JP6494414B2 - 太陽電池セルの製造方法 - Google Patents
太陽電池セルの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6494414B2 JP6494414B2 JP2015101228A JP2015101228A JP6494414B2 JP 6494414 B2 JP6494414 B2 JP 6494414B2 JP 2015101228 A JP2015101228 A JP 2015101228A JP 2015101228 A JP2015101228 A JP 2015101228A JP 6494414 B2 JP6494414 B2 JP 6494414B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- region
- electrode
- diffusion layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
なお、BSF層105とエミッタ層102を形成する順序は逆でも構わない。
図3に本発明の太陽電池セルの構成の一例を示す。太陽電池セル300は、半導体基板201、エミッタ層102、第1反射防止膜兼パッシベーション膜103、表面電極104、第1BSF層105a、第2BSF層105b、第2反射防止膜兼パッシベーション膜202、及び裏面電極203を備える。
半導体基板201は、p型、n型のいずれの導電型でもよいが、p型が用いられることが多い。エミッタ層102は、半導体基板201の受光面に形成され、半導体基板201と異なる導電型を有し、半導体基板201との間でpn接合を形成する。第1反射防止膜兼パッシベーション膜103は、エミッタ層103上に形成され、入射光の反射を抑え基板内に光を有効に取り込むとともに少数キャリアの再結合を防止し変換効率を高める。表面電極104は、エミッタ層102上に第1反射防止膜兼パッシベーション膜103を貫通して形成され、光生成されたキャリアを取り出す。第1BSF層105a及び第2BSF層105は、半導体基板201の受光面の反対側、すなわち裏面に形成される、半導体基板201と同じ導電型を発現させる不純物が拡散された不純物拡散層であり、光生成されたキャリアが裏面電極106で再結合するのを防止する。第2反射防止膜兼パッシベーション膜202は、第1BSF層105a及び第2BSF層105上に形成され、入射光の反射を抑え基板内に光を有効に取り込むとともに少数キャリアの再結合を防止し変換効率を高める。裏面電極106は、第1BSF層105a上に形成され、光生成されたキャリアを取り出す。
また、基板裏面のBSF層の不純物表面濃度は、基板と電極の界面では濃度が高い方が良好なコンタクトが得られ、かつ拡散電位差が大きくなる一方、電極が形成されない領域では濃度が低い方がキャリアの再結合を低減することができる。
太陽電池セル300の製造工程の一例を説明する。図4は製造フローの一例を示す図である。半導体基板201は、単結晶または多結晶シリコンなどからなり、p型、n型のいずれでもよいが、ボロンなどのp型の半導体不純物を含み、比抵抗が0.1〜4.0Ω・cmのp型シリコン基板が用いられることが多い。以下、p型シリコン基板を用いた場合について説明する。基板の大きさは100〜150mm角、厚みは0.05〜0.30mmの板状のものが好適に用いられる。この半導体基板201の両面又は裏面に凹凸構造を形成する(S1、図5(a))。凹凸構造は、基板を例えば酸性溶液中に浸漬してスライスなどによるダメージを除去し、続いて水酸化カリウム水溶液などのアルカリ溶液で化学エッチングして洗浄、乾燥することにより形成することができる。
そして、保護膜301の除去により第1BSF層105aが露出した領域を更に水酸化カリウム溶液などのアルカリ溶液に浸漬することにより、当該領域の第1BSF層105aを除去するとともに、半導体基板201の凹凸構造を平滑化して平滑化領域303を形成する(S3−2、図6(c))。最後に、裏面電極203が形成される領域に残存する保護膜301を除去する(S3−3、図6(d))。具体的には例えば、レジストペースト302をアセトンなどに浸漬することにより除去し、更に、希釈したフッ酸溶液などの薬品に浸漬することにより保護膜301である酸化シリコン膜を除去して、純水で洗浄する。
具体的には、例えば次のように形成する。
第1実施形態の製造方法の場合、裏面の形成にあたり、高濃度p型拡散層、保護膜、及び低濃度p型拡散層の形成に三度の高温熱処理プロセスを必要とする上、その間に洗浄工程が必要になる。また、熱拡散法によりBSF層を形成した際に形成されたガラス層をその都度除去している。そのため、プロセスが複雑となってコストが増大し、更に、基板の洗浄が不十分な場合は不純物による汚染を招き、太陽電池セルの性能を劣化させる恐れがある。第2実施形態は、このような要請に基づき、より簡便な方法を提供する。
そして、ガラス層105agの除去により第1BSF層105aが露出した領域を更に水酸化カリウム溶液などのアルカリ溶液に浸漬することにより、当該領域の第1BSF層105aを除去するとともに、半導体基板201の凹凸構造を平滑化して平滑化領域303を形成する(S3−5、図11(a))。このとき、ガラス層105agが保護膜として機能する。レジストペースト302は、アセトンなどに浸漬することにより除去する。
また、高濃度拡散層の不純物表面濃度を更に濃くすることができるため、電極とのコンタクト抵抗が低減されるとともに、拡散電位差を増大させることができ、変換効率を高めることができる。
第1BSF層105aの裏面電極203が形成される領域以外の領域について、第1BSF層105a及びガラス層105agを除去するとともに、半導体基板201の凹凸構造を平滑化して平滑化領域303を形成する方法は、第1実施形態と第2実施形態で説明したエッチングによる方法以外に、レーザーの照射、ダイシングソーによる掘削、半導体基板エッチングペーストの塗布などの方法を採ることができる。この場合、煩雑で高コストな保護膜の形成・除去、ガラス層の除去、基板の洗浄などの工程を省くことができる。
例えば、第1実施形態の場合、図5(d)から図6(c)に至る工程を省くことができ、図5(c)の状態から図6(d)の状態に移行させることができる。また、第2実施形態の場合、図10(c),(d)の工程を省くことができ、図10(b)の状態から図11(a)の状態に移行させることができる。そのため、製造コストと不純物汚染の発生可能性の低減を図ることができる。
上記テクスチャ形成済みp型シリコン基板の裏面に対して、BBr3ガス雰囲気中において、950℃の温度で30分間の条件で熱拡散処理を行うことにより、基板の裏面にBSF層としてのp型拡散層とガラス層を形成した。ここで用意した基板表面の熱処理後のシート抵抗は、一面が約50Ω/□、p層拡散深さは0.7μmであった。その後、前処理済み基板を、25%のフッ酸水溶液に浸漬した後、純水で洗浄し、乾燥させることで、ガラス層を除去した。
一方、上記テクスチャ形成済みp型シリコン基板の裏面に対して、BBr3ガス雰囲気中において、1000℃の温度で50分間の条件で熱拡散処理を行うことにより、基板の裏面に高濃度BSF層としての高濃度p型拡散層とガラス層を形成した。ここで用意した基板裏面の熱処理後のシート抵抗は、一面が約30Ω/□、p層の拡散深さは1.3μmであった。その後、基板を、25%のフッ酸水溶液に浸漬した後、純水で洗浄し、乾燥させることで、ガラス層を除去した。更に、酸素雰囲気中において、基板を1000℃の温度で120分間の条件で熱酸化することにより、基板の両面に酸化シリコン膜を厚さ700 Åで形成した。そして、基板の裏面の酸化シリコン膜の上に、レジストペーストをスクリーン印刷して、100℃の温度で加熱して乾燥させた。ここで、レジストペーストとしては、LEKTRACHEM社製185ペーストを用いた。その基板を2%フッ酸水溶液に浸漬させることで、酸化シリコン膜を部分的に除去してから、アセトンに浸漬させて、レジストペーストを除去した。さらに25%水酸化カリウム水溶液に浸漬することで、酸化シリコン膜を除去した箇所のみテクスチャと高濃度p型拡散層を除去した。その後、基板を25%のフッ酸水溶液に浸漬した後、純水で洗浄し、乾燥させることで、酸化シリコン膜を除去した。次に、基板の裏面に対して、BBr3ガス雰囲気中において、900℃の温度で10分間の条件で熱拡散処理を行うことにより、基板の裏面に低濃度BSF層としての低濃度p型拡散層とガラス層を形成した。ここで用意したp型シリコン基板裏面の熱処理後のシート抵抗は、一面が約100Ω/□、p層の拡散深さは0.2μmであった。その後、前処理済み基板を、25%のフッ酸水溶液に浸漬した後、純水で洗浄し、乾燥させることで、ガラス層を除去した。
一方、上記テクスチャ形成済みp型シリコン基板の裏面に対して、BBr3ガス雰囲気中において、1000℃の温度で50分間の条件で熱拡散処理を行うことにより、基板の裏面に高濃度BSF層としての高濃度p型拡散層とガラス層を形成した。ここで用意した基板裏面の熱処理後のシート抵抗は、一面が約30Ω/□、p層の拡散深さは1.3μmであった。その後、基板の裏面に形成されたガラス層の上に、レジストペーストをスクリーン印刷して、100℃の温度で加熱して乾燥させた。ここで、レジストペーストとしては、LEKTRACHEM社製185ペーストを用いた。その基板を2%フッ酸水溶液に浸漬させることで、レジストペーストが形成されていない箇所のガラス層を除去してから、アセトンに浸漬させて、レジストペーストを除去した。さらに25%水酸化カリウム水溶液に浸漬することで、ガラス層を除去した箇所のみテクスチャと高濃度p型拡散層を除去した。次に、基板の裏面に対して、BBr3ガス雰囲気中において、900℃の温度で10分間の条件で熱拡散処理を行うことにより、基板の裏面に低濃度BSF層としての低濃度p型拡散層とガラス層を形成した。ここで用意した基板裏面の熱処理後のシート抵抗は、一面が約100Ω/□、p層の拡散深さは0.2μmであった。この時、テクスチャと高濃度p型拡散層・ガラス層が残っている箇所のシート抵抗は、約20Ω/□、p層の拡散深さは1.5μmと、より高濃度化した。その後、前処理済み基板を、25%のフッ酸水溶液に浸漬した後、純水で洗浄し、乾燥させることで、ガラス層を除去した。
一方、上記テクスチャ形成済みp型シリコン基板の裏面に対して、BBr3ガス雰囲気中において、1000℃の温度で50分間の条件で熱拡散処理を行うことにより、基板の裏面に高濃度BSF層としての高濃度p型拡散層とガラス層を形成した。ここで用意した基板裏面の熱処理後のシート抵抗は、一面が約30Ω/□、p層の拡散深さは1.3μmであった。その後、基板の裏面に形成されたガラス層の上から、幅500μmのブレードを用いて、ダイシングソーで掘削して、ガラス層とテクスチャと高濃度p型拡散層を部分的に除去した。その後、基板の裏面に対して、BBr3ガス雰囲気中において、900℃の温度で10分間の条件で熱拡散処理を行うことにより、基板の裏面に低濃度BSF層としての低濃度p型拡散層とガラス層を形成した。ここで用意した基板裏面の熱処理後のシート抵抗は、一面が約100Ω/□、p層の拡散深さは0.2μmであった。この時、凹凸と高濃度p型拡散層・ガラス層が残っている箇所のシート抵抗は、約20Ω/□、p層の拡散深さは1.5μmと、より高濃度化した。その後、前処理済み基板を、25%のフッ酸水溶液に浸漬した後、純水で洗浄し、乾燥させることで、ガラス層を除去した(実施例2)。
101、201 半導体基板
102 エミッタ層
102g、105ag、105bg ガラス層
103 第1反射防止膜兼パッシベーション膜
104 表面電極
105 BSF層
105a 第1BSF層
105b 第2BSF層
106、203 裏面電極
202 第2反射防止膜兼パッシベーション膜
301 保護膜
302 レジストペースト
303 平滑化領域
Claims (3)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の一方の面に形成される前記半導体基板と同じ導電型の不純物拡散層と、
前記不純物拡散層上に形成される電極と、
を備える太陽電池セルの製造方法であって、
前記一方の面に複数の凹凸からなる凹凸構造を形成する凹凸形成ステップと、
前記凹凸構造が形成された前記一方の面に、前記半導体基板と同じ導電型を発現させる不純物を拡散させることにより、第1の前記不純物拡散層を形成する第1不純物拡散層形成ステップと、
第1の前記不純物拡散層の前記電極が形成される電極形成領域以外の領域について第1の前記不純物拡散層を除去し、露出した前記凹凸構造を平滑化して平滑化領域を形成する平滑化ステップと、
前記平滑化領域に、前記半導体基板と同じ導電型を発現させる不純物を拡散させることにより、第1の前記不純物拡散層より不純物表面濃度が低い第2の前記不純物拡散層を形成する第2不純物拡散層形成ステップと、
前記電極形成領域に電極を形成する電極形成ステップと、
を実行し、
前記第1不純物拡散層形成ステップでは、第1の前記不純物拡散層上に更にガラス層を形成し、
前記平滑化ステップでは、前記電極形成領域以外の領域に形成された前記ガラス層を更に除去し、
前記第2不純物拡散層形成ステップでは、前記半導体基板と同じ導電型を発現させる不純物を前記ガラス層が形成された前記電極形成領域にも拡散させる
ことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。 - 前記平滑化ステップは、エッチングにより、前記電極形成領域以外の領域に形成された前記ガラス層及び第1の前記不純物拡散層の除去、並びに前記平滑化領域の形成を行うことを特徴とする請求項1に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記平滑化ステップは、レーザーの照射、ダイシングソーによる掘削、又は半導体基板エッチングペーストの塗布により、前記電極形成領域以外の領域に形成された前記ガラス層及び第1の前記不純物拡散層の除去、並びに前記平滑化領域の形成を行うことを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池セルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015101228A JP6494414B2 (ja) | 2015-05-18 | 2015-05-18 | 太陽電池セルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015101228A JP6494414B2 (ja) | 2015-05-18 | 2015-05-18 | 太陽電池セルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016219544A JP2016219544A (ja) | 2016-12-22 |
JP6494414B2 true JP6494414B2 (ja) | 2019-04-03 |
Family
ID=57581549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015101228A Active JP6494414B2 (ja) | 2015-05-18 | 2015-05-18 | 太陽電池セルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6494414B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6392717B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2018-09-19 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
CN117954518A (zh) * | 2024-03-26 | 2024-04-30 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池、太阳能电池的制造方法及光伏组件 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013143459A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Shirakuseru Kk | 薄形シリコン太陽電池セル |
CN102856436A (zh) * | 2012-09-05 | 2013-01-02 | 友达光电股份有限公司 | 太阳能电池及其制作方法 |
JP2014146766A (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
JP5991945B2 (ja) * | 2013-06-07 | 2016-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池および太陽電池モジュール |
-
2015
- 2015-05-18 JP JP2015101228A patent/JP6494414B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016219544A (ja) | 2016-12-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5277485B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5440433B2 (ja) | 太陽電池の製造方法及び製膜装置 | |
JP2008010746A (ja) | 太陽電池、および太陽電池の製造方法 | |
TWI649883B (zh) | Solar battery unit and method of manufacturing solar battery unit | |
US11658251B2 (en) | Solar cell, solar cell manufacturing system, and solar cell manufacturing method | |
JP6410951B2 (ja) | 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法 | |
JP2008034543A (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
JP6282635B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
WO2009157052A1 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
JP6494414B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JP2015138959A (ja) | 光起電力装置および光起電力装置の製造方法 | |
JP2013115258A (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
JPWO2015151288A1 (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
JP6114171B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
TWI660521B (zh) | 高光電變換效率太陽電池及高光電變換效率太陽電池之製造方法 | |
JP5627194B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP6392717B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
WO2011048656A1 (ja) | 基板の粗面化方法、光起電力装置の製造方法 | |
JP2006093418A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2011018748A (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JP6663492B2 (ja) | 太陽電池、太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造システム | |
JP2016004916A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
WO2018109849A1 (ja) | 高効率裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュール、及び太陽光発電システム | |
JP2012023227A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2016004943A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170525 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180322 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190305 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6494414 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |