JP2009051005A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 単結晶半導体よりなる半導体基板と、
   前記半導体基板の第１面側に設けられたＭＥＭＳ構造体と、
   前記半導体基板の第１面側に設けられた半導体素子と、
   を有し、
   前記ＭＥＭＳ構造体は、前記半導体基板の第１面上に絶縁膜を介して形成されている第１電極、前記第１電極と空間を隔てて対向しかつ変形可能に形成されている第２電極を含み、
   前記半導体素子は、前記半導体基板の第1面上に形成されている素子絶縁膜、前記素子絶縁膜上に形成されている素子電極を含み、
   前記第１電極は、前記半導体基板を構成する基本素材と同じ基本素材で構成された多結晶半導体よりなり、
   前記半導体基板の第1面の法線方向において、前記第１電極と前記第２電極とが対向している空間の寸法は前記素子絶縁膜の厚み寸法よりも大きいことを特徴とするＭＥＭＳ・半導体複合素子。
2. 前記第１電極の不純物の濃度は、前記素子絶縁膜の不純物の濃度よりも大きいことを特徴する請求項１に記載のＭＥＭＳ・半導体複合素子。
3. 前記第１電極の不純物はｎ型ドーパントであることを特徴する請求項２に記載のＭＥＭＳ・半導体複合素子。