JP3603347B2 - 半導体センサの製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体センサの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体加速度センサの小型化、低価格化の要望が高まっている。このため、特表平4−504003号公報にてポシシリコンを電極として用いた差動容量式半導体加速度センサが示されている。この種のセンサを図20,21を用いて説明する。図20にセンサの平面を示すとともに、図21に図20のC−C断面を示す。
【0003】
シリコン基板50の上面にはポリシリコンよりなる梁構造体66が配置されている。この梁構造体66はアンカー部52,53,54,55と、そのアンカー部52,53,54,55にて支えられた可動部(センサ本体)51とから構成されている。可動部51は、梁部56,57と質量部58と可動電極部59とからなる。アンカー部52,53,54,55から梁部56,57が延設され、この梁部56,57に質量部58が支持されている。この質量部58の一部に可動電極部59が形成されている。一方、シリコン基板50上には、1つの可動電極部59に対し固定電極60が2つ対向するように配置されている。そして、シリコン基板50の表面に平行な方向(図20にGに示す)に加速度が加わった場合、可動電極部59と固定電極60との間の静電容量において片側の静電容量が増え、もう一方は減る構造となっている。
【0004】
このセンサの製造は、図22に示すように、シリコン基板50の上にシリコン酸化膜等の犠牲層61を形成するとともに犠牲層61におけるアンカー部となる箇所に開口部62を形成する。その後、図23に示すように、犠牲層61の上に梁構造体となるポリシリコン膜を堆積し、所望のパターン形状にする(梁構造体形成部材67を配置する)。そして、図24に示すように、エッチング液にてアンカー部を除く梁構造体形成部材67の下の犠牲層61を除去して梁構造体66(可動部51)を形成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、梁構造体形成部材67の下の犠牲層61をエッチングして梁構造体66(可動部51)を形成する工程において可動部51が破損したり可動部51が基板50に固着されてしまうおそれがあった。つまり、図25に示すように、シリコン基板50をエッチング液63に浸し、犠牲層61のエッチングを行った後に、図26に示すように、シリコン基板50を純水64に浸し、シリコン基板50の表面に付いているエッチング液63と純水64とを置換する。さらに、シリコン基板50を純水64の中から取り出し、乾燥する。このとき、図27に示すように、シリコン基板50と可動部51との間に純水65が残り、この純水65の表面張力により可動部51がシリコン基板50の表面に引っ張られる。その結果、図28に示すように、可動部51がシリコン基板50の表面に固着されたり、あるいは、可動部51が破損してしまう(折れてしまう)。又、図25,26に示すように、シリコン基板50をエッチング液63や純水64から出し入れする際に、可動部51には液流や液圧が加わり、可動部51の破損を招いてしまうおそれがある。
【0006】
そこで、この発明の目的は、犠牲層を除去することによりセンサ本体を形成する際においてセンサ本体の破損や基板への固着を防止することができる半導体センサの製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、半導体基板上においてセンサ本体がアンカー部により空間を隔てて支えられた構造をなす半導体センサの製造方法であって、前記半導体基板上に犠牲層としてのシリコン酸化膜を形成するとともに犠牲層上のセンサ本体形成領域にセンサ本体形成部材を配置する工程と、ふっ化水素ガスとH 2 Oガスとからなる反応性ガスをキャリアガスとしての窒素ガス若しくは希ガスにて搬送しつつ、ドライプロセスのみで前記アンカー部を除く前記センサ本体形成部材の下の犠牲層をエッチングして前記センサ本体を形成する工程とを備えた半導体センサの製造方法をその要旨とする。
【0011】
【作用】
請求項1に記載の発明によれば、半導体基板上に犠牲層としてのシリコン酸化膜が形成されるとともに犠牲層上のセンサ本体形成領域にセンサ本体形成部材が配置される。そして、ドライプロセスのみでアンカー部を除くセンサ本体形成部材の下の犠牲層がエッチングされてセンサ本体が形成される。このように、犠牲層エッチング工程において、ウェットプロセスを用いず、ドライプロセスのみで行う。そのため、センサ本体と基板との間に液が侵入してセンサ本体が基板に固着したり、センサ本体に液流や液圧が加わることが無く、センサ本体が保護される。
【0012】
さらに、ふっ化水素ガスとH2Oガスとからなる反応性ガスをキャリアガスとしての窒素ガス若しくは希ガスにて搬送しつつ犠牲層が気相エッチングされる。この際、キャリアガスによりエッチングの際に発生した反応生成物が速やかに除去される。
【0015】
【実施例】
以下、この発明をMISFET型半導体加速度センサに具体化した実施例を図面に従って説明する。
【0016】
図1は、本実施例の半導体加速度センサの平面図を示す。又、図2には図1のA−A断面を示し、図3には図1のB−B断面を示す。
図2に示すように、P型シリコン基板1の主表面上には絶縁膜2が形成され、絶縁膜2は、SiO2 ,Si3 N4 等よりなる。又、P型シリコン基板1上には、絶縁膜2の無い長方形状の領域、即ち、空隙部3が形成されている(図1参照)。絶縁膜2の上には、空隙部3を架設するように両持ち梁構造の可動電極(ゲート電極)4が配置されている。つまり、センサ本体としての可動電極4がアンカー部71a,71bにより空間を隔てて支えられた構造をなしている。この可動電極4は帯状にて直線的に延びるポリシリコンよりなり、P型シリコン基板1の上方に所定間隔を隔てて配置されている。又、絶縁膜2によりP型シリコン基板1と可動電極4とが絶縁されている。
【0017】
尚、可動電極4の下部における空隙部3は、絶縁膜2の一部が犠牲層としてエッチングされることにより形成されるものである。この犠牲層エッチングの際には、可動電極4がエッチングされず、犠牲層である絶縁膜2がエッチングされる材料が選択される。例えば、絶縁膜2としてSiO2 膜を用い、HFガスとH2 Oガスとをエッチャントとして使用することができる。
【0018】
又、絶縁膜2上には層間絶縁膜5が配置され、その上にはコンタクトホール7を介して可動電極4と電気的接続するためのアルミ配線6が配置されている。
図3においてP型シリコン基板1上における可動電極4の両側には不純物拡散層からなる固定電極(ソース・ドレイン部)8,9が形成され、この固定電極8,9はP型シリコン基板1にイオン注入等によりN型不純物を導入することによって形成されたものである。
【0019】
尚、可動電極(両持ち梁)4はポリシリコンの他にも、タングステン等の耐熱金属を用いてもよい。
又、図1に示すように、P型シリコン基板1には不純物拡散層からなる配線10,11が形成され、配線10,11はP型シリコン基板1にイオン注入等によりN型不純物を導入することによって形成されたものである。そして、固定電極8と配線10、固定電極9と配線11とはそれぞれと電気的に接続されている。さらに、配線10はコンタクトホール12を介してアルミ配線13と電気的に接続されている。又、配線11はコンタクトホール14を介してアルミ配線15と電気的に接続されている。そして、アルミ配線13,15及び6は処理回路(周辺回路)と接続されている。
【0020】
又、図3に示すように、P型シリコン基板1における固定電極8,9間には、反転層16が形成され、同反転層16はシリコン基板1と可動電極(両持ち梁)4との間に電圧を印加することにより生じたものである。
【0021】
この半導体加速度センサの作動を図3を用いて説明する。
可動電極4とシリコン基板1との間に電圧をかけると、反転層16が形成され、固定電極8,9間に電流が流れる。そして、本半導体加速度センサが加速度を受けて、図中に示すZ方向(基板1の表面に垂直な方向)に可動電極4が変位した場合には電界強度の変化によって、反転層16のキャリア濃度が増大して電流が増大する。このように本半導体加速度センサは電流量の増減で加速度を検出することができる。
【0022】
次に、このように構成した半導体加速度センサの製造工程を図4〜図16を用いて説明する。ここで、図面の左側にセンサ、右側には処理回路に必要なMOSFETの工程を示す。
【0023】
図4に示すように、ウェハ状態のP型シリコン基板17を用意し、フォトリソ工程を経て、イオン注入等によりセンサやトランジスタのソース・ドレインの配線部分となるN型拡散層18,19,20,21を形成する。
【0024】
そして、図5に示すように、その一部が犠牲層となる絶縁膜22をセンサ作製部に形成する。尚、このとき、基板全体に絶縁膜22を成膜し後からトランジスタ作製部上の絶縁膜を除去してもよい。
【0025】
さらに、図6に示すように、ゲート酸化によりトランジスタ作製部分上にゲート酸化膜23を形成する。そして、図7に示すように、ポリシリコン膜を成膜し、フォトリソ工程を経てドライエッチング等でセンサの可動電極形成部材24及びトランジスタのゲート電極25をパターニングする。つまり、絶縁膜22の上の可動電極形成領域に可動電極形成部材24(センサ本体形成部材)を配置する。尚、この際、可動電極形成部材24とトランジスタのゲート電極25のポリシリコンは別々に形成してもよい。
【0026】
引き続き、図8に示すように、N型拡散層からなるセンサの固定電極を形成するために、フォトリソ工程を経て絶縁膜22における可動電極形成部材24の両側に開口部26,27を形成する。又、トランジスタのソース・ドレインを形成するために、フォトリソ工程を経てレジスト28により開口部29,30を形成する。
【0027】
さらに、絶縁膜22の開口部26,27、レジスト28の開口部29,30から可動電極形成部材24、ゲート電極25に対して自己整合的にイオン注入等によって不純物を導入して、図9に示すように、N型拡散層からなるセンサの固定電極31,32、トランジスタのソース・ドレイン領域33,34を形成する。
【0028】
次に、図10に示すように、可動電極形成部材24とアルミ配線、およびゲート電極25とアルミ配線を電気的に絶縁するための層間絶縁膜35を成膜する。そして、図11に示すように、配線用拡散層18,19,20,21とアルミ配線を電気的に接続するためのコンタクトホール36,37,38,39をフォトリソ工程を経て形成する。
【0029】
ここで、絶縁膜22と層間絶縁膜35にはシリコン酸化膜(SiO2 膜)が用いられる。
さらに、図12に示すように、電極材料であるアルミニウムを成膜して、フォトリソ工程を経てアルミ配線40,41,42,43等を形成する。
【0030】
そして、図13に示すように、レジスト47を用いて層間絶縁膜35の一部と絶縁膜22の一部である犠牲層を気相エッチングし、梁構造を有する可動電極4とする。つまり、アンカー部を除く可動電極形成部材24の下の絶縁膜22、および可動電極形成部材24の両側の層間絶縁膜35をエッチングして可動電極4を形成する。ここで、図14に示す装置を用いて犠牲層のエッチングを行う。図14において、チャンバ(リアクタ)44内にはシリコン基板17がセットされている。そして、チャンバ44内が常圧となった状態でチャンバ44内にふっ化水素ガス(HFガス)とH2 Oガスとからなる反応性ガスを導入しつつ犠牲層エッチングが行われる。このふっ化水素ガス(HF)とH2 Oガスとからなる反応性ガスがシリコン酸化膜(22,35)と反応してH2 O,SiF4 等が生成する(図13参照)。このとき、大量の窒素ガス(N2 ガス)がキャリアガスとして導入され、この窒素ガスの排気の際に反応生成物も同時に搬送除去される。
【0031】
このように、犠牲層エッチングをドライプロセスにより行い、ウェットプロセスを用いないため、ウェットプロセスで犠牲層エッチングを行った際のリンス工程等で液流や液圧が可動電極4に加わって破損したり基板17の表面に固着するのが回避できる。又、このドライプロセスによる犠牲層エッチングにおいて、HFガスとH2 Oガス以外に大量のN2 ガスを同時に流すことで、エッチングの際に発生した生成物(例えばH2 O、SiF4 等)を速やかに除去し、可動電極4とシリコン基板17の間のエッチング残渣を無くすことができる。
【0032】
尚、キャリアガスとして窒素ガス以外にもヘリウム,ネオン,アルゴン,キセノン等の希ガスを用いてもよい。
次に、図15に示すように、ナフタレン(C10H8 )を融点である81℃以上に加熱し、この流動化したナフタレン45を可動電極4とシリコン基板17の間を含むシリコン基板17上に配置する。ナフタレン45は、昇華性を有する物質であり、可動電極4を固定し実装後除去する場合にセンサチップを汚染させずエレメントにダメージを与えないものである。
【0033】
その後、雰囲気温度を常温まで戻すことによりナフタレン45を固定させる。この状態においては、可動電極4がシリコン基板17に対し固定化される。
この状態でウェハ状態のP型シリコン基板17を各チップにダイシングし、チップをマウントし、さらに、その後にワイヤーボンディングを行う。この実装時のダイシングカットでの水流や水圧が可動電極4に加わるが、可動電極4がナフタレン45により動かないように固定されているので可動電極4の破損が回避される。又、実装時においてチップのマウントの際のハンドリング時に可動電極4がナフタレン45により動かないように固定されているので可動電極4の破損が回避される。さらに、実装時のワイヤーボンディングの際には、可動電極4に振動が加わるが、可動電極4がナフタレン45により動かないように固定されているので可動電極4の破損が回避される。
【0034】
その後、図16に示すように、ナフタレン45を真空中にて加熱して完全に昇華させ除去する。この際、加熱することによりナフタレン45の蒸気圧が高くなるため完全に昇華するまでの時間を短縮することができる。
【0035】
このようにして、MISFET型半導体加速度センサの製作工程が終了する。
このようにして本実施例では、P型シリコン基板17(半導体基板)上に犠牲層(22)を形成するとともに犠牲層(22)上の可動電極形成領域(センサ本体形成領域)に可動電極形成部材24(センサ本体形成部材)を配置し、ドライプロセスのみでアンカー部を除く可動電極形成部材24の下の犠牲層(22)をエッチングして可動部4(センサ本体)を形成した。その結果、犠牲層エッチング時にウェットプロセスを用いていないため、ウェットプロセスで犠牲層エッチングを行った際において可動電極4とシリコン基板17との間に液が侵入して可動電極4がシリコン基板17に固着したり可動電極4に液流や液圧が加わって破損したりすることが無く可動電極4が保護される。
【0036】
又、このドライプロセスによる犠牲層エッチングにおいて犠牲層としてシリコン酸化膜を用い、ふっ化水素ガスとH2 Oガスとからなる反応性ガスをキャリアガスにて搬送しつつ犠牲層を気相エッチングするようにした。よって、キャリアガスによりエッチングの際に発生した反応生成物(例えばH2 O、SiF4 等)を速やかに除去し、可動電極4とシリコン基板17の間のエッチング残渣を無くすことができる。
【0037】
このようにして、可動電極4の破壊や固着が回避され、またエッチングの際の反応生成物を速やかに除去し残渣を無くすことができるので、歩留まりを向上させることができる。つまり、半導体加速度センサエレメントは一般的に感度を高めるために梁のバネ定数を下げているために、外力に対して非常に弱く、特に犠牲層エッチング時の液流や液圧等で破壊したり固着してしまう確率が高く歩留まりが大変に低いが、可動電極4が液(液流や液圧)にさらされることが無いため、可動電極4の破壊や基板表面への固着を阻止して歩留まりを向上させることができる。
【0038】
又、犠牲層エッチングにおいて、ドライプロセスでエッチングを行うにあたり、HF系のガスを用いており、これはICプロセスに完全に整合する。
次に、上記実施例の参考例を、実施例との相違点を中心に説明する。
【0039】
本参考例は、前記実施例におけるドライプロセスによる犠牲層エッチングの方法が異なっている。
本参考例では、図17に示すように、バキュームポンプ46によりチャンバ44内を減圧した状態でHFガスとH2Oガスとからなる反応性ガス雰囲気中で犠牲層エッチングを行っている。このように減圧下にすることにより、反応生成物(例えばH2O、SiF4等)が蒸発しやすくなる。さらに、真空引きを行うことによりエッチング時に発生した反応生成物を除去(排出)するようにしている。この反応生成物の除去を行うには2通りの方法があり、真空引きを行いながらHFとH2Oのガスによるエッチングを行う方法と、エッチング中には真空引きを行わず、エッチング終了後に真空引きを行う方法とがある。いずれの場合においても、エッチングの際に発生した反応生成物を速やかに除去し、可動電極4とシリコン基板17の間のエッチング残渣を無くすことができる。
【0040】
尚、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、例えば、上記実施例ではMISFET型半導体加速度センサに適用したが、その他にも静電容量型半導体加速度センサに適用してもよい。
【0041】
又、半導体加速度センサの他にも、ヨーレートを検出する半導体ヨーレートセンサや振動を検出する半導体振動センサに具体化してもよい。
さらには、図18,19に示す熱式エアフローメータ(流量センサ)に具体化してもよい。図18には熱式エアフローメータの平面図を示し、図19には正面図を示す。シリコン基板72の上においてアンカー部73により四角板状のセンサ本体74が空間を隔てて支えられている。センサ本体74の上面には白金薄膜75が配置されている。そして、この白金薄膜75の上面を空気流路内に配置する。空気流によって白金薄膜75の温度が変化するが、この温度を一定に保つように白金薄膜75に流す電流を制御してこの電流を電圧として取り出す。この電圧は空気流量に応じたものとなる。ここで、センサ本体74はシリコン基板72に対しアンカー部73により空間を隔てて支えられ、熱的にシリコン基板72とは遮断された構造となり、白金薄膜75の発する熱がシリコン基板72側に伝達されにくい構造となっている。
【0042】
要は、この発明は、表面マイクロマシニング技術を用いてセンサ本体を形成した半導体センサに適用できるものである。
【0043】
【発明の効果】
以上詳述したように請求項1に記載の発明によれば、犠牲層を除去することによりセンサ本体を形成する際においてセンサ本体の破損や基板への固着を防止することができる優れた効果を発揮する。さらに、犠牲層エッチングにおいて、窒素ガス若しくは希ガスを流すことで、反応生成物を速やかに除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例の半導体加速度センサの平面図。
【図2】図1のA−A断面図。
【図3】図1のB−B断面図。
【図4】半導体加速度センサの製造工程の示す断面図。
【図5】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図6】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図7】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図8】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図9】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図10】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図11】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図12】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図13】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図14】ドライプロセスによる犠牲層エッチングを行うための装置を示す概略図。
【図15】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図16】半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図17】参考例におけるドライプロセスによる犠牲層エッチングを行う
ための装置を示す概略図。
【図18】別例のエアフローメータの平面図。
【図19】別例のエアフローメータの正面図。
【図20】従来の半導体加速度センサの平面図。
【図21】図20のC−C断面図で。
【図22】従来の半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図23】従来の半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図24】従来の半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図25】従来の半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図26】従来の半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図27】従来の半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【図28】従来の半導体加速度センサの製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
4…センサ本体としての可動電極、17…半導体基板としてのP型シリコン基板、22…犠牲層としての絶縁膜、24…センサ本体形成部材としての可動電極形成部材
Claims (1)
- 半導体基板上においてセンサ本体がアンカー部により空間を隔てて支えられた構造をなす半導体センサの製造方法であって、
前記半導体基板上に犠牲層としてのシリコン酸化膜を形成するとともに犠牲層上のセンサ本体形成領域にセンサ本体形成部材を配置する工程と、
ふっ化水素ガスとH 2 Oガスとからなる反応性ガスをキャリアガスとしての窒素ガス若しくは希ガスにて搬送しつつ、ドライプロセスのみで前記アンカー部を除く前記センサ本体形成部材の下の犠牲層をエッチングして前記センサ本体を形成する工程と
を備えたことを特徴とする半導体センサの製造方法。
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