JP2013544028A - シリコンウェハの表面テクスチャリング加工のドライエッチング方法優先権本出願は、”dryetchingmethodofsurfacetextureformationonsiliconwafer”なるタイトルの2010年11月1日出願の米国仮特許出願第61/409,064号明細書の利益を請求し、そのすべての内容がここに参考文献として援用される。 - Google Patents
シリコンウェハの表面テクスチャリング加工のドライエッチング方法優先権本出願は、”dryetchingmethodofsurfacetextureformationonsiliconwafer”なるタイトルの2010年11月1日出願の米国仮特許出願第61/409,064号明細書の利益を請求し、そのすべての内容がここに参考文献として援用される。 Download PDFInfo
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Abstract
【選択図】図4
Description
本発明は、太陽電池用のシリコンウェハの技術に関し、特に、ドライエッチングによる表面テクスチャリング加工に関する。
2.関連技術
PVセルなどとして知られる太陽電池は太陽光を電気エネルギーに変換する。太陽電池は蒸着半導体プロセス技術を用いて製造され、当該技術には典型的に、例えば、さまざまな材料および層の蒸着、ドーピングおよびエッチングが含まれる。典型的な太陽電池は、p−n接合が形成されるようにドープされた半導体ウェハまたは基板上に作られる。基板表面に向けられた太陽光(例えば、光子)により、基板における電子正孔対が壊れ、nドープ領域からpドープ領域へと電子が移動する(つまり、電流が生成される)。これにより、基板の対向する二つの表面間で電位差が生じる。そして、電気回路に接続されたメタルコンタクトが基板で生成された電気エネルギーを集める。
Claims (20)
- シリコンウェハのシリコン酸化物層の一部を除去する第1のエッチング処理、および酸化物に対してシリコンを高選択する第2のエッチング処理を実行するシリコンエッチングチャンバを備えている、システム。
- シリコンウェハの表面に前記シリコン酸化物層を形成する酸化チャンバをさらに備えている、請求項1に記載のシステム。
- 前記酸化チャンバがプラズマ酸化チャンバである、請求項2に記載のシステム。
- 前記酸化チャンバが前記シリコンエッチングチャンバに接続され、前記ウェハが前記シリコンエッチングチャンバに投入される前に前記シリコン酸化物層が前記シリコンの表面に形成される、請求項2に記載のシステム。
- ウェハ装填チャンバおよびウェハ排出チャンバをさらに備えている、請求項1に記載のシステム。
- 前記ウェハ装填チャンバと前記プラズマ酸化チャンバとの間に装填ロック、および前記シリコンエッチングチャンバと前記ウェハ排出チャンバとの間に装填ロックをさらに備えている、請求項5に記載のシステム。
- テクスチャリングされた表面を有するシリコンウェハを製造する方法であって、
酸化物層を有するシリコンウェハに第1のシリコンエッチング処理を施す工程と、
前記シリコンウェハに、酸化物に対してシリコンをより選択的にエッチングする第2のシリコンエッチング処理を施す工程とを備えている、方法。 - シリコンウェハの表面に表面酸化処理を施して前記第1のシリコンエッチング処理を施す前に前記酸化物層を成長させる工程をさらに備えている、請求項7に記載の方法。
- 前記表面酸化処理がプラズマ酸化処理を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記第1および第2のシリコンエッチング処理がドライエッチングを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記ドライエッチングが反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、および物理スパッタリングのいずれか一つを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第2のシリコンエッチング処理が異方性エッチング処理を含む、請求項7に記載の方法。
- 請求項7に記載の方法で製造された太陽電池。
- 欠陥領域および非欠陥領域を有するシリコンウェハのシリコン酸化物層をエッチングして前記非欠陥領域上の前記シリコン酸化物層の少なくとも一部を除去する工程と、
前記ウェハを選択的にエッチングする工程とを備えている、方法。 - 前記シリコン酸化物層のエッチングの前に前記シリコン酸化物層を成長させる工程をさらに備えている、請求項14に記載の方法。
- 前記シリコン酸化物層を成長させる工程が前記シリコンウェハの酸化処理を含む、請求項15に記載の方法。
- 前記シリコン酸化物層は前記非欠陥領域上よりも前記欠陥領域上の方が厚い、請求項14に記載の方法。
- 前記シリコン酸化物層をエッチングする工程が前記シリコン酸化物層をドライエッチングする処理を含む、請求項14に記載の方法。
- 前記ウェハを選択的にエッチングする工程が前記ウェハをドライエッチングする処理を含む、請求項14に記載の方法。
- 請求項14に記載の方法で製造された太陽電池。
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