CN102683487A - 一种p型晶硅太阳电池双面扩散方法 - Google Patents

一种p型晶硅太阳电池双面扩散方法 Download PDF

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罗磊
任现坤
程亮
姜言森
刘鹏
李玉花
徐振华
王兆光
张春艳
张丽丽
张黎明
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Abstract

本发明公开了一种晶体硅太阳电池扩散方法，具体涉及一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法，包括以下步骤：1.晶硅表面制绒；2.非受光面印刷磷浆；3.烘干；4.非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；5.扩散炉内通入磷源进行磷扩散；6.去除表面磷硅玻璃层。本在完成电池受光面扩散的同时，进行非受光面的磷吸杂，可以明显的提高太阳电池的开路电压，达到提高效率的目的。

Description

一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法
技术领域
本发明涉及晶硅太阳电池制作技术领域，具体涉及一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法。 
背景技术
传统晶硅太阳电池的PN结是同质结，开路电压一般比较小，可以通过钝化的方法提高该数值。钝化的方法包括在晶硅的表面沉积薄膜，如SiNx，SiO2，Al2O3；网印铝背场钝化；也可以通过掺杂磷进行吸杂。目前一般厂家都使用薄膜钝化和铝背场钝化。 
为了提高产量，达到降低成本的目的，传统的磷扩散工艺一般晶硅背靠背，两两一对，在扩散炉内只对太阳电池的受光面进行磷掺杂。如果采用现有传统工艺和石英舟进行双面扩散，扩散炉的数量将会增加一倍才能保持原有产量，这样会大大的增加成本；如果改变石英舟结构，保持受光面之间的距离不变，增加非受光面之间的距离，不但会影响扩散的均匀性、增加劳动量，而且容易造成受光面和非受光面的混乱，影响太阳电池的产品良率。 
发明内容
本发明的目的就是针对上述存在的缺陷而提供的一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法，该方法在完成电池受光面扩散的同时，进行非受光面的磷吸杂，可以明显的提高太阳电池的开路电压，达到提高效率的目的。 
本发明的一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法技术方案为：包括以下步骤： 
步骤一，晶硅表面制绒；
步骤二，非受光面印刷磷浆；
步骤三，烘干；
步骤四，非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；
步骤五，扩散炉内通入磷源进行磷扩散；
步骤六，去除表面磷硅玻璃层。
步骤二中非受光面印刷磷浆的方法为以下方法的任意一种：丝网印刷法，旋涂法，喷涂法。 
步骤三中烘干使磷浆吸附与晶硅电池的非受光面，烘干温度为20-500℃，时间2-20分钟。 
步骤四中晶硅非受光面之间的距离0.1-200μm，组与组之间的距离0.5-100mm。 
本发明的有益效果为：本发明一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法，包括晶硅表面制绒；非受光面印刷磷浆；烘干；非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；扩散炉内通入磷源进行磷扩散；去除表面磷硅玻璃层。烘干使磷浆吸附于晶硅电池的非受光面，在完成电池受光面扩散的同时，磷浆中的硼原子最终在扩散炉的高温推进下，进入晶硅体内，进行非受光面的磷吸杂，达到吸杂的目的。这样可以改善传统工艺中晶硅背对背不能有磷原子大量进入非受光面的缺陷。 
该方法可以明显的提高太阳电池的开路电压，达到提高效率的目的。运用该方法制作的太阳电池，开路电压提高10mV以上，效率提高0.2-0.4%，也可以显著降低低效片的比例，经产线实验，低效片降低50%以上，拥有广阔的应用前景和使用价值。 
具体实施方式：
为了更好地理解本发明，下面结合具体实例来详细说明本发明的技术方案。
本发明的一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法技术方案为：包括以下步骤： 
步骤一，晶硅表面制绒；
步骤二，非受光面印刷磷浆；
步骤三，烘干；
步骤四，非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；
步骤五，扩散炉内通入磷源进行磷扩散；
步骤六，去除表面磷硅玻璃层。
步骤二中非受光面印刷磷浆的方法为以下方法的任意一种：丝网印刷法，旋涂法，喷涂法。 
步骤三中烘干使磷浆吸附与晶硅电池的非受光面，烘干温度为20-500℃，时间2-20分钟。 
步骤四中晶硅非受光面之间的距离0.1-200μm，组与组之间的距离0.5-100mm。 
实施例1 
晶硅表面制绒；
采用丝网印刷法在非受光面印刷磷浆；
烘干使磷浆吸附与晶硅电池的非受光面，烘干温度为200℃，时间2分钟；
非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉，晶硅非受光面之间的距离10μm，组与组之间的距离7mm；
扩散炉内通入磷源进行磷扩散；去除表面磷硅玻璃层。
运用该方法制作的太阳电池，开路电压提高10mV以上，效率提高0.2-0.4%。 

Claims (4)

1.一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法，包括以下步骤：
步骤一，晶硅表面制绒；
步骤二，非受光面印刷磷浆；
步骤三，烘干；
步骤四，非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；
步骤五，扩散炉内通入磷源进行磷扩散；
步骤六，去除表面磷硅玻璃层。
2. 根据权利要求1所述的一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法，其特征在于，步骤二中非受光面印刷磷浆的方法为以下方法的任意一种：丝网印刷法，旋涂法，喷涂法。
3. 根据权利要求1所述的一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法，其特征在于，步骤三烘干温度为20-500℃，时间2-20分钟。
4. 根据权利要求1所述的一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法，其特征在于，步骤四中晶硅非受光面之间的距离0.1-200μm，组与组之间的距离0.5-100mm。
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