TWI611589B - 太陽電池及太陽電池模組 - Google Patents
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Abstract
提供抑制非受光表面之載子複合損失，具有
在集電極和結晶矽基板間具備良好電性接觸之背面構造的太陽電池。
一種太陽電池，其具備：擁有第1導電型
之結晶矽基板，和被形成在結晶矽基板之具有第2導電型的射極層，和被形成在結晶矽基板之具有第1導電型之基極層，在射極層和基極層分別形成取出由於射入至基板之光而被激起之電荷至外部的電極，其特徵在於：在非受光面之電極形成區域的至少一部分區域，具備擁有複數凹凸之凹凸構造。
Description
本發明係關於鈍化優良，具有在集電極和結晶矽基板間具備良好之電性接觸的背面構造之太陽電池。
圖1表示使用單晶或多晶矽基板之一般太陽電池之模式圖。在持有第1導電型之結晶矽基板101之受光面，形成用以使光侷限之凹凸構造102。凹凸構造102係藉由使基板101浸漬於酸性或鹼溶液一定時間而取得。酸性溶液一般使用氟酸硝酸中混合醋酸、磷酸、硫酸、水等的混合酸溶液，當將基板101浸漬於此時，使基板加工時粗糙表面的微細溝優先被蝕刻等，來形成凹凸構造。再者，鹼溶液使用氫氧化鈣或氫氧化鈉水溶液或氫氧化四甲基銨水溶液。由於鹼蝕刻為了藉由形成Si-OH耦合來進行蝕刻，蝕刻速度依存於結晶面方位，故得到蝕刻速度慢之面露出的凹凸構造。
再者，在基板101之受光面形成與第1導電型相反之導電型的射極層103。第1導電型主要使用被添加B等之III族元素之p型矽基板，一方之射極層103係
使P等之V族元素熱擴散而形成。
並且，在射極層103上以覆蓋射極層103之方式形成有保護膜104。保護膜104具有下述的兩個作用。
第1個係當作用以最大限度地取入射入至太陽電池之光的反射防止膜之作用，使用折射率小於結晶矽，大於空氣之介電體。具體而言，可以利用氧化鈦、氮化矽、碳化矽、氧化矽、氧化鋁等，該些膜厚因膜之折射率不同而有所不同，於氮化矽膜之時，一般而言，在受光面為80~100nm左右。
第2種作用為矽表面之載子複合抑制。具有使光生成之載子消滅之矽基板表面之缺陷終端的鈍化作用。結晶內部之矽原子係相鄰接的原子之間以共價鍵結合，成為穩定之狀態。但是，由於在原子配列之末端之表面，不存在結合之相鄰接原子，出現被稱為未結合鍵或懸空鍵之不穩定的能階。懸空鍵因為電性活性，故捕獲在矽內部被光生成之電荷而消滅，太陽電池之特性受損。為了抑制該損失，在太陽電池中藉由施予一些表面終端化處理而降低懸空鍵，或使反射防止膜持有電荷，依此大幅度降低在表面中之電子或電洞中之任一者的濃度，抑制電子和電洞之複合。尤其後者被稱為場效應鈍化。所知的係氮化矽膜等持有正電荷，以場效應鈍化被眾知。
並且，在射極層103上貫通保護膜104而形成有用以取出光生成之載子的電極105。就該電極之形成
方法而言，從成本面來看廣泛使用利用網版印刷等印刷使有機黏合劑混合銀等之金屬微粒子之金屬膏，並進行熱處理而與基板接合的方法。電極形成一般係於介電體膜形成後進行。因此，為了使電極和矽接觸，必須除去電極-矽間之介電體膜，藉由調整金屬膏中之玻璃成分或添加物，能夠進行金屬膏貫通保護膜104而與矽接觸的所謂燒透。
另外，在受光面之相反側的非受光面，為了抑制光生成之載子之複合，形成高濃度擴散表面與基板101相同之導電型之雜質的基極層106，並且以覆蓋基極層106之方式，形成有電極107。
就以基極層106之形成方法而言，從成本面來看，一般係對上述p型矽基板，使用網版等印刷在有機黏合劑混合鋁微粒子之鋁膏，在矽和鋁之共熔點(577℃)以上之溫度進行熱處理之方法。當在該溫度下進行熱處理時，在冷卻過程中，矽攝取較多的鋁，並且再結晶化，形成基極層。再者，在上述熱處理和再結晶化之過程中，在與矽接觸界面分離處的大部分鋁膏仍殘留，成為電極107。
但另一方面，使用鋁之基極層-電極構造中，太陽電池背面的載子複合抑制效果受限，並且因光之吸收係數大，有光學損失大之問題。
於是，為了迴避該些問題，使太陽電池高效率化，提案有圖2所示之所謂的PR(Passivated Rear)構造型太陽電池。PR構造之特徵有使基板201之非受光面
平坦化，並且以鈍化效果高之保護膜207覆蓋，又使基極層206和電極208局域化，降低載子之表面複合之點。
並且，201為基板，202為刻紋，203為射極層，204為保護膜，205為電極。
就以在受光面形成凹凸構造，並且使非受光面平滑化之方法而言，有使切片加工後之矽基板浸漬於鹼或酸溶液而進行損傷蝕刻，之後僅使受光面曝曬於反應性離子或蝕刻氣體而形成凹凸構造之方法，或使損傷蝕刻後之基板又浸漬於鹼或酸溶液而在基板兩面形成凹凸構造之後使用旋轉蝕刻器或是輸送帶型之蝕刻裝置而對非受光面之凹凸構造進行濕蝕刻之方法。
再者，就以局部形成基極層或電極之方法而言，一般使用以光微影或蝕刻膏等圖案製作保護膜而設置開口，並藉由熱擴散等在開口部添加雜質，之後藉由物理蒸鍍將Al或Ag等之金屬形成在基極層上之方法(非專利文獻1)。
[非專利文獻] J. Knobloch,et.al.,IEEE PVSC, pp.271~276, 1993.
但是，上述般之藉由物理蒸鍍的電極容易取得高導電性和密接性，但相反地，由於在生產性面，原料利用率低，並且工程繁雜，故有成本變高之問題。因此，即使在PR構造之形成中，藉由使用與圖1之電極105相同之金屬膏等的電極形成，必須謀求低成本化。
本發明者係鑒於上述，精心研究結果，創作出本發明。即是，本發明提供下述太陽電池。
即是，本發明之實施型態的太陽電池具備：擁有第1導電型之結晶矽基板，和被形成在結晶矽基板之具有第2導電型的射極層，和被形成在結晶矽基板之具有第1導電型之基極層，在射極層和基極層分別形成取出由於射入至基板之光而被激起之電荷至外部的電極，在基板中形成電極之區域的至少一部分，具備擁有複數凹凸之凹凸構造。
即使電極之至少一個被形成在基板之非受光面，非受光面即使除形成電極之區域外的至少一部分區域較凹凸構造平滑化亦可。再者，即使凹凸構造中之凹部和凸部之高低差設為0.5μm以上亦可。再者，即使電極為金屬粒子和玻璃之燒結體亦可。
本發明之實施型態的太陽電池模組係電性連接上述太陽電池而構成。
若藉由本發明，可以在太陽電池之背面容易且便宜地形成高品質之PR構造，對太陽電池之高效率化和刪減成本極為有效。
101、201、301、401‧‧‧基板
102、202、302、402‧‧‧刻紋
103、203、303、403‧‧‧射極層
305、405‧‧‧凹凸構造
104、204、207、306、307、406、407‧‧‧保護膜
105、107、205、208、308、309、408、409‧‧‧電極
106、206、304、404‧‧‧基極層
圖1為表示藉由以往技術的一般太陽電池之構造之一例的圖示。
圖2為表示藉由以往技術的一般太陽電池之構造之其他例的圖示。
圖3為表示與本發明有關之太陽電池之構造的圖示。
圖4為表示與本發明有關之太陽電池之構造的變形例的圖示。
圖5為表示凹凸構造之高低差對電極之接觸電阻的影響之圖示。
根據圖3以下敘述本發明之太陽電池之製作方法之一例。但是，本發明並不限定於以該方法所製作之太陽電池。
使用濃度5~60%之氫氧化鈉或氫氧化鈣般之高濃度鹼，或氟酸和硝酸之混酸等，蝕刻於高純度矽摻雜磷或砷或銻般之V族元素而電阻率設為0.1~5Ω．cm之原
切割n型結晶矽基板表面之切片損傷。結晶矽基板即使藉由澆鑄法、Cz法或FZ法等之方法而製作出亦可。
接著，在基板301形成用以光侷限之刻紋302。刻紋302係藉由浸漬於加熱的氫氧化鈉、氫氧化鈣、碳酸鈣、碳酸鈉、碳酸氫鈉、氫氧化四甲銨等之鹼溶液(濃度1~10%、溫度60~100℃)中10分鐘至30分鐘左右而容易製作出。在上述溶液中，使特定量之2-丙醇溶解，並控制反應為多。結晶面方位<100>之單晶矽基板適用該方法時，取得面方向<111>多數露出成金字塔型之所謂的隨機金字塔構造。另外，結晶面方位為隨機之多晶矽基板之時，因無法均勻性地形成隨機金字塔，故可以適用藉由在壓力1~20Pa左右藉由高頻激起例如H2或CHF3、SF6、CF4、C2F6、C3F8、ClF3等之氣體的反應性離子對矽進行蝕刻之方法，更佳為使基板浸漬於氟化氫、硝酸、醋酸、磷酸等之酸性混合溶液之方法。就以後者之酸蝕刻之更具體方法而言，使用例如15~31wt%濃度之硝酸和10~22wt%濃度之氟酸之混合溶液。更理想為又使醋酸混合10~50w%至上述混酸溶液為佳。液溫設為5~30℃，將矽基板浸漬10分鐘至30分鐘左右，依此容易取得持有圓弧狀之剖面之各向同性刻紋構造。
接著，形成射極層303。一般適合使用包含硼之氣體的BBr3，在800~1000℃藉由氣相擴散法使硼擴散至基板。再者，並不限定於此，即使使用可網版印刷或旋轉塗佈之硼化合物亦可。射極層303必須僅形成在受光
面，為了達成此，必須施予加工如在使兩片的非受光面予以面對面重疊之狀態下施予擴散，或在非受光面形成氮化矽等之擴散阻障，以使添加雜質不擴散至非受光面。
射極層303表面之硼濃度以設成1×1019以上3×1020atoms/cm3為佳，又以設成5×1019以上1×1020atoms/cm3左右為更佳。當未滿1×1019atoms/cm3時，基板和電極之接觸電阻變大，再者，當設成3×1020atoms/cm3以上時，由於射極層中之缺陷和奧杰複合(Auger recombination)所引起之電荷載子之複合明顯而使得太陽電池之輸出下降。於擴散後，以氟酸等除去在表面產生之玻璃。
接著，形成基極層304。一般適合使用POCl3，在900~1100℃藉由氣相擴散法使磷擴散至基板中。再者，並不限定於此，即使使用可網版印刷或旋轉塗佈之磷化合物亦可。一般之矽太陽電池必僅在非受光面形成基極層304，為了達成此，必須施予加工如在兩片基板之受光面予以面對面之狀態下重疊兩片而施予擴散，或在受光面側形成氮化矽等之擴散阻障，以使磷不會擴散至受光面。
基極層304之表面磷濃度為了取得基板和電極之良好電性接觸，以設成1×1019以上1×1021atoms/cm3為佳，又以設成5×1019以上1×1021atoms/cm3以下程度為更佳。當未滿1×1019atoms/cm3時，基板和電極之接觸電阻變大，太陽電池之輸出下降。1×1021atoms/cm3為磷對
矽大概的固溶限。於擴散後，以氟酸等除去在表面產生之玻璃。
接著，在電極形成區域形成凹凸構造305。凹凸構造305可以適用與例如形成在受光面之刻紋302相同者。在此，此時，凹凸構造305從生產面來看，藉由上述之濕處理等，與刻紋302同時形成亦可。於與刻紋302同時形成之情況下，於基極層304之形成前形成凹凸構造305。
此時，僅在電極形成區域殘留凹凸構造305，必須使其他區域平滑化。平滑化可以適合使用例如市售之矽用蝕刻膏，藉由對此進行網板印刷塗佈，蝕刻刻紋，取得被平滑化之表面。再者，即使於以耐酸性之光阻或蠟在電極形成區域塗佈之後，使用旋轉蝕刻裝置或輸送帶式之蝕刻裝置，以氟硝酸蝕刻非受光面之刻紋亦可。再者，於使用批量方式之處理裝置時，塗佈電極形成區域和受光面之雙方，並將基板浸漬於氟硝酸而蝕刻刻紋。蝕刻之後，使用鹼溶液等之特定藥液，除去塗佈。矽之蝕刻量並不特別限定，當考慮表面缺陷之降低效果及生產性時，以設成0.3~10μm為佳，又以設成1~5μm為更佳。
另外，於在非受光面不形成刻紋之時，即使藉由於上述基極層或基極層和射極層形成之前，在非受光面之電極形成區域另外形成凹凸構造，取得圖4所示之構造亦可。此時，即使藉由光微影和蝕刻，在電極形成區域形成凹凸亦可，再者可以適用對電極形成區域進行噴砂而
形成凹凸之方法，或是如日本特開2003-258285號公報所公開般之利用矽之雷射剝蝕的方法。
基極層及射極層之形成可以直接適用先前所述之方法。但是，此時如圖4所示般，基極層404被形成在非受光面全面。於欲抑制電極形成區域以外之區域之磷濃度之時，即使應用使圖3之非受光面平滑化之手法，蝕刻基極層404亦可，藉由對磷化合物進行網板印刷或噴墨印刷之手法，僅塗佈在凹凸構造405形成區域而施予熱處理亦可。
在凹凸構造之凸部之底部的寬度或直徑，為了取得電極和矽之良好電性接觸和密接性，必須小於電極之線寬。因電極線寬一般為30μm~300μm，故凹凸構造之寬度將其10分之1設成上限標準為佳。
如先前所述般，在燒結性之導電性膏中，低熔點玻璃溶解，在沉澱及凝固之過程中，取得玻璃與矽之接合，並且藉由具有凹凸之情形，玻璃沉澱至凹部，凸部有助於金屬之接觸面積擴大。如此一來，凹凸構造之高低差一般設成0.5μm以上，又以設成1μm以上為更佳。在0.5μm以下之微細凹凸中，因凸部被玻璃覆蓋，故電極之接觸電阻變大。另外，高低差上限由於電極之厚度或製法等有所不同，例如使用網版印刷之一般太陽電池時，以設成20μm以下程度為佳，又以設成15μm以下程度為更佳。對於20μm以上之高低差，導電性膏填充至凹部不充分，再者，由於凸部之形狀，有電極之燒結時，玻璃沉澱
至凹部不充分，並且矽表面之大多數被玻璃覆蓋而使得接觸電阻變大。
藉由上述工程所形成之電極形成區域之寬度Wt也依太陽電池之設計而不同，但是一般而言，以電極308之寬度Wm的0.8~1.5倍為佳，以1.0~1.3倍為更佳。在未滿0.8倍，因平滑部被施加電極，與基板接合的電接觸不充分，再者當大於1.5倍時，載子之表面複合損失被顯現出。
並且，上述射極層形成即使於基極層形成後進行亦可。此時，基極層之平滑化工程即使於基極層形成後進行亦可，即使於形成基極層和射極層之雙方之後進行亦可。
接著，在基板301之受光面和非受光面分別形成約100nm左右之氮化矽膜等以作為保護膜306、307等。成膜以使用化學氣相沉積裝置，使用混合甲矽烷及氨以當作反應氣體，也可使用氮來取代NH3，再者，進行藉由H2氣體的成膜種之稀釋或製程壓力之調整、反應氣體之稀釋，並實現期待之折射率。為了提高光學性之特性，折射率射為1.5~2.2程度為佳。再者，並不限定於氮化矽膜，即使使用氧化矽、碳矽化、非晶質矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅等之單層膜或組合該些之疊層膜亦可。再者，即使受光面和非受光面適用不同之膜種亦可。
接著，在上述基板301之受光面網版印刷電極308。於印刷及乾燥Ag粉末和玻璃粉末與有機黏合劑
混合後之Ag膏之後，藉由熱處理，使Ag粉末貫通於保護膜306，並使電極和矽導通。
並且，在非受光面之基極層上也相同對電極309進行網版印刷，並於印刷及乾燥使Ag粉末和玻璃粉末與有機黏合劑混合後之Ag膏之後，進行1秒~5分鐘左右之700~860℃之熱處理，依此使Ag粉末貫通於保護膜306及307，並使電極和矽導通。並且，電極307和電極308即使更換形成工程之順序亦可，即使進行一次燒結亦可。
上述為針對使用n型矽基板之時的太陽電池的實施型態之例，但如以下記載般，本發明亦可以適用於使用p型矽基板之太陽電池。p型矽太陽電池可與上述n型矽太陽電池同樣地製作，此時基板301可以在高純度矽摻雜硼或鋁、鎵或銦般之III族元素而取得，一般可使用電阻率被調整成0.1~5Ω．cm者。
接著，形成基極層304。一般適合使用BBr3，在900~1100℃藉由氣相擴散法使硼擴散至基板中。再者，並不限定於此，即使使用可網版印刷或旋轉塗佈之硼化合物亦可。基極層304必須僅形成在非受光面，為了達成此，必須施予加工如在使兩片的受光面予以面對面重疊之狀態下施予擴散，或在受光面形成氮化矽等之擴散阻障，以使添加雜質不擴散至受光面。
基極層304之表面硼濃度為了取得基板和電極之良好電性接觸，以設成1×1019以上1×1021atoms/cm3
為佳，又以設成5×1019以上1×1021atoms/cm3以下程度為更佳。當未滿1×1019atoms/cm3時，基板和電極之接觸電阻變大，太陽電池之輸出下降。1×1021atoms/cm3為硼對矽大概的固溶限。於擴散後，以氟酸等除去在表面產生之玻璃。
接著，使除了硼擴散面之電極形成區域外的區域平滑化。平滑可以適合使用例如市售之矽用蝕刻膏，藉由對此進行網板印刷塗佈，蝕刻凹凸構造，取得被平滑化之表面。再者，即使於以耐酸性之光阻或蠟在電極形成區域塗佈之後，使用旋轉蝕刻裝置或輸送帶式之蝕刻裝置，以氟硝酸蝕刻非受光面之凹凸構造亦可。再者，於使用批量方式之處理裝置時，塗佈電極形成區域和受光面之雙方，並將基板浸漬於氟硝酸而蝕刻凹凸構造。蝕刻之後，使用鹼溶液等之特定藥液，除去塗佈。
接著，形成射極層303。一般適合使用POCl3，在800~1000℃藉由氣相擴散法使磷擴散至基板中。再者，並不限定於此，即使使用可網版印刷或旋轉塗佈之磷化合物亦可。一般之矽太陽電池必需僅在受光面形成基極層304，為了達成此，必須施予加工如在兩片基板之非受光面予以面對面之狀態下重疊兩片而施予擴散，或在非受光面側形成氮化矽等之擴散阻障，以使磷不會擴散至非受光面。
射極層303表面之磷濃度以設成1×1019以上3×1020atoms/cm3為佳，又以設成5×1019以上
1×1020atoms/cm3程度為更佳。當未滿1×1019atoms/cm3時，基板和電極之接觸電阻變大，再者，當設成3×1020atoms/cm3以上時，由於射極層中之缺陷和奧杰複合(Auger recombination)所引起之電荷載子之複合明顯而使得太陽電池之輸出下降。於擴散後，以氟酸等除去在表面產生之玻璃。並且，上述基極層形成即使於射極層形成後進行亦可。再者，基極層之平滑化工程即使於形成基極層和射極層之雙方之後進行亦可。在之後的工程中，可以適用與使用n型矽基板之情形相同之方法。
以上之實施型態任一者皆針對在非受光面形成基極層之太陽電池而予以敘述，但是太陽電池之形式並不限定於此，本發明亦可適用於在非受光面形成射極層，在受光面形成基極層之太陽電池，並且亦可適用於在非受光面皆形成射極層和基極層之全電極背面配置型之太陽電池。
150mm見方，厚度250μm及比電阻1Ω．cm之硼摻雜<100>p型原切割矽基板中，藉由熱濃氫氧化鈣水溶液除去損傷層之後，浸漬於80℃之5%氫氧化鈣水溶液和2-丙醇之混合溶液中20分鐘，形成隨機金字塔狀之刻紋，接著在鹽酸/過氧化氫混合溶液中進行洗淨。
接著，使用旋轉蝕刻機(三益半導體工業製作MSE2000)，以混合酸溶液(日本化成製MH-1)蝕刻擴散面。調整混合酸溶液之吐出時間和基板之旋轉數，製作階段性蝕刻刻紋的試料。
接著，在POCl3氛圍下，在850℃處理30分鐘熱處理，形成射極層。擴散後，以氟酸除去玻璃層，於純水洗淨之後，進行乾燥。並且，藉由網版印刷在刻紋面塗佈Ag膏，並於乾燥之後，藉由在輸送帶式爐進行820℃之熱處理，形成平均線寬90μm之梳型電極。
以掃描型電子顯微鏡測量上述試料之電極形成面中之5處的凹凸構造而算出凹凸之平均高低差，並且藉由梯法測量電極之接觸電阻。再者，進行藉由JIS K6854之膠帶測試，評估有無電極剝離。
如圖5所示取得當平均凹凸高低差低於0.5μm附近時，接觸電阻之相對值急遽上升之結果。表1為膠帶測試之結果。在平均凹凸高低差為0.3μm以下之時產生電極剝離。
150mm見方，厚度250μm及比電阻1Ω．cm之硼摻雜<100>p型原切割矽基板中，藉由熱濃氫氧化鈣水溶液除去損傷層之後，浸漬於80℃之5%氫氧化鈣水溶液和2-丙醇之混合溶液中20分鐘，形成隨機金字塔狀之刻紋，接著在鹽酸/過氧化氫混合溶液中進行洗淨。此時之平均凹凸高低差約2μm。
接著，在受光面互相面對面重疊之狀態下，在BBr3氛圍下，以980℃進行30分鐘熱處理，並形成基極層。接著，在非受光面互相面對面重疊之狀態下，在POCl3氛圍下，以830℃進行30分鐘熱處理，並形成射極層。擴散後，以氟酸除去玻璃層，於純水洗淨之後，進行乾燥。
接著，於非受光面之非電極形成區域，對蝕刻膏(默克公司製isishape SolarEtch(R)SiS)進行網版印刷，並在170℃保持100秒，於蝕刻除去刻紋之後，
以純水進行沖洗洗淨。
接著，藉由電漿CVD在受光面和非受光面全面形成膜厚約100nm之氮化矽膜。並且，藉由網版印刷在受光面和非受光面塗佈Ag膏，並於乾燥之後，藉由在輸送帶式爐進行820℃之熱處理，形成電極。
對與實施例1相同地刻紋形成，和形成有射極及基極層之基板，以電漿CVD在受光面和非受光面形成有膜厚約100nm氮化矽膜。並且，藉由網版印刷在受光面和非受光面塗佈Ag膏，並於乾燥之後，藉由在輸送帶式爐進行820℃之熱處理，形成電極。
與實施例1及比較例1相同對形成有刻紋之基板，在非受光面全面對蝕刻膏進行網版印刷，並以170℃保持100秒，蝕刻除去刻紋之後，以純水進行沖洗洗淨。
接著，在受光面互相面對面重疊之狀態下，在BBr3氛圍下，以980℃進行30分鐘熱處理，並形成基極層。接著，在非受光面互相面對面重疊之狀態下，在POCl3氛圍下，以830℃進行30分鐘熱處理，並形成射極層。擴散後，以氟酸除去玻璃層，於純水洗淨之後，進行乾燥。
接著，以電漿CVD在受光面和非受光面全面
形成膜厚約100nm之氮化矽膜。並且，藉由網版印刷在受光面和非受光面塗佈Ag膏，並於乾燥之後，藉由在輸送帶式爐進行820℃之熱處理，形成電極。
在實施例1和比較例1及比較例2之暗狀態及大氣光程1.5g之擬似太陽光照射下測量電流電壓特性。如表2所示般，在實施例1中，開放電壓和曲線因子同時被改善，表示最高的轉換效率。
若藉由本發明，可以在結晶的太陽電池之背面容易且便宜地形成高品質之PR構造，對太陽電池之高效率化和刪減成本極為有效。
301‧‧‧基板
302‧‧‧刻紋
303‧‧‧射極層
305‧‧‧凹凸構造
306、307‧‧‧保護膜
308、309‧‧‧電極
304‧‧‧基極層
Claims (4)
- 一種太陽電池，具備：具有第1導電型之結晶矽基板；被形成在上述結晶矽基板之具有第2導電型的射極層；及被形成在上述結晶矽基板之具有第1導電型的基極層，分別在上述射極層及上述基極層形成取出由於射入至上述基板的光而被激起之電荷至外部的電極，其特徵在於：在上述基板中之形成有上述電極之區域的至少一部分，具備擁有複數凹凸之凹凸構造，上述電極之至少一個被形成在上述基板之非受光面，上述非受光面除了形成有上述電極之區域外至少一部分的區域較上述凹凸構造平滑化。
- 如請求項1所記載之太陽電池，其中上述凹凸構造中之凹部和凸部之高低差為0.5μm以上。
- 如請求項1或2所記載之太陽電池，其中上述電極為金屬粒子和玻璃之燒結體。
- 一種太陽電池模組，其係電性連接如請求項1至3中之任一項所記載之太陽電池而構成。
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