JP6441069B2 - 表面加工方法及び構造体の製造方法 - Google Patents
表面加工方法及び構造体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6441069B2 JP6441069B2 JP2014259558A JP2014259558A JP6441069B2 JP 6441069 B2 JP6441069 B2 JP 6441069B2 JP 2014259558 A JP2014259558 A JP 2014259558A JP 2014259558 A JP2014259558 A JP 2014259558A JP 6441069 B2 JP6441069 B2 JP 6441069B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser beam
- workpiece
- ion implantation
- wafer
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Description
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る表面加工方法及び構造体の製造方法は、加工対象物として半導体材料であるSiウェハの表面を加工することにより構造体を形成する方法である。ここで、「Siウェハの表面」とは、表面だけでなくSiウェハの表層部を含んでいる。すなわち、表面加工とは、Siウェハの表面だけでなくSiウェハの表面を含んだ表層部を加工する意味も含んでいる。
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、イオン注入工程において、ドーズ量を10×1017/cm2、イオンのエネルギーを100keVとして水素イオンを注入するという条件でイオン注入を行う。これにより、レーザ光の焦点160(つまり改質部230)とイオン注入層240との位置関係に基づいてSiウェハ200にブリスタリング241を発生させ、ブリスタリング241を改質部230に作用させる。これにより、Siウェハ200の表面210に構造体を形成する。なお、本実施形態では、加熱工程は行わない。
本実施形態では、第1、第2実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、レーザ光照射工程の後にイオン注入工程を行い、さらにイオン注入工程の後に加熱工程を行う。レーザ光照射工程については、上記各実施形態と同じ条件でSiウェハ200の内部にレーザ光を照射する。
本実施形態では、第1〜第3実施形態と異なる部分について説明する。上記各実施形態では、レーザ光照射工程を行った後にイオン注入工程を行っていたが、本実施形態ではイオン注入工程を行った後にレーザ光照射工程を行う。この場合、イオン注入工程ではSiウェハ200の表面210の上方からイオン注入を行い、レーザ光照射工程ではSiウェハ200の裏面220の上方からSiウェハ200の内部にレーザ光を照射する。これにより、レーザ光がイオン注入層240の影響を受けないようにすることができる。また、Siウェハ200の内部に熱を集中させやすくすることができる。
上記各実施形態で示された構造体の加工方法及び製造方法は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、SiC、GaN等の半導体材料、ダイヤモンド、LiTaO3、LiNbO3、プラスチック材料やカーボン材料等の複合材料、有機材料、ガラス材料等のレーザ光の照射が可能でかつイオン注入可能な材料を加工対象物としても良い。
200 Siウェハ(半導体ウェハ)
210 表面
220 裏面
230 改質部
240 イオン注入層
241 ブリスタリング
250 突起構造(構造体)
260 波面構造(構造体)
261 山部
262 谷部
270 切り出し片(構造体)
Claims (16)
- 加工対象物(200)の表面(210)を加工することにより構造体(250、270)を形成する表面加工方法であって、
前記加工対象物(200)の内部にレーザ光の焦点(160)を合わせてレーザ光を走査して、前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の焦点(160)に対応する部分を局所的に加熱することにより改質部(230)を形成するレーザ光照射工程と、
前記加工対象物(200)に対してイオン注入を行うことにより、前記加工対象物(200)の表面(210)を基準として前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の焦点(160)よりも浅い位置にイオン注入層(240)を形成するイオン注入工程と、
前記レーザ光照射工程及び前記イオン注入工程を行った後、前記加工対象物(200)の全体を加熱して前記レーザ光の焦点(160)と前記イオン注入層(240)との位置関係に基づいて前記加工対象物(200)にブリスタリング(241)を発生させ、前記ブリスタリング(241)を前記改質部(230)に作用させることにより前記構造体(250、270)を形成する加熱工程と、
を含んでいることを特徴とする表面加工方法。 - 前記加熱工程では、前記構造体として、前記レーザ光の走査方向に沿って前記加工対象物(200)の表面(210)が隆起した突起構造(250)を形成することを特徴とする請求項1に記載の表面加工方法。
- 前記加熱工程では、前記構造体として、前記レーザ光の走査方向に沿って前記加工対象物(200)から剥離した短冊状の切り出し片(270)を形成することを特徴とする請求項1に記載の表面加工方法。
- 加工対象物(200)の表面(210)を加工することにより構造体(260)を形成する表面加工方法であって、
前記加工対象物(200)の内部にレーザ光の焦点(160)を合わせてレーザ光を走査して、前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の焦点(160)に対応する部分を局所的に加熱することにより改質部(230)を形成するレーザ光照射工程と、
前記加工対象物(200)に対してイオン注入を行って、前記加工対象物(200)の表面(210)を基準として前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の焦点(160)よりも浅い位置にイオン注入層(240)を形成し、前記レーザ光の焦点(160)と前記イオン注入層(240)との位置関係に基づいて前記加工対象物(200)にブリスタリング(241)を発生させ、前記ブリスタリング(241)を前記改質部(230)に作用させることにより前記構造体(260)を形成するイオン注入工程と、
を含んでいることを特徴とする表面加工方法。 - 前記構造体として、前記加工対象物(200)の表面(210)が前記レーザ光の走査方向に沿って垂直方向に山部(261)と谷部(262)とが交互に繰り返された波面構造(260)を形成することを特徴とする請求項4に記載の表面加工方法。
- 前記レーザ光照射工程を行った後に前記イオン注入工程を行うことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の表面加工方法。
- 前記加工対象物(200)は、前記表面(210)とこの表面(210)とは反対側の裏面(220)を有する板状のものであり、
前記イオン注入工程では、前記加工対象物(200)の表面(210)の上方から前記イオン注入を行い、
前記レーザ光照射工程では、前記加工対象物(200)の裏面(220)の上方から前記加工対象物(200)の内部に前記レーザ光を照射し、
さらに、前記イオン注入工程を行った後に前記レーザ光照射工程を行うことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の表面加工方法。 - 前記加工対象物として、半導体ウェハ(200)を用いることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の表面加工方法。
- 加工対象物(200)の表面(210)を加工することにより構造体(250、270)を形成する構造体の製造方法であって、
前記加工対象物(200)の内部にレーザ光の焦点(160)を合わせてレーザ光を走査して、前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の焦点(160)に対応する部分を局所的に加熱することにより改質部(230)を形成するレーザ光照射工程と、
前記加工対象物(200)に対してイオン注入を行うことにより、前記加工対象物(200)の表面(210)を基準として前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の焦点(160)よりも浅い位置にイオン注入層(240)を形成するイオン注入工程と、
前記レーザ光照射工程及び前記イオン注入工程を行った後、前記加工対象物(200)の全体を加熱して前記レーザ光の焦点(160)と前記イオン注入層(240)との位置関係に基づいて前記加工対象物(200)にブリスタリング(241)を発生させ、前記ブリスタリング(241)を前記改質部(230)に作用させることにより前記構造体(250、270)を形成する加熱工程と、
を含んでいることを特徴とする構造体の製造方法。 - 前記加熱工程では、前記構造体として、前記レーザ光の走査方向に沿って前記加工対象物(200)の表面(210)が隆起した突起構造(250)を形成することを特徴とする請求項9に記載の構造体の製造方法。
- 前記加熱工程では、前記構造体として、前記レーザ光の走査方向に沿って前記加工対象物(200)から剥離した短冊状の切り出し片(270)を形成することを特徴とする請求項9に記載の構造体の製造方法。
- 加工対象物(200)の表面(210)を加工することにより構造体(260)を形成する構造体の製造方法であって、
前記加工対象物(200)の内部にレーザ光の焦点(160)を合わせてレーザ光を走査して、前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の焦点(160)に対応する部分を局所的に加熱することにより改質部(230)を形成するレーザ光照射工程と、
前記加工対象物(200)に対してイオン注入を行って、前記加工対象物(200)の表面(210)を基準として前記加工対象物(200)のうち前記レーザ光の焦点(160)よりも浅い位置にイオン注入層(240)を形成し、前記レーザ光の焦点(160)と前記イオン注入層(240)との位置関係に基づいて前記加工対象物(200)にブリスタリング(241)を発生させ、前記ブリスタリング(241)を前記改質部(230)に作用させることにより前記構造体(260)を形成するイオン注入工程と、
を含んでいることを特徴とする構造体の製造方法。 - 前記構造体として、前記加工対象物(200)の表面(210)が前記レーザ光の走査方向に沿って垂直方向に山部(261)と谷部(262)とが交互に繰り返された波面構造(260)を形成することを特徴とする請求項12に記載の構造体の製造方法。
- 前記レーザ光照射工程を行った後に前記イオン注入工程を行うことを特徴とする請求項9ないし13のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
- 前記加工対象物(200)は、前記表面(210)とこの表面(210)とは反対側の裏面(220)を有する板状のものであり、
前記イオン注入工程では、前記加工対象物(200)の表面(210)の上方から前記イオン注入を行い、
前記レーザ光照射工程では、前記加工対象物(200)の裏面(220)の上方から前記加工対象物(200)の内部に前記レーザ光を照射し、
さらに、前記イオン注入工程を行った後に前記レーザ光照射工程を行うことを特徴とする請求項9ないし13のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。 - 前記加工対象物として、半導体ウェハ(200)を用いることを特徴とする請求項9ないし15のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014259558A JP6441069B2 (ja) | 2014-12-23 | 2014-12-23 | 表面加工方法及び構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014259558A JP6441069B2 (ja) | 2014-12-23 | 2014-12-23 | 表面加工方法及び構造体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016119426A JP2016119426A (ja) | 2016-06-30 |
JP6441069B2 true JP6441069B2 (ja) | 2018-12-19 |
Family
ID=56244467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014259558A Active JP6441069B2 (ja) | 2014-12-23 | 2014-12-23 | 表面加工方法及び構造体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6441069B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7084805B2 (ja) * | 2018-07-10 | 2022-06-15 | 株式会社トクヤマ | Iii族窒化物単結晶基板及びiii族窒化物単結晶積層体の製造方法 |
CN110102877A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-08-09 | 东莞市中镓半导体科技有限公司 | 液态金属辅助导热的激光剥离装置及方法 |
CN113811106B (zh) * | 2020-06-11 | 2023-06-27 | 维达力科技股份有限公司 | 壳体的制备方法、壳体以及应用 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3408805B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP5561666B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2014-07-30 | 国立大学法人埼玉大学 | 基板スライス方法 |
JP2012038932A (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-23 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの薄厚化方法および貼り合せウェーハの製造方法 |
US8558341B2 (en) * | 2010-12-17 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element |
WO2012140906A1 (ja) * | 2011-04-15 | 2012-10-18 | パナソニック株式会社 | テクスチャ形成面を有するシリコン基板と、それを含む太陽電池、およびその製造方法 |
JP2013124206A (ja) * | 2011-12-15 | 2013-06-24 | Panasonic Corp | ウエハ切断方法および装置 |
-
2014
- 2014-12-23 JP JP2014259558A patent/JP6441069B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016119426A (ja) | 2016-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6441069B2 (ja) | 表面加工方法及び構造体の製造方法 | |
JP4816390B2 (ja) | 半導体チップの製造方法および半導体チップ | |
JP2007142000A (ja) | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 | |
JP5620669B2 (ja) | レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置 | |
JP2015511572A5 (ja) | ||
WO2005027212A1 (ja) | 半導体基板の切断方法 | |
JP5037082B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP2010247214A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP5995045B2 (ja) | 基板加工方法及び基板加工装置 | |
JP2010274328A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
TW201236795A (en) | Laser scribing method and laser processing apparatus | |
JP2015223589A (ja) | SiC板状ワーク製造方法 | |
JP5178046B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
KR102109034B1 (ko) | 마스크 제조 방법 | |
JPWO2019038860A1 (ja) | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 | |
JP2007015169A (ja) | スクライブ形成方法、スクライブ形成装置、多層基板 | |
JP6757953B2 (ja) | 表面加工方法、構造体の製造方法 | |
WO2015182558A1 (ja) | ガラス基板の製造方法、及び電子デバイス | |
JP5029298B2 (ja) | 分断方法 | |
US8258043B2 (en) | Manufacturing method of thin film semiconductor substrate | |
JP2007258196A (ja) | レーザダイシング方法 | |
JP5923765B2 (ja) | ガラス基板のレーザ加工装置 | |
JP5285741B2 (ja) | 半導体ウェハ及びその加工方法 | |
JP2016201575A (ja) | 単結晶基板製造方法 | |
JP5618373B2 (ja) | ガラス基板のレーザ加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181024 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6441069 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |