JP5623131B2 - 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 105
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 99
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 19
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 15
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 8
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002368 isothermal capactiance transient spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 1
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical class 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
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Description
図1乃至図3に示すように、太陽電池素子10は、光が入射する受光面(図3における上面であり、以下では第1面という)10aとこの第1面10aの裏面に相当する非受光面(図3における下面であり、以下では第2面という)10bを有する。また、太陽電池素子10は、板状の半導体基体9(例えば、一導電型の半導体層である半導体基板1と、この半導体基板1における第1面10a側に設けられた逆導電型の半導体層である逆導電型層2とから構成される)と、半導体基体9における第1面10aの側(本実施形態では、逆導電型層2上)に設けられた反射防止層3と、第2面10b側に設けられた例えば正の固定電荷を有するパッシベーション層7とを備えている。
以下、太陽電池素子についてより具体的な例について説明する。p型の導電型を呈する結晶シリコン基板を用いた例を説明する。半導体基体9を構成する結晶シリコン基板からなる半導体基板1がp型を呈するようにする場合、ドーパント元素としては、例えば、ボロンあるいはガリウムを用いるのが好適である。
本実施形態の太陽電池素子の基本的な製造方法について簡単に説明する。本実施形態では、少なくとも以下の工程を順次行うものとする。まず、p型半導体層である半導体基板1を有する半導体基体を準備する基体準備工程を行う。次に、半導体基板1の表面を、窒素原子を含むガスを用いて形成されるプラズマに曝す表面処理工程を行う。そして、プラズマに曝した半導体基板1の上にパッシベーション層7を形成する層形成工程を行う。
本実施形態の太陽電池モジュールは、例えば、ガラス、樹脂または金属等の支持基板上に、1つの太陽電池素子10、または、導体により電気的に直列接続させた複数の太陽電池素子10を、耐湿性に優れた例えばEVA(Ethylene Vinyl Acetate)等の充填材にて封止した構成とすることが可能である。この場合、金属または樹脂等の枠体を支持基板の周囲に設けてもよい。
F(E,φs)=1/[1+exp(E−qφs−Ef)/kT]
で与えられる。
ここで、q:電気素量、φs:表面ポテンシャル、Ef:フェルミエネルギー、en(E),ep(E):エネルギーEにおける電子と正孔の放出率であり、次式の数1で与えられる。
en(E)texp[−en(E)t]は、en(E)t=1の時に、極大値をとるので式数4と近似する。
パルス電圧の印加時に界面準位が全て電子により満たされるとすれば、
F(E,φs(0))=1
と考えてよい。
また、Ec−Ef=kTln(Nc/ND)の関係を用いて、式数6と表されるので、界面準位密度N(E)は次のように求まる。
2 :逆導電型層
3 :反射防止層
4 :第1電極
4a :第1出力取出電極
4b :第1集電電極
5 :第2電極
5a:第1層
5b:第2層
6 :BSF領域
7 :パッシベーション層
8 :表層内部領域
10 :太陽電池素子
10a:第1面
10b:第2面
Claims (5)
- p型半導体層を有する半導体基体を備えた太陽電池素子であって、
前記p型半導体層は厚みが2〜10nmの表層内部にSi−N結合を有しており、
前記p型半導体層の上にパッシベーション層が設けられて、
前記p型半導体層と前記パッシベーション層との界面における界面準位密度が、1.1×10 11 cm −2 ・eV −1 以下であることを特徴とする太陽電池素子。 - 前記p型半導体層は結晶質シリコンからなることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池素子。
- p型半導体層を有する半導体基体を準備する基体準備工程と、
前記p型半導体層の表面を、窒素原子を含むガスを用いて、0.4W/cm 2 以上0.8W/cm 2 以下のプラズマパワー密度で形成されるプラズマに曝す表面処理工程と、
前記プラズマに曝した前記p型半導体層の上にパッシベーション層を形成する層形成工程とを有することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。 - 前記ガスは水素をさらに含むことを特徴とする請求項3に記載の太陽電池素子の製造方法。
- 請求項1または2に記載の太陽電池素子を備えていることを特徴とする太陽電池モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010116369A JP5623131B2 (ja) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010116369A JP5623131B2 (ja) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011243855A JP2011243855A (ja) | 2011-12-01 |
JP5623131B2 true JP5623131B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=45410189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010116369A Expired - Fee Related JP5623131B2 (ja) | 2010-05-20 | 2010-05-20 | 太陽電池素子およびその製造方法ならびに太陽電池モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5623131B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014229850A (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-08 | 株式会社島津製作所 | 太陽電池の製造方法 |
CN112582252A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 财团法人金属工业研究发展中心 | 形成半导体结构的方法及半导体结构 |
CN112490299B (zh) * | 2020-11-27 | 2023-11-03 | 浙江晶科能源有限公司 | 光伏电池及其制备方法 |
CN117080277A (zh) * | 2021-02-23 | 2023-11-17 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制作方法、光伏组件 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4118187B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2008-07-16 | 信越半導体株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
JP5124189B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2013-01-23 | シャープ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
JP5173370B2 (ja) * | 2007-11-21 | 2013-04-03 | シャープ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
-
2010
- 2010-05-20 JP JP2010116369A patent/JP5623131B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2011243855A (ja) | 2011-12-01 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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