JP5945738B2 - シリコン基板 - Google Patents
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Description
光を受光する一面にテクスチャを有しており、該テクスチャが形成される面の反対側の他面に複数の凹凸の集合体により微小の四角状の凹凸部が波紋形状に形成される、シリコン基板。
本発明のシリコン基板は、基板表面にテクスチャおよび微小の四角状の凹凸が波紋形状に形成されていることを特徴とする。テクスチャが形成された基板表面を、テクスチャ形成面、微小の四角状の凹凸が波紋形状に形成された面を微小凹凸面という。
本発明のシリコン基板の製造方法は、ノンプラズマでシリコン基板を処理する点が特徴である。そのうえで、テクスチャを有する基板面方位(100)のシリコン基板を用意するステップと、シリコン基板にエッチングガスを吹き付けるステップとを含む。好ましくは、シリコン基板に冷却ガスを吹き付けるステップを更に含み;エッチングガスを吹き付けるステップと冷却ガスを吹き付けるステップとを交互に繰り返してもよい。
このように、本発明のシリコン基板は、太陽電池用のシリコン基板として用いられることが好ましい。太陽電池用のシリコン基板とするには、シリコン基板のテクスチャ形成面にエミッタ層を形成してpn接合を形成することが好ましい。
図3に示される微小凹凸面形成装置10のステージ50に、テクスチャが形成された基板面方位(100)のシリコン基板100を載置した。
図3に示される微小凹凸面形成装置10のステージ50に、テクスチャを形成された基板面方位(100)のシリコン基板100を載置した。
20 減圧チャンバ
30 ノズル
31 エッチングガス供給配管
40 ノズル
41 冷却ガス供給配管
50 ステージ
100 シリコン基板
Claims (4)
- 基板面方位(100)のシリコン基板であって、
光を受光する一面にテクスチャを有しており、該テクスチャが形成される面の反対側の他面に複数の凹凸の集合体により微小の凹凸部が波紋形状に形成される、シリコン基板。 - 前記波紋形状に形成される凹凸の深さは、10nm〜100nmの範囲にある、請求項1記載のシリコン基板。
- 前記他面における前記凹凸の密度は、10〜100000個/100μm2である、請求項1又は2に記載のシリコン基板。
- 前記シリコン基板への入射光(波長500nm〜1000nm)の吸光率は80%以上である、請求項1〜3の何れか一項に記載のシリコン基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015082193A JP5945738B2 (ja) | 2015-04-14 | 2015-04-14 | シリコン基板 |
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JP (1) | JP5945738B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3301663B2 (ja) * | 1993-12-27 | 2002-07-15 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP2005150614A (ja) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Sharp Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
US8558341B2 (en) * | 2010-12-17 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element |
JP5297543B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2013-09-25 | パナソニック株式会社 | テクスチャ形成面を有するシリコン基板、およびその製造方法 |
JP2012222300A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Panasonic Corp | テクスチャ形成面を有するシリコン基板、およびその製造方法 |
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