JP5440433B2 - 太陽電池の製造方法及び製膜装置 - Google Patents
太陽電池の製造方法及び製膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5440433B2 JP5440433B2 JP2010160394A JP2010160394A JP5440433B2 JP 5440433 B2 JP5440433 B2 JP 5440433B2 JP 2010160394 A JP2010160394 A JP 2010160394A JP 2010160394 A JP2010160394 A JP 2010160394A JP 5440433 B2 JP5440433 B2 JP 5440433B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- film
- annealing
- manufacturing
- diffusion layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 69
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 67
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 48
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 94
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 43
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 30
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 27
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 10
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
そこで、パッシベーションの効果を更に高めることが望まれた。
なお、本発明に関連する先行技術文献としては、下記のものが挙げられる。
請求項1:
半導体基板に対し拡散層を形成し、次いで拡散層上に、MgF2、SiO2、Al2O3、SiO、SiN、TiO2、Ta2O5、ZnSのいずれかもしくはそれらの積層であって屈折率が1.8〜2.3の反射防止膜兼パッシベーション膜を形成した後、N 2 雰囲気中でアニール温度600℃以上1000℃以下のアニール工程を行い、その後電極焼成工程を含む電極形成工程を行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。
請求項2:
半導体基板がp型であり、受光面側にn型拡散層を形成し、その上に反射防止膜兼パッシベーション膜を形成した後、アニール工程を行うようにした請求項1記載の太陽電池の製造方法。
請求項3:
半導体基板がn型であり、受光面側にp型拡散層を形成すると共に、受光面と反対面側にn型拡散層を形成し、上記両拡散層上にそれぞれ反射防止膜兼パッシベーション膜を形成した後、アニール工程を行うようにした請求項1記載の太陽電池の製造方法。
請求項4:
前記アニール工程の処理時間が10秒以上90分以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
請求項5:
前記電極形成工程が、ガラスフリットを含む導電性ペーストを反射防止膜兼パッシベーション膜上にスクリーン印刷し、焼成することで、拡散層とコンタクトする電極を形成するものであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
請求項6:
請求項1乃至5のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法で用いる反射防止膜兼パッシベーション膜を形成する製膜装置であって、前記反射防止膜兼パッシベーション膜形成後に、更に続けて前記アニール工程を行うことができる加熱室を備えることを特徴とする製膜装置。
以下、p型シリコン基板を用いた太陽電池の製造方法を例にとって説明する。半導体基板の大きさは100〜150mm角、厚みは0.05〜0.30mmの板状のものが好適に用いられる。そして、太陽電池の受光面となるp型シリコン基板の表面に、例えば酸性溶液中に浸漬してスライス等による表面のダメージを除去してから、更にアルカリ溶液で化学エッチングして洗浄、乾燥することで、テクスチャとよばれる凹凸構造を形成する。凹凸構造は、太陽電池受光面において光の多重反射を生じさせる。そのため、凹凸構造を形成することにより、実効的に反射率が低減し、変換効率が向上する。
ボロンがドープされ、厚さ0.2mmにスライスして作製された比抵抗が約1Ω・cmのp型の単結晶シリコンからなるp型シリコン基板に外径加工を行うことによって、一辺15cmの正方形の板状とした。そして、このp型シリコン基板をフッ硝酸溶液中に15秒間浸漬させてダメージエッチングし、更に2質量%のKOHと2質量%のIPAを含む70℃の溶液で5分間化学エッチングした後に純水で洗浄し、乾燥させることで、p型シリコン基板表面にテクスチャ構造を形成した。次に、このp型シリコン基板に対し、POCl3ガス雰囲気中において、870℃の温度で30分間の条件で熱拡散法により、p型シリコン基板にn層を形成した。ここで、n層のシート抵抗は約40Ω/□、深さは0.4μmであった。そして、n層上に耐酸性樹脂を形成した後に、p型シリコン基板をフッ硝酸溶液中に10秒間浸漬することによって、耐酸性樹脂が形成されていない部分のn層を除去した。その後、耐酸性樹脂を除去することによって、p型シリコン基板の表面のみにn層を形成した。続いて、SiH4とNH3、N2を用いたプラズマCVD法により、p型シリコン基板のn層が形成されている表面上に、反射防止膜兼パッシベーション膜となるSiN膜を厚さ1000Åで形成した。
2 拡散領域
3 反射防止膜兼パッシベーション膜
4 BSF層
5 表面電極
6 裏面電極
7 半導体基板
8 拡散領域
9 拡散領域
10 反射防止膜兼パッシベーション膜
11 反射防止膜兼パッシベーション膜
12 表面電極
13 裏面電極
Claims (6)
- 半導体基板に対し拡散層を形成し、次いで拡散層上に、MgF2、SiO2、Al2O3、SiO、SiN、TiO2、Ta2O5、ZnSのいずれかもしくはそれらの積層であって屈折率が1.8〜2.3の反射防止膜兼パッシベーション膜を形成した後、N 2 雰囲気中でアニール温度600℃以上1000℃以下のアニール工程を行い、その後電極焼成工程を含む電極形成工程を行うことを特徴とする太陽電池の製造方法。
- 半導体基板がp型であり、受光面側にn型拡散層を形成し、その上に反射防止膜兼パッシベーション膜を形成した後、アニール工程を行うようにした請求項1記載の太陽電池の製造方法。
- 半導体基板がn型であり、受光面側にp型拡散層を形成すると共に、受光面と反対面側にn型拡散層を形成し、上記両拡散層上にそれぞれ反射防止膜兼パッシベーション膜を形成した後、アニール工程を行うようにした請求項1記載の太陽電池の製造方法。
- 前記アニール工程の処理時間が10秒以上90分以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
- 前記電極形成工程が、ガラスフリットを含む導電性ペーストを反射防止膜兼パッシベーション膜上にスクリーン印刷し、焼成することで、拡散層とコンタクトする電極を形成するものであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法で用いる反射防止膜兼パッシベーション膜を形成する製膜装置であって、前記反射防止膜兼パッシベーション膜形成後に、更に続けて前記アニール工程を行うことができる加熱室を備えることを特徴とする製膜装置。
Priority Applications (12)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010160394A JP5440433B2 (ja) | 2010-07-15 | 2010-07-15 | 太陽電池の製造方法及び製膜装置 |
MYPI2013000004A MY158973A (en) | 2010-07-15 | 2011-07-12 | Method for producing solar cell and film-producing device |
SG2013002886A SG187069A1 (en) | 2010-07-15 | 2011-07-12 | Method for producing solar cell and film-producing device |
CN201180035025.XA CN103155163B (zh) | 2010-07-15 | 2011-07-12 | 太阳能电池的制造方法和制膜装置 |
EP11806766.9A EP2595197B1 (en) | 2010-07-15 | 2011-07-12 | Method for producing solar cell and film-producing device |
KR1020137002657A KR101600588B1 (ko) | 2010-07-15 | 2011-07-12 | 태양전지의 제조 방법 및 제막 장치 |
IN291CHN2013 IN2013CN00291A (ja) | 2010-07-15 | 2011-07-12 | |
PCT/JP2011/065861 WO2012008436A1 (ja) | 2010-07-15 | 2011-07-12 | 太陽電池の製造方法及び製膜装置 |
AU2011277505A AU2011277505B2 (en) | 2010-07-15 | 2011-07-12 | Method for producing solar cell and film-producing device |
ES11806766T ES2732356T3 (es) | 2010-07-15 | 2011-07-12 | Método para fabricar una célula solar y dispositivo de fabricación de película |
US13/809,077 US8859320B2 (en) | 2010-07-15 | 2011-07-12 | Method for producing solar cell and film-producing device |
TW100125135A TWI641155B (zh) | 2010-07-15 | 2011-07-15 | 太陽電池之製造方法及製膜裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010160394A JP5440433B2 (ja) | 2010-07-15 | 2010-07-15 | 太陽電池の製造方法及び製膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012023228A JP2012023228A (ja) | 2012-02-02 |
JP5440433B2 true JP5440433B2 (ja) | 2014-03-12 |
Family
ID=45469434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010160394A Active JP5440433B2 (ja) | 2010-07-15 | 2010-07-15 | 太陽電池の製造方法及び製膜装置 |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8859320B2 (ja) |
EP (1) | EP2595197B1 (ja) |
JP (1) | JP5440433B2 (ja) |
KR (1) | KR101600588B1 (ja) |
CN (1) | CN103155163B (ja) |
AU (1) | AU2011277505B2 (ja) |
ES (1) | ES2732356T3 (ja) |
IN (1) | IN2013CN00291A (ja) |
MY (1) | MY158973A (ja) |
SG (1) | SG187069A1 (ja) |
TW (1) | TWI641155B (ja) |
WO (1) | WO2012008436A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6262229A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-18 | Minolta Camera Co Ltd | 多分割測光装置を有するカメラ |
EP2642524A3 (en) * | 2012-03-22 | 2014-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd | Solar cell |
CN102945894A (zh) * | 2012-12-03 | 2013-02-27 | 天威新能源控股有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池氧化铝钝化膜和背电极的制备方法 |
JP2014154656A (ja) * | 2013-02-07 | 2014-08-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 結晶シリコン型太陽電池、およびその製造方法 |
CN103367544A (zh) * | 2013-07-08 | 2013-10-23 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种具有吸杂作用的多晶硅电池发射极的扩散方法 |
CN103456838A (zh) * | 2013-08-29 | 2013-12-18 | 东莞南玻光伏科技有限公司 | 太阳能电池钝化膜的制作方法及太阳能电池的制作方法 |
CN103489934B (zh) * | 2013-09-25 | 2016-03-02 | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 | 一种双面透光的局部铝背场太阳能电池及其制备方法 |
KR101614190B1 (ko) * | 2013-12-24 | 2016-04-20 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조 방법 |
CN104051572A (zh) * | 2014-06-09 | 2014-09-17 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种氮化硅薄膜的高温退火方法 |
CN104051570A (zh) * | 2014-06-09 | 2014-09-17 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 一种太阳能电池的制作方法 |
CN104103714A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-10-15 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种新型电池片的制备方法 |
TWI513012B (zh) * | 2014-12-02 | 2015-12-11 | Neo Solar Power Corp | 異質接面太陽能電池及其製造方法 |
CN106486567A (zh) * | 2016-11-14 | 2017-03-08 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的减反射膜及其制备方法 |
JP2019050329A (ja) * | 2017-09-12 | 2019-03-28 | シャープ株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
CN107623050A (zh) * | 2017-09-22 | 2018-01-23 | 常州天合光能有限公司 | 太阳能电池 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006011595A1 (ja) * | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Kyocera Corporation | 太陽電池素子とその製造方法 |
NO20061668L (no) * | 2006-04-12 | 2007-10-15 | Renewable Energy Corp | Solcelle og fremgangsmate for fremstilling av samme |
CN101548392A (zh) * | 2006-12-01 | 2009-09-30 | 夏普株式会社 | 太阳能电池及其制造方法 |
JP5067709B2 (ja) | 2007-06-11 | 2012-11-07 | 株式会社島津製作所 | Cvd装置 |
KR100965778B1 (ko) * | 2008-01-16 | 2010-06-24 | 서울대학교산학협력단 | 고효율 다결정 실리콘 태양전지 및 그 제조방법 |
KR101631711B1 (ko) * | 2008-03-21 | 2016-06-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 확산용 인 페이스트 및 그것을 이용한 태양 전지의 제조 방법 |
KR101101371B1 (ko) * | 2008-04-17 | 2012-01-02 | 한국세라믹기술원 | 태양전지 제조방법 |
US8168462B2 (en) * | 2009-06-05 | 2012-05-01 | Applied Materials, Inc. | Passivation process for solar cell fabrication |
US8617641B2 (en) * | 2009-11-12 | 2013-12-31 | Guardian Industries Corp. | Coated article comprising colloidal silica inclusive anti-reflective coating, and method of making the same |
KR101381305B1 (ko) | 2010-04-23 | 2014-04-07 | 솔렉셀, 인크. | 고효율 태양 전지 극 저 표면 재결합 속도를 달성하기 위한 패시베이션 방법 및 장치 |
-
2010
- 2010-07-15 JP JP2010160394A patent/JP5440433B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-12 US US13/809,077 patent/US8859320B2/en active Active
- 2011-07-12 WO PCT/JP2011/065861 patent/WO2012008436A1/ja active Application Filing
- 2011-07-12 SG SG2013002886A patent/SG187069A1/en unknown
- 2011-07-12 EP EP11806766.9A patent/EP2595197B1/en active Active
- 2011-07-12 AU AU2011277505A patent/AU2011277505B2/en not_active Ceased
- 2011-07-12 IN IN291CHN2013 patent/IN2013CN00291A/en unknown
- 2011-07-12 KR KR1020137002657A patent/KR101600588B1/ko active IP Right Grant
- 2011-07-12 MY MYPI2013000004A patent/MY158973A/en unknown
- 2011-07-12 ES ES11806766T patent/ES2732356T3/es active Active
- 2011-07-12 CN CN201180035025.XA patent/CN103155163B/zh active Active
- 2011-07-15 TW TW100125135A patent/TWI641155B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130041924A (ko) | 2013-04-25 |
IN2013CN00291A (ja) | 2015-10-02 |
TW201225317A (en) | 2012-06-16 |
SG187069A1 (en) | 2013-02-28 |
EP2595197B1 (en) | 2019-05-08 |
JP2012023228A (ja) | 2012-02-02 |
WO2012008436A1 (ja) | 2012-01-19 |
EP2595197A1 (en) | 2013-05-22 |
US8859320B2 (en) | 2014-10-14 |
AU2011277505B2 (en) | 2014-08-21 |
EP2595197A4 (en) | 2014-01-22 |
CN103155163A (zh) | 2013-06-12 |
US20130171763A1 (en) | 2013-07-04 |
ES2732356T3 (es) | 2019-11-22 |
TWI641155B (zh) | 2018-11-11 |
CN103155163B (zh) | 2016-08-03 |
MY158973A (en) | 2016-11-30 |
AU2011277505A1 (en) | 2013-02-21 |
KR101600588B1 (ko) | 2016-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5440433B2 (ja) | 太陽電池の製造方法及び製膜装置 | |
JP5019397B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JP5649580B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP6285545B2 (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
JP5737204B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
EP3101696B1 (en) | Solar cell and solar cell manufacturing method | |
JP5991945B2 (ja) | 太陽電池および太陽電池モジュール | |
JP2013165160A (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
JP2014011246A (ja) | 太陽電池素子および太陽電池モジュール | |
JP6644884B2 (ja) | 太陽電池、太陽電池の製造システムおよび太陽電池の製造方法 | |
WO2013100085A1 (ja) | 太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法および太陽電池モジュール | |
WO2012086701A1 (ja) | 太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子 | |
JP2006024757A (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法 | |
JP6392717B2 (ja) | 太陽電池セルの製造方法 | |
JP5316491B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
CN110800114B (zh) | 高效背面电极型太阳能电池及其制造方法 | |
JP5994895B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121114 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130919 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131119 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131202 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5440433 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |