JP4319006B2 - 太陽電池セルの製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施例を比較例とともに具体的に説明する。なお、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。
1’ 改質後のシリコン基板
2 リン拡散層
2’ 熱処理後のリン拡散層
3 PSG(リンシリケイトガラス)層
11 p型シリコン基板
12 n型拡散層
13 反射防止膜
14 BSF層
15 アルミニウム電極
16 銀電極(基板裏面側)
17 電極部(基板受光面側)
Claims (7)
- シリコン基板表面にリンの熱拡散を実施してPSG層およびリン拡散層を形成し、次いで酸処理により前記PSG層を除去した後に熱処理を行い、この熱処理後に前記リン拡散層を含むシリコン基板表面層を除去する太陽電池用シリコン基板ゲッタリング工程と、
該太陽電池用シリコン基板ゲッタリング工程で得られたシリコン基板の片側表面に熱拡散によりn型拡散層を形成し、前記片側表面と反対側の裏面に印刷したペーストを焼成して電極を形成することによって太陽電池セルを製造する太陽電池セル製造工程とを備えること
を特徴とする太陽電池セルの製造方法。 - 前記シリコン基板表面へのリンの熱拡散が、リンを含む液体の塗布による拡散、または、リンを含む気体による気相拡散であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記シリコン基板表面へのリンの熱拡散が、シリコン基板両面への拡散、または、シリコン基板片面への拡散であることを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記PSG層の除去処理が、フッ酸を含む酸による酸処理であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記PSG層除去後の熱処理の温度が800〜900℃であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記熱処理後のリン拡散層を含むシリコン基板表面層の除去処理が、フッ酸と硝酸の混酸もしくは混酸に酢酸を含む酸による酸処理、または、水酸化ナトリウムを含むアルカリ水溶液による処理であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記熱処理後のリン拡散層を含むシリコン基板表面層のエッチング量が3〜20μmであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003363482A JP4319006B2 (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 太陽電池セルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003363482A JP4319006B2 (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 太陽電池セルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005129714A JP2005129714A (ja) | 2005-05-19 |
JP4319006B2 true JP4319006B2 (ja) | 2009-08-26 |
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ID=34642795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003363482A Expired - Fee Related JP4319006B2 (ja) | 2003-10-23 | 2003-10-23 | 太陽電池セルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4319006B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NO333757B1 (no) * | 2006-12-04 | 2013-09-09 | Elkem Solar As | Solceller |
US20090211627A1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Suniva, Inc. | Solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation |
US8076175B2 (en) | 2008-02-25 | 2011-12-13 | Suniva, Inc. | Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation |
MX2011007413A (es) * | 2009-01-14 | 2011-07-21 | Avantor Performance Materials B V | Solucion para aumentar la resistencia de la hoja de lamina y/o elevar la densidad de energia de la celda fotovoltaica. |
TWI459575B (zh) * | 2010-11-15 | 2014-11-01 | Ind Tech Res Inst | 太陽能電池製造方法 |
JP5677469B2 (ja) | 2011-01-27 | 2015-02-25 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子の製造方法、太陽電池素子、および太陽電池モジュール |
CN102683487A (zh) * | 2012-04-27 | 2012-09-19 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种p型晶硅太阳电池双面扩散方法 |
CN102683504B (zh) * | 2012-06-05 | 2015-08-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 通过离子注入砷改进晶体硅太阳能电池制作工艺的方法 |
CN103311369B (zh) * | 2013-06-14 | 2016-08-10 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种晶体硅太阳电池生产工艺 |
CN103311377B (zh) * | 2013-06-26 | 2016-05-25 | 常州天合光能有限公司 | 一种提升光伏电池片并联电阻的方法 |
CN112599636B (zh) * | 2020-12-07 | 2023-08-01 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池 |
CN113257953A (zh) * | 2021-04-18 | 2021-08-13 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | N型硅片的吸杂方法和磷吸杂设备 |
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2003
- 2003-10-23 JP JP2003363482A patent/JP4319006B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005129714A (ja) | 2005-05-19 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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