JP2001168221A - コンポーネントおよび製造方法 - Google Patents
コンポーネントおよび製造方法Info
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 キャップ・ウェーハを用いて電子装置を保護
することを目的とする。 【構成】 コンポーネント１０は、基板（１５）、キャ
ップ・ウェーハ（２３）、およびキャップ・ウェーハ
（２３）の表面上に形成された保護層（２８）を含む。
同時に、保護層（２８）およびキャップ・ウェーハ（２
３）は接合層（３３）を介して基板（１５）に接合され
るキャップ構造（３９）を形成する。開口（４７）は、
キャップ・ウェーハ（２３）をエッチングすることによ
りキャップ・ウェーハ（２３）内に形成される。保護層
（２８）は、キャップ・ウェーハ（２３）のエッチング
中、下に横たわる接合層（３３）および基板（１５）中
に形成された装置（１１，１２）に対する保護を提供す
る。
することを目的とする。 【構成】 コンポーネント１０は、基板（１５）、キャ
ップ・ウェーハ（２３）、およびキャップ・ウェーハ
（２３）の表面上に形成された保護層（２８）を含む。
同時に、保護層（２８）およびキャップ・ウェーハ（２
３）は接合層（３３）を介して基板（１５）に接合され
るキャップ構造（３９）を形成する。開口（４７）は、
キャップ・ウェーハ（２３）をエッチングすることによ
りキャップ・ウェーハ（２３）内に形成される。保護層
（２８）は、キャップ・ウェーハ（２３）のエッチング
中、下に横たわる接合層（３３）および基板（１５）中
に形成された装置（１１，１２）に対する保護を提供す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に電子コンポ
ーネントに関し、さらに詳しくはキャップ・ウェーハを
用いる電子装置の保護に関する。
ーネントに関し、さらに詳しくはキャップ・ウェーハを
用いる電子装置の保護に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクス・センサおよ
び集積回路のような装置は、それらのサイズによるが、
扱い方、小さい粒子、および湿度からのダメージを受け
やすい。マイクロマシン装置は、典型的には、動作中に
それらを保護するために封止材中に収容される。ある先
行技術であるコンポーネントは、周囲から電子センサを
封止しかつ密封シールするために半導体基板に接合（ボ
ンディング）されたキャップ・ウェーハを含む。ホール
（空間）がキャップ・ウェーハを基板に接合する前にキ
ャップ・ウェーハ中に形成される。キャップ・ウェーハ
中の空間は、センサを外部回路に電気的に接続するため
に提供する。
び集積回路のような装置は、それらのサイズによるが、
扱い方、小さい粒子、および湿度からのダメージを受け
やすい。マイクロマシン装置は、典型的には、動作中に
それらを保護するために封止材中に収容される。ある先
行技術であるコンポーネントは、周囲から電子センサを
封止しかつ密封シールするために半導体基板に接合（ボ
ンディング）されたキャップ・ウェーハを含む。ホール
（空間）がキャップ・ウェーハを基板に接合する前にキ
ャップ・ウェーハ中に形成される。キャップ・ウェーハ
中の空間は、センサを外部回路に電気的に接続するため
に提供する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】キャップ・ウェーハ中
の空間は、キャップ・ウェーハの機械構造的な信頼性を
弱める可能性がある。この問題に対する１つの対策はキ
ャップ・ウェーハの厚みを増加させることで、それによ
りキャップ・ウェーハの構造的な無欠陥性を向上させ
る。しかしながら、キャップ・ウェーハの厚みを増加さ
せることにより、またマイクロエレクトロニクス装置の
サイズおよびそのコストを増加させる。
の空間は、キャップ・ウェーハの機械構造的な信頼性を
弱める可能性がある。この問題に対する１つの対策はキ
ャップ・ウェーハの厚みを増加させることで、それによ
りキャップ・ウェーハの構造的な無欠陥性を向上させ
る。しかしながら、キャップ・ウェーハの厚みを増加さ
せることにより、またマイクロエレクトロニクス装置の
サイズおよびそのコストを増加させる。
【０００４】従って、動作中にマイクロマシン装置に対
して保護を与えるコンポーネントをもつことは有効であ
る。そのコンポーネントがサイズおよびコスト的に効果
的であるならさらに有効である。加えて、標準の半導体
プロセスと互換性のあるコンポーネントを製造する方法
をもつことは有効である。
して保護を与えるコンポーネントをもつことは有効であ
る。そのコンポーネントがサイズおよびコスト的に効果
的であるならさらに有効である。加えて、標準の半導体
プロセスと互換性のあるコンポーネントを製造する方法
をもつことは有効である。
【０００５】
【実施例】図１は、本願発明の一実施例に従うプロセス
中のコンポーネント１０の一部断面図である。この実施
例では、コンポーネント１０は、基板１５中に形成され
た装置１１，１２を含む半導体コンポーネントである。
コンポーネント１０は、さらに、基板１５の表面２１上
に形成された導電性経路１３，１４を含む。基板１５
は、例としてシリコンのような半導体材料からなる。装
置１１，１２は、集積回路あるいは圧力センサまたは加
速度計のようなマイクロマシン変換器である。装置１
１，１２は、基板１５中に形成されるように示される
が、これが本願発明を限定するものではない。装置１
１，１２は、また、基板１５の表面２１上に形成され得
る。
中のコンポーネント１０の一部断面図である。この実施
例では、コンポーネント１０は、基板１５中に形成され
た装置１１，１２を含む半導体コンポーネントである。
コンポーネント１０は、さらに、基板１５の表面２１上
に形成された導電性経路１３，１４を含む。基板１５
は、例としてシリコンのような半導体材料からなる。装
置１１，１２は、集積回路あるいは圧力センサまたは加
速度計のようなマイクロマシン変換器である。装置１
１，１２は、基板１５中に形成されるように示される
が、これが本願発明を限定するものではない。装置１
１，１２は、また、基板１５の表面２１上に形成され得
る。
【０００６】導電性経路１３，１４は、表面２１上に電
気的導電性材料層を配置し、この導電性材料をフォトリ
ソグラフおよびエッチ技術を用いてパターン化すること
により形成される。例えば、導電性経路１３，１４は、
電気的導電性材料をフォトレジスト層（図示せず）で被
覆し、除去されるべき電気的導電性材料の一部を（例え
ば、フォトリソグラフを用いて）露出させ、そして電気
的導電性材料の露出部をエッチングすることによって形
成される。導電性経路１３，１４にとって適切な材料に
は銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金、ある
いはその類似物を含む。
気的導電性材料層を配置し、この導電性材料をフォトリ
ソグラフおよびエッチ技術を用いてパターン化すること
により形成される。例えば、導電性経路１３，１４は、
電気的導電性材料をフォトレジスト層（図示せず）で被
覆し、除去されるべき電気的導電性材料の一部を（例え
ば、フォトリソグラフを用いて）露出させ、そして電気
的導電性材料の露出部をエッチングすることによって形
成される。導電性経路１３，１４にとって適切な材料に
は銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金、ある
いはその類似物を含む。
【０００７】コンポーネント１０は、上部表面２６およ
び下部表面２７を有するキャップ・ウェーハ２３を含
む。キャップ・ウェーハ２３は、例えば、シリコンのよ
うな半導体材料から構成される。キャップ・ウェーハ２
３に対する他の適切な材料は、ガラス、水晶、ポリマ、
または金属を含む。キャップ・ウェーハ２３の適切な層
厚の範囲は、約５０ミクロンから約６００ミクロンの間
である。
び下部表面２７を有するキャップ・ウェーハ２３を含
む。キャップ・ウェーハ２３は、例えば、シリコンのよ
うな半導体材料から構成される。キャップ・ウェーハ２
３に対する他の適切な材料は、ガラス、水晶、ポリマ、
または金属を含む。キャップ・ウェーハ２３の適切な層
厚の範囲は、約５０ミクロンから約６００ミクロンの間
である。
【０００８】保護層２８がキャップ・ウェーハ２３の下
部表面２７上に配置成長される。保護層２８は上部層３
０および下部層３１を有し、ここで保護層２８の上部層
２７はキャップ・ウェーハ２３の下部層２７に接触す
る。好ましくは、保護層２８は、約０．２ミクロンから
約２ミクロンの範囲の厚みを有する。また、キャップ・
ウェーハ２３および保護層２８はキャップ構造３９を形
成する。保護層２８にとって適切な材料は、酸化物また
は窒化物を含む。
部表面２７上に配置成長される。保護層２８は上部層３
０および下部層３１を有し、ここで保護層２８の上部層
２７はキャップ・ウェーハ２３の下部層２７に接触す
る。好ましくは、保護層２８は、約０．２ミクロンから
約２ミクロンの範囲の厚みを有する。また、キャップ・
ウェーハ２３および保護層２８はキャップ構造３９を形
成する。保護層２８にとって適切な材料は、酸化物また
は窒化物を含む。
【０００９】エッチ・マスク４１，４２は、キャップ・
ウェーハ２３の上部表面２６上に配置される。アルミニ
ウムのような金属層をキャップ・ウェーハ２３の上部表
面２６上に配置し、そしてこの金属層をフォトリソグラ
フおよびエッチ技術を用いてパターン化することにより
形成される。加えて、後続のエッチング段階中のマスク
として機能するために、マスク４１，４２は、また、装
置１１，１２に対して電気的遮蔽を行う。マスク４１，
４２は、また、マスク層と呼ばれ、好ましくは装置１
１，１２上にそれぞれ位置する。
ウェーハ２３の上部表面２６上に配置される。アルミニ
ウムのような金属層をキャップ・ウェーハ２３の上部表
面２６上に配置し、そしてこの金属層をフォトリソグラ
フおよびエッチ技術を用いてパターン化することにより
形成される。加えて、後続のエッチング段階中のマスク
として機能するために、マスク４１，４２は、また、装
置１１，１２に対して電気的遮蔽を行う。マスク４１，
４２は、また、マスク層と呼ばれ、好ましくは装置１
１，１２上にそれぞれ位置する。
【００１０】キャップ構造３９は接合材層３３を用いて
基板１５に接合され、キャビティ３６，３７を形成す
る。例として、接合材料３３は、層２８の下部表面の一
部上にスクリーン・プリントによって配置されるフリッ
ト・ガラス(frit glass)である。フリット・ガラスは、
粉末ガラスとも呼ばれるが、有機結合材または溶剤中に
拡散したガラス粒子の混合物である。スクリーン・プリ
ント後に、フリット・ガラスは有機結合材または溶剤を
蒸発させるために加熱される。その後、フリット・ガラ
スを含むキャップ構造３９は、基板１５の表面に接触し
て載置される。熱が与えられ、その後フリット・ガラス
はエナメル化しキャップ構造３９を基板１５に接合する
ために流動して、キャビティ３６，３７を与える。キャ
ップ構造３９が基板１５に接合された後、装置１１，１
２はキャビティ３６，３７内にそれぞれ密封シールされ
る。接合材３３、保護層２８の一部、および基板１５の
一部は密封シールされたキャビティ３６，３７の壁を形
成する。接合材３３はフリット・ガラスとして記述され
るが、これは本願発明を限定するものではない。接合材
３３は、金、金属、または同種のガラスから構成するこ
ともできる。さらに、他のタイプの接合プロセスをキャ
ップ構造３９を、基板１５に接合するために、使用する
ことも可能である。例えば、陽極、共晶、または熱圧縮
の接合を、キャップ構造３９を基板１５に接合するため
に、使用してもよい。
基板１５に接合され、キャビティ３６，３７を形成す
る。例として、接合材料３３は、層２８の下部表面の一
部上にスクリーン・プリントによって配置されるフリッ
ト・ガラス(frit glass)である。フリット・ガラスは、
粉末ガラスとも呼ばれるが、有機結合材または溶剤中に
拡散したガラス粒子の混合物である。スクリーン・プリ
ント後に、フリット・ガラスは有機結合材または溶剤を
蒸発させるために加熱される。その後、フリット・ガラ
スを含むキャップ構造３９は、基板１５の表面に接触し
て載置される。熱が与えられ、その後フリット・ガラス
はエナメル化しキャップ構造３９を基板１５に接合する
ために流動して、キャビティ３６，３７を与える。キャ
ップ構造３９が基板１５に接合された後、装置１１，１
２はキャビティ３６，３７内にそれぞれ密封シールされ
る。接合材３３、保護層２８の一部、および基板１５の
一部は密封シールされたキャビティ３６，３７の壁を形
成する。接合材３３はフリット・ガラスとして記述され
るが、これは本願発明を限定するものではない。接合材
３３は、金、金属、または同種のガラスから構成するこ
ともできる。さらに、他のタイプの接合プロセスをキャ
ップ構造３９を、基板１５に接合するために、使用する
ことも可能である。例えば、陽極、共晶、または熱圧縮
の接合を、キャップ構造３９を基板１５に接合するため
に、使用してもよい。
【００１１】ここで議論される実施例は半導体装置であ
るが、これが本願発明に限定されるものではないことに
注意されたい。本願発明は他の実施例、例えばバイオ
（生物）センサを用いる応用に適用することができ、そ
のバイオ・センサはキャップ材料を用いて保護される。
これらの他の応用例では、基板１５はガラス、水晶、金
属などの他の材料から構成されてもよい。好ましくは、
キャップ・ウェーハ２３および基板１５は、実質的に同
じ熱膨張係数を有する材料から形成される。
るが、これが本願発明に限定されるものではないことに
注意されたい。本願発明は他の実施例、例えばバイオ
（生物）センサを用いる応用に適用することができ、そ
のバイオ・センサはキャップ材料を用いて保護される。
これらの他の応用例では、基板１５はガラス、水晶、金
属などの他の材料から構成されてもよい。好ましくは、
キャップ・ウェーハ２３および基板１５は、実質的に同
じ熱膨張係数を有する材料から形成される。
【００１２】図２は、後段におけるプロセスでのコンポ
ーネント１０の断面図を示す。同じ参照番号は同じ要素
を示すために図面に使用されることを理解されたい。図
２は、キャップ・ウェーハ２３の一部を除去した後のコ
ンポーネント１０を示す。
ーネント１０の断面図を示す。同じ参照番号は同じ要素
を示すために図面に使用されることを理解されたい。図
２は、キャップ・ウェーハ２３の一部を除去した後のコ
ンポーネント１０を示す。
【００１３】例えば、４メチルアンモニウム水酸化物(T
MAH: tetramethylammonium hydrooxide)のようなエッチ
ング材からなる湿式エッチ溶剤は、キャップ・ウェーハ
２３をエッチングするために使用される。マスク４１，
４２によって被覆されていないキャップ・ウェーハ２３
の一部は、エッチングの間除去される。湿式エッチ溶剤
は、エッチ・ストップとして機能する保護層２８に影響
を与えない。図２に示す実施例では、接合層３３はフリ
ット・ガラスで、それはＴＭＡＨからなる湿式エッチ溶
剤によって損傷を受ける可能性がある。保護層２８は、
キャップ・ウェーハ２３のエッチング中、接合層３３を
保護するためのエッチ・ストップ層として働く。好まし
くは、保護層２８はＴＭＡＨからなる湿式エッチ溶剤に
耐性のある材料からなる。保護層２８に対する適切な材
料は酸化物または窒化物を含む。
MAH: tetramethylammonium hydrooxide)のようなエッチ
ング材からなる湿式エッチ溶剤は、キャップ・ウェーハ
２３をエッチングするために使用される。マスク４１，
４２によって被覆されていないキャップ・ウェーハ２３
の一部は、エッチングの間除去される。湿式エッチ溶剤
は、エッチ・ストップとして機能する保護層２８に影響
を与えない。図２に示す実施例では、接合層３３はフリ
ット・ガラスで、それはＴＭＡＨからなる湿式エッチ溶
剤によって損傷を受ける可能性がある。保護層２８は、
キャップ・ウェーハ２３のエッチング中、接合層３３を
保護するためのエッチ・ストップ層として働く。好まし
くは、保護層２８はＴＭＡＨからなる湿式エッチ溶剤に
耐性のある材料からなる。保護層２８に対する適切な材
料は酸化物または窒化物を含む。
【００１４】図３はさらに後段におけるプロセスでの図
２のコンポーネントの断面図である。図３は保護層２８
の一部を除去した後のコンポーネント１０を示す。
２のコンポーネントの断面図である。図３は保護層２８
の一部を除去した後のコンポーネント１０を示す。
【００１５】開口４６，４７，４８は、塩素またはフッ
素のいずれかを基調とした化学物質を用いる反応性イオ
ン・エッチング(RIE: Reactive Ion Etch)または深部反
応性イオン・エッチング(DRIE: Deep Reactive Ion Etc
h)のような乾式エッチング・プロセスを用いて形成され
得る。マスク４１，４２の下に横たわる保護層２８の一
部は、乾式エッチング・プロセス中には除去されない。
開口４７は、導電経路１３，１４に電気的な接続を与え
る。例えば、接合線（図示せず）が開口４７を通して導
電経路１３，１４に結合されてもよい。図示されていな
いが、導電経路１３，１４は装置１１，１２をコンポー
ネント１０の他の部分へ電気的に結合するために用いら
れる。
素のいずれかを基調とした化学物質を用いる反応性イオ
ン・エッチング(RIE: Reactive Ion Etch)または深部反
応性イオン・エッチング(DRIE: Deep Reactive Ion Etc
h)のような乾式エッチング・プロセスを用いて形成され
得る。マスク４１，４２の下に横たわる保護層２８の一
部は、乾式エッチング・プロセス中には除去されない。
開口４７は、導電経路１３，１４に電気的な接続を与え
る。例えば、接合線（図示せず）が開口４７を通して導
電経路１３，１４に結合されてもよい。図示されていな
いが、導電経路１３，１４は装置１１，１２をコンポー
ネント１０の他の部分へ電気的に結合するために用いら
れる。
【００１６】前述したように、保護層２８はキャップ・
ウェーハ２３の下部表面２７上に配置され、接合層３３
に対する保護を与えるが、化学的湿式エッチの間損傷を
与え得る。代わって、コンポーネント１０は保護層２８
を有しないで形成してもよく、開口４６，４７，４８は
単一のエッチング・ステップを用いて形成できる。例え
ば、保護層２８が省略される場合、そのときキャップ・
ウェーハ２３は適切な湿式エッチまたは乾式エッチ・プ
ロセスのいずれかを用いる単一のエッチング・ステップ
を用いてエッチングされ得る。保護層２８がコンポーネ
ント１０に含まれない場合、接合層３３はキャップ・ウ
ェーハ２３の下部表面の一部上に配置され、キャップ・
ウェーハ２３は接合層３３を介して基板１５に接合され
る。キャビティ３６，３７は、キャップ・ウェーハ２
３、接合層３３、および基板１５によって形成される。
ウェーハ２３の下部表面２７上に配置され、接合層３３
に対する保護を与えるが、化学的湿式エッチの間損傷を
与え得る。代わって、コンポーネント１０は保護層２８
を有しないで形成してもよく、開口４６，４７，４８は
単一のエッチング・ステップを用いて形成できる。例え
ば、保護層２８が省略される場合、そのときキャップ・
ウェーハ２３は適切な湿式エッチまたは乾式エッチ・プ
ロセスのいずれかを用いる単一のエッチング・ステップ
を用いてエッチングされ得る。保護層２８がコンポーネ
ント１０に含まれない場合、接合層３３はキャップ・ウ
ェーハ２３の下部表面の一部上に配置され、キャップ・
ウェーハ２３は接合層３３を介して基板１５に接合され
る。キャビティ３６，３７は、キャップ・ウェーハ２
３、接合層３３、および基板１５によって形成される。
【００１７】キャビティ３６，３７は全ての場合に必ず
しも必要でないことに注意されたい。たとえば、接合層
３３は装置１１，１２を取り囲み、接触する。
しも必要でないことに注意されたい。たとえば、接合層
３３は装置１１，１２を取り囲み、接触する。
【００１８】開口４６，４７，４８はキャップ構造３９
および基板１５が共に接合された後に形成されるので、
キャップ・ウェーハ２３は比較的薄いウェーハであり
得、それにより、コンポーネント１０の全スタックの層
厚が減少する。例えば、キャップ・ウェーハ２３は、シ
リコンからなるが、約５０ミクロンより薄くすることが
できる。従来のシリコン・キャップ・ウェーハは、典型
的には３７５ミクロンより厚い層厚である。さらに、キ
ャップ・ウェーハ２３が基板１５に接合されて後に開口
４６，４７，４８を形成することは、コンポーネント１
０のレイアウトおよび製造を簡易にする。
および基板１５が共に接合された後に形成されるので、
キャップ・ウェーハ２３は比較的薄いウェーハであり
得、それにより、コンポーネント１０の全スタックの層
厚が減少する。例えば、キャップ・ウェーハ２３は、シ
リコンからなるが、約５０ミクロンより薄くすることが
できる。従来のシリコン・キャップ・ウェーハは、典型
的には３７５ミクロンより厚い層厚である。さらに、キ
ャップ・ウェーハ２３が基板１５に接合されて後に開口
４６，４７，４８を形成することは、コンポーネント１
０のレイアウトおよび製造を簡易にする。
【００１９】以上により、コンポーネントおよびそのコ
ンポーネントを製造するための方法が提供されたと理解
される。本願発明は動作中にその要素を保護するコンポ
ーネントを与える。本願発明の方法は、ＣＭＯＳプロセ
スを含む標準半導体プロセスと互換性がある。さらに、
本方法はキャップ・ウェーハを有するコンポーネントを
製造するための処理ステップ数を削減する。
ンポーネントを製造するための方法が提供されたと理解
される。本願発明は動作中にその要素を保護するコンポ
ーネントを与える。本願発明の方法は、ＣＭＯＳプロセ
スを含む標準半導体プロセスと互換性がある。さらに、
本方法はキャップ・ウェーハを有するコンポーネントを
製造するための処理ステップ数を削減する。
【図１】本願発明の一実施例に従ってプロセス中のコン
ポーネントの一部断面図である。
ポーネントの一部断面図である。
【図２】後段におけるプロセスでの図１のコンポーネン
トの断面図である。
トの断面図である。
【図３】さらに後段におけるプロセスでの図２のコンポ
ーネントの断面図である。
ーネントの断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘンリー・ジー・ヒューズ アメリカ合衆国 アリゾナ州 85254 ス コッツデール イースト・コラ・ストリー ト5014 (72)発明者 トー・デー・オズボーン アメリカ合衆国 ワシントン州 98201 エベレット チェスナット・ストリート 2408 (72)発明者 ダシュー・シュ アメリカ合衆国 ニュージャージー州 07060 ノース・プレインフィールド ア パートメント・ナンバー66 ルート22 1300
Claims (5)
- 【請求項１】 装置（１１）を有する基板（１５）と、 前記基板の表面の一部上に配置された接合層（３３）
と、 前記基板上のキャップ・ウェーハ（２３）と、 第１表面（３０）および第２表面（３１）を有する保護
層（２８）であって、前記保護層の前記第１表面は前記
キャップ・ウェーハの第１表面に接触するとともに前記
保護層の第２表面は前記接合層を介して前記基板の前記
表面に接合される保護層とから成り、前記保護層、前記
接合層、および前記基板は前記装置を囲むキャビティを
形成することを特徴とするコンポーネント（１０）。 - 【請求項２】 前記基板の前記表面上に形成された導電
層（１３）をさらに含み、前記キャップ・ウェーハは、
前記接合層が前記保護層上に配置された後に、前記導電
層上に形成される開口（４７）を有することを特徴とす
る請求項１記載のコンポーネント（１０）。 - 【請求項３】 前記装置上にある前記キャップ・ウェー
ハの第２表面の一部上に形成されるマスク層（４１）を
さらに有することを特徴とする請求項１記載のコンポー
ネント（１０）。 - 【請求項４】 キャップ・ウェーハ（２３）を提供する
段階と、 前記キャップ・ウェーハの第１表面（３０）上に保護層
（２８）を配置する段階であって、前記保護層の第１表
面は前記キャップ・ウェーハの前記第１表面に接合され
る、段階と、 前記保護層の第２表面（３１）の一部上に接合層（３
３）を配置する段階と、 前記保護層の前記第２表面を前記接合層を介して基板の
表面に接合する段階と、 前記接合層を配置する段階の後に、前記キャップ・ウェ
ーハ中に開口（４７）を形成する段階と、 から構成されることを特徴とするコンポーネントを製造
する方法。 - 【請求項５】 前記基板中のマイクロマシン装置（１
１）は、前記接合層（３３）、前記保護層（２８）およ
び前記基板（１５）によって形成されたキャビティ内に
収容されることを特徴とする請求項４記載のコンポーネ
ントを製造する方法。
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| US09/427054 | 1999-10-26 | ||
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| JP4769353B2 JP4769353B2 (ja) | 2011-09-07 |
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