JPH1098121A - 集積回路及びパッケージング方法 - Google Patents

集積回路及びパッケージング方法

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JPH1098121A
JPH1098121A JP9226205A JP22620597A JPH1098121A JP H1098121 A JPH1098121 A JP H1098121A JP 9226205 A JP9226205 A JP 9226205A JP 22620597 A JP22620597 A JP 22620597A JP H1098121 A JPH1098121 A JP H1098121A
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wafer
layer
cavity
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サラティノ マシュー
William R Young
アール ヤング ウィリアム
Patrick Begley
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Harris Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、より小さなパッケージングされた
構成要素からなり、密封された空洞を有しうるパッケー
ジングされた集積回路を提供することを目的とする。 【解決手段】 ウェーハレベルで密封されたパッケージ
ングされた集積回路は、半導体デバイス基板ウェーハに
ボンディングされた保護カバーウェーハを有する。カバ
ーウェーハは、集積回路及びエアブリッジ構造、共鳴ビ
ーム、表面弾性波（ＳＡＷ）デバイス、トリム可能なレ
ジスタ及び超小型機械を含む他のデバイスを密封する。
ＳＡＷといった幾つかのデバイスは、保護カバーウェー
ハの中に形成された空洞の表面の上に形成される。ダイ
を分離することによって処理は完了する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は超小型電子構造、超
小型機械及び超小型機械化可能な構成要素のための蓋ウ
ェーハボンドパッケージに関し、特にエアブリッジ構造
に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路は個々のダイのレベルでパッケ
ージングされる。集積回路は半導体デバイスウェーハの
ダイの中に形成される。製造の間、ダイは、組み立て及
びパッケージングの間にダイを保護するための、典型的
には二酸化シリコン又はシリコン窒化物であるパシベー
ション層によって覆われている。組み立ての間、ウェー
ハは密着フレームに取り付けられ、ダイを互いに分離さ
せる複数の切れ目を付けることにより、ダイへと分離さ
れる。ダイ付着装置はダイをフレームから除去し、リー
ドフレームに取り付ける。リードフレームはダイを支持
する中央のダイパッドと、中央のダイパッドから伸びる
複数のリードとを有し、典型的には集積回路の夫々のボ
ンディングパッドに対して１つのリードである。リード
フレームは、典型的にはアルミニウム又は金である非常
に細い伝導性のワイヤが夫々のボンディングパッドから
リードフレーム上の対応するリードにボンディングされ
るワイヤボンディング装置を通される。ワイヤボンディ
ングされたダイはプラスチックの中にパッケージングさ
れる。プラスチックパッケージングは、ワイヤボンディ
ングされたダイが鋳型の中に配置され、溶融プラスチッ
クが鋳型の中に注入されるモールド作業の中で行われ
る。セラミックパッケージは、セラミックのシェルの半
分の中でダイをリードフレームにボンディングし、セラ
ミックのシェルの残る半分又は蓋で閉じることによって
作られる。パッケージング後、リードフレームは互いに
分離され、リードはトリムされ、所定の位置に曲げられ
る。パッケージングされたデバイスは他のデバイスと共
に、システムを提供するよう異なるデバイスが相互接続
される回路板の上に組み立てられる。よって、組み立て
及びパッケージングは共に労働集約的であり、時間を浪
費し、関連する歩留り損失を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラスチック及
びセラミックのパッケージはそれらが保護するダイの大
きさの数倍の大きさを有する。従って、ダイのパッケー
ジングは、集積回路を相互接続する回路板の空間の大部
分を占める。パッケージングされた構成要素がより小さ
ければ、コンピュータ及び他の電子機器の全体の大きさ
は非常に減少される。
【０００４】集積回路はしばしばトリム可能なレジス
タ、ヒューズ及び共鳴ビームといった超小型機械化可能
な構成要素を含む。これらの構成要素は、パシベーショ
ン層の適用の前、又は集積回路のカプセル化の前に機械
化可能である。集積回路はしばしば、パッケージの中に
密封された空洞を必要とする共鳴ビーム、インダクタ、
コンデンサ又はエアブリッジといった構成要素を含む。
プラスチック注入によってモールドされたパッケージは
これらの密封された空洞を提供し得ない。空洞を有する
プラスチックパッケージは、空洞の中のデバイスを損傷
するであろう湿気を集める。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、その中に形成
された１つ以上のデバイスからなる半導体デバイス基板
と、半導体デバイス基板にボンディングされ、その中に
形成されたデバイスを密封し、覆う保護カバーと、半導
体基板の中の１つ以上の電気ボンディングパッドとから
なるパッケージングされた集積回路であって、ボンディ
ングパッドは保護カバーの外側に配置され、半導体基板
の中のデバイスに電気的に接続されており、半導体デバ
イス基板は、カバーが半導体デバイス基板の中のデバイ
スを密封する、デバイスを保持する空洞からなることを
特徴とするパッケージングされた集積回路を含む。
【０００６】本発明はまた、夫々のダイは超小型電子構
造と、超小型機械と、超小型機械化可能な構成要素とか
らなるグループから選択された少なくとも１つのデバイ
スであるようデバイス基板の中に複数のダイを形成する
段階と、夫々の空洞はデバイス基板上の異なるダイのう
ちの１つに対応するよう複数の空洞を形成するため絶縁
層をパターン化する段階と、対応する蓋空洞によって覆
われた、ダイのボンディングされた構造を形成するよう
絶縁層をデバイス基板にボンディングする段階と、デバ
イス基板上の夫々のダイに個々の絶縁カバーを設けるよ
う絶縁蓋層の部分を除去する段階とからなる、ウェーハ
レベルで個々のダイをパッケージングする方法を含む。
【０００７】半導体デバイス、他の小型デバイス及び超
小型機械の同時パッケージングの方法は、ウェーハレベ
ルで行うことが都合がよい。以下においては、「集積回
路」という用語は、１つのウェーハのダイの中に形成さ
れた１つ以上の半導体デバイスからなるパッケージング
された超小型電子構造を示す。「超小型機械」はウェー
ハのダイの中に形成された小型構造である。超小型機械
の例は、インダクタ、コンデンサ、共鳴ビーム、変形可
能なミラーデバイス、弁及びモータを含むが、これらに
制限されるものではない。「基板」は超小型電子構造又
は超小型機械を含むウェーハのダイである。
【０００８】本発明は、ウェーハレベルにおいて個々の
ダイをパッケージングする方法を提供する。絶縁層は、
蓋ウェーハの上に形成される。絶縁層は、デバイスウェ
ーハのダイの対応する複数の空洞を形成するようマスク
され、エッチングされる。蓋ウェーハは、対応する蓋空
洞によって覆われたダイのボンディングされた構造を形
成するよう、デバイスウェーハに密封されてボンディン
グされる。蓋ウェーハ及びデバイスウェーハは、１つ以
上の超小型機械又は超小型機械化可能な構成要素を含み
うる。そのような超小型機械及び超小型機械化可能な構
成要素はデバイスウェーハの空洞の中に形成されうる。
蓋ウェーハ及びデバイスウェーハの両方は、超小型機械
及び超小型機械化可能な構成要素を収容する空洞からな
る。デバイスウェーハは、超小型機械又は超小型機械化
可能な構成要素であるデバイスに電気的に接続された接
触パッドを有する。超小型機械又は超小型機械化可能な
構成要素は蓋ウェーハの中に形成されうる。蓋ウェーハ
は、超小型電子構造がデバイスウェーハのダイの中に形
成された後にボンディングされる。１つの実施例では、
本発明は、デバイス半導体ウェーハにボンディングされ
たガラスカバーウェーハを使用して集積回路をパッケー
ジングする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、ダイに個々のキャップ又
はカバーを適用する提案された構造を示す図である。蓋
１４８は、シリコンといった半導体材のデバイス基板２
３８の中のエアブリッジ導体２４２を覆う。エアブリッ
ジ導体は、導体の上に配置された、通常シリコン窒化物
である絶縁パシベーション材のシース（図示せず）を有
する。プラスチックのキャップ１４８はエアブリッジを
密封する。そのような提案された構造が可能である一方
で、キャップ１４８を扱い、デバイスウェーハ２３８に
固定することは難しい。従って、夫々のダイを個々に覆
うことは実際的な解決法ではない。
【００１０】本発明は、ウェーハレベルでダイをパッケ
ージングすることで、提案された構造の問題を克服す
る。図２及び図３は、その中に超小型エアブリッジ構造
２４２が形成される、シリコンといった半導体材のデバ
イスウェーハ２００の１つのダイ基板２０２を示す図で
ある。半導体材は、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウ
ム、シリコン炭化物又はガリウム砒化物を含む他の半導
体材を含みうる。デバイスウェーハ２００は典型的には
二酸化シリコンである絶縁層２３６によって覆われてい
る。絶縁層は適当な誘電体からなり、同じ材料または異
なる材料であり得る。適当な誘電体は、二酸化シリコ
ン、シリコン窒化物及びシリコン窒素酸化物を含むが、
これらに限定されるものではない。絶縁層２３６の中の
開口２４８は、エアブリッジ導体２４２に電気的に接続
されている接触パッド２５０を露光する。導体２４２は
基板２０２の中のエアブリッジ空洞２４１の上に配置さ
れる。他のデバイス及び超小型電子構造は、エアブリッ
ジ空洞２４１によって占められる領域の中に形成されう
る。導体２４２は接触パッド２５０に接続され、絶縁層
２３６によって支持される。典型的にはシリコンである
蓋ウェーハ２６０は、シリコン層２６１及び絶縁層２６
２を有する。空洞２６３，２６４，２６５は、マスク及
びエッチング作用によって形成される。空洞２６３，２
６５は、接触パッド２５０の上の開口２４８に対応し、
空洞２６４はエアブリッジ空洞２４１に対応する。絶縁
層２６２及び２３６は接触させられ、蓋ウェーハ２６０
をデバイスウェーハ２００にボンディングするよう加熱
される。
【００１１】図３及び図４を参照するに、蓋ウェーハ２
６０のシリコン層２６１は除去され、絶縁層２６２は、
開口２４８及び接触パッド２５０を露光するようエッチ
ング又はラッピングによって薄くされる。外部デバイス
及び電源は、接触パッド２５０を電気的に接触されるこ
とによってエアブリッジ導体２４２に接続される。図５
を参照するに、図６に示されるデバイスを製造する過程
の１つの段階が示されている。図５及び図６の構造は、
図２乃至図４の構造と同様である。デバイスウェーハ２
００は、インダクタ又はコンデンサといった相互接続又
は不動態構成要素を形成しうる導体２７４によってブリ
ッジされた開口２７２を伴う絶縁層２７０を有する。接
触パッド２７８は、絶縁層２７０の中にエッチングされ
た開口２４８によって露光される。蓋ウェーハ２８１
は、ｐ＋型シリコン層２８２を覆うｎ＋型シリコン層２
８０、及び空洞２８６を有する絶縁層２８４を有する多
層構造である。ｐ＋型シリコン層２８２は、蓋ウェーハ
２８１の表面をマスクし、ｐ＋型シリコン領域２８２を
形成するよう選択された領域をドーピングすることによ
って形成される。次にｐドープド領域２８２の上の表面
は、絶縁領域２８６を形成するよう酸化される。ｎ＋型
シリコンのへりは、領域２８２及び２８６を縁取る。蓋
ウェーハ２８１は、融着ボンド又はＰＭＭＡ（ポリメタ
クリル酸メチル）といったプラスチックポリマー材のい
ずれかによって、絶縁層２７０及び領域２８４の表面を
ボンディングすることによって取り付けられる。開口２
４８は露光され、デバイスは、ｎ＋型シリコンを除去す
るようＫＯＨエッチングを使用して図６に示される形に
薄くされる。開口２４８は次に、接触パッド２７８を他
のデバイスと接続するよう、金属の接触材料によって充
填される。
【００１２】図６は、図４に示されるデバイスと同様の
デバイスを示す図である。蓋２８１はｐ型シリコン（ｐ
＋Ｓｉ）２８２及び空洞２８６を有する絶縁層２７０の
多層構造である。導体２７４は、蓋２８１の中の空洞に
よって形成されたブラインド空洞２４０と、シリコン基
板２０２の中の空洞２４１をブリッジする。基板２０２
は、接触パッド２５０への開口２４８を伴う誘電層２７
０を有する。接触パッド２５０は、導体２７４に電気的
に接続されている。エアブリッジ構造の代わりに、空洞
２４１に対応する領域のデバイス基板２０２の中に超小
型電子構造が形成されうる。反対側にある外部表面２９
０及び２９１は、デバイスを薄くし、熱流を高めるよう
エッチングされ、デバイス冷却用に速い熱流を必要とす
る条件でその中の超小型電子構造が作動することを可能
にする。
【００１３】図７は、図６に示されるデバイスを製造す
るために使用される過程によって作られうる光学デバイ
スを示す図である。デバイス基板２９２の絶縁層３０４
にボンディングされたシリコン層２９１及び絶縁層２９
０を有する蓋ウェーハ２９６が提供されている。デバイ
ス基板２９２は、その中に従来の過程によって形成され
た光エミッタ又は光受容体（光検出器）２９４を伴う超
小型電子構造を有する。蓋ウェーハ２９６はエネルギー
のビームを通す材料のウィンドウ２９８を有するシリコ
ンである。１つの実施例では、ウィンドウは二酸化シリ
コンといった光学的に透過性のある材料である。反射器
３００は空洞３０２の開口を囲む。絶縁層３０４は外部
回路及びデバイス基板２９２の中のデバイス２９４（図
示せず）への接続と提供するボンディングパッド３０６
を含む。反射器３００は、デバイス基板２９２の中に形
成された感光性素子２９４へ、又は感光性素子から光を
方向付けるために使用される。反射器３００は、空洞３
０２の中の光が隣接する領域に達することを防止する光
遮蔽でありうる。
【００１４】図８に示されるように、パッケージングさ
れた集積回路３２０の蓋は、半導体材の光学的に不透明
な層２９１を有しうる。外側の半導体の材料の一部分
は、透明なウィンドウ２９８を提供するよう酸化されう
る。更なる実施例では、ウィンドウは、電磁放射の選択
された波長をフィルタリングするよう色が付けられる。
パッケージングされたデバイス３２０は図７に示される
デバイスと同様であり、同様の部分は同様の参照番号に
よって示されている。空洞３０２は共鳴ビーム３０８の
中に形成された導体３０８を有する。共鳴ビーム３０８
は、ウィンドウ２９８を通じたレーザトリミングによっ
て所望の機械的な共鳴周波数を有するよう超小型化され
うる。回路の周波数はビーム３０８の信号の共鳴周波数
に一定に維持され、それにより水晶発振器及び他の一定
周波数源において有用な集積回路デバイスを提供する。
【００１５】本発明はまた、ガラス又は水晶のカバーウ
ェーハを使用するウェーハレベルのパッケージングを提
供する。図９を参照するに、カバーウェーハ層４０１及
びシリコンデバイスウェーハ４０２が図示されている。
カバーウェーハ４０１は、夫々の空洞がデバイスウェー
ハの上のダイに対応する複数のカバー空洞４０６を形成
するようパターン化される。デバイスウェーハ４０２
は、夫々のダイは少なくとも１つの超小型電子構造、超
小型機械又は機械化可能な構成要素からなる、複数のダ
イ４１０と共に形成される。デバイスウェーハ４０２
は、隣接するダイを互いに分離するためのスクライブ溝
４０５のパターンを有するよう更に処理される。カバー
ウェーハ４０１は、デバイスウェーハのスクライブ溝に
対応するパターンを有するスクライブ空洞４０４と、ダ
イ４１０を覆うための一続きのダイカバー空洞４０６を
有するよう、同様にパターン化される。スクライブ空洞
４０４の深さはカバー空洞４０６の深さよりも深い。カ
バーウェーハ４０１は、水晶又はガラスであることが望
ましい。
【００１６】図１０を参照するに、カバーウェーハ４０
１は、カバー空洞４０６をダイ４１０と整列させ、スク
ライブ空洞４０４をスクライブ溝４０５を整列させて、
デバイスウェーハ４０２に取り付けられている。カバー
ウェーハ４０１は、有機エポキシ、リフローされたガラ
ス、又は金属蝋接といった様々な両立可能な接着技術を
使用して、デバイスウェーハ４０２に取り付けられう
る。図１１に示されるように、カバーウェーハは、スク
ライブ溝４０５へのアクセスを提供するよう、スクライ
ブ空洞が露光されるまで、エッチング又はラッピングに
よって部分的に除去される。個々のダイはその後に分離
されうる。
【００１７】図１２及び図１３は、ＳＡＷトランスデュ
ーサ４１１のパターンがカバー空洞の内部表面に与えら
れる単一のパッケージングされた集積回路の側面図及び
平面図を示す図である。トランスデューサのパターン
は、ＧｈｚのＲＦシステムで必要とされる集積ＳＡＷフ
ィルタパターン４０８を形成する。他のデバイスはデバ
イスウェーハ４０２の中に形成されえ、そのような他の
デバイスは超小型機械、機械化可能な構成要素、エアブ
リッジ、トリム可能なレジスタ、共鳴ビーム及び変形可
能なミラーデバイスを含むが、これらに制限されるもの
ではない。ガラスの基板は、第１の電磁スペクトルを通
過させ、第２の電磁スペクトルを通過させない。ガラス
は不透明であるか、又は光の１つ以上の波長をフィルタ
するよう色づけされうる。ウェーハレベルで密封してパ
ッケージングされた集積回路は半導体デバイス基板ウェ
ーハにボンディングされた保護カバーウェーハを有す
る。カバーウェーハは、集積回路及び、エアブリッジ構
造、共鳴ビーム、表面弾性波（ＳＡＷ）デバイス、トリ
ム可能なレジスタ、及び超小型機械を含む他のデバイス
を密封する。ＳＡＷといった幾つかのデバイスは、保護
カバーウェーハの中に形成された空洞の表面の上に形成
される。ダイが分離され、過程は完了する。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラスチックのキャップによってカプセル化さ
れたデバイスの中の開かれた空間の上のエアブリッジ形
状の中に配置された伝導性の部材を有する集積回路デバ
イスの断面図を示す図である。
【図２】ボンディング前のデバイス層及び蓋層の断面図
を示す図である。
【図３】ボンディング後のデバイス層及び蓋層の断面図
を示す図である。
【図４】蓋ウェーハがラッピングによって部分的に除去
された後の図２及び図３のデバイスの断面図を示す図で
ある。
【図５】蓋ウェーハがｐ＋型及びｎ＋型シリコンからな
るデバイスの断面図を示す図である。
【図６】ｎ＋型シリコンがデバイスからエッチングされ
た後の図５のデバイスの断面図を示す図である。
【図７】デバイスウェーハのダイの中の光検出器、レー
ザトリム可能なレジスタ又は共鳴ビームのうちのいずれ
かと共に、蓋ウェーハの残る部分の中に透明なウィンド
ウが形成された図６のデバイスを示す図である。
【図８】デバイスウェーハのダイの中の光検出器、レー
ザトリム可能なレジスタ又は共鳴ビームのうちのいずれ
かと共に、蓋ウェーハの残る部分の中に透明なウィンド
ウが形成された図６のデバイスを示す図である。
【図９】ボンディング前の蓋層及びデバイス層の断面図
を示す図である。
【図１０】ボンディング後の蓋層及びデバイス層の断面
図を示す図である。
【図１１】絶縁蓋ウェーハの一部分を除去した後に結果
として生じた水晶の蓋を示す図である。
【図１２】内側の表面に与えられたＳＡＷフィルタ金属
パターンを有する取り付けられた蓋を伴う回路ダイの断
面図を示す図である。
【図１３】内側の表面に与えられたＳＡＷフィルタ金属
パターンを有する取り付けられた蓋を伴う回路ダイの平
面図を示す図である。
【符号の説明】
１４８ 蓋 ２００ デバイスウェーハ ２０２ ダイ基板 ２３０，２３６，２６２，２７０，２８４，２９０，３
０４ 絶縁層 ２３８ デバイス基板 ２４０ ブラインド空洞 ２４１ エアブリッジ空洞 ２４２ エアブリッジ導体 ２４８，２７２ 開口 ２５０，２７８ 接触パッド ２６０ 蓋ウェーハ ２６１ シリコン層 ２６３，２６４，２６５，２８６，３０２ 空洞 ２７４ 導体 ２８０ ｎ＋型シリコン層 ２８１ 蓋ウェーハ ２８２ Ｐ＋型シリコン層 ２９１ 光学的に不透明な層 ２９２ デバイス基板 ２９４ 光エミッタ又は光受容体 ２９６ 蓋ウェーハ ２９８ 透明なウィンドウ ３００ 反射器 ３０６ ボンディングパッド ３０８ 共鳴ビーム及び導体 ３２０ パッケージングされた集積回路 ４０１ カバーウェーハ ４０２ シリコンデバイスウェーハ ４０４ スクライブ空洞 ４０５ スクライブ溝 ４０６ カバー空洞 ４０８ 集積ＳＡＷフィルタパターン ４１０ ダイ ４１１ ＳＡＷトランスデューサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィリアム アール ヤング アメリカ合衆国，フロリダ 32907，パー ムベイ，ブリーズウッド・レーン エヌダ ブリュ 1532 (72)発明者 パトリック ベグリー アメリカ合衆国，フロリダ 32904，ウエ スト・メルバーン，ニューヨーク・ストリ ート 2725

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 その中に形成された１つ以上のデバイス
    からなる半導体デバイス基板と、半導体デバイス基板に
    ボンディングされ、その中に形成されたデバイスを密封
    し、覆う保護カバーと、半導体基板の中の１つ以上の電
    気ボンディングパッドとからなるパッケージングされた
    集積回路であって、 ボンディングパッドは保護カバーの外側に配置され、半
    導体基板の中のデバイスに電気的に接続されており、半
    導体デバイス基板は、カバーが半導体デバイス基板の中
    のデバイスを密封する、デバイスを保持する空洞からな
    ることを特徴とするパッケージングされた集積回路。
  2. 【請求項２】 保護カバーはシリコン、ゲルマニウム、
    シリコンゲルマニウム、ガリウム砒化物、ガラス及び水
    晶からなるグループから選択された材料からなる請求項
    １記載のパッケージングされた集積回路。
  3. 【請求項３】 デバイスは、デバイスの反対側の保護カ
    バーの表面の上の表面弾性波デバイスからなる請求項１
    又は２記載のパッケージングされた集積回路。
  4. 【請求項４】 保護カバーは、電磁放射の第１のスペク
    トルを通過させ、電磁放射の第２のスペクトルを通過さ
    せない請求項１乃至３のうちいずれか１項記載のパッケ
    ージングされた集積回路。
  5. 【請求項５】 保護カバーは電磁放射の選択された波長
    をフィルタするよう色付けされている請求項４記載のパ
    ッケージングされた集積回路。
  6. 【請求項６】 カバーは半導体材の外側の層からなり、
    半導体はシリコンであり、シリコンの一部分は透明なウ
    ィンドウを提供するよう酸化されている請求項１乃至６
    のうちいずれか１項記載のパッケージングされた集積回
    路。
  7. 【請求項７】 ダイはエアブリッジ構造からなり、デバ
    イス基板は超小型電子構造からなり、ダイは望ましくは
    トリム可能なレジスタ構造である感光性素子からなる請
    求項１乃至６のうちいずれか１項記載のパッケージング
    された集積回路。
  8. 【請求項８】 夫々のダイは超小型電子構造と、超小型
    機械と、超小型機械化可能な構成要素とからなるグルー
    プから選択された少なくとも１つのデバイスであるよう
    デバイス基板の中に複数のダイを形成する段階と、 半導体層からなる蓋ウェーハの上に絶縁層を形成する段
    階と、 各空洞がデバイス基板上の異なるダイの１つに対応する
    よう複数の空洞を形成するため絶縁層をパターン化する
    段階と、 対応する蓋空洞によって覆われた、ダイのボンディング
    された構造を形成するよう絶縁層をデバイス基板にボン
    ディングする段階とからなる、ウェーハレベルで個々の
    ダイをパッケージングする方法。
  9. 【請求項９】 デバイスは超小型電子構造であり、デバ
    イス基板の中のエアブリッジ構造からなり、複数の別々
    のパッケージングされた集積回路を形成するようカバー
    されたダイを互いに分離させる段階と、蓋ウェーハ半導
    体層を選択的に除去する段階と、エアブリッジ構造を覆
    うよう蓋ウェーハの中の対応する空洞を形成する段階と
    よりなる請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 デバイス及び蓋ウェーハはシリコンで
    あり、絶縁層は二酸化シリコンであり、絶縁層の中に接
    触開口を形成し、蓋ウェーハが薄くされたときに接触開
    口を露光し、金属によって接触開口を充填する段階を更
    に含む請求項８又は９記載の方法。
  11. 【請求項１１】 デバイスに電気的に結合された複数の
    接触パッドを形成し、接触パッドと整列された絶縁層の
    中の接触開口を形成する段階と、蓋ウェーハの一部分の
    中に透明なウィンドウを形成する段階と、透明なウィン
    ドウをデバイスウェーハの中の空洞と整列させる段階
    と、蓋及びデバイスをボンディングする段階と、透明な
    ウィンドウを露光するよう蓋を薄くする段階とを含む請
    求項１０記載の方法。
  12. 【請求項１２】 夫々のダイは超小型電子構造と、超小
    型機械と、超小型機械化可能な構成要素とからなるグル
    ープから選択された少なくとも１つのデバイスであるよ
    うデバイス基板の中に複数のダイを形成する段階と、 夫々の空洞はデバイス基板上の異なるダイのうちの１つ
    に対応する複数の空洞を形成するため絶縁層をパターン
    化する段階と、 対応する蓋空洞によって覆われた、ダイのボンディング
    された構造を形成するよう絶縁蓋層をデバイス基板にボ
    ンディングする段階と、 デバイス基板上の夫々のダイに個々の絶縁カバーを設け
    るよう絶縁蓋層の部分を除去する段階とからなる、ウェ
    ーハレベルで個々のダイをパッケージングする方法。
  13. 【請求項１３】 隣接するダイを互いに分離するスクラ
    イブストリートのパターンを有するようデバイスをパタ
    ーン化し、デバイス基板のスクライブパターンと対応す
    るパターンにスクライブ空洞を有するよう絶縁蓋層をパ
    ターン化し、絶縁蓋層は、絶縁蓋層がガラス又は水晶か
    らなるとき部分的にラップ仕上げによって除去される段
    階と、カバー空洞の表面の上に導線のパターンを形成す
    る更なる段階とからなることを特徴とする請求項１２記
    載の方法。
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