CN103000652B - 固态光源模块及固态光源阵列 - Google Patents

固态光源模块及固态光源阵列 Download PDF

Info

Publication number
CN103000652B
CN103000652B CN201110304523.1A CN201110304523A CN103000652B CN 103000652 B CN103000652 B CN 103000652B CN 201110304523 A CN201110304523 A CN 201110304523A CN 103000652 B CN103000652 B CN 103000652B
Authority
CN
China
Prior art keywords
solid
state light
emitting element
light emitting
electronic pads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201110304523.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103000652A (zh
Inventor
余长治
林孟毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lextar Electronics Corp
Original Assignee
Lextar Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lextar Electronics Corp filed Critical Lextar Electronics Corp
Publication of CN103000652A publication Critical patent/CN103000652A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103000652B publication Critical patent/CN103000652B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0756—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V19/00—Fastening of light sources or lamp holders
    • F21V19/001—Fastening of light sources or lamp holders the light sources being semiconductors devices, e.g. LEDs
    • F21V19/003—Fastening of light source holders, e.g. of circuit boards or substrates holding light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开一种固态光源模块及固态光源阵列，该固态光源阵列包括一透明基板以及N列固态发光元件串。每一列固态发光元件串均包括M个串联的固态发光元件，其中N，M为正整数且N≥1，M≥2。每一固态发光元件均包括一第一型电极垫以及一第二型电极垫，且每一列固态发光元件串的第一个固态发光元件的第一型电极垫均电连接至一位于第一表面边缘的一第一导线，而每一列固态发光元件串的第M个固态发光元件的第二型电极垫均电连接至一位于第一表面边缘的一第二导线，其中第一导线与第二导线是物理性地互相不连接。

Description

固态光源模块及固态光源阵列
技术领域
本发明涉及一种光源模块，且特别是涉及一种固态光源模块及固态光源阵列。
背景技术
发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)主要是通过电能转化为光能的方式发光。发光二极管的主要的组成材料是半导体，其中含有带正电的空穴比率较高的称为P型半导体，含有带负电的电子比率较高的称为N型半导体。P型半导体与N型半导体相接处形成PN接面。在发光二极管芯片的正极及负极两端施加电压时，电子将与空穴结合。电子与空穴结合后便以光的形式发出。
然而，传统的发光二极管以平置的方式配置在散热基板上，部分光线被散热基板反射或吸收，只能单面出光，因此无法达到预期的发光效果。此外，传统的发光二极管以金线打线接合至二电极接脚，仅适用于单点光源，若要制作大面积的阵列光源模块，传统的做法因基板的面积有限，无法有效地提高出光面积，有待进一步改善。
发明内容
本发明的目的在于提供一种固态光源模块及固态光源阵列，通过面阵列排列的固态发光元件，以透明基板垂直地插置在散热底座上，来增加出光面积及出光量，进而提高照明的范围，以达到双面出光的效果。
根据本发明的一方面，提出一种固态光源模块，包括一透明基板、N列固态发光元件串以及一散热底座。透明基板具有彼此互相平行且相背对的一第一表面与一第二表面。N列固态发光元件串设置于该第一表面，每一列固态发光元件串均包括M个串联的固态发光元件，其中N，M为正整数且N≥1，M≥2，每一固态发光元件均包括一第一型电极垫以及一第二型电极垫，且每一列固态发光元件串的第一个固态发光元件的第一型电极垫均电连接至一位于第一表面边缘的一第一导线，而每一列固态发光元件串的第M个固态发光元件的第二型电极垫均电连接至一位于第一表面边缘的一第二导线，其中第一导线与第二导线是物理性地互相不连接。散热底座是由互相隔离的一第一散热底座及一第二散热底座所构成，其中第一散热底座以及第二散热底座分别设置有一内部有一第一型电极部的第一插槽与一内部有一第二型电极部的第二插槽，使得透明基板可通过插入第一插槽及第二插槽内而被固定，并且使透明基板的第一表面边缘的第一、第二导线分别与第一型、第二型电极部电连接。
根据本发明的另一方面，提出一种固态光源阵列，包括一透明基板以及N列固态发光元件串。透明基板具有彼此互相平行且相背对的一第一表面与一第二表面。N列固态发光元件串设置于第一表面，每一列固态发光元件串均包括M个串联的固态发光元件，其中N，M为正整数且N≥1，M≥2，每一固态发光元件均包括一第一型电极垫以及一第二型电极垫，且每一列固态发光元件串的第一个固态发光元件的第一型电极垫均电连接至一位于第一表面边缘的一第一导线，而每一列固态发光元件串的第M个固态发光元件的第二型电极垫均电连接至一位于第一表面边缘的一第二导线，其中第一导线与第二导线是物理性地互相不连接。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：
附图说明
图1A及图1B分别为本发明一实施例的固态光源模块的正面示意图及侧面示意图；
图2A及图2B分别为本发明一实施例的固态光源阵列的示意图以及沿着I-I线的剖面示意图；
图3为本发明的另一实施例的固态光源阵列的示意图。
主要元件符号说明
100：固态光源模块
110、210：固态光源阵列
120、220：透明基板
121、221：第一表面
122：第二表面
125～127、225～227：固态发光元件串
130：散热底座
131：第一散热底座
132：第二散热底座
133：第一插槽
134：第二插槽
135：第一型电极部
136：第二型电极部
141、241：第一导线
142、242：第二导线
143：第三导线
144、145：介电层
150：发光二极管
151：第一型半导体层
152：有源层
153：第二型半导体层
154：未掺杂的半导体层
155：缓冲层
L1：第一侧边
L2：第二侧边
E1：第一型电极垫
E2：第二型电极垫
A1、A2、A3、A4：固态发光元件
具体实施方式
本实施例的光源模块，是以双面出光的固态发光元件所组成的固态光源阵列为光源，固态发光元件例如为发光二极管，其可由IIIA族元素的氮化物所构成的半导体外延结构，依序包括一第二型半导体层、一有源层以及一第一型半导体层，其中部分第二型半导体层裸露出来。固态发光元件的第一型电极垫可形成在第一型半导体层上，第二型电极垫可形成于裸露的第二型半导体层上。透明基板可通过直立地插入散热底座的插槽内而被固定，以使固态发光元件的正反两面均能出光。因此，通过面阵列排列的固态发光元件来增加出光面积及出光量，进而提高照明的范围，以达到双面出光的效果。
以下提出各种实施例进行详细说明，实施例仅用以作为范例说明，并非用以限缩本发明欲保护的范围。
第一实施例
请参照图1A及图1B，其分别绘示依照本发明一实施例的固态光源模块的正面示意图及侧面示意图。固态光源模块100包括一固态光源阵列110以及一散热底座130。散热底座130由互相隔离的一第一散热底座131及一第二散热底座132所构成。第一散热底座131设置有第一插槽133，第二散热底座132设置有第二插槽134。第一插槽133内部有一第一型电极部135，第二插槽134内部有一第二型电极部136。第一型电极部135与第二型电极部136为电性相异的电极部，用以连接外部电源，并提供固态光源阵列110所需的驱动电压而使其发光。
固态光源阵列110包括一透明基板120以及N列固态发光元件串125～127。透明基板120具有彼此互相平行且相背对的一第一表面121与一第二表面122。第一表面121配置N列固态发光元件串，每一列固态发光元件串均包括M个串联的固态发光元件，其中N，M为正整数且N≥1，M≥2，而第二表面122可为具有凹凸结构的粗糙面。粗糙面可减少出射光线在透明基板120的第二表面122发生全反射，进而增加出光效率。
如图1A所示，本发明的一实施例是在第一表面121上配置3列固态发光元件串125～127，每一列固态发光元件串125～127包括2个串联的固态发光元件。
固态发光元件串可为一列或多列，每一列固态发光元件串包括2个或2个以上串联的固态发光元件，本发明不加以限制。
请参照图2A及图2B，其分别绘示依照本发明一实施例的固态光源阵列的示意图以及沿着I-I线的剖面示意图。
在图2B中，固态发光元件例如为发光二极管150，其包括有一第二型半导体层153、一有源层152以及一第一型半导体层151依序形成于透明基板120上。
固态发光元件以阵列方式配置在透明基板120的第一表面121，且每一个固态发光元件均包括一第一型电极垫E1以及一第二型电极垫E2。在图2B中，每一个固态发光元件被图案化后，部分第二型半导体层153裸露出来，而形成一平台状结构。固态发光元件的第一型电极垫E1是形成于第一型半导体层151上，第二型电极垫E2则是形成于裸露的第二型半导体层153上。有源层152位于第一型半导体层151与第二型半导体层153之间，可包括多量子井层。
第一型半导体层151可为添加P型杂质的氮化物半导体层，第二型半导体层153可为添加N型杂质的氮化物半导体层。第一型半导体层151与第二型半导体层153可为电性相异的P型半导体层与N型半导体层，可由周期表IIIA族元素的氮化物所构成，例如为氮化镓、氮化镓铝、氮化铟镓或氮化铝铟镓等。且，第一型电极垫E1为P极，第二型电极垫E2为N极。
此外，发光二极管150还可包括一未掺杂的半导体层154位于第二型半导体层153与透明基板120之间，例如是由周期表IIIA族元素的氮化物所构成的未掺杂的半导体层154。另外，发光二极管150还可包括一缓冲层155位于未掺杂的半导体层154与透明基板120之间。缓冲层155的材质选自氮化铝或氮化镓铝所构成的族群。透明基板120例如是蓝宝石基板，于透明基板120上形成缓冲层155，再依序形成所需的外延层，可获得品质较佳的氮化镓晶体。
在图2A及图2B中，每一列固态发光元件串的第一个固态发光元件的第一型电极垫E1均电连接至一位于第一表面121边缘(邻近第一侧边L1)的一第一导线141，而每一列固态发光元件串的最后一个(第M个，M为大于等于2的正整数)固态发光元件的第二型电极垫E2均电连接至一位于第一表面121边缘(邻近第二侧边L2)的一第二导线142。此外，每一列固态发光元件串的第i-1个(2≤i≤M，i为正整数)固态发光元件的第二型电极垫E2以及第i个固态发光元件的第一型电极垫E1之间，均分别以一第三导线143连接。也就是说，第三导线143可分别使每一列的M个固态发光元件彼此串联。
如图2A所示，固态发光元件串125具有两个固态发光元件A1和A2串联，固态发光元件A1与A2都具有第一型电极垫E1(P极)与第二型电极垫E2(N极)。固态发光元件A1的第一型电极垫E1(P极)电连接第一导线141，固态发光元件A1的第二型电极垫E2(N极)与固态发光元件A2的第一型电极垫E1(P极)电连接，固态发光元件A2的第二型电极垫E2(N极)电连接第二导线142。同理，固态发光元件串126与127与固态发光元件串125相同，遂不再赘述。
在图2B中，第三导线143行经于第一个固态发光元件A1与第二个固态发光元件A2之间时，为了避免短路，除了第一型电极垫E1及第二型电极垫E2位置外，还可形成一介电层144于第三导线143下。此外，第一导线141与第二导线142分别行经第一个固态发光元件A1与最后一个固态发光元件A2时，为了避免短路，也可分别形成一介电层145于第一导线141与第二导线142下。在结构上，第一导线141与第二导线142互相不连接，且分别对应于第一插槽133内部的第一型电极部135以及第二插槽134内部的第二型电极部136，其中第一型电极部135为P极，第二型电极部136为N极。
如图1A所示，当透明基板120直立地插入散热底座130的二插槽133、134内而被固定时，位于透明基板120的第一表面121边缘的第一导线141与第一型电极部135电连接，而第二导线142与第二型电极部136电连接，以使固态发光元件发光时会经由透明基板120的第一表面121与第二表面122出光，达到双面出光的效果。因此，本实施例的固态光源模块100通过面阵列排列的固态发光元件，以透明基板120垂直地插置在散热底座130上，来增加出光面积及出光量，进而提高照明的范围，以达到双面出光的效果。
请参照图3，其绘示依照本发明的另一实施例的固态光源阵列210的示意图。三串固态发光元件串225、226、227位于透明基板220第一表面221上，每一固态发光元件串225～227具有四个固态发光元件A1～A4串联，固态发光元件A1～A4都具有第一型电极垫E1(P极)与第二型电极垫E2(N极)。固态发光元件A1的第一型电极垫E1(P极)电连接第一导线241，固态发光元件A1的第二型电极垫E2(N极)与固态发光元件A2的第一型电极垫E1(P极)电连接，固态发光元件A2的第二型电极垫E2(N极)与固态发光元件A3的第一型电极垫E1(P极)电连接，固态发光元件A3的第二型电极垫E2(N极)与固态发光元件A4的第一型电极垫E1(P极)电连接，固态发光元件A4的第二型电极垫E2(N极)电连接第二导线242。同理，固态发光元件串226与227与固态发光元件串225相同，遂不再赘述。
当透明基板220直立地插入如图1A中的散热底座130的二插槽133、134内而被固定时，位于透明基板220的第一表面221边缘的第一导线241与第一型电极部135电连接，而第二导线242与第二型电极部136电连接，以使固态发光元件发光时会经由透明基板220的正反两面出光。
综上所述，虽然结合以上较佳实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。

Claims (10)

1.一种固态光源模块，包括：
透明基板，具有彼此互相平行且相背对的一第一表面与一第二表面；
N列固态发光元件串，设置于该第一表面，各列固态发光元件串均包括M个串联的固态发光元件，其中N,M为正整数且N≧1，M≧2，各该固态发光元件均包括第一型电极垫以及第二型电极垫，且各列固态发光元件串的第一个该固态发光元件的该第一型电极垫均电连接至一位于该第一表面边缘的一第一导线，而各列固态发光元件串的第M个该固态发光元件的该第二型电极垫均电连接至一位于该第一表面边缘的一第二导线，其中该第一导线与该第二导线是物理性地互相不连接(physicallydisconnected)；以及
散热底座，其是由互相隔离的一第一散热底座及一第二散热底座所构成，其中该第一散热底座以及该第二散热底座分别设置有一内部有一第一型电极部的第一插槽与一内部有一第二型电极部的第二插槽，使得该透明基板可通过插入该第一插槽及该第二插槽内而被固定，并且使该透明基板的第一表面边缘的第一、第二导线分别与该第一型、第二型电极部电连接。
2.如权利要求1所述的固态光源模块，其中该第二表面具有凹凸结构。
3.如权利要求1～2其中任一项所述的固态光源模块，其中各该固态发光元件是发光二极管。
4.如权利要求3所述的固态光源模块，其中该发光二极管包括有第二型半导体层、有源层以及第一型半导体层，其依序形成于该透明基板上。
5.如权利要求4所述的固态光源模块，其中该发光二极管被图案化成为一裸露出部分该第二型半导体层的平台状(mesa)结构。
6.如权利要求5所述的固态光源模块，其中各该发光二极管的该第一型电极垫是形成于该第一型半导体层上，而该第二型电极垫则是形成于裸露的该第二型半导体层上。
7.如权利要求6所述的固态光源模块，其中各列固态发光元件串的第i-1个该固态发光元件的该第二型电极垫以及第i个该固态发光元件的该第一型电极垫之间，均分别以一第三导线连接，其中i为正整数且2≦i≦M。
8.如权利要求7所述的固态光源模块，其中该第三导线所经之处，除该第一型电极垫及该第二型电极垫位置外，还形成有一介电层于该第三导线下。
9.如权利要求8所述的固态光源模块，其中该发光二极管还包括未掺杂的半导体层，位于该第二型半导体层与该透明基板之间。
10.如权利要求9所述的固态光源模块，其中该发光二极管还包括缓冲层，位于该未掺杂的半导体层与该透明基板之间。
CN201110304523.1A 2011-09-14 2011-10-10 固态光源模块及固态光源阵列 Active CN103000652B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW100133037A TWI464868B (zh) 2011-09-14 2011-09-14 固態光源模組及固態光源陣列
TW100133037 2011-09-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103000652A CN103000652A (zh) 2013-03-27
CN103000652B true CN103000652B (zh) 2016-01-20

Family

ID=47215332

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110304523.1A Active CN103000652B (zh) 2011-09-14 2011-10-10 固态光源模块及固态光源阵列

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8610139B2 (zh)
EP (1) EP2571054A2 (zh)
CN (1) CN103000652B (zh)
TW (1) TWI464868B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203277485U (zh) 2012-05-29 2013-11-06 璨圆光电股份有限公司 发光装置、用于形成多方向出光的发光二极管芯片及其蓝宝石基板
TWI602322B (zh) * 2013-06-27 2017-10-11 晶元光電股份有限公司 發光二極體組件及製作方法
TWI519735B (zh) 2013-09-02 2016-02-01 雷盟光電股份有限公司 具散熱結構之led燈具
US9318360B2 (en) 2013-10-11 2016-04-19 Applied Materials, Inc. Linear high packing density for LED arrays
TWI560397B (en) * 2013-10-22 2016-12-01 Epistar Corp Illumination device
TWI516709B (zh) * 2013-10-25 2016-01-11 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置及其發光二極體燈具
US20150252991A1 (en) * 2014-03-06 2015-09-10 Star Electrical Equipment Co., Ltd. Standing pole type led light
CN118315518A (zh) * 2017-04-21 2024-07-09 首尔半导体株式会社 照明装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101661982B (zh) * 2008-08-26 2011-06-01 智仁科技开发股份有限公司 发光二极管封装

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5311407A (en) * 1992-04-30 1994-05-10 Siemens Components, Inc. Printed circuit based for mounted semiconductors and other electronic components
US7034470B2 (en) * 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
US6715901B2 (en) * 2002-08-15 2004-04-06 Shi-Hwa Huang Image projector system having a light source that includes at least four light emitting diode modules
US6590773B1 (en) * 2002-08-28 2003-07-08 Para Light Electronics Co., Ltd. Heat dissipation device for enhanced power light emitting diodes
TWI223460B (en) * 2003-09-23 2004-11-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diodes in series connection and method of making the same
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7221044B2 (en) * 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
US7262438B2 (en) * 2005-03-08 2007-08-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED mounting having increased heat dissipation
EP2280430B1 (en) * 2005-03-11 2020-01-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
US7683475B2 (en) 2006-03-31 2010-03-23 Dicon Fiberoptics, Inc. LED chip array module
US7847306B2 (en) * 2006-10-23 2010-12-07 Hong Kong Applied Science and Technology Research Insitute Company, Ltd. Light emitting diode device, method of fabrication and use thereof
CN100552990C (zh) * 2006-12-29 2009-10-21 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管模组
TWI344708B (en) * 2007-04-30 2011-07-01 Jin Chyuan Biar Package structure of lighting element and lighting device thereof
CN101487583B (zh) * 2008-01-16 2010-09-29 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
CN101728469B (zh) * 2008-10-27 2012-03-28 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管及其晶粒
WO2010151600A1 (en) * 2009-06-27 2010-12-29 Michael Tischler High efficiency leds and led lamps
CN102095172A (zh) * 2009-12-15 2011-06-15 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管灯具
US8079139B1 (en) * 2010-08-27 2011-12-20 I-Chiun Precision Industry Co., Ltd. Method for producing electro-thermal separation type light emitting diode support structure
WO2012086109A1 (ja) * 2010-12-24 2012-06-28 パナソニック株式会社 電球形ランプ及び照明装置
TW201234574A (en) * 2011-02-01 2012-08-16 Pinecone En Inc Light-emitting-diode array and manufacturing method thereof
TW201242122A (en) * 2011-04-15 2012-10-16 Chi Mei Lighting Tech Corp Light-emitting diode device
CN102162593B (zh) * 2011-06-03 2015-07-15 上海三思电子工程有限公司 一种照明装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101661982B (zh) * 2008-08-26 2011-06-01 智仁科技开发股份有限公司 发光二极管封装

Also Published As

Publication number Publication date
EP2571054A2 (en) 2013-03-20
TWI464868B (zh) 2014-12-11
US20130062634A1 (en) 2013-03-14
CN103000652A (zh) 2013-03-27
US20140070241A1 (en) 2014-03-13
TW201312741A (zh) 2013-03-16
US8610139B2 (en) 2013-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103000652B (zh) 固态光源模块及固态光源阵列
US9620682B2 (en) Light emitting device
US10224471B2 (en) Light emitting device package having improved electrical reliability and lighting apparatus including the package
RU2521219C2 (ru) Эффективная светодиодная матрица
US6635902B1 (en) Serial connection structure of light emitting diode chip
US9165977B2 (en) Light emitting device and light emitting device package including series of light emitting regions
US9153622B2 (en) Series of light emitting regions with an intermediate pad
US20130229796A1 (en) Light emitting diode bar and light emitting diode module using the same
KR101448153B1 (ko) 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의발광 다이오드 소자
KR102231646B1 (ko) 발광 소자
CN102956805B (zh) 发光元件
CN204577453U (zh) 一种功率型led芯片
KR101087650B1 (ko) 순방향 직렬접속된 발광셀 어레이의 접속구조
KR101823929B1 (ko) 반도체 발광장치
KR102099436B1 (ko) 발광 소자
KR20160113791A (ko) 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant