JP2005129714A - 太陽電池セルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】少数キャリアの再結合を抑制しライフタイムを向上させ、結晶系シリコン太陽電池セル特性の改善を図る。
【解決手段】シリコン基板１表面にリンの熱拡散を実施してＰＳＧ（リンシリケイトガラス）層３およびリン拡散層２を形成した後、酸処理によりＰＳＧ層３を除去することによりＰＳＧ層３に含まれる金属不純物を除去する。この後、残留したリン拡散層２を利用して再度熱処理することにより、金属不純物を更にゲッタリングする。そして最後に、リン拡散層２を含むシリコン基板１’表面層を除去することにより、金属不純物の再混入を防止するという工程によって得られるシリコンウエハを用いて太陽電池を製造する。
【選択図】図１

Description

本発明は、太陽電池用基板材料として有用なシリコンウエハを用いた太陽電池セルの製造方法に関し、特に、太陽電池セルの製造工程において発生する重金属などの汚染物をゲッタリング除去することが可能な太陽電池セルの製造方法に関する。

太陽光のような光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池は、地球環境問題に対する関心が高まるにつれ、積極的に種々の構造・構成のものが開発されている。その中でも、シリコンなどの半導体基板を用いた太陽電池は、その変換効率・製造コストなどの優位性により最も一般的に用いられている。

シリコンウエハを用いた太陽電池セルの製造工程を図３および図４を用いて説明する。図３は、従来の太陽電池の一例を模式的に示す図であり、（ａ）は受光面側からみた平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。この図３の太陽電池セルは図４に示す製造工程にしたがって製造される。

結晶系シリコンを用いた太陽電池の場合、半導体基板としては、ワイヤーソーなどを用いて、単結晶または多結晶の半導体インゴットを１２５ｍｍ×１２５ｍｍまたは１５５ｍｍ×１５５ｍｍなどの面積で３００〜３５０μｍ程度の厚さに切り出したｐ型シリコン基板が用いられる。

図４に示す製造工程では、まず、ｐ型シリコン基板１１をアルカリエッチングにより、加工時に形成されたダメージ層を除去する（ａ）。次いで、公知の方法により、ｐ型シリコン基板１１の受光面となる片面にｎ型ドーパントを拡散させ、ｎ型拡散層１２を形成してｐｎ接合とする（ｂ）。さらにその上に表面反射率を低減させるためにＳｉＮ膜またはＴｉＯ₂膜などからなる反射防止膜１３を形成する（ｃ）。

一方、ｐ型シリコン基板１１の裏面（受光面と反対側となる面）には、スクリーン印刷法などによりアルミニウムペーストを塗布し、１５０℃程度で乾燥した後、空気中において７００℃程度で焼成することにより、ｐ型シリコン基板１１に不純物となるアルミニウムを拡散させ、ＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ：裏面電界）層１４としてｐ⁺型層とアルミニウム電極１５とを同時に形成する（ｄ）。

次いで、スクリーン印刷法などにより、ｐ型シリコン基板１１の裏面側に銀ペーストをアルミニウム電極１５に一部重なるように塗布・乾燥し（ｅ）、さらにスクリーン印刷法などにより、ｐ型シリコン基板１１の受光面側に銀ペーストを魚骨型のパターン状に塗布・乾燥する（ｆ）。

次に、酸化性雰囲気下、６００℃程度で焼成することにより銀電極１６（基板裏面側）および電極部１７（基板表面側）を形成する（ｇ）。焼成時に電極部１７は、反射防止膜１３をファイヤースルーしてｎ型拡散層１２と接触する。そして最後に、これら銀電極１６および電極部１７の表面にはんだ層（図示せず）をコーティングして太陽電池セルを得る（ｈ）。

ここで、多結晶シリコンインゴット成長、単結晶成長、ウエハ加工、太陽電池セル製造プロセスにおいては、さまざまな不純物・欠陥が、シリコン結晶やウエハに導入・誘起される。これらの中で直接的にデバイス特性を劣化させるのは金属（特に遷移金属）不純物によるウエハの汚染であり、これらがウエハ内の少数キャリアのライフタイムを減少させ、太陽光によって発生したキャリアを再結合させる原因となり、太陽電池セルの特性を劣化させる。

不純物あるいは２次欠陥による悪影響を除去するには、汚染源の除去、汚染濃度の低減が重要であるが、完全にゼロにすることは不可能であり、ウエハのデバイス領域から汚染不純物を除去する“ゲッタリング”技術が注目されている。

ゲッタリング技術については、例えば特許文献１に良くまとめられており、中でもリン（Ｐ）あるいはホウ素（Ｂ）を高濃度に拡散したＳｉＯ₂層により不純物金属を捕獲することはゲッタリング技術の起源であり、そのゲッタリング効果が広く認められている。

ゲッタリング技術を用いた製造方法として、ＤＲＡＭなどの半導体メモリデバイスに対し、半導体ウエハの裏面にゲッタリングサイトを形成し、熱処理してウエハ中の汚染不純物をゲッタリングした後、汚染不純物を含むコンタミネイテッド層を除去する、というサイクルを繰り返し用いる製造方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。

また、単結晶および多結晶ウエハにリンのゲッタリングを適用し、捕獲された金属不純物を含む層を除去する製造方法が報告されている（例えば、特許文献３参照。）。
志村忠夫著「半導体シリコン結晶工学」（１９９３）：丸善 特開平４−２１８９２１公報 Ａ．Ｅｌ Ｍｏｕｓｓａｏｕｉ ｅｔ ａｌ．；Ｐｒｏｃ．１４ｔｈ Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ Ｓｏｌａｒ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｂａｒｃｅｌｏｎａ（１９９７） ｐ．６５

ところで、近年、地球環境問題への関心の高まりとともに太陽電池セル生産量が増加するにつれ、原料となる半導体基板、特に太陽電池用シリコンウエハの供給量が急激に増大している。

太陽電池セルは低コストで製造することが必要であり、使用する太陽電池用シリコンウエハは、必ずしも集積回路などの半導体デバイスの作製で使用するシリコンウエハほど純度が高いものではない。その理由は、高純度・高精度のものを用いようとすると必然的にコスト高になってしまうことによる。

しかしながら、不純物が混入したシリコンウエハを用いたり、あるいは上記のような低コスト化の観点から太陽電池セルを製造したりする場合、工程中に金属不純物が混入してウエハライフタイムが低下し、その結果として、太陽電池セルの変換効率を低下させるという問題がある。

すなわち、ゲッタリング技術の問題点としていえるのは、ウエハ基板にゲッタリング処理を実施しても、ゲッタリングサイトに一旦捕獲された汚染物質や工程設備内に残留している汚染物質が、後続の熱処理によってウエハ内部のデバイス活性領域に容易に拡散し、実質的にゲッタリング作用としての効果が半減することである。

本発明は、そのような問題を解決するためになされたもので、ゲッタリング作用が半減もしくは消滅するのを防止し、シリコンウエハのライフタイムを向上させることが可能な太陽電池セルの製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の製造方法は、シリコン基板表面にリンの熱拡散を実施してＰＳＧ層およびリン拡散層を形成し、次いで酸処理により前記ＰＳＧ層を除去した後に熱処理を行い、この熱処理後に前記リン拡散層を含むシリコン基板表面層を除去することにより得られるシリコンウエハを用いて太陽電池セルを製造することを特徴としている。

この発明の製造方法によれば、ＰＳＧ層に含まれた金属不純物を除去できるとともに、残留したリン拡散層を利用して再度熱処理することにより、金属不純物を更にゲッタリングすることができる。そして最後に、リン拡散層を含むシリコン基板表面層を除去することにより、金属不純物の再混入を防止することができる。

本発明の製造方法において、前記シリコン基板表面へのリンの熱拡散には、リンを含む液体の塗布による拡散またはリンを含む気体による気相拡散を用いることが好ましい。このような拡散方法を採用すると、ＰＳＧ層およびリン拡散層を同時に形成することができる。なお、シリコン基板表面へのリンの熱拡散は、シリコン基板両面への拡散であってもよいし、またはシリコン基板片面への拡散であってもよい。

本発明の製造方法において、前記ＰＳＧ層の除去処理は、フッ酸を含む酸による酸処理であることが好ましい。このような酸処理を採用すると、フッ酸によりリン拡散層は除去されず、ＰＳＧ層のみを除去することが可能となる。

本発明の製造方法において、前記ＰＳＧ層除去後の熱処理温度は８００〜９００℃であることが好ましい。このような温度範囲とすることにより、シリコンウエハの少数キャリアのライフタイムを効果的に向上させることができる。

本発明の製造方法において、前記熱処理後のリン拡散層を含むシリコン基板表面層の除去処理が、フッ酸と硝酸の混酸もしくは混酸に酢酸を含む酸による酸処理、または、水酸化ナトリウムを含むアルカリ水溶液による処理であることが好ましい。これらの酸処理またはアルカリ処理を採用することにより、リン拡散層を除去することができ、かつ、２次的な加工歪みを発生することなく、低コストで信頼性の高い、高スループットな除去処理が可能となる。

本発明の製造方法において、前記熱処理後のリン拡散層を含むシリコン基板表面層のエッチング量は３〜２０μｍであることが好ましい。この範囲を採用することにより、リン拡散層を完全に除去できるとともに、ウエハを過剰に薄くすることなく次の工程に移行できるので、後工程でのウエハの割れを回避することができる。

本発明の製造方法によれば、ゲッタリング作用が半減もしくは消滅するのを防止することができるので、シリコンウエハのライフタイムを向上させることができ、太陽電池セルの特性を改善することができる。従って、本発明の製造方法を採用することにより、多結晶シリコンインゴットのセンター部分のみならず、インゴットの端の部分（トップ部やボトム部）の品質の良くない部分から得られたシリコンウエハ基板についても、ライフタイムおよび太陽電池セルの特性を改善することができる。これにより、ウエハの選択肢を広げることができ、ブロック切断時に捨てられていたようなインゴットの端の部分を使用することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて具体的に説明する。なお、本発明はこれに限定されるものではない。

図１は、本発明の製造方法における太陽電池用シリコン基板ゲッタリングの一例を模式的に示す断面図である。図２はその太陽電池用シリコン基板ゲッタリングの工程を示す図である。

この例では、まず、シリコンウエハを作製するための単結晶または多結晶のシリコンインゴット（図示せず）を用意する。このインゴットを円盤状ブレードやワイヤーソーを用いた通常の方法によりスライスして、図１に示すシリコンウエハ基板１を作製する。基板のサイズは、例えば１２５ｍｍ×１２５ｍｍまたは１５５ｍｍ×１５５ｍｍで、その厚さは１００〜５００μｍ程度であるが、通常３００μｍ程度のものを用いることが多い。

太陽電池セルはｐｎ接合を有するが、これは、第１導電型のシリコン基板の表面側に第２導電型の不純物拡散層が形成されていることを意味する。

ここで、第１導電型がｎ型の場合には、第２導電型はｐ型であり、第１導電型がｐ型の場合には、第２導電型はｎ型である。ｐ型を与える不純物としては、ホウ素、アルミニウムなどが挙げられ、ｎ型を与える不純物としては、リン、砒素などが挙げられる。シリコン基板の場合、ｐ型、ｎ型ともにその比抵抗は０．１〜１０Ω・ｃｍ程度である。現在、太陽電池として用いられているシリコンウエハ基板の導電型はｐ型が主流であり、以下、ｐ型シリコン基板を使用した場合について図１及び図２を参照しながら説明する。

（１）基板準備として、シリコン基板１のスライス・エッチングを行う（図１（ａ），図２（ａ））。この処理を行うのは以下の理由による。

まず、スライス直後のシリコンウエハは、切断時の機械的衝撃によるダメージ層すなわち加工変質層を有している。本発明においては、この加工変質層を有したスライス完のシリコンウエハを用いたゲッタリングも可能であるが、スライス完のシリコンウエハでは、加工変質層中の洗浄しきれない残留不純物により汚染されていることが多く、熱処理工程において、逆に製造装置側を汚染しかねない。一旦製造装置が汚染されると、その後に投入されるシリコンウエハはすべて汚染される可能性があり、電気的特性に悪影響を及ぼすおそれがあるので、スライス後のシリコンウエハについては、酸またはアルカリ溶液中で化学エッチングして加工変質層を完全に除去するほうが好ましい。

（２）シリコン基板１表面に対しリンの熱拡散を行う（図２（ｂ））。シリコン基板１表面へのリンの熱拡散には、リンを含む液体の塗布による拡散、または、リンを含んだ気体による気相拡散を用いることができる。熱拡散条件は９００℃程度で２０分以上行う。このような熱拡散を行うことにより、図１（ｂ）に示すように、シリコン基板１表面にリン拡散層２およびＰＳＧ層３が同時に形成され、このリン熱拡散処理時に、ウエハ基板ライフタイム低減の原因となる不純物がゲッタリングされる。

なお、シリコン基板１表面へのリンの熱拡散は、シリコン基板１の両面への拡散であってもよいし、または、シリコン基板１の片面への拡散であってもよい。ただし、リンを含む液体の塗布による拡散の場合は、シリコン基板１の両面への塗布は工程の増加につながりコスト高となるので、シリコン基板１片面への塗布で実施する。この点（片面塗布）について、本発明者らは、研究・実験等によりシリコン基板１の厚みが３００μｍ程度である場合、不純物となる金属の拡散速度は９００℃程度では非常に大きく、片面拡散で両面拡散と同等なゲッタリング効果が得られることを見出している。一方、リンを含んだ気体による気相拡散の場合は、ガスの拡散により両面への均等なリン拡散を実施できるので、シリコン基板１に両面からの拡散を行う。

（３）以上のリンの熱拡散を行った後、図１（ｃ）および図２（ｃ）に示すようにＰＳＧ層３を除去する。ＰＳＧ層３の除去処理は、フッ酸を含む酸による酸処理であることが好ましい。この酸処理を採用することにより、フッ酸によりリン拡散層２は除去されず、ＰＳＧ層３のみを除去することが可能となる。これにより、汚染物質である不純物を含む層であるリン拡散層２とＰＳＧ層３のうち、ＰＳＧ層３をまず除去することによって、後続の熱処理でゲッタリングサイトから汚染物質が遊離する、というゲッタリング技術の問題のひとつを防止することができる。

ただし、ゲッタリング技術の問題点としていえるのは、ウエハ内部には一回のリン拡散にて捕獲しきれない残留汚染物質があり、また、ゲッタリングによって捕獲しきれない不純物によるリン拡散工程装置内への汚染があって、後続の熱処理によってウエハ内部のデバイス活性領域に拡散することである。

このような問題点を解消する手法を本発明者らの研究等によって見出した。すなわち、図１（ｃ）からわかるように、ＰＳＧ層３を除去した後、シリコン基板１の表面にはリン拡散層２が残っており、ＰＳＧ層３の除去により、シリコン基板１の表面にはリンを含むクリーンなシリコン層が現れるので、これを再びゲッタリングサイトとして利用できること、つまり、もう一度、リン拡散するなどの追加工程は不要であり、ゲッタリングサイトとしてのリフレッシュ機能を持たせることができることを見出した。

（４）従って、図２（ｄ）に示すように、ＰＳＧ層３の除去後のシリコン基板１（図１（ｃ））に対して熱処理を行えば、新たなゲッタリングサイトにウエハ内部に残留している不純物をゲッタリングすることができ、少数キャリアのライフタイムが向上し、太陽電池特性が改善する。なお、熱処理後のリン拡散層は不純物を捕獲した新たなゲッタリングサイトとして機能しているので、図１（ｄ）において熱処理後のリン拡散層を「リン拡散層２’」として示している。

このようなＰＳＧ層３の除去後の熱処理は、前記したリン拡散処理と別の装置で行うことが好ましい。リン拡散処理と同一装置で行うと、前工程である図２（ｂ）の拡散処理で汚染物質が装置内部に残留しており、これらが再度ウエハ内部に拡散しゲッタリングしきれないものがデバイス活性領域に拡散してしまうという問題があり、これを避けるためである。

さらに、ＰＳＧ層３の除去後の熱処理の温度は、８００〜９００℃で実施することが好ましい。熱処理温度が８００℃よりも低いとゲッタリング効果が薄まり、１０００℃程度であるとシリコン基板内部に新たな欠陥が生成しライフタイム低下の原因となる。従って熱処理を８００〜９００℃の温度範囲を行うことにより、シリコンウエハの少数キャリアのライフタイムを効果的に向上させることができる。

（５）ゲッタリングの最終工程では、図２（ｅ）に示すように、汚染物質である不純物をゲッタリングしたリン拡散層２’を除去し、図１（ｅ）に示したシリコン基板１’を得る（改質後のシリコン基板という意味で「シリコン基板１’」とする）。

熱処理後のリン拡散層２’を含むシリコン基板１’の表面層の除去処理には、フッ酸と硝酸の混酸もしくは混酸に酢酸を含む酸による酸処理、または、水酸化ナトリウムを含むアルカリ水溶液による処理が好ましい。これらの酸処理またはアルカリ処理を採用することにより、リン拡散層２’を除去することができ、かつ、２次的な加工歪みを発生することなく、低コストで信頼性の高い、高スループットな除去処理ができる。

また、熱処理後のリン拡散層２’を含むシリコン基板１’表面のエッチング量は３〜２０μｍであることが好ましい。この範囲を採用することにより、リン拡散層を完全に除去できるとともに、シリコンウエハを過剰に薄くすることなく次の工程に移行できるので、後工程でのウエハの割れを回避することができる。

そして、本発明の太陽電池セルの製造方法は、上記したゲッタリング工程以外は、基本的に、図４に示した従来の太陽電池セルの製造工程と同じであり、図４（ｂ）のｎ型拡散層形成工程以降の工程にしたがって太陽電池セルを製造することができる。

このような本発明の製造方法によれば、少数キャリアのライフタイムが向上され、特性が改善された太陽電池セルを提供することができる。

＜実施例＞
以下、本発明の実施例を比較例とともに具体的に説明する。なお、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。

以下の工程により、図３に示す太陽電池セルを作製した。

シリコン基板１として、大きさ１２５ｍｍ×１２５ｍｍ、厚さ約３００μｍのｐ型シリコンウエハ基板を用いた。まず、表面清浄化のために、ｐ型シリコンウエハ基板をアルカリ（水酸化ナトリウムを含む）エッチングと純水リンスを行った。

ここで、サンプルとなるウエハを３条件［Ａ］、［Ｂ］、［Ｒ］に分けた。３条件のうち、本発明の実施例である２条件［Ａ］、［Ｂ］は、図１および図２に示すゲッタリング工程を経て太陽電池セルを作製するサンプルである。

そのうち条件［Ａ］のサンプルは、リン化合物および有機溶剤などからなる液体の塗布による片面拡散により、ゲッタリング用のリン拡散を実施したものである。条件［Ｂ］のサンプルはリンを含んだＰＯＣｌ３による気相両面拡散により、ゲッタリング用のリン拡散を実施したものである。

一方、条件［Ｒ］は比較例であり、図４に示す従来技術により太陽電池セルを作製するサンプルである。

以下、条件［Ａ］、［Ｂ］のゲッタリング工程について記述する。

条件［Ａ］では、シリコン基板の受光面となるべき片側表面に９００℃で２０分程度リンの熱拡散を行ってリン拡散層とＰＳＧ層を基板片面に形成した。このリン拡散層の面抵抗値は約５０Ωであった。条件［Ｂ］では、シリコン基板の両面に９００℃で２０分程度リンの熱拡散を行ってリン拡散層とＰＳＧ層を基板両面に形成した。このリン拡散層の面抵抗値は約５０Ωであった。

条件［Ａ］と条件［Ｂ］との違いは以上の工程までであり、以下のゲッタリング工程では同一の処理を施した。リン拡散層およびＰＳＧ層が形成された条件［Ａ］、［Ｂ］の各サンプルについて、フッ酸水溶液中への浸漬により、ＰＳＧ層を除去した。このときリン拡散層は除去されない。

次に、これら条件［Ａ］、［Ｂ］の各サンプルを別の拡散炉装置に投入し、９００℃で１時間熱処理を行った。

最後に、条件［Ａ］、［Ｂ］で形成され、シリコン基板表面に残ったリン拡散層をアルカリ（水酸化ナトリウムを含む）エッチングで片側１０μｍ程度除去した。

一方、条件［Ｒ］については、条件［Ａ］、［Ｂ］のサンプルと同程度の厚さとなるように、シリコン基板のアルカリエッチングのみを行った。

以上の３条件［Ａ］、［Ｂ］、［Ｒ］のウエハ（サンプル）を用いて図３、図４の工程にしたがって太陽電池セルを作製した。

まず、シリコン基板の受光面となるべき片側表面に９００℃でリンの熱拡散を行い、不純物拡散層として面抵抗値が約５０Ωのｎ型拡散層１２を形成した。次いで、そのｎ型拡散層１２上に反射防止膜１３としてプラズマＣＶＤ法により厚さ約７０ｎｍのシリコン窒化膜を形成した。

次に、シリコン基板の裏面にアルミペーストをスクリーン印刷し、１５０℃で乾燥した後、ＩＲ焼成炉に入れ、空気中において７００℃で焼成し、ＢＳＦ層１４およびアルミ電極１５を形成した。さらに、シリコン基板の裏面に銀ペーストをパターン状にスクリーン印刷・乾燥し、シリコン基板の受光面に銀ペーストを魚骨状パターンにスクリーン印刷・乾燥した後に、酸化性雰囲気下、６００℃で２分間焼成して銀電極１６（基板裏面側）および電極部１７（基板表面側）を形成した。そして最後に、銀電極１６および電極部１７をはんだ層（図示せず）でコーティングすることにより、それぞれの条件下における太陽電池セルを得た。

以上の処理で得られた太陽電池の電流−電圧特性について評価した測定結果と、ゲッタリング工程を経た直後の少数キャリアライフタイムの測定結果を、実施例の各条件［Ａ］、［Ｂ］と、比較例の条件［Ｒ］の各工程内容とともに下記の表１に示す。ただし、少数キャリアライフタイムの測定は、反射マイクロ波光導電減衰法（μ−ＰＣＤ法：Ｐｈｏｔｏ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ−Ｄｅｃａｙ）に基づいて行った。

表１の結果から明らかなように、ゲッタリング工程を実施した後のシリコン基板のライフタイムは、従来使用されているシリコン基板よりも向上しており、太陽電池セルにおいても特性向上をもたらすことがわかる。

本発明は、太陽電池用基板材料として有用なシリコンウエハを用いた太陽電池セルの製造工程において発生する重金属などの汚染物をゲッタリング除去するのに有効に利用できる。

本発明の製造方法において実施する太陽電池用シリコン基板ゲッタリング工程の一例を模式的に示す断面図である。 本発明の製造方法において実施する太陽電池用シリコン基板ゲッタリング工程の一例を示す図である。 従来の太陽電池セルの一例を示す模式的に示す平面図（ａ）およびその（ａ）のＸ−Ｘ線断面図を併記して示す図である。 従来の太陽電池セルの製造工程を示す図である。

符号の説明

１ シリコン基板
１’ 改質後のシリコン基板
２ リン拡散層
２’ 熱処理後のリン拡散層
３ ＰＳＧ（リンシリケイトガラス）層
１１ ｐ型シリコン基板
１２ ｎ型拡散層
１３ 反射防止膜
１４ ＢＳＦ層
１５ アルミニウム電極
１６ 銀電極（基板裏面側）
１７ 電極部（基板受光面側）

Claims (7)

1. シリコン基板表面にリンの熱拡散を実施してＰＳＧ層およびリン拡散層を形成し、次いで酸処理により前記ＰＳＧ層を除去した後に熱処理を行い、この熱処理後に前記リン拡散層を含むシリコン基板表面層を除去することにより得られるシリコンウエハを用いて太陽電池セルを製造することを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
2. 前記シリコン基板表面へのリンの熱拡散が、リンを含む液体の塗布による拡散、または、リンを含む気体による気相拡散であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池セルの製造方法。
3. 前記シリコン基板表面へのリンの熱拡散が、シリコン基板両面への拡散、または、シリコン基板片面への拡散であることを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池セルの製造方法。
4. 前記ＰＳＧ層の除去処理が、フッ酸を含む酸による酸処理であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
5. 前記ＰＳＧ層除去後の熱処理の温度が８００〜９００℃であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
6. 前記熱処理後のリン拡散層を含むシリコン基板表面層の除去処理が、フッ酸と硝酸の混酸もしくは混酸に酢酸を含む酸による酸処理、または、水酸化ナトリウムを含むアルカリ水溶液による処理であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
7. 前記熱処理後のリン拡散層を含むシリコン基板表面層のエッチング量が３〜２０μｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の太陽電池セルの製造方法。
   
   

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