CN108336155A - 一种hac-d晶体硅双面太阳电池结构 - Google Patents

一种hac-d晶体硅双面太阳电池结构 Download PDF

Info

Publication number
CN108336155A
CN108336155A CN201810198877.4A CN201810198877A CN108336155A CN 108336155 A CN108336155 A CN 108336155A CN 201810198877 A CN201810198877 A CN 201810198877A CN 108336155 A CN108336155 A CN 108336155A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
crystal silicon
solar cell
hac
passivation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810198877.4A
Other languages
English (en)
Inventor
黄海宾
周浪
袁吉仁
高超
岳之浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanchang University
Original Assignee
Nanchang University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanchang University filed Critical Nanchang University
Priority to CN201810198877.4A priority Critical patent/CN108336155A/zh
Publication of CN108336155A publication Critical patent/CN108336155A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/078—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers including different types of potential barriers provided for in two or more of groups H01L31/062 - H01L31/075
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

一种HAC‑D晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由重掺杂n型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂n型晶体硅层II、钝化减反射层II构成；后者由重掺杂n型晶体硅层II、金属栅线II构成。本发明保持了双面进光特性，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，提高了晶体硅太阳电池的发电能力。相比于HIT和HAC‑D结构完全避免贵重的透明导电氧化物的使用，同时减少了载流子在TCO上传输所造成的串联电阻损耗。

Description

一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构
技术领域
本发明属于太阳电池和半导体器件领域。涉及太阳电池的制备技术。
背景技术
对于地面用太阳电池，双面进光的结构实际发电量高于同等标称功率的单面进光太阳电池的认识已经被行业普遍接受。目前主流的双面进光太阳电池均是以n型晶体硅片为基底的。一种是基于pn同质结结构的n-PERT结构，特点是短路电流大，开路电压低；另一类是以基于pn异质结结构的，以HIT结构为代表，特点是短路电流小，开路电压高。如何提高前者的开路电压和提高后者的短路电流一直是业内的难点，也是努力的方向。如能结合二者的特点，发明一种新的结构，同时获得高短路电流、高开路电压的优点，有望进一步提高双面晶体硅太阳电池的性能。南昌大学以前的一项发明是在此方向上的一个进步（中国发明专利，No. 201510776929.8），其结构称为HAC-D结构，意思是该结构结合了HAC（heterojunction of amorphous silicon and crystalline silicon）异质结和扩散制备的同质结( Diffused homojunction of crystalline silicon)）。相比于HIT结构可获得更高的短路电流，并可保证HIT结构高开路电压的特点。但该结构仍有进步空间，本发明就是对HAC-D结构的进一步改进。相比于HAC-D结构可进一步提高太阳电池的电流和开路电压，降低串联电阻，并减少贵重的透明导电氧化物（TCO）的用量。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，结合pn同质结高短路电流和pn异质结高开路电压的优点，合理配置器件构成，以进一步提高晶体硅双面太阳电池（双面进光）的发电效率，减少贵重原材料的消耗。
本发明是通过以下技术方案实现的。
本发明所述的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片（6）作为基底，其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：发射极-导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层（3）、重掺杂p型非晶硅层（2）、金属栅线I（1）构成，钝化-进光区域由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I（5）、钝化减反射层I（4）构成。这两个区域交叉分布且不重叠。
为提高金属栅线I（1）与重掺杂p型非晶硅层（2）之间的接触导电性，优选在二者之间插入一过渡TCO层。
本发明所述的钝化减反射层I（4）优选氮化硅。
本发明所述的发射极与重掺杂n型晶体硅场钝化层I（5）之间优选进行绝缘处理。
进一步地，为提高器件的性能，所述的重掺杂n型晶体硅场钝化层I（5）的厚度优选1-300nm。
所述的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，背电场面分为钝化-进光区域和背电场-导电区域：钝化-进光区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II（7）、钝化减反射层II（8）；背电场-导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II（7）、金属栅线II（9）。这两个区域交叉分布且不重叠。
其中，钝化减反射层II（8）优选氮化硅。
进一步地，为提高器件的性能，本发明所述的n型晶体硅片（6）可以双面制绒，以进一步提高太阳电池短路电流。
进一步地，n型晶体硅片（6）的双面的制绒情况可以不同，一面采用较小尺寸金字塔结构的绒面，另外一面采用较大尺寸的金字塔绒面或者无金字塔的抛光结构。
进一步地，有金属栅线（金属栅线I、金属栅线II）区域可以抛光或做更大尺寸金字塔的绒面，以减少复合损耗，提高太阳电池的开路电压。
进一步地，器件表面金属栅线（金属栅线I、金属栅线II）总覆盖面积比例优选为1~3%，以提高太阳电池的短路电流并保证足够好的导电性。
发明的技术效果是：在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。其机理是通过金属栅线覆盖面积下的非晶硅发射极及配套结构获得高的开路电压，在没有金属栅线的地方采用重掺杂n型晶体硅场钝化层结合表面减反射钝化层的结构相比于常规非晶硅/晶体硅异质结太阳电池可减少遮光损失，将更多入射的太阳光有效转变为光生载流子，且可减少光生载流子在硅片表面区域的横向传输复合损耗。在发射极面，产生的光生空穴在重掺杂n型层形成的内建电场的推动下进入体硅内部，然后集中流向发射极区域，形成了类似聚光太阳电池的大电流效应，可进一步提高太阳电池的内建电势，从而进一步提高太阳电池的电压；而产生的电子因为发射极面的重掺杂n型区域没有电极，只能流向硅片另外一面的金属电极被收集起来。另外，本发明相比于HIT结构和HAC-D结构可以完全避免贵重的透明导电氧化物的使用，同时可也减少了载流子在TCO上传输所造成的串联电阻损耗。
附图说明
附图1为本发明结构示意图。其中：1为金属栅线I；2为重掺杂p型非晶硅层；3为本征非晶硅钝化层；4为钝化减反射层I；5为重掺杂n型晶体硅场钝化层I；6为n型晶体硅片；7为重掺杂n型晶体硅层II；8为钝化减反射层II；9为金属栅线II。
具体实施方式
本发明将通过以下实施例作进一步说明。
实施例1。
如附图1所示的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构。n型晶体硅片6的双面均采用平均~2微米的金字塔结构绒面，重掺杂n型晶体硅场钝化层I 5的厚度为10nm，重掺杂n型晶体硅层II 7厚度为200nm，钝化减反射层I 4和钝化减反射层II 8均采用氮化硅薄膜，金属栅线I 1和金属栅线II 9均采用主副栅配合的Ag栅线结构，遮盖面积为硅片表面积的3%。该结构双面进光特性均非常优异，即任何一面均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳太阳电池的短路电流。
该结构的两个表面的进光特性均十分优异，均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳太阳电池的短路电流。
实施例2。
如附图1所示的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构。n型晶体硅片6的双面均采用平均~1微米的金字塔结构绒面，重掺杂n型晶体硅场钝化层I 5的厚度为100nm，重掺杂n型晶体硅层II 7厚度为300nm，钝化减反射层I 4和钝化减反射层II 8均采用氧化硅（10nm）/氮化硅（80nm）复合薄膜，金属栅线I 1和金属栅线II 9均采用主副栅配合的Ag栅线结构，遮盖面积为硅片表面积的3%。该结构双面进光特性均非常优异，即任何一面均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳太阳电池的短路电流。
该结构的两个表面的进光特性均十分优异，均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳太阳电池的短路电流。
实施例3。
如附图1所示的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构。n型晶体硅片6的双面均采用平均~1微米的金字塔结构绒面，但在金属栅线遮盖的区域采用化学抛光结构。重掺杂n型晶体硅场钝化层I 5的厚度为50nm，重掺杂n型晶体硅层II 7厚度为150nm，钝化减反射层I 4和钝化减反射层II 8均采用氧化铝（20nm）/氮化硅（80nm）复合薄膜，金属栅线I 1和金属栅线II 9均采用主副栅配合的Ag栅线结构，遮盖面积为硅片表面积的1.5%。该结构双面进光特性均非常优异，即任何一面均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳太阳电池的短路电流。
该结构的两个表面的进光特性均十分优异，均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳太阳电池的短路电流。
实施例4。
如附图1所示的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构。n型晶体硅片6的双面均采用平均~2微米的金字塔结构绒面，重掺杂n型晶体硅场钝化层I 5的厚度为10nm，重掺杂n型晶体硅层II 7厚度为200nm，钝化减反射层I 4和钝化减反射层II 8均采用氮化硅薄膜，金属栅线I 1和金属栅线II 9均采用主副栅配合的Ag栅线结构，遮盖面积为硅片表面积的3%。在金属栅线I1与重掺杂p型非晶硅层2之间有一层10nm的ITO。该结构双面进光特性均非常优异，即任何一面均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳太阳电池的短路电流。
该结构的两个表面的进光特性均十分优异，均可作为主进光面。如作为单面进光太阳电池使用，则可在背光面镀一层金属作为反光层，增加作为单面进光太阳太阳电池的短路电流。

Claims (9)

1.一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，其特征是以n型晶体硅片（6）作为基底，其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：发射极-导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层（3）、重掺杂p型非晶硅层（2）、金属栅线I（1）构成，钝化-进光区域由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I（5）、钝化减反射层I（4）构成，这两个区域交叉分布且不重叠；
其背电场面分为钝化-进光区域和背电场-导电区域：钝化-进光区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II（7）、钝化减反射层II（8）；背电场-导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II（7）、金属栅线II（9），这两个区域交叉分布且不重叠。
2.根据权利要求1所述的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的发射极面的金属栅线I（1）与重掺杂p型非晶硅层（2）之间插入一过渡TCO层。
3.根据权利要求1所述的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的钝化减反射层I（4）、钝化减反射层II（8）为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的发射极与重掺杂n型晶体硅场钝化层I（5）之间进行绝缘处理。
5.根据权利要求1所述的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的重掺杂n型晶体硅场钝化层I（5）的厚度为1-300nm。
6.根据权利要求1所述的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的n型晶体硅片（6）为双面制绒。
7.根据权利要求1所述的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的n型晶体硅片（6）一面采用小尺寸金字塔结构的绒面，另外一面采用大尺寸金字塔绒面或者无金字塔的抛光结构。
8.根据权利要求1所述的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的金属栅线I、金属栅线II区域为抛光或做大尺寸金字塔的绒面。
9.根据权利要求1所述的一种HAC-D晶体硅双面太阳电池结构，其特征是所述的金属栅线I、金属栅线II总覆盖面积比例为1~3%。
CN201810198877.4A 2018-03-12 2018-03-12 一种hac-d晶体硅双面太阳电池结构 Pending CN108336155A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810198877.4A CN108336155A (zh) 2018-03-12 2018-03-12 一种hac-d晶体硅双面太阳电池结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810198877.4A CN108336155A (zh) 2018-03-12 2018-03-12 一种hac-d晶体硅双面太阳电池结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108336155A true CN108336155A (zh) 2018-07-27

Family

ID=62929094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810198877.4A Pending CN108336155A (zh) 2018-03-12 2018-03-12 一种hac-d晶体硅双面太阳电池结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108336155A (zh)

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110060374A (ko) * 2009-11-30 2011-06-08 주식회사 테스 선택적 에미터를 포함하는 태양 전지 제조 방법
CN102169923A (zh) * 2011-03-05 2011-08-31 常州天合光能有限公司 钝化n型硅太阳能电池的p型掺杂层的方法及电池结构
CN102437243A (zh) * 2011-12-08 2012-05-02 常州天合光能有限公司 异质浮动结背钝化的hit太阳能电池结构及其制备工艺
US20120153416A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element
CN102522445A (zh) * 2011-12-08 2012-06-27 常州天合光能有限公司 基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构及其制备工艺
CN203071081U (zh) * 2012-11-28 2013-07-17 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种花片太阳能电池
CN104412394A (zh) * 2012-06-29 2015-03-11 洛桑联邦理工学院 太阳能电池
CN105322043A (zh) * 2015-11-16 2016-02-10 南昌大学 一种可双面进光的晶硅太阳电池及其制备方法
CN205177859U (zh) * 2015-12-04 2016-04-20 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 一种晶硅太阳能电池
CN105826411A (zh) * 2016-05-17 2016-08-03 常州天合光能有限公司 单晶硅双面太阳电池及其制备方法
CN105826405A (zh) * 2016-05-17 2016-08-03 常州天合光能有限公司 一种单晶硅双面太阳电池及其制备方法
CN106252430A (zh) * 2016-09-14 2016-12-21 南昌大学 一种晶体硅异质结太阳电池
CN206271715U (zh) * 2016-09-14 2017-06-20 南昌大学 一种晶体硅异质结太阳电池

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110060374A (ko) * 2009-11-30 2011-06-08 주식회사 테스 선택적 에미터를 포함하는 태양 전지 제조 방법
US20120153416A1 (en) * 2010-12-17 2012-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion element
CN102169923A (zh) * 2011-03-05 2011-08-31 常州天合光能有限公司 钝化n型硅太阳能电池的p型掺杂层的方法及电池结构
CN102437243A (zh) * 2011-12-08 2012-05-02 常州天合光能有限公司 异质浮动结背钝化的hit太阳能电池结构及其制备工艺
CN102522445A (zh) * 2011-12-08 2012-06-27 常州天合光能有限公司 基于异质结的浮动结太阳能电池背钝化结构及其制备工艺
CN104412394A (zh) * 2012-06-29 2015-03-11 洛桑联邦理工学院 太阳能电池
CN203071081U (zh) * 2012-11-28 2013-07-17 山东力诺太阳能电力股份有限公司 一种花片太阳能电池
CN105322043A (zh) * 2015-11-16 2016-02-10 南昌大学 一种可双面进光的晶硅太阳电池及其制备方法
CN205177859U (zh) * 2015-12-04 2016-04-20 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 一种晶硅太阳能电池
CN105826411A (zh) * 2016-05-17 2016-08-03 常州天合光能有限公司 单晶硅双面太阳电池及其制备方法
CN105826405A (zh) * 2016-05-17 2016-08-03 常州天合光能有限公司 一种单晶硅双面太阳电池及其制备方法
CN106252430A (zh) * 2016-09-14 2016-12-21 南昌大学 一种晶体硅异质结太阳电池
CN206271715U (zh) * 2016-09-14 2017-06-20 南昌大学 一种晶体硅异质结太阳电池

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
黄其励，谢和平: "《中国可再生能源发展现状与展望 中国工程院"可再生能源发展"工程科技论坛论》", 30 June 2003 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203760486U (zh) 一种p型晶体硅电池
CN206907779U (zh) n型晶体硅双面太阳电池
CN107104165A (zh) 一种基于石墨烯硅倒金字塔阵列肖特基光伏电池制造方法
CN106449845B (zh) 一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池
CN209029399U (zh) 太阳能电池
CN208315555U (zh) 一种异质结晶体硅双面太阳电池结构
CN108461570A (zh) 一种晶体硅双面太阳电池结构
CN108336164A (zh) 一种局域非晶硅/晶体硅异质结双面太阳电池结构
CN209592056U (zh) 一种具有透明导电层的单多晶p型双面perc电池
CN102201480A (zh) 基于n型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池
CN208315557U (zh) 一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构
CN209981254U (zh) 一种晶体硅双面太阳电池结构
CN208315578U (zh) 一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构
CN106876513B (zh) 一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池
CN108336178A (zh) 一种晶硅异质结双面太阳电池结构
CN217239477U (zh) 一种新型太阳能电池及其栅线结构
CN108336157A (zh) 一种局域非晶硅发射极晶体硅背场的双面太阳电池结构
CN206271724U (zh) 一种基于Si/TiOx异质结的双面晶体硅太阳电池
CN208315579U (zh) 一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构
CN108461553A (zh) 一种具有局域非晶硅/晶体硅异质结特性的双面太阳电池结构
CN101866969B (zh) 太阳电池
CN108336155A (zh) 一种hac-d晶体硅双面太阳电池结构
CN108447935A (zh) 一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构
CN108461569B (zh) 一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构
CN103606584A (zh) 一种由非晶硅/晶体硅/β-FeSi2组成的异质结太阳电池

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20180727