JP2005217260A - シリコン基板の製造方法および太陽電池セルの製造方法 - Google Patents
シリコン基板の製造方法および太陽電池セルの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板前駆体の少なくとも一面を多孔質化処理する工程と、多孔質化処理されたシリコン基板前駆体にリンを拡散処理してゲッタリング層を形成する工程と、ゲッタリング層を除去する工程とを、含むシリコン基板の製造方法、および当該方法で得られるシリコン基板を用いる太陽電池セルの製造方法。
【選択図】 図1
Description
大きさ125mm×125mm、厚さ約300μmのp型シリコン基板前駆体を用い、まず、表面浄化のために、90℃のアルカリ溶液(水酸化ナトリウムを3%含有)に、10分間浸漬してエッチングし、純水リンスに付した。
多孔質化処理およびリンの拡散処理までは、上述した実施例1と同様に行い、シリコン基板前駆体の表面に、多孔質層、リン拡散層およびPSG層からなるゲッタリング層を形成したものを用いて、それぞれ太陽電池セルを製造した。なお、このような多孔質層によっても光の反射率は相当低下するが、この状態で太陽電池セルを形成すると、多孔質層での再結合が多くなり、逆に特性を悪くする。
Claims (11)
- シリコン基板前駆体の少なくとも一面を多孔質化処理する工程と、多孔質化処理されたシリコン基板前駆体にリンを拡散処理してゲッタリング層を形成する工程と、ゲッタリング層を除去する工程とを、含むシリコン基板の製造方法。
- 前記多孔質処理が腐食性ガスを用いたドライエッチングである、請求項1に記載のシリコン基板の製造方法。
- 腐食性ガスが塩素性ガスおよびフッ素性ガスのうちの少なくともいずれかを含む、請求項2に記載のシリコン基板の製造方法。
- 前記多孔質化処理および前記リンの拡散処理が、同一装置内で行われる、請求項1〜3のいずれかに記載のシリコン基板の製造方法。
- 前記多孔質化処理および前記リンの拡散処理が、シリコン基板前駆体の両面に施される、請求項1〜4のいずれかに記載のシリコン基板の製造方法。
- 前記リンの拡散処理の処理温度が800〜950℃である、請求項1〜5のいずれかに記載のシリコン基板の製造方法。
- シリコン基板前駆体の少なくとも一面を多孔質化処理する工程と、多孔質化処理されたシリコン基板前駆体にリンを拡散処理してゲッタリング層を形成する工程と、ゲッタリング層を除去する工程とを少なくとも含む方法によって製造されたシリコン基板を用いて太陽電池セルを製造する、太陽電池セルの製造方法。
- 前記多孔質化処理が、三フッ化塩素ガスを用いたドライエッチングである、請求項7に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ゲッタリング層の除去処理が、少なくとも硝酸とフッ化水素酸と水とを混合したエッチング液による処理、または、水酸化ナトリウムを含むアルカリ水溶液を用いたエッチング液による処理であることを特徴とする請求項7または8に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ゲッタリング層の除去処理に用いるエッチング液が、硝酸とフッ化水素酸の混酸100容量部に対して140容量部以上の水を加えた混合液であることを特徴とする請求項9に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記ゲッタリング層の除去処理に用いるエッチング液が、60%硝酸水溶液と49%フッ化水素酸水溶液と水とを20:1:9〜21の容量比で混合した混合液からなることを特徴とする請求項10に記載の太陽電池セルの製造方法。
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