JPWO2015151288A1 - 太陽電池の製造方法および太陽電池 - Google Patents
太陽電池の製造方法および太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2015151288A1 JPWO2015151288A1 JP2016511299A JP2016511299A JPWO2015151288A1 JP WO2015151288 A1 JPWO2015151288 A1 JP WO2015151288A1 JP 2016511299 A JP2016511299 A JP 2016511299A JP 2016511299 A JP2016511299 A JP 2016511299A JP WO2015151288 A1 JPWO2015151288 A1 JP WO2015151288A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion
- diffusion layer
- oxide film
- solar cell
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 140
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 43
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 silicate compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- POWFTOSLLWLEBN-UHFFFAOYSA-N tetrasodium;silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] POWFTOSLLWLEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
まず、実施の形態1の方法では、全面に対して拡散層を形成する全面拡散時に形成された酸化膜を除去し、選択拡散に際して形成された熱酸化時の膜は残す場合について説明する。図1は、実施の形態1の太陽電池を示す図であり、(a)は上面図、(b)は(a)のA−A断面図、(c)は、受光面の拡散層の濃度プロファイルを示す説明図である。図2はその製造工程を説明するフローチャートを示す図、図3(a)〜(c)、図4(a)〜(c)、図5(a)〜(c)は、実施の形態1の太陽電池の製造工程を示す工程断面図である。
前記実施の形態1では、拡散工程(ステップS103)で形成された酸化膜3を除去した後、ドーピングペースト4を形成したが、本実施の形態では、酸化膜3を除去することなくそのまま残した工程である。拡散時に形成された酸化膜3を残すことにより、高いパッシベーション効果を得ようとするものである。図6は、実施の形態2の太陽電池を示す図、図7はその製造工程を説明するフローチャートを示す図、図8(a)〜(c)、図9(a)および(b)は、工程断面図である。本実施の形態の太陽電池は、図6に示すように、図1に示した実施の形態1の太陽電池に比べ、酸化膜3が受光面側に残留している点が異なるのみであり、他は前記実施の形態1の太陽電池と同様である。従ってここでは説明を省略する、同一部位には同一符号を付した。本実施の形態でも、実施の形態1と同様、ドーピングペースト4から熱拡散を行い高濃度拡散層5を形成するための熱酸化で形成された熱酸化膜6を除去しないため、第1の集電電極8のまわりの高濃度拡散層5上には、ドーピングペースト4の残渣と、熱酸化膜6が残留しており、パッシベーション効果が高い構造となっている。
前記実施の形態1では、熱酸化工程(ステップS106)で形成された熱酸化膜6については、除去することなく、そのまま残して裏面エッチング(S107)および反射防止膜形成ステップ(S108)を実行したが、本実施の形態では、拡散時に形成された酸化膜3は除去し、熱酸化時の膜すなわち熱酸化膜6についても除去するようにして、残さない場合について説明する。図10は、実施の形態3の太陽電池を示す図、図11はその製造工程を説明するフローチャートを示す図、図12(a)〜(c)、図13(a)〜(d)は、工程断面図である。本実施の形態の太陽電池は、図1に示した実施の形態1の太陽電池に比べ、熱酸化膜6が受光面側に残留していない点が異なるのみであり、他は前記実施の形態1の太陽電池と同様である。従ってここでは説明を省略する、同一部位には同一符号を付した。
前記実施の形態2では、拡散時に形成された酸化膜3も、熱酸化時の膜すなわち熱酸化膜6も除去せず、残したが、本実施の形態では、拡散時に形成された酸化膜3は除去することなく残すが、熱酸化膜6は除去するようにした場合について説明する。図14は、実施の形態4の太陽電池を示す図、図15はその製造工程を説明するフローチャートを示す図、図16(a)〜(c)および図17(a)〜(c)は、工程断面図である。本実施の形態の太陽電池は、図6に示した実施の形態2の太陽電池に比べ、熱酸化膜6が受光面側に残留していない点が異なるのみであり、他は前記実施の形態2の太陽電池と同様である。従ってここでは説明を省略する、同一部位には同一符号を付した。
Claims (7)
- 受光面を構成する第1の面と、前記第1の面に対向する第2の面とを有する第1導電型の半導体基板を用意する工程と、
前記第1の面に第2導電型の拡散層を形成する第1の拡散工程と、
前記第2導電型の拡散層の形成された前記半導体基板の前記第1の面の一部に、第2導電型の拡散源を含む膜を形成する第2の工程と、
前記拡散源の形成された前記半導体基板に対し、酸化雰囲気中で熱処理を行い、前記拡散源からの拡散により高濃度拡散層を形成する第3の工程と、
前記高濃度拡散層上に第1の電極を形成する工程と、
前記第2の面に第2の電極を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法。 - 前記第3の工程は、水蒸気雰囲気中で熱処理を行う工程を含む請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第1の拡散工程後、前記第2の工程に先立ち、
前記第1の拡散工程で生成された酸化膜を除去する工程を含む請求項1または2に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記第1の電極を形成する工程に先立ち、前記第3の工程で生成された熱酸化膜を除去する工程を含む請求項1から3のいずれか1項に記載の太陽電池の製造方法。
- 受光面を構成する第1の面と、前記第1の面に対向する第2の面とを有する第1導電型の半導体基板と、
前記第1の面に形成された第2導電型の拡散層と、
前記第2導電型の拡散層の形成された前記半導体基板の前記第1の面の一部に、形成された高濃度拡散層と、
前記高濃度拡散層上に形成された第1の電極と、
前記第2の面に形成された第2の電極とを備え、
前記第1の面の前記高濃度拡散層から露呈する前記第2導電型の拡散層は、最表面に内部よりも不純物濃度の低い低濃度層を有する太陽電池。 - 前記第1の面の前記第1の電極以外の領域はパッシベーション膜で被覆された請求項5に記載の太陽電池。
- 前記パッシベーション膜は、前記拡散層と同一の不純物を含有する熱酸化膜である請求項6に記載の太陽電池。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/060012 WO2015151288A1 (ja) | 2014-04-04 | 2014-04-04 | 太陽電池の製造方法および太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015151288A1 true JPWO2015151288A1 (ja) | 2017-04-13 |
JP6340069B2 JP6340069B2 (ja) | 2018-06-06 |
Family
ID=54239648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016511299A Expired - Fee Related JP6340069B2 (ja) | 2014-04-04 | 2014-04-04 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170025561A1 (ja) |
JP (1) | JP6340069B2 (ja) |
CN (1) | CN106133922B (ja) |
WO (1) | WO2015151288A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9911873B2 (en) * | 2015-08-11 | 2018-03-06 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Hydrogenation of passivated contacts |
US10896989B2 (en) | 2016-12-13 | 2021-01-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | High efficiency back contact type solar cell, solar cell module, and photovoltaic power generation system |
WO2018229946A1 (ja) * | 2017-06-15 | 2018-12-20 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置 |
CN114792745B (zh) * | 2022-06-24 | 2023-05-23 | 山东芯源微电子有限公司 | 一种高效的太阳能发电基片导线区掺杂方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010186900A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2012049424A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
CN102881772A (zh) * | 2012-10-15 | 2013-01-16 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种选择性发射极太阳能电池的制备方法 |
WO2013022076A1 (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | 日本合成化学工業株式会社 | 太陽電池の製法およびそれにより得られた太陽電池 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101764179A (zh) * | 2009-12-31 | 2010-06-30 | 中山大学 | 一种选择性前表面场n型太阳电池的制作方法 |
US8105869B1 (en) * | 2010-07-28 | 2012-01-31 | Boris Gilman | Method of manufacturing a silicon-based semiconductor device by essentially electrical means |
JP5723143B2 (ja) * | 2010-12-06 | 2015-05-27 | シャープ株式会社 | 裏面電極型太陽電池の製造方法、および裏面電極型太陽電池 |
JPWO2012096018A1 (ja) * | 2011-01-13 | 2014-06-09 | 日立化成株式会社 | p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 |
CN102593244B (zh) * | 2012-02-09 | 2014-12-24 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法 |
-
2014
- 2014-04-04 CN CN201480077751.1A patent/CN106133922B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-04 JP JP2016511299A patent/JP6340069B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-04 WO PCT/JP2014/060012 patent/WO2015151288A1/ja active Application Filing
- 2014-04-04 US US15/301,653 patent/US20170025561A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010186900A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2012049424A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 太陽電池及びその製造方法 |
WO2013022076A1 (ja) * | 2011-08-11 | 2013-02-14 | 日本合成化学工業株式会社 | 太陽電池の製法およびそれにより得られた太陽電池 |
CN102881772A (zh) * | 2012-10-15 | 2013-01-16 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种选择性发射极太阳能电池的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170025561A1 (en) | 2017-01-26 |
JP6340069B2 (ja) | 2018-06-06 |
WO2015151288A1 (ja) | 2015-10-08 |
CN106133922A (zh) | 2016-11-16 |
CN106133922B (zh) | 2018-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5117770B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5885891B2 (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
JP6091458B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
TWI538244B (zh) | Method for manufacturing solar cells | |
JP6340069B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP6144778B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP5830143B1 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JP5408022B2 (ja) | 太陽電池セル及びその製造方法 | |
JP2010232530A (ja) | 光電変換素子の製造方法および光電変換素子 | |
JP5726134B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JP2014229826A (ja) | 太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子 | |
KR101160116B1 (ko) | 후면 접합 태양전지의 제조방법 | |
JP2010118473A (ja) | 太陽電池セルおよびその製造方法 | |
JP6139466B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
TW201312769A (zh) | 低反射基板之製造方法,及光電動勢裝置之製造方法 | |
JP6494414B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JP2016032073A (ja) | 太陽電池セルの製造方法および太陽電池セルの製造装置 | |
JP2013161818A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2011238846A (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JP5430751B2 (ja) | 低反射基板の製造方法、および光起電力装置の製造方法 | |
TWI681566B (zh) | 太陽能電池以及其製造方法 | |
JP2013030687A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
TWI459575B (zh) | 太陽能電池製造方法 | |
JP2012216656A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
TWI720955B (zh) | 太陽能電池及太陽能電池模組 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170803 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180329 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180508 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6340069 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |