JPS6293983A - 光起電力装置 - Google Patents
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- JPS6293983A JPS6293983A JP60233970A JP23397085A JPS6293983A JP S6293983 A JPS6293983 A JP S6293983A JP 60233970 A JP60233970 A JP 60233970A JP 23397085 A JP23397085 A JP 23397085A JP S6293983 A JPS6293983 A JP S6293983A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ｐｉｎ型の太陽電池等の光起電力装置に関
する。
する。
一般（こ、光起電力装置である太陽電池を溝成する半導
体材料には、光電変換効率が高く、安価であるという利
点から、アモルファスシリコンが主として用いられてい
る。
体材料には、光電変換効率が高く、安価であるという利
点から、アモルファスシリコンが主として用いられてい
る。
ところが、アモルファスシリコンを用いることにより、
変換効率の高い太陽電池を安価に形成できる反面、アモ
ルファスシリコン太陽電池が信頼性にやや欠けるという
問題も残されており、その要因トして、アモルファスシ
リコンの光劣化の機構の解明および防止対策が不十分で
あることが挙げられており、従来光劣化の改善の手法と
して、ｐｉｎ層のうち、ｉ層への窒素〔Ｎ〕、酸素〔０
〕、ボロン（Ｂ） 、 ＩＩン〔Ｐ〕などの不純物の混
入を防ぐことや、逆に１層にＢ、０．Ｎなどの不純物を
ドープすることなどが行なわれているが、前者の場合、
量産性に欠け、後者の場合、太陽電池の初期特性に悪ｉ
響を及ぼすなどの不都合があり、いずれも最良の手法と
は言えない。
変換効率の高い太陽電池を安価に形成できる反面、アモ
ルファスシリコン太陽電池が信頼性にやや欠けるという
問題も残されており、その要因トして、アモルファスシ
リコンの光劣化の機構の解明および防止対策が不十分で
あることが挙げられており、従来光劣化の改善の手法と
して、ｐｉｎ層のうち、ｉ層への窒素〔Ｎ〕、酸素〔０
〕、ボロン（Ｂ） 、 ＩＩン〔Ｐ〕などの不純物の混
入を防ぐことや、逆に１層にＢ、０．Ｎなどの不純物を
ドープすることなどが行なわれているが、前者の場合、
量産性に欠け、後者の場合、太陽電池の初期特性に悪ｉ
響を及ぼすなどの不都合があり、いずれも最良の手法と
は言えない。
一方、近年アモルファスシリコンの光劣化の機構の研究
も進み、たとえば昭和６０年春季第３２回応用物理学関
係連合講演予稿集頁４３５のｌ−２９ｐ−Ｕ−１アモル
ファスシリコン太ｉｉｍの劣化５ｙｔ−ｎ層の影響−」
に記載されているように、ｐｉｎ構造のアモルファスシ
リコン太陽電池の場合、ｎ層材料およびｎ層不純物であ
るリン〔Ｐ〕濃度により劣化が大きく異なり、ｎ層のＰ
濃度の低い方が光劣化が少なく、またアモルファスシリ
コンより微結晶シリコンをｎ層として用いた方が光劣化
が少な１くこれはｎ層からの１層中へのＰの拡散、もし
くはオートドーピングやｎ、ｉ、頂の界面準位が関係す
ることが報告されている。
も進み、たとえば昭和６０年春季第３２回応用物理学関
係連合講演予稿集頁４３５のｌ−２９ｐ−Ｕ−１アモル
ファスシリコン太ｉｉｍの劣化５ｙｔ−ｎ層の影響−」
に記載されているように、ｐｉｎ構造のアモルファスシ
リコン太陽電池の場合、ｎ層材料およびｎ層不純物であ
るリン〔Ｐ〕濃度により劣化が大きく異なり、ｎ層のＰ
濃度の低い方が光劣化が少なく、またアモルファスシリ
コンより微結晶シリコンをｎ層として用いた方が光劣化
が少な１くこれはｎ層からの１層中へのＰの拡散、もし
くはオートドーピングやｎ、ｉ、頂の界面準位が関係す
ることが報告されている。
そこで、ｎ層のＰ濃度をできるｔごけ低くして１層への
Ｐの拡散を抑えることも考えられるが、ｎ層のＰ濃度を
低くすると、ｎ層の電気抵抗が増大して導電率が低下し
、太陽電池の初期特性の低下を招くという問題点がある
。
Ｐの拡散を抑えることも考えられるが、ｎ層のＰ濃度を
低くすると、ｎ層の電気抵抗が増大して導電率が低下し
、太陽電池の初期特性の低下を招くという問題点がある
。
したがって、この発明は、光起電力装置の光劣化および
初期特性の低下を抑制することを技術的課題とする。
初期特性の低下を抑制することを技術的課題とする。
この発明は、前記の点に留意してなされたものであり、
透光性絶縁基板上に、透明導電膜、ｐ層。
透光性絶縁基板上に、透明導電膜、ｐ層。
ｉ層、ｎ層および裏面電極を順次積層して形成した光起
電力装置において、前記ｎ層の不純物濃度が前記ｉ層１
側で最も低く、前記裏面電極側で最も高いことを特徴と
する光起電力装置である。
電力装置において、前記ｎ層の不純物濃度が前記ｉ層１
側で最も低く、前記裏面電極側で最も高いことを特徴と
する光起電力装置である。
そしてこの発明では、ｎ層の不純物濃度が１．図画で最
も低く、ｎ層からｉ層への不純物の混入が抑制され、ｉ
層の膜質低下が抑えられて光劣化が大幅に抑制されると
ともに、ｎ層の不純物濃度が裏面電極側で最も高く、ｎ
層と裏面電極との接触部の電気抵抗が小さくなってオー
ミック接触となる。
も低く、ｎ層からｉ層への不純物の混入が抑制され、ｉ
層の膜質低下が抑えられて光劣化が大幅に抑制されると
ともに、ｎ層の不純物濃度が裏面電極側で最も高く、ｎ
層と裏面電極との接触部の電気抵抗が小さくなってオー
ミック接触となる。
つぎに、この発明を、太陽電池に適用した場合の実施例
を示す図面とともに詳細（こ説明する。
を示す図面とともに詳細（こ説明する。
まず、１実施例を示した第１図ないし第４図について説
明する。
明する。
第１図において、（１）は透光性絶縁基板としてのガラ
ス基板、（２）は基板（１）上に形成された酸化錫［，
５ｎＯｚ：］ 、 ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ ）等からなる透明導電膜、（３）〜（５）は
導電膜（２）上に順次積層されたアモルファスシリコン
からなるｐｍ、ｉ層鑓、ｎ層、（６）はｎ層（５）上に
形成されたＡｌ−Ｔｉ等からなる裏面電極である。
ス基板、（２）は基板（１）上に形成された酸化錫［，
５ｎＯｚ：］ 、 ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０
ｘｉｄｅ ）等からなる透明導電膜、（３）〜（５）は
導電膜（２）上に順次積層されたアモルファスシリコン
からなるｐｍ、ｉ層鑓、ｎ層、（６）はｎ層（５）上に
形成されたＡｌ−Ｔｉ等からなる裏面電極である。
このとき、ｎ層（５）を形成する際、たとえば不純１物
トしてのＰをドープするために、ホスフィン〔ＰＨ３〕
を反応室内に導入し、ｎＡの膜成長に連れてＰＨ３の濃
度を増大させ、第２図に示すように、１層６（５）のｉ
層（４）との界面を厚さ０とし、裏面電極との界面を厚
さをｄ＾としたときに、ｎ＠ｔ５１のＰ濃度がｉ層（４
）側で最も低く、ｎ層（５）の厚さが増す（こ連れて順
次Ｐ濃度が増大し、裏面電極（６）側で最も高くなるよ
うにし、ｎ層（５）をＰ濃度に勾配を有するいわゆるグ
レーデッド構造にしている。なお、ｎ層（５）の厚さｄ
は４ｏ＾≦ｄ≦８００＾ζこ設定されているものとする
。
トしてのＰをドープするために、ホスフィン〔ＰＨ３〕
を反応室内に導入し、ｎＡの膜成長に連れてＰＨ３の濃
度を増大させ、第２図に示すように、１層６（５）のｉ
層（４）との界面を厚さ０とし、裏面電極との界面を厚
さをｄ＾としたときに、ｎ＠ｔ５１のＰ濃度がｉ層（４
）側で最も低く、ｎ層（５）の厚さが増す（こ連れて順
次Ｐ濃度が増大し、裏面電極（６）側で最も高くなるよ
うにし、ｎ層（５）をＰ濃度に勾配を有するいわゆるグ
レーデッド構造にしている。なお、ｎ層（５）の厚さｄ
は４ｏ＾≦ｄ≦８００＾ζこ設定されているものとする
。
そして、このようにグレーデッド構造のｎ／１ｌｉｌ［
５）からなる太陽電池とグレーデッド構造でない不純物
濃度が均一なｎ層からなる従来の太陽電池との光劣化と
比較するために、一定照度の模擬太陽光を照射したとき
の光電変換効率η（％）全測定した結果第３図に示すよ
うになり、同図中の。印の各測定点を結んだ曲線で示す
従来の太陽電池に比べ、口部の各測定点を結んだ曲線で
示すグレーデッド構造のｎ層（５）からなる第１図の太
陽電池の方が、模擬太陽光の照射を開始してから後の光
電変換効率ηの低下の度合が小さく、第１図の太陽電池
の光劣化率が従来に比べ約２０％改善された。
５）からなる太陽電池とグレーデッド構造でない不純物
濃度が均一なｎ層からなる従来の太陽電池との光劣化と
比較するために、一定照度の模擬太陽光を照射したとき
の光電変換効率η（％）全測定した結果第３図に示すよ
うになり、同図中の。印の各測定点を結んだ曲線で示す
従来の太陽電池に比べ、口部の各測定点を結んだ曲線で
示すグレーデッド構造のｎ層（５）からなる第１図の太
陽電池の方が、模擬太陽光の照射を開始してから後の光
電変換効率ηの低下の度合が小さく、第１図の太陽電池
の光劣化率が従来に比べ約２０％改善された。
また、グレーデッド構造のｎ層（５）のＰａ度の最適値
を求めるために、第４図（ａ）に示すように、ｎ層（５
）のｉ層（４）との界面のＰ濃度をＮＡ（イ３）、裏面
電極（６）との界面のＰ濃度をＮ Ｂ （ｃ＋’）と表
わし、ｎ層（５）の厚さｄを４００内とし、ＮＢをそれ
ぞれ１×１♂０−９゜１×１♂’ｉ） 、 Ｉ Ｘ ｌ
♂２Ｊ３）とした状態でＮＡを変化させたときの１００
（ｍ Ｗ／ｃｉ）の模擬太陽光を１００時間照射した
後の光電変換効率η（＋）を測定した結果、同図（１〕
）に示すようになり、同図（ｂ）中において、△印の各
測定点を結ぶ１点鎖線、Ｘ印の各測定点を結ぶ破線、○
印の各測定点金納ぶ実線は、それぞれＮＢが１×１σ０
（１”） 、 Ｉ Ｘ １♂’（ａｍ３） ｅ Ｉ Ｘ
１♂２．、、；；３ ）の場合を示し、同図（ｂ）か
ら、５．Ｑ Ｘ ｌ Ｏ”＜ｑｎ ３） ”ＱＮＡ≦５
．ＯＸ１♂０（ａｍ ３） 、 ５．ＯＸ １０１９＝
３）≦ＮＢ≦１．ＯＸ １♂２．３ ）でかつＮＡ＜１
’ＪＢとなるように、ｎ層（５）を形成すればよい。
を求めるために、第４図（ａ）に示すように、ｎ層（５
）のｉ層（４）との界面のＰ濃度をＮＡ（イ３）、裏面
電極（６）との界面のＰ濃度をＮ Ｂ （ｃ＋’）と表
わし、ｎ層（５）の厚さｄを４００内とし、ＮＢをそれ
ぞれ１×１♂０−９゜１×１♂’ｉ） 、 Ｉ Ｘ ｌ
♂２Ｊ３）とした状態でＮＡを変化させたときの１００
（ｍ Ｗ／ｃｉ）の模擬太陽光を１００時間照射した
後の光電変換効率η（＋）を測定した結果、同図（１〕
）に示すようになり、同図（ｂ）中において、△印の各
測定点を結ぶ１点鎖線、Ｘ印の各測定点を結ぶ破線、○
印の各測定点金納ぶ実線は、それぞれＮＢが１×１σ０
（１”） 、 Ｉ Ｘ １♂’（ａｍ３） ｅ Ｉ Ｘ
１♂２．、、；；３ ）の場合を示し、同図（ｂ）か
ら、５．Ｑ Ｘ ｌ Ｏ”＜ｑｎ ３） ”ＱＮＡ≦５
．ＯＸ１♂０（ａｍ ３） 、 ５．ＯＸ １０１９＝
３）≦ＮＢ≦１．ＯＸ １♂２．３ ）でかつＮＡ＜１
’ＪＢとなるように、ｎ層（５）を形成すればよい。
ここで、ｎ層（５）の厚さａ（４は前記したように４０
＾≦ｄ≦８００八に設定されるものとする。
＾≦ｄ≦８００八に設定されるものとする。
つぎに、他の実施例を示す第５図以下の図面について説
明する。
明する。
第５図（こおいて、第１図と同一記号は同一のものを示
し、第１図と異なる点は、ｎ層（７）を第ｉｎ層（７ａ
）、第２ｎ層（７ｂ） 、１７） ２層構造とし、ｉ層
（４）側の第１ｎ層（７ａ）の不純物としてのＰ濃度を
低く。
し、第１図と異なる点は、ｎ層（７）を第ｉｎ層（７ａ
）、第２ｎ層（７ｂ） 、１７） ２層構造とし、ｉ層
（４）側の第１ｎ層（７ａ）の不純物としてのＰ濃度を
低く。
裏面電極（６）側の第２層（７ｂ）のＰ濃度を高くし、
ｎ層（７）のＰ濃度を階段状にした点である。
ｎ層（７）のＰ濃度を階段状にした点である。
そして、このように階段状のＰ濃度分布を有する２層構
造のｎ層からなる太陽電池と、Ｐ濃度が均一でかつ比較
的高い従来の太陽電池およびＰ濃度が均一でかつ比較的
低い太陽電池との光劣化を比較するために、前記した第
３図の場合と同様に、一定照度の模擬太陽光を照射した
ときの充電変換効率η（％）全測定した結果、第６図に
示すようになり、同図中のＯ印の各測定点を結んだ曲線
で示すＰ濃度が均一でかつ比較的高い従来の太陽電池に
比べ、０印の各測定点を結んだ曲線で示す第５図の太陽
ｒπ池の方が、模擬太陽光の照射を開始してから後の光
電変換効率ηの低下の度合が小さく、しかもＸ印の各測
定点金納んだ曲線で示す不純物濃度が均一でかつ比較的
低い従来の太陽で池よりも、光照射開始直後の初期特性
および所定時間経過後の特性ともに優れ、第１図の場合
と同様に、第５図の太陽電池の光劣化率が従来に比べ約
２０９・改善された。
造のｎ層からなる太陽電池と、Ｐ濃度が均一でかつ比較
的高い従来の太陽電池およびＰ濃度が均一でかつ比較的
低い太陽電池との光劣化を比較するために、前記した第
３図の場合と同様に、一定照度の模擬太陽光を照射した
ときの充電変換効率η（％）全測定した結果、第６図に
示すようになり、同図中のＯ印の各測定点を結んだ曲線
で示すＰ濃度が均一でかつ比較的高い従来の太陽電池に
比べ、０印の各測定点を結んだ曲線で示す第５図の太陽
ｒπ池の方が、模擬太陽光の照射を開始してから後の光
電変換効率ηの低下の度合が小さく、しかもＸ印の各測
定点金納んだ曲線で示す不純物濃度が均一でかつ比較的
低い従来の太陽で池よりも、光照射開始直後の初期特性
および所定時間経過後の特性ともに優れ、第１図の場合
と同様に、第５図の太陽電池の光劣化率が従来に比べ約
２０９・改善された。
また、階段状のＰ濃度分布のｎ層（７）の第１ ｎｊｉ
’１Ｊ（７ａ） 、第２ｎ層（７ｂ）それぞれのＰ濃度
の最適値を求めるために、第７図（ａ）（こ示すように
、第１ｎ層（７ａ）のＰ濃度をＮｔ（、ｙ）、第２ ｎ
層（７ｂ） 、７） Ｐ濃度金Ｎ２−）と表わし、第
１．第２ｎ層（７ａ）、（７ｂ） ｔＤ厚さｄｌ、ｄｚ
をともに２００ （Ａ）とし、Ｎ２全それぞれ１×１０
２０Ｊ３） 、 Ｉ Ｘ ｌ♂１グ３）、１×１♂２ｉ
３）とした状態でＮｉを変化させたときの１００１００
（σ）の模擬太陽光全１００時間照射した後の光電変換
効率η（％）を測定した結果、同図（ｂ）に示すよう（
こなり、同図（ｂ）中において、Δ印の各測定点を結ぶ
１点鎖線、Ｘ印の各測定点を結ぶ破線、Ｏ印の各測定点
を結ぶ実線は、それぞれＮ２がｌ Ｘ ｌ（１”（ｍ
３） 、 ｌ ｘ ｌ♂１ＧＪ”） 、 Ｉ Ｘ １♂
２−３）の場合を示し、同図（１））から、５．ＯＸ
１０％ ３）≦Ｎ１≦５、ＯＸ１♂０（ｃｍ ′３）
、 ５． Ｏｘ １０”Ｉｐ ３）≦Ｎ２≦１．ＯＸ１
♂２−３）テカツＮ１〈Ｎ２となるように、第１．第２
ｎ層（７ａ）。
’１Ｊ（７ａ） 、第２ｎ層（７ｂ）それぞれのＰ濃度
の最適値を求めるために、第７図（ａ）（こ示すように
、第１ｎ層（７ａ）のＰ濃度をＮｔ（、ｙ）、第２ ｎ
層（７ｂ） 、７） Ｐ濃度金Ｎ２−）と表わし、第
１．第２ｎ層（７ａ）、（７ｂ） ｔＤ厚さｄｌ、ｄｚ
をともに２００ （Ａ）とし、Ｎ２全それぞれ１×１０
２０Ｊ３） 、 Ｉ Ｘ ｌ♂１グ３）、１×１♂２ｉ
３）とした状態でＮｉを変化させたときの１００１００
（σ）の模擬太陽光全１００時間照射した後の光電変換
効率η（％）を測定した結果、同図（ｂ）に示すよう（
こなり、同図（ｂ）中において、Δ印の各測定点を結ぶ
１点鎖線、Ｘ印の各測定点を結ぶ破線、Ｏ印の各測定点
を結ぶ実線は、それぞれＮ２がｌ Ｘ ｌ（１”（ｍ
３） 、 ｌ ｘ ｌ♂１ＧＪ”） 、 Ｉ Ｘ １♂
２−３）の場合を示し、同図（１））から、５．ＯＸ
１０％ ３）≦Ｎ１≦５、ＯＸ１♂０（ｃｍ ′３）
、 ５． Ｏｘ １０”Ｉｐ ３）≦Ｎ２≦１．ＯＸ１
♂２−３）テカツＮ１〈Ｎ２となるように、第１．第２
ｎ層（７ａ）。
（７ｂ）を形成すればよい。
ここで、第１．第２ｎ層（７ａ）、（７ｂ） ＋７）厚
さｄｓ 、ｄｚハソレぞれ、４０ （４≦ａｔ ≦４０
０＾、 ４０ （Ｎ≦ｄｚ３４００（Ｎに設定されるも
のとする。
さｄｓ 、ｄｚハソレぞれ、４０ （４≦ａｔ ≦４０
０＾、 ４０ （Ｎ≦ｄｚ３４００（Ｎに設定されるも
のとする。
したがって、第１図に示すグレーデッド構造のｎ、習ｆ
５］からなる太陽電池、および第５図に示す階段状のＰ
濃度を有する２層構造のｎ層（７）からなる太陽電池の
いずれの場合も、ｎ層＋５＋ 、 （７１のＰ濃度がｉ
層（４）側で最も低いため、ｎ層＋ｕ ｙ （７１から
ｉｍ（４）への不純物であるＰの混入が抑制されてｉ層
（４）の膜質低下が抑えられ、太陽電池の光劣化を大幅
に抑制することができるとともに、９層＋５１ 、 （
７）のＰ濃度が裏面電極（６）側で最も高いため、ｎ層
（５）。
５］からなる太陽電池、および第５図に示す階段状のＰ
濃度を有する２層構造のｎ層（７）からなる太陽電池の
いずれの場合も、ｎ層＋５＋ 、 （７１のＰ濃度がｉ
層（４）側で最も低いため、ｎ層＋ｕ ｙ （７１から
ｉｍ（４）への不純物であるＰの混入が抑制されてｉ層
（４）の膜質低下が抑えられ、太陽電池の光劣化を大幅
に抑制することができるとともに、９層＋５１ 、 （
７）のＰ濃度が裏面電極（６）側で最も高いため、ｎ層
（５）。
（７）と裏面電極１Ｇ）との接触部のフ気抵抗が小さく
なってオーミック接触となり、良好な初期特性を得るこ
とができる。
なってオーミック接触となり、良好な初期特性を得るこ
とができる。
ｆｔ オ、第５図の第１．第２ ｎ ｍ （７ａ）、（
７ｂ） ｔ、それぞれ不純物濃度の低いアモルファスシ
リコン等のアモルファス半導体および不純物濃度の高い
微結晶シリコン等の微結晶半導体（こより形成してもよ
く、この場合、微結晶半導体の第２ｎ層（７１））の形
成時ｆこ受けるｉ層のダメージが大幅に緩和され、従来
に比べ太陽電池の初期特性、光劣化率ともに改善される
。
７ｂ） ｔ、それぞれ不純物濃度の低いアモルファスシ
リコン等のアモルファス半導体および不純物濃度の高い
微結晶シリコン等の微結晶半導体（こより形成してもよ
く、この場合、微結晶半導体の第２ｎ層（７１））の形
成時ｆこ受けるｉ層のダメージが大幅に緩和され、従来
に比べ太陽電池の初期特性、光劣化率ともに改善される
。
また、前記両実施例では、太陽電池（こ適用した場合に
ついて説明したが、太陽電池以外の発起力装置ｌど適用
できるのは勿論である。
ついて説明したが、太陽電池以外の発起力装置ｌど適用
できるのは勿論である。
さらに、多重ｐｉｎ構造のいわゆるタンデム型の太陽電
池等ｌこ適用してもよいのは言うまでもない。
池等ｌこ適用してもよいのは言うまでもない。
以上のように、この発明の光起電力装置によると、１層
＋５１ 、 ＋７１の不純物濃度をｉ層（４）側で最も
低く、裏面電極（６）側で最も高くしたため、装置の光
劣化および初期特性の低下を抑制することができ、特性
の優れた光起電力装置を提供することができる。
＋５１ 、 ＋７１の不純物濃度をｉ層（４）側で最も
低く、裏面電極（６）側で最も高くしたため、装置の光
劣化および初期特性の低下を抑制することができ、特性
の優れた光起電力装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の光起電力装置の実施例を示し、第１図
ないし第４図は１実施例を示し、第１図は断面図、第２
図はｎ層の厚さとＰ ［ＩＩン〕濃度との関係図、第３
図は光照射時間と光電変換効率との関係図、第４図（ａ
） 、 （ｂ）はそれぞれｎ層のＰ濃度分布の模式図お
よびｎ層の１層界面のＰ濃度と光電変換効率との関係図
、第５図ないし第７図は他の実施例を示し、第５図は断
面図、第６図は光照射時間と光電変換効率との関係図、
第７図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ第１ｎ層のｐＨ度
と光電変換効率との関係図である。 （１） ガラス基板、（２）・透明導電膜、＋３１・
ｐ層、（１）・・ｉ層、ｆ５ｉ 、 （７）・・・ｎ層
、（６）・・裏面電極、（７ａ） 。 （７ｂ）・第１．第２ｎ層。
ないし第４図は１実施例を示し、第１図は断面図、第２
図はｎ層の厚さとＰ ［ＩＩン〕濃度との関係図、第３
図は光照射時間と光電変換効率との関係図、第４図（ａ
） 、 （ｂ）はそれぞれｎ層のＰ濃度分布の模式図お
よびｎ層の１層界面のＰ濃度と光電変換効率との関係図
、第５図ないし第７図は他の実施例を示し、第５図は断
面図、第６図は光照射時間と光電変換効率との関係図、
第７図（ａ） 、 （ｂ）はそれぞれ第１ｎ層のｐＨ度
と光電変換効率との関係図である。 （１） ガラス基板、（２）・透明導電膜、＋３１・
ｐ層、（１）・・ｉ層、ｆ５ｉ 、 （７）・・・ｎ層
、（６）・・裏面電極、（７ａ） 。 （７ｂ）・第１．第２ｎ層。
Claims (1)
- （１）透光性絶縁基板上に、透明導電膜、ｐ層、層、ｎ
層および裏面電極を順次積層して形成した光起電力装置
において、前記ｎ層の不純物濃度が前記ｉ層側で最も低
く、前記裏面電極側で最も高いことを特徴とする光起電
力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60233970A JPS6293983A (ja) | 1985-10-19 | 1985-10-19 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60233970A JPS6293983A (ja) | 1985-10-19 | 1985-10-19 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293983A true JPS6293983A (ja) | 1987-04-30 |
Family
ID=16963489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60233970A Pending JPS6293983A (ja) | 1985-10-19 | 1985-10-19 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6293983A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01164072A (ja) * | 1987-12-19 | 1989-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| US5769963A (en) * | 1995-08-31 | 1998-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device |
| JP2008182226A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-08-07 | General Electric Co <Ge> | 多層膜−ナノワイヤ複合体、両面及びタンデム太陽電池 |
| CN102447000A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-09 | 杭州赛昂电力有限公司 | 薄膜太阳能电池及其形成方法 |
| JP2013149951A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-08-01 | Panasonic Corp | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162275A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Manufacture of solar battery |
| JPS56150876A (en) * | 1980-04-24 | 1981-11-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Photovoltaic device |
-
1985
- 1985-10-19 JP JP60233970A patent/JPS6293983A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55162275A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Manufacture of solar battery |
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| CN102447000A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-09 | 杭州赛昂电力有限公司 | 薄膜太阳能电池及其形成方法 |
| JP2013149951A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-08-01 | Panasonic Corp | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
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