JP3685193B2

JP3685193B2 - 半導体力学量センサの製造方法

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Publication number: JP3685193B2
Application number: JP2003314030A
Authority: JP
Inventors: 一彦加納; 真紀子杉浦; 幸裕竹内; 敏雅山本
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2003-09-05
Filing date: 2003-09-05
Publication date: 2005-08-17
Anticipated expiration: 2020-08-17
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Description

この発明は、半導体力学量センサ及びその製造方法に係り、詳しくは、加速度，ヨーレート，振動等の力学量を検出する半導体力学量センサ及びその製造方法に関するものである。

近年、半導体基板上に形成された超小型の半導体加速度センサが開発されており、例えば、ＳＡＥ９１０４９６に静電容量式加速度センサが開示されている。

図２３にはＳＡＥ９１０４９６に示されている表面マイクロマシニングを用いた薄膜構造の静電容量型加速度センサを示す。図２３において、シリコン基板８０上のアンカー部８１から梁８２が延設され、この梁８２に質量部８３が支持されている。その質量部８３の一部に可動電極８４が形成されている。一方、シリコン基板８０上には、１つの可動電極８４に対し固定電極８５が２つ対向するように配置されている。そして、シリコン基板８０に水平方向（図２３でＧで示す）に、加速度が加わった場合、可動電極８４と固定電極８５との間の静電容量において片側の静電容量は増え、もう一方は減る構造となっている。このセンサはこのように、差動で可動部の変位を検出することができるため精度の高い加速度検出が可能となる。

しかし、この種の半導体加速度センサエレメントは感度を高めるために梁のバネ定数を下げ、質量（マス）部を大きくとっているために外力に非常に弱く、特に、実装時のダイシングカットでの水流や水圧、チップのマウントでのハンドリングなどで破壊してしまう確率が高く歩留まりが大変に低いという問題があった。

そこで、この発明の目的は、実装時の水流、水圧、ハンドリングなどによる可動部の破壊を防止することができる半導体力学量センサ及びその製造方法を提供することにある。

請求項１に記載の発明は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置された梁構造の可動部とを備え、力学量の作用に伴う前記可動部の変位から力学量を検出するようにした半導体力学量センサの製造方法において、前記可動部を保護する保護材として可動部の回りを覆うキャップ部材を用い、前記可動部を当該キャップ部材にて保護した状態でウエハ状態の前記半導体基板を各チップにダイシングして実装するようにしたものであって、前記キャップ部材は樹脂であり、前記半導体基板と前記キャップ部材との間には絶縁物が介在している半導体力学量センサの製造方法をその要旨とする。

請求項１に記載の発明は、キャップ部材にて可動部の回りが覆われ、当該キャップ部材にて可動部が保護される。つまり、実装時のダイシングカットでの水流や水圧が可動部に加わろうとするが、キャップ部材にて可動部の破損が回避される。又、実装時においてチップのマウントの際のハンドリング時にキャップ部材によって可動部の破損が回避される。

さらに本発明によれば、半導体基板とキャップ部材との間に絶縁物が介在する。よって、半導体基板とキャップ部材との距離が絶縁物の厚さにより調整される。

（実施例１）
以下、この発明を具体化した第１実施例を図面に従って説明する。

図１は、本実施例の半導体加速度センサの平面図を示す。又、図２には図１のＡ−Ａ断面を示し、図３には図１のＢ−Ｂ断面を示す。Ｐ型シリコン基板１上には絶縁膜２が形成され、絶縁膜２はＳｉＯ₂，Ｓｉ₃Ｎ₄等よりなる。又、Ｐ型シリコン基板１上には、絶縁膜２の無い長方形状の領域、即ち、空隙部３が形成されている（図１参照）。絶縁膜２の上には、空隙部３を架設するように両持ち梁構造の可動電極４が配置されている。この可動電極４は帯状にて直線的に延びるポリシリコンよりなる。又、絶縁膜２によりＰ型シリコン基板１と可動電極４とが絶縁されている。

尚、可動電極４の下部における空隙部３は、絶縁膜２の一部が犠牲層としてエッチングされることにより形成されるものである。この犠牲層エッチングの際には、エッチング液として、可動電極４がエッチングされず、犠牲層である絶縁膜２がエッチングされるエッチング液が使用される。

又、絶縁膜２上には層間絶縁膜５が配置され、その上にはコンタクトホール７を介して可動電極４と電気的接続するためのアルミ配線６が配置されている。図３において、Ｐ型シリコン基板１上における可動電極４の両側には不純物拡散層からなる固定電極８，９が形成され、この固定電極８，９はＰ型シリコン基板１にイオン注入等によりＮ型不純物を導入することによって形成されたものである。

尚、可動電極（両持ち梁）４はポリシリコンの他にも、タングステン等の耐熱金属を用いてもよい。又、図１に示すように、Ｐ型シリコン基板１には不純物拡散層からなる配線１０，１１が形成され、配線１０，１１はＰ型シリコン基板１にイオン注入等によりＮ型不純物を導入することによって形成されたものである。そして、固定電極８と配線１０、固定電極９と配線１１とはそれぞれ電気的に接続されている。

さらに、配線１０はコンタクトホール１２を介してアルミ配線１３と電気的に接続されている。又、配線１１はコンタクトホール１４を介してアルミ配線１５と電気的に接続されている。そして、アルミ配線１３，１５及び６は外部の電子回路と接続されている。

又、図３に示すように、Ｐ型シリコン基板１における固定電極８，９間には、反転層１６が形成され、同反転層１６はシリコン基板１と可動電極（両持ち梁）４との間に電圧を印加することにより生じたものである。

次に、このように構成した半導体加速度センサの製造工程を図４〜図１５を用いて説明する。ここで、図面の左側にセンサ、右側には処理回路に必要なトランジスタの工程を示す。

図４に示すように、ウェハ状態のＰ型シリコン基板１７を用意し、フォトリソ工程を経て、イオン注入等によりセンサやトランジスタのソース・ドレインの配線部分となるＮ型拡散層１８，１９，２０，２１を形成する。

そして、図５に示すように、その一部が犠牲層となる絶縁膜２２をセンサ作製部に形成する。尚、このとき、基板全体に絶縁膜２２を成膜し後からトランジスタ作製部上の絶縁膜を除去してもよい。

さらに、図６に示すように、ゲート酸化によりトランジスタ作製部分上にゲート酸化膜２３を形成する。そして、図７に示すように、ポリシリコンを成膜し、フォトリソ工程を経てドライエッチ等でセンサの可動電極２４及びトランジスタのゲート電極２５をパターニングする。

引き続き、図８に示すように、Ｎ型拡散層からなるセンサの固定電極を形成するために、フォトリソ工程を経て絶縁膜２２に可動電極２４に対して自己整合的に開口部２６，２７を形成する。又、トランジスタのソース・ドレインを形成するために、フォトリソ工程を経てレジスト２８により開口部２９，３０を形成する。

さらに、絶縁膜２２及びレジスト２８の開口部２６，２７、レジスト２８の開口部２９，３０から可動電極２４，ゲート電極２５に対して自己整合的にイオン注入等によって不純物を導入して、図９に示すように、Ｎ型拡散層からなるセンサの固定電極３１，３２、トランジスタのソース・ドレイン領域３３，３４を形成する。

次に、図１０に示すように、可動電極２４，ゲート電極２５とアルミ配線を電気的に絶縁するための層間絶縁膜３５を成膜する。そして、図１１に示すように、層間絶縁膜３５に配線用拡散層１８，１９，２０，２１とアルミ配線を電気的に接続するためのコンタクトホール３６，３７，３８，３９をフォトリソ工程を経て形成する。

さらに、図１２に示すように、電極材料であるアルミニウムを成膜して、フォトリソ工程を経てアルミ配線４０，４１，４２，４３等を形成する。そして、図１３に示すように、層間絶縁膜３５の一部と絶縁膜２２の一部である犠牲層をエッチングする。

引き続き、図１４に示すように、ナフタレン（Ｃ₁₀Ｈ₈）を融点である８１℃以上に加熱し、この流動化したナフタレン４４を可動電極２４とシリコン基板１７の間を含むシリコン基板１７上に配置する。ナフタレン４４は、昇華性を有する物質であり、可動電極２４を固定し実装後除去する場合にセンサチップを汚染させずセンサエレメントにダメージを与えないものである。

その後、雰囲気温度を常温まで戻すことによりナフタレン４４を固化させる。この状態においては、可動電極２４がシリコン基板１７に対し固定化される。この状態でウェハ状態のＰ型シリコン基板１７を各チップにダイシングし、チップをマウントし、さらに、その後にワイヤーボンディングを行う。この実装時のダイシングカットでの水流や水圧が可動電極２４に加わるが、可動電極２４がナフタレン４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。又、実装時においてチップのマウントの際のハンドリング時に可動電極２４がナフタレン４４にて動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。さらに、実装時のワイヤーボンディングの際には、可動電極２４に振動が加わるが、可動電極２４がナフタレン４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。

その後、図１５に示すように、ナフタレン４４を真空中にて加熱して完全に昇華させ除去する。この際、加熱することによりナフタレン４４の蒸気圧が高くなるため完全に昇華するまでの時間を短縮することができる。

このようにして、トランジスタ型半導体加速度センサの製作工程が終了する。次に、加速度センサの作動を図３を用いて説明する。可動電極４とシリコン基板１との間に電圧をかけると、反転層１６が形成され、固定電極８，９間に電流が流れる。そして、本加速度センサが加速度を受けて、図中に示すＺ方向（基板に垂直方向）に可動電極４が変位した場合には電界強度の変化によって反転層１６のキャリア濃度が増大し電流が増大する。このように本加速度センサは電流量の増減で加速度を検出することができる。

このように本実施例では、Ｐ型シリコン基板１７（半導体基板）と、Ｐ型シリコン基板１７の上方に所定間隔を隔てて配置された梁構造の可動電極２４（可動部）とを備え、加速度の作用に伴う可動電極２４の変位から加速度を検出するようにした半導体加速度センサにおいて、可動電極２４を保護材としてのナフタレン４４にて保護して実装した。つまり、可動電極２４を仮固定材料としてのナフタレン４４にて仮固定し、実装後にナフタレン４４を除去した。より詳細には、仮固定材料として昇華性物質であるナフタレン４４を用い、実装時にはナフタレン４４を固定し、実装後にナフタレン４４を気化するようにした。

その結果、実装時のダイシングカットでの水流や水圧が可動電極２４に加わるが、可動電極２４がナフタレン４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。又、実装時においてチップのマウントの際のハンドリング時に可動電極２４がナフタレン４４にて動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。さらに、実装時のワイヤーボンディングの際には、可動電極２４に振動が加わるが、可動電極２４がナフタレン４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。このようにして、可動電極２４の破壊が回避されるので、歩留りを向上させることができる。

つまり、半導体加速度センサエレメントは一般的に感度を高めるために梁のバネ定数を下げているために、外力に非常に弱く、特に実装時のダイシングカットの水流，水圧や、チップのマウントの際のハンドリングや、ワイヤーボンディングの際の振動などで破壊してしまう確率が高く歩留りが大変に低いが、可動電極２４がナフタレン４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破壊を防止して歩留りを向上させることができる。

又、仮固定材料として昇華性物質（ナフタレン４４）を用いているので、実装後に仮固定材料を簡単に除去することができる。つまり、大気中に放出したり、熱を加えたりする簡単な工程にて、仮固定材料を除去することができる。さらに、仮固定材料として昇華性物質であるナフタレン４４を用いているので、センサチップに悪影響を与えずにＩＣプロセスに完全に整合する。

尚、保護材および仮固定材料としての昇華性物質は、ナフタレンの他には、比較的融点の低い、例えば、パラジクロルベンゼン（Ｃ₆Ｈ₄Ｃｌ₂）、１，２，４，５−テトラクロルベンゼン（Ｃ₆Ｈ₂Ｃｌ₄）等を用いてもよい。あるいは、高融点でも、チップにダメージを与えず（チップ構成材料との反応など）、実装後簡単に取り除くことができる材料であればよい。要は、昇華性を有する物質であり、可動電極２４を固定し実装後除去する場合にセンサチップを汚染させずセンサエレメントにダメージを与えないものであればよい。

（実施例２）
次に、第２実施例を第１実施例との相違点を中心に説明する。

本実施例では、第１実施例で用いたナフタレン４４の代わりにポリイミド（ＰＩＱ）を用いている。このポリイミドは有機系の熱硬化材料であり、常温で液状をなし、加熱により固化するものである。

以下、センサの製造方法について説明する。図１３に示す状態から、図１４に示すように、ポリイミド（ＰＩＱ）４４を可動電極２４とシリコン基板１７の間を含むシリコン基板１７上に配置する。その後、加熱することによりポリイミド４４を固化させる。この状態においては、可動電極２４がシリコン基板１７に対し固定化される。

この状態でウェハ状態のＰ型シリコン基板１７を各チップにダイシングし、チップをマウントし、さらにその後にワイヤーボンディングを行う。この実装時のダイシングカットでの水流や水圧が可動電極２４に加わるが、可動電極２４がポリイミド４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。又、実装時においてチップのマウントの際のハンドリング時に可動電極２４がポリイミド４４にて動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。さらに、実装時のワイヤーボンディングの際には、可動電極２４に振動が加わるが、可動電極２４がポリイミド４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。このようにして、可動電極２４が破壊してしまうことが回避されるので、歩留りを向上させることができる。

このようにして実装した後は、図１５に示すように、ポリイミド４４をＯ₂プラズマ中で灰化（アッシング）、即ち、燃焼してポリイミド４４を除去する。このとき、ポリイミド４４は全くセンサチップに悪影響を及ぼさないためＩＣプロセスに完全に整合する。

このように本実施例では、仮固定材料として熱硬化性材料であるポリイミドを用い、実装時にはポリイミドを固定し、実装後にポリイミドをＯ₂プラズマアッシング（エッチング）することでポリイミドを除去するようにした。よって、実装時（ダイシングカット，マウント，ワイヤーボンディング）に水流や水圧が可動電極２４に加わったり可動電極２４に振動が加わったりハンドリングされるが、可動電極２４がポリイミド４４により動かないように固定されているので可動電極２４の破損が回避される。又、第１実施例では実装時にも昇華性物質が常時僅かずつであるが気化されているが、本実施例では実装工程とポリイミド除去工程をはっきりと区別でき、工程が安定化する。

尚、本実施例では仮固定材料としての熱硬化性材料としてポリイミドを用いたが、他にもフォトレジスト材等を用いてもよい。このフォトレジスト材においてもＯ₂プラズマ中で灰化（アッシング）できるとともに、全くセンサチップに悪影響を及ぼさないためＩＣプロセスに完全に整合する。

（実施例３）
次に、第３実施例を第１実施例との相違点を中心に説明する。

図１６はセンサエレメント形成後で、かつ、実装前の状態を示し、図１７には図１６のＣ−Ｃ断面を示す。以下、センサの製造方法について説明する。

前記図１３に示す状態においては、図１６に示すように、シリコンウェハ４５には多数のセンサ領域４６が形成されている。このシリコンウェハ４５の上面（素子形成面）にガラス板４７を陽極接合する。尚、シリコンウェハ４５とガラス板４７とは接着してもよい。ガラス板４７には、図１７に示すように、各センサ領域において可動電極２４にガラス板４７が当たらないように、各センサ領域毎に凹部４８が形成されている。又、ガラス板４７とシリコンウェハ４５とは密封状態で接合される。

その後、ガラス板４７を接合した状態のシリコンウェハ４５を各チップにダイシングする。この実装時のダイシングカットでの水流や水圧が可動電極２４に加わろうとするが、可動電極２４がガラス板４７で覆われているので可動電極２４の破損が回避される。このダイシングの後にチップがマウントされる。このマウント時のハンドリングの際にガラス板４７にて可動電極２４の破損が回避される。このようにして、可動電極２４が破壊してしまうことが回避されるので、歩留りを向上させることができる。

このように本実施例では、保護材として、可動電極２４（可動部）の回りを覆うキャップ部材としてのガラス板４７を用いて、ガラス板４７にて可動電極２４を保護するようにした。その結果、実装時のダイシングカットでの水流や水圧が可動電極２４に加わろうとするが、可動電極２４がガラス板４７で覆われているので可動電極２４の破損が回避される。又、チップのマウントの際のハンドリング時にガラス板４７にて可動電極２４の破損が回避される。

さらに、キャップ部材としてガラス板４７を用いているので、陽極接合を用いてガラス板４７とシリコンウェハ４５とを接合することができ、通常のセンサ製造技術を流用でき製造が容易となる。

さらには、図１７に示すように、可動電極２４をガラス板４７にて密封状態にてキャップしているので、可動電極２４とシリコンウェハ４５との間のエアギャップ４９にパーティクル（粒子）が入り込んで可動電極２４がロックされることが未然に防止される。

又、ガラス板４７とシリコンウェハ４５との間の空隙（ガラス板４７の凹部４８の内部）を真空にすることにより、真空パッケージが可能となる。さらに、ガラス板４７とシリコンウェハ４５との間の空隙（ガラス板４７の凹部４８の内部）を真空にすることにより、ガラス板４７とシリコンウェハ４５との間の空隙での気体の粘性がなくなり、可動電極２４とシリコンウェハ４５との間の間隔を小さくして、感度を上げることができる。よって、検出精度が向上する。

（実施例４）
次に、第４実施例を第３実施例との相違点を中心に説明する。

第３実施例の図１７の代わりに、本実施例では図１８に示す構成を採用している。以下、センサの製造方法について説明する。

前記図１３に示す状態においては、図１６に示すように、シリコンウェハ４５には多数のセンサ領域４６が形成されている。そして、図１８に示すように各センサ領域４６におけるセンサエレメントのない領域にポリシリコン等の絶縁物５０を所定厚さ形成する。さらに、絶縁物５０の上に上下面とも平坦なガラス板５１を接合する。このとき、可動電極２４の上面とガラス板５１の下面との距離Ｌ１は５０００Å程度になる。

その後、ガラス板５１を接合した状態のシリコンウェハ４５を各チップにダイシングする。この実装時のダイシングカットでの水流や水圧が可動電極２４に加わろうとするが、可動電極２４がガラス板５１で覆われているので可動電極２４の破損が回避される。このダイシングの後にチップをマウントする。このマウント時のハンドリングの際にガラス板５１にて可動電極２４の破損が回避される。このようにして、可動電極２４の破壊してしまうことが回避されるので、歩留りを向上させることができる。

このように本実施例では、保護材として、可動電極２４（可動部）の回りを覆うキャップ部材としてのガラス板５１を用いて、ガラス板５１にて可動電極２４を保護するようにした。その結果、実装時のダイシングカットでの水流や水圧が可動電極２４に加わろうとするが、可動電極２４がガラス板５１で覆われているので可動電極２４の破損が回避される。又、チップのマウントの際のハンドリング時にガラス板５１にて可動電極２４の破損が回避される。

さらに、本実施例では、可動電極２４の上面とガラス板５１の下面との距離Ｌ１の調整を絶縁物５０の厚さにより調整できるので、可動電極２４の上面とガラス板５１の下面との距離Ｌ１の調整が容易となる。

尚、本実施例ではシリコンウェハ４５にガラス板５１を接合しているが、接合する材料はガラス以外のもの、例えば、樹脂板あるいはＳｉ基板等を接着又は接合してもよい。

（実施例５）
次に、第５実施例を第３実施例との相違点を中心に説明する。

本実施例は半導体ヨーレートセンサに具体化したものである。図１９には半導体ヨーレートセンサの平面図を示し、図２０には図１９のＤ−Ｄ断面図を示し、図２１には図１９のＥ−Ｅ断面図を示し、図２２には図１９のＦ−Ｆ断面図を示す。

Ｐ型シリコン基板５２上には、４箇所のアンカー部５３，５４，５５，５６が形成され、このアンカー部５３，５４，５５，５６にそれぞれ一端が支持される梁５７，５８，５９，６０によって重り６１が支持されている。この重り６１には、可動電極６２，６３が突設され、この可動電極６２，６３がトランジスタのゲート電極として機能する。又、重り６１には、互いに所定間隔を隔てて平行に延びる励振電極６４，６５，６６，６７が突設されている。

重り６１と可動電極６２，６３と励振電極６４，６５，６６，６７が、図１９中、紙面に水平方向（図中、Ｖ方向）および紙面に垂直方向に変位できるようになっている。又、アンカー部５３〜５６と梁５７〜６０と重り６１と可動電極６２，６３と励振電極６４〜６７とは一体的に形成されており、ポリシリコンよりなる。

図２１に示すように、シリコン基板５２の上には絶縁膜６８が形成され、この絶縁膜６８上に梁５７，５８，５９，６０および重り６１が架設されている。図２０に示すように、可動電極６３の下方におけるシリコン基板５２には可動電極６３を挟むように不純物拡散によるソース・ドレイン領域７０が形成されている。同様に、可動電極６２の下方におけるシリコン基板５２には可動電極６２を挟むように不純物拡散によるソース・ドレイン領域６９が形成されている。又、図２０に示すように、Ｐ型シリコン基板５２におけるソース・ドレイン領域７０間には、反転層７１が形成され、同反転層７１はシリコン基板５２と可動電極６３との間に電圧を印加することにより生じたものである。同様に、Ｐ型シリコン基板５２におけるソース・ドレイン領域６９間には、反転層が形成され、同反転層はシリコン基板５２と可動電極６２との間に電圧を印加することにより生じたものである。

Ｐ型シリコン基板５２の上面には、各励振電極６４，６５，６６，６７に対し所定間隔だけ離した状態で励振用固定電極７２，７３，７４，７５が配置されている。そして、電極６４と７２、電極６５と７３、電極６６と７４、電極６７と７５との間に、電圧を加え、互いに引っ張り合う力を加えると、重り６１と可動電極６２，６３とが紙面に水平方向（図１９中、Ｖ方向）に励振される。この励振状態でヨーレートωが作用すると、コリオリの力が働き、重り６１と可動電極６２，６３とが紙面に垂直方向に変位する。この変化が可動電極６２，６３に対応して設けたソース・ドレイン間の電流の変化として検出される。

さらに、シリコン基板５２の上面（素子形成面）にキャップ部材としてのガラス板７６が陽極接合されている。ガラス板７６には、各センサ領域において素子形成部分にガラス板７６が当たらないように、各センサ領域毎に凹部７７が形成されている。又、ガラス板７６とシリコン基板５２とは密封状態で接合されている。

以下、センサの製造方法について説明する。ウェハ状態のシリコン基板５２に梁構造を形成する。そして、このウェハ状態のシリコン基板５２の上面（素子形成面）にガラス板７６を陽極接合する。尚、シリコン基板５２とガラス板７６とは接着してもよい。又、ガラス板７６とシリコン基板５２とは密封状態で接合させる。

その後、ガラス板７６を接合した状態のシリコン基板５２を各チップにダイシングする。この実装時のダイシングカットでの水流や水圧が梁構造部に加わろうとするが、梁構造部がガラス板７６で覆われているので梁構造部の破損が回避される。このダイシングの後にチップをマウントする。このマウント時のハンドリングの際にガラス板７６にて梁構造部の破損が回避される。

さらに、ガラス板７６とシリコン基板５２との間の空隙（ガラス板７６の凹部７７の内部）を真空にすることにより、真空パッケージが可能となり、可動部（梁５７〜６０、重り６１、可動電極６２，６３、励振電極６４〜６７）とシリコン基板５２との間の空隙での気体の粘性抵抗が小さくなり、低電圧で励振の際の大きな振幅が得られる（Ｑ値が上がる）。

尚、この発明は上記各実施例に限定されるものではなく、例えば、上記第１〜第４実施例ではＭＩＳ型半導体加速度センサに適用したが、その他にも静電容量型半導体加速度センサに適用してもよく、その場合には両電極間の破壊を回避するために保護材を用いることとなる。さらに、第５実施例で示した半導体ヨーレートセンサにおいても第１，第２実施例で示した仮固定部材を用いて梁構造を固定してもよい。

又、半導体加速度センサや半導体ヨーレートセンサの他にも、振動を検出する半導体振動センサに具体化してもよい。要は、この発明は、梁構造を有する表面マイクロマシング半導体力学量センサに適用できるものである。

第１実施例の半導体加速度センサの平面図である。図１のＡ−Ａ断面図である。図１のＢ−Ｂ断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。半導体加速度センサの製造工程を示す断面図である。第３実施例の半導体加速度センサの斜視図である。図１６のＣ−Ｃ断面図である。第４実施例の半導体加速度センサの断面図である。第５実施例の半導体ヨーレートセンサの平面図である。図１９のＤ−Ｄ断面図である。図１９のＥ−Ｅ断面図である。図１９のＦ−Ｆ断面図である。従来の半導体加速度センサの斜視図である。

符号の説明

１７…半導体基板としてのＰ型シリコン基板、
２４…可動部としての可動電極、
４４…保護材および固定部材としてのナフタレン、
４７…保護材およびキャップ部材としてのガラス板。

Claims

半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定間隔を隔てて配置された梁構造の可動部とを備え、力学量の作用に伴う前記可動部の変位から力学量を検出するようにした半導体力学量センサの製造方法において、
前記可動部を保護する保護材として可動部の回りを覆うキャップ部材を用い、前記可動部を当該キャップ部材にて保護した状態でウエハ状態の前記半導体基板を各チップにダイシングして実装するようにしたものであって、
前記キャップ部材は樹脂であり、前記半導体基板と前記キャップ部材との間には絶縁物が介在していることを特徴とする半導体力学量センサの製造方法。