,M為正整數且N≧1，M≧2，每一該等固態發光元件均包括一第一型電極墊以及一第二型電極墊，且每一列該等固態發光元件串之第一個該固態發光元件之第一型電極墊均電性連接至一位在該第一表面邊緣之一第一導線，而每一列該等固態發光元件串之第M個該固態發光元件之第二型電極墊均電性連接至一位在該第一表面邊緣之一第二導線，其中該第一導線與該第二導線係物理性地互相不連接(physically disconnected)；以及一散熱底座，其係由互相隔離之一第一散熱底座及一第二散熱底座所構成，其中該第一散熱底座以及該第二散熱底座分別設置有一內部有一第一型電極部之第一插槽與一內部有一第二型電極部之第二插槽，使得該透明基板可藉由插入該第一插槽及該第二插槽內而被固定，並且使該透明基板之第一表面邊緣之第一、第二導線分別與該第一型、第二型電極部電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之固態光源模組，其中該第二表面具有凹凸結構。
  3. 如申請專利範圍第1~2項其中任一項所述之固態光源模組，其中該等固態發光元件係發光二極體。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之固態光源模組，其中該發光二極體包括有一第二型半導體層、一主動層以及一第一型半導體層依序形成於該透明基板上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之固態光源模組，其中該發光二極體被圖案化成為一裸露出部分該第二型半導體層之平台狀(mesa)結構。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之固態光源模組，其中每一該等發光二極體之該第一型電極墊是形成於該第一型半導體層上，而該第二型電極墊則是形成於裸露之該第二型半導體層上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之固態光源模組，其中每一列該等固態發光元件串之第i-1個固態發光元件之第二型電極墊以及第i個固態發光元件之第一型電極墊之間，均分別以一第三導線連接，其中i為正整數且2≦i≦M。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之固態光源模組，其中該第三導線所經之處，除該第一型電極墊及該第二型電極墊位置外，更形成有一介電層於該第三導線下。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之固態光源模組，其中該發光二極體更包括一未摻雜的半導體層位在該第二型半導體層與該透明基板之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之固態光源模組，其中該發光二極體更包括一緩衝層位在該未摻雜的半導體層與該透明基板之間。
TW100133037A 2011-09-14 2011-09-14 固態光源模組及固態光源陣列 TWI464868B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100133037A TWI464868B (zh) 2011-09-14 2011-09-14 固態光源模組及固態光源陣列
CN201110304523.1A CN103000652B (zh) 2011-09-14 2011-10-10 固态光源模块及固态光源阵列
US13/448,643 US8610139B2 (en) 2011-09-14 2012-04-17 Solid state light source module and array thereof
EP12181120A EP2571054A2 (en) 2011-09-14 2012-08-21 Solid state light source module and array thereof
US14/078,563 US20140070241A1 (en) 2011-09-14 2013-11-13 Solid state light source array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100133037A TWI464868B (zh) 2011-09-14 2011-09-14 固態光源模組及固態光源陣列

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201312741A TW201312741A (zh) 2013-03-16
TWI464868B true TWI464868B (zh) 2014-12-11

Family

ID=47215332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100133037A TWI464868B (zh) 2011-09-14 2011-09-14 固態光源模組及固態光源陣列

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8610139B2 (zh)
EP (1) EP2571054A2 (zh)
CN (1) CN103000652B (zh)
TW (1) TWI464868B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203277380U (zh) * 2012-05-29 2013-11-06 璨圆光电股份有限公司 发光组件及其发光装置
TWI602322B (zh) * 2013-06-27 2017-10-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件及製作方法
TWI519735B (zh) 2013-09-02 2016-02-01 雷盟光電股份有限公司 具散熱結構之led燈具
US9318360B2 (en) * 2013-10-11 2016-04-19 Applied Materials, Inc. Linear high packing density for LED arrays
TWM498276U (zh) * 2013-10-22 2015-04-01 Formosa Epitaxy Inc 發光裝置
TWI516709B (zh) * 2013-10-25 2016-01-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置及其發光二極體燈具
US20150252991A1 (en) * 2014-03-06 2015-09-10 Star Electrical Equipment Co., Ltd. Standing pole type led light
CN118315518A (zh) * 2017-04-21 2024-07-09 首尔半导体株式会社 照明装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200412181A (en) * 2002-08-07 2004-07-01 Eastman Kodak Co Serially connecting OLED devices for area illumination
TW200512952A (en) * 2003-09-23 2005-04-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diodes in series connection and method of making the same

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5311407A (en) * 1992-04-30 1994-05-10 Siemens Components, Inc. Printed circuit based for mounted semiconductors and other electronic components
US6715901B2 (en) * 2002-08-15 2004-04-06 Shi-Hwa Huang Image projector system having a light source that includes at least four light emitting diode modules
US6590773B1 (en) * 2002-08-28 2003-07-08 Para Light Electronics Co., Ltd. Heat dissipation device for enhanced power light emitting diodes
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7221044B2 (en) * 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
US7262438B2 (en) * 2005-03-08 2007-08-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED mounting having increased heat dissipation
EP2280430B1 (en) * 2005-03-11 2020-01-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
US7683475B2 (en) 2006-03-31 2010-03-23 Dicon Fiberoptics, Inc. LED chip array module
US7847306B2 (en) * 2006-10-23 2010-12-07 Hong Kong Applied Science and Technology Research Insitute Company, Ltd. Light emitting diode device, method of fabrication and use thereof
CN100552990C (zh) * 2006-12-29 2009-10-21 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管模组
TWI344708B (en) * 2007-04-30 2011-07-01 Jin Chyuan Biar Package structure of lighting element and lighting device thereof
CN101487583B (zh) * 2008-01-16 2010-09-29 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
CN101661982B (zh) * 2008-08-26 2011-06-01 智仁科技开发股份有限公司 发光二极管封装
CN101728469B (zh) * 2008-10-27 2012-03-28 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管及其晶粒
US8384114B2 (en) * 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
CN102095172A (zh) * 2009-12-15 2011-06-15 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管灯具
US8079139B1 (en) * 2010-08-27 2011-12-20 I-Chiun Precision Industry Co., Ltd. Method for producing electro-thermal separation type light emitting diode support structure
EP2525134A1 (en) * 2010-12-24 2012-11-21 Panasonic Corporation Bulb-shaped lamp and lighting device
TW201234574A (en) * 2011-02-01 2012-08-16 Pinecone En Inc Light-emitting-diode array and manufacturing method thereof
TW201242122A (en) * 2011-04-15 2012-10-16 Chi Mei Lighting Tech Corp Light-emitting diode device
CN102162593B (zh) * 2011-06-03 2015-07-15 上海三思电子工程有限公司 一种照明装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200412181A (en) * 2002-08-07 2004-07-01 Eastman Kodak Co Serially connecting OLED devices for area illumination
TW200512952A (en) * 2003-09-23 2005-04-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diodes in series connection and method of making the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP2571054A2 (en) 2013-03-20
TW201312741A (zh) 2013-03-16
US20130062634A1 (en) 2013-03-14
US20140070241A1 (en) 2014-03-13
CN103000652B (zh) 2016-01-20
US8610139B2 (en) 2013-12-17
CN103000652A (zh) 2013-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI464868B (zh) 固態光源模組及固態光源陣列
JP5193048B2 (ja) 垂直に積層された発光ダイオードを有する発光素子
JP6053453B2 (ja) 発光素子
RU2521219C2 (ru) Эффективная светодиодная матрица
TWI515919B (zh) 改良式多接點發光二極體
US8492780B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP6133039B2 (ja) 発光素子
US8338836B2 (en) Light emitting device for AC operation
JP2016082231A (ja) 発光素子パッケージ及びそれを含む照明装置
US8928012B2 (en) AC LED device and its manufacturing process for general lighting applications
US8513690B2 (en) Light emitting diode structure having two lighting structures stacked together and driven by alternating current
TWI622188B (zh) 發光二極體晶片
KR102261727B1 (ko) 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR101457036B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 이를 제조하는 방법
TWI462329B (zh) 半導體發光元件
KR20130087767A (ko) 발광 소자
TW201519474A (zh) 發光二極體結構
TWI525849B (zh) 發光二極體裝置
TWI568016B (zh) 半導體發光元件
TWI473294B (zh) 發光裝置
KR101462464B1 (ko) 도넛 모양의 홀 배열을 갖는 발광다이오드
KR101435511B1 (ko) 미로 모양 구조를 갖는 발광다이오드
WO2021109093A1 (zh) 一种微器件及显示装置
KR100612592B1 (ko) 열전도성 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는방법
KR101435512B1 (ko) 혼성 구조를 갖는 발광다이오드