JP2006326834A - インサイチュ・キャップ及び集積回路装置用インサイチュ・キャップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】マイクロマシン装置を含む集積回路装置用の改善されたインサイチュ・キャップと該インサイチュ・キャップの製造方法とを提供する。そのようなキャップと、同様に該キャップを製造するために基本的な集積回路製造プロセスを利用する方法とを提供する。
【解決手段】マイクロマシン装置のような集積回路装置(10)用インサイチュ・キャップ、及び基板(14)上に集積回路素子(122)を形成し;集積回路素子(122)上に支持層(124)を形成し、集積回路素子(122)を覆う支持層(124)にキャップ構造(22)を形成することによってそのようなキャップ(40)を製造する方法。
【選択図】図6
【解決手段】マイクロマシン装置のような集積回路装置(10)用インサイチュ・キャップ、及び基板(14)上に集積回路素子(122)を形成し;集積回路素子(122)上に支持層(124)を形成し、集積回路素子(122)を覆う支持層(124)にキャップ構造(22)を形成することによってそのようなキャップ(40)を製造する方法。
【選択図】図6
Description
この発明は、マイクロマシン装置(micromachined device)のような集積回路装置用のインサイチュ・キャップ(in−site cap)、及びそのようなインサイチュ・キャップの製造方法に関する。
従来の、マイクロマシン装置のような集積回路装置用キャップは多くの場合、保護及び絶縁のために用いられている。通常これらのキャップは装置自身とは独立して形成され、それゆえ装置の製造が完成した後に取り付けられる。多くの場合キャップはシリコンから形成されており、有機接着剤、或いは無機ガラス又は金属を用いて装置へ固定される。この方法は満足ゆくことがあるものの、キャップを形成してからこれらキャップを集積回路装置へ接合するために個別のプロセスを必要とする。一連の接合プロセスでは、ウエハが分離される前に集積回路装置にキャップが設けられる。このプロセスは、高価なウエハスケールプロセス及び装置を必要とする。プロセスが厳格に制御されていない場合には、キャップ応力の結果収量損失が生じる可能性がある。しかしながら、厳格に制御されたウエハレベルプロセスは、製造プロセスの早い段階で繊細なマイクロマシン装置を保護する。他の一連のプロセスでは分離された後にキャップが設けられる。このプロセスは容易に実施することができるが、ウエハの分離の間及び他のプロセス段階の間における汚染を防止するために特別な予防措置を必要とする。さらに他の方法は、キャビティ・パッケージの内部に装置を取り付けワイヤボンディングすることによって、キャップを集積回路装置へ直接取り付けるために必要なことを排除する。本質的には、次のレベルのパッケージがキャップとなる。多くの場合この方法は、密封するようシールされた高価なセラミック又は金属・パッケージを使用する。この方法はまた、繊細なマイクロマシン装置を組み立てている間の汚染を防止するために、製造設備を通常の洗浄度基準に維持する必要がある。
したがって、この発明の目的は、マイクロマシン装置を含む集積回路装置用の改善されたインサイチュ・キャップと該インサイチュ・キャップの製造方法とを提供することである。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、同様に該キャップを製造するために基本的な集積回路製造プロセスを利用する方法とを提供することである。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、同様に該キャップを製造するために基本的な集積回路製造プロセスを利用する方法とを提供することである。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、装置自身の集積されたインサイチュ部としてキャップを提供する方法とを提供することにある。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、キャップを形成するか又は取り付けるために特別な又は別個の努力を必要としない方法とを提供することにある。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、キャップを形成するか又は取り付けるために特別な又は別個の努力を必要としない方法とを提供することにある。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、気体又は液体の充填又は真空のような、キャップ内に適した環境を保持するためにキャップを用いることができる方法とを提供することにある。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、ダイ分割、試験、及び処理を含む他のさらなる処理の前にプロセスが完成したとき直ぐにキャップされた装置を保護する方法とを提供することにある。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、ダイ分割、試験、及び処理を含む他のさらなる処理の前にプロセスが完成したとき直ぐにキャップされた装置を保護する方法とを提供することにある。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、かなり低い製造コストを有する方法とを提供することにある。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、ダイ切断の前のウエハ処理の最後でキャップされて以来装置の傷つき易さが軽減されるので後処理がより容易に行われる方法とを提供することにある。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、ダイ切断の前のウエハ処理の最後でキャップされて以来装置の傷つき易さが軽減されるので後処理がより容易に行われる方法とを提供することにある。
この発明のさらなる目的は、そのようなキャップと、集積回路の残部と同一の低い温度処理を要求する方法とを提供することにある。
本発明は、適切に改善され、より強健で、より簡潔かつ安価な集積回路装置用インサイチュ・キャップと、そのようなキャップの製造方法とが、集積回路装置上に支持層を形成し次いで集積回路素子を覆う支持層にキャップ構造を形成することにより、集積回路製造プロセスの一部として集積回路装置上にインサイチュにキャップを製造することによって達成され得ることを具現化したものである。
この発明は、完全な犠牲支持層を備えた基板上にマイクロマシン素子を製造すること、及びマイクロマシン素子上にキャップ犠牲支持層を製造することを含む、マイクロマシン装置用インサイチュ・キャップの製造方法に特徴がある。キャップ構造はマイクロマシン素子を覆う犠牲層に形成され、犠牲層は、装置と一体のインサイチュ・キャップを残して、マイクロマシン素子を解放するためにキャップ構造内で除去される。
好ましい実施例では、キャップ構造を形成する段階は、素子の周囲にキャップ・ホール(cap hole)を形成する段階を含むことができる。キャップ構造を形成する段階はまた、キャップ壁を形成するためにキャップホールを充填する段階と、キャップ壁と接続された頂部を形成するために犠牲層を覆う段階とを含むことができる。キャップは、少なくとも一つのホールを有して形成することができ、犠牲層を除去する段階は、キャップ内にホールを介して剥離剤を導入する段階を含んでよい。基板は、少なくとも一つのホールを有して形成することができ、犠牲層を除去する段階は、基板内にホールを介して剥離剤を導入する段階を含んでよい。キャップホールはキャップを塞ぐために閉ざすことができる。流体添加材は、マクロマシン素子を取り囲むキャップ内にキャップホールを介して導入することができる。キャップホールは流体を封じ込めるために閉ざすことができる。キャップホールは小さくすることができ、流体の表面張力は流体の流出を防止することができる。キャップを製造する段階は、キャップ上に接点を形成する段階を含むことができる。マイクロマシン素子はスイッチを含むことができ、接点はスイッチの端子とすることができる。キャップを製造する段階はまた、スイッチを操作するためにキャップ上にゲート電極を形成する段階を含むこともできる。流体は架橋結合可能な材料とすることができ;キャップ内は真空とすることができ;流体はキャップ内部の表面を変化させることができる。
この発明はまた、基板上に集積回路素子を製造する段階と、集積回路素子上に支持層を形成する段階と、集積回路素子を覆う支持層にキャップ構造を形成する段階と、を含む集積回路装置用インサイチュ・キャップの製造方法にも特徴がある。
好ましい実施例では、本方法はさらに、キャップ構造内の支持層を除去する段階を含むことができる。
この発明はまた、基板と、基板上のマイクロマシン素子と、基板と一体でかつ素子を覆うインサイチュ・キャップとを含む、インサイチュ・キャップを備えたマイクロマシン装置にも特徴がある。基板を介してキャップ下の素子から外部端子へ延在する少なくとも一つの導体がある。
好ましい実施例では、キャップは液体で満たすことができ;該液体は誘電体とすることができる。マイクロマシン素子はスイッチを含んでいてもよく;キャップはホールを含んでいてもよく;マイクロマシン素子は光学素子を含んでいてもよく;ホールは光学ポートとすることができる。キャップは接点を含むことができ;マイクロマシン素子はスイッチを含むことができ;接点はスイッチの末端部とすることができる。キャップはスイッチを操作するためにゲート電極を含んでいてもよい。
この発明はさらに、基板と、基板上のマイクロマシン素子と、該素子を覆う基板と一体のインサイチュ・キャップとを含む、インサイチュ・キャップを備えたマイクロマシン装置に特徴がある。マイクロマシン素子は光学素子とすることができ、光学素子を利用するための光学ポートがあってもよい。好ましい実施例では、ポートはキャップ内とすることができる。
この発明はさらに、基板と、該基板上のマイクロマシン素子と、基板と一体でかつ素子を覆うインサイチュ・キャップとを含む、インサイチュ・キャップを備えたマイクロマシン装置に特徴がある。キャップ内に液体が配置されてもよい。
好ましい実施例では、液体は誘電体とすることができる。
好ましい実施例では、液体は誘電体とすることができる。
この発明はさらに、基板と、基板上の集積回路素子と、基板と一体でかつ素子を覆うインサイチュ・キャップとを含む、インサイチュ・キャップを備えた集積回路装置に特徴がある。少なくとも一つの導体は、基板を介してキャップ下の素子から外部端子へ延在してもよい。
この発明はさらに、基板と、基板上の集積回路素子と、基板と一体でかつ素子を覆うインサイチュ・キャップとを含む、インサイチュ・キャップを備えた集積回路装置に特徴がある。集積回路素子は光学素子を含むことができ、光学素子を利用するために光学ポートがあってもよい。
この発明はさらに、基板と、基板上の集積回路素子と、基板と一体でかつ素子を覆うインサイチュ・キャップとを含む、インサイチュ・キャップを備えた集積回路装置に特徴がある。キャップ内に液体が配置されてよい。
他の目的、特徴、及び優位点は、次の好ましい実施例の記述と添付の図面とから当業者に見出されよう。
図1には、集積回路自身の基本工程の一部として形成されたインサイチュ・キャップ内の犠牲層を除去する直前に現れるような、この発明に従って製造されたマイクロマシンスイッチ装置10が示されている。製造は二酸化シリコン層12をシリコン基板14上に形成することで開始する。第2二酸化シリコン層16は層12上に横たわっており、次いで層16内にホール18をエッチングすることができるようにマスクされる。これらホールがエッチングされた後、これらホールは導体20,20′を形成するためにアルミニウムで充填される。これら導体は、キャップ22内のマイクロマシン素子又は他の集積回路素子と外部回路との間に電気的な相互接続を形成するよう機能する。第3二酸化シリコン層24が層16上に形成されている。ここで層24は、後にエッチングによって形成されるホール26,28,30,及び32を露出するようマスクされる。この後、露出されたホール26,28,30,及び32を残して層24上に他の金属層が堆積される。この金属、Ruのような金属(しかしながら低くかつ安定した抵抗を与えるあらゆる金属が適切であろう)は、約0.1ミクロンの厚さにスパッタ堆積される。この層はマスクされるとともにエッチングされ、マスクは除去され、残りのRu金属は下に横たわるAl金属38,48,及び50への接点を形成すると同時にマイクロマシン素子のソース34、ゲート36、及びドレイン38を形成し、キャップの壁46に対するアンカー部すなわち固定部42,44を形成する。またパッド48及び50は、外部回路へワイヤボンディングされるよう端子を形成する。この後、第1犠牲層52が形成される。犠牲層52は、犠牲層の厚さの約1/3のホール70を形成するようマスクされ、次いでRuのような金属(しかしながら低くかつ安定した抵抗を与えるあらゆる金属が適切であろう)の堆積が、ホール70を充填してチップ・コンタクト(tip contact)72を形成するよう行われる。犠牲層52は再び、Ruパッド34,42,44,48,及び50と連絡するホールを露出するためにマスクされる。ここで例えば厚さ1.0ミクロンのAuの薄層、すなわち金層60,62,64,66,及び68が、これら選択されたRuパッド上に形成される。層52はもう一度、マイクロマシン素子のビーム74及び固定部76、すなわちスイッチ40のための空間を露出するためにマスクされる。金層は、示されているように、アーム74及びポスト76を形成するために堆積され、次いで第2犠牲層80が追加される。層80はホール82を形成するためにマスクされる。これらホールは、金層62及び64まで真っ直ぐにエッチングされる。この後、層80はキャップ22の頂部プレート86を形成するためにマスクされ、キャップ22の構造を完成させるために壁部45及び頂部86を充填するよう金が堆積される。この特定の実施例では、キャップ22は、キャップ22内部の犠牲層52及び80を解放するために導入される剥離剤を受け取るのに役立つ多くのホール90を有して形成されている。集積回路素子又はマイクロマシン素子という語がキャップ、例えばスイッチ40の下のものをいうのに対して、集積回路装置又はマイクロマシン装置という語は一般に、組立体10のことをいう。
以上のことが行われたとき、完成した装置が図2のように現れる。ここでキャビティはホール90内のエポキシ又は同様のシール材でシールされ得るか、又は開かれたままとすることができる。スイッチ40、又は他のマイクロマシン素子又は他の集積回路素子が光学部を有している場合には、一つ又は複数のホール90は光学ポートとして用いることができる。あるいは、基板14を貫くホール92を、光学アクセスポート(optical access port)として、またホール90と同様に剥離剤を受け取るためのホールとして用いることができる。多くの場合キャップ22に形成されたキャビティ94は、キャップ22によって保護されかつ隔離されたスイッチ又は他のマイクロマシン装置又は集積回路装置の動作を補佐するか又は高めるために、真空又は不活性ガス又は誘電性液体のような所定の環境を包含すべきである。こういう事情の場合、流体を保持するか又は真空に封をするためにホール90を塞ぐことが望まれることがある。ある場合には、ホールは単に、液体の表面張力が漏洩又は蒸発を防止するよう十分小さく形成することができる。あるいは、反応性液体が用いられ得、例えばそのような材料は高分子量材料へ重合し得るか又はゲル又は固体形態へ架橋結合し得る。そのような生成物はホールを介して漏出しないであろう。例としては反応性シリコーンゲル、エポキシ樹脂、タンパク質/水・溶液が含まれる。あるいは、スティクション(stiction)を減少させ、表面上のある特定の化学反応を不動態化するか又は与えるため(生物学的な利用)に、キャップの表面又はマイクロマシン装置の表面のようなキャップ内の表面の性質を一部変更する流体が導入され得る。例えば、HMDS(Hexamethyldisilazane:ヘキサメチルジシラザン)がスティクションを減少させるために気相蒸着され得る。集積回路素子が、自由に動けなくてもよいものである場合には、犠牲層は除去しなくてもよい。実際、例えば犠牲層が、所望の光学的、電気的又は熱的な絶縁性を有し、かつ互換性のある膨張率、つまり支持のための膨張率を有する場合には、犠牲層を残しておくと有益かも知れない。
他の実施例では、図3のスイッチ40aは、キャップ22a上に直接他のコンタクトチップ100及び他のカウンタゲート電極102を形成することによって双投スイッチとして形成することができる。この場合、キャップが形成される前に他の段階が挿入される。この段階では、層80aはホール104,106を形成するためにマスクされ、ホール内にはチップ・コンタクト100及びカウンタゲート電極102を形成するためにRuが堆積され得る。次いでキャップ22aを形成するために所望の段階が実施される。犠牲層を除去した後、図4に示すような装置が、完全に実施可能なマイクロマシン双投スイッチとして現れる。
通常、装置10又は10aは図5における符号110で示す位置でパドル又はリードフレーム112に取り付けられたダイスであり、パドル又はリードフレーム112の接点114,116は、ハウジング120内にまとめられた全装置と一緒に接点66及び68へワイヤボンディングされている。前に示したように、キャップ及びキャップの製造方法はマイクロマシン装置に限定されず、スイッチ40の代わりにASIC、マイクロプロセッサ、又は同様のもののような集積回路素子122がキャップ22によって被包された、図6に示すような他の種類の集積回路装置に同様に適用できる。この特定の場合において、単なる保護又は分離に代わるキャップの目的は、あるいは又はさらに、例えば金属化外部層124を形成し、遮蔽機能を持たせるために126でのように金属化外部層124を接地することによって、ファラデー箱を形成することであった可能性がある。
図1、図2、図3、及び図4の装置を製造するための方法は、二酸化シリコンのような第1絶縁体を堆積すること(段階150)、第2二酸化シリコン層を堆積すること(段階152)、次いでホールを形成し、導電層を堆積、マスク、エッチングするために第2層をマスキングすること(段階154)から始まる図7A及び図7Bにフローチャート形式で示されている。第3二酸化シリコン層が堆積され、Ruが導体パッド26,28,30,32と接触するようホールを形成するためにエッチングされる(段階156)。34,36,38,42,44,48,及び50を形成するために、Ruのような金属(しかしながら低くかつ安定した抵抗を与えるあらゆる金属が相応しい)が堆積され、マスクされ、エッチングされる(段階158)。次いで第1犠牲層52が堆積される(段階160)。第1犠牲層はチップ・コンタクト72を形成するためにマスクされてエッチングされ、ビーム固定部34、キャップ固定部42及び44、及び端子48,50用のホールを形成するために、再びマスクされエッチングされる(段階162)。犠牲層は再びマスクされ、ビーム74,76、端子パッド66,68、及び壁固定部62,64を形成するためにAuが堆積される(段階164及び段階168)。次いで第2犠牲層80が堆積され(段階170)、それからホールを形成して壁部46、及びキャップ22の頂部を堆積するためにマスクされエッチングされる(段階172)。最後に、第2犠牲層及び第1犠牲層を除去するために剥離剤が適用される(段階174)。図3及び図4の構成では、上部チップ100及びカウンタ電極102を形成するために第2犠牲層80をマスキング及びエッチングする段階(段階176);次いでRuのような金属(しかしながら低くかつ安定した抵抗を与えるあらゆる金属が適している)を堆積してチップ104及びカウンタ電極106を画定するためにマスキング及びエッチングする段階(段階178);からなる付加的な段階が追加される。この段階は段階170と段階172との間に行われる。
図1及び図2の装置を製造するための方法のさらなる詳細は、図表Aに示されており、図3及び図4に対しては図表Bに示されている。
本発明の具体的な特徴は、他でもなくいくつかの図面に示されたが、これは、それぞれの特徴が本発明に係る他の特徴のいずれか又は全てと結び付けられ得るように、便宜上のみのためである。本明細書中で用いられたような「含む」、「からなる」、「有する」、及び「備えた」という語は、広範囲かつ包括的に解釈されるべきであり、いかなる物理的な相互関係に限定されない。その上、本願で開示されたいかなる実施例も単に可能な実施例として受け取られるべきではない。
他の実施例は当業者に見出されるであろうし、特許請求の範囲内にある。
他の実施例は当業者に見出されるであろうし、特許請求の範囲内にある。
10 集積回路装置
14 基板
22 キャップ構造
40 キャップ
122 集積回路素子
124 支持層
14 基板
22 キャップ構造
40 キャップ
122 集積回路素子
124 支持層
Claims (62)
- マイクロマシン装置用インサイチュ・キャップの製造方法であって、
完全な犠牲支持層を有する基板上にマイクロマシン素子を形成する段階と、
前記マイクロマシン素子上にキャップ犠牲支持層を形成する段階と、
前記マイクロマシン素子を覆う前記犠牲支持層にキャップ構造を形成する段階と、
前記素子と一体とされたインサイチュ・キャップを残して前記マイクロマシン素子を解放するために前記キャップ構造内の前記犠牲支持層を除去する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記キャップ構造を形成する段階は、前記素子の周囲にキャップホキャップホール階を含むことを特徴とする方法。 - 請求項2記載の方法において、
前記キャップ構造を形成する段階は、
キャップ壁を形成するために前記キャップホールを充填する段階と、
前記キャップ壁と接続された頂部を形成するために前記犠牲支持層を覆う段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記キャップは、少なくとも一つのホールを有して形成されていることを特徴とする方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記犠牲支持層を除去する段階は、前記キャップ内に前記少なくとも一つのホールを介して剥離剤を導入する段階を含むことを特徴とする方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記基板は、少なくとも一つのホールを有して形成されていることを特徴とする方法。 - 請求項6記載の方法において、
前記犠牲支持層を除去する段階は、前記基板内に前記少なくとも一つのホールを介して剥離剤を導入する段階を含むことを特徴とする方法。 - 請求項4記載の方法において、
前記キャップホールは、前記キャップを塞ぐよう閉ざされていることを特徴とする方法。 - 請求項4記載の方法において、
流体添加材が、前記マイクロマシン素子を取り囲む前記キャップ内に前記少なくとも一つのホールを介して導入されることを特徴とする方法。 - 請求項6記載の方法において、
前記キャップホールは、前記キャップを塞ぐよう閉ざされていることを特徴とする方法。 - 請求項6記載の方法において、
流体添加材が、前記マイクロマシン素子を取り囲む前記キャップ内に前記少なくとも一つのホールを介して導入されることを特徴とする方法。 - 請求項9記載の方法において、
前記キャップホールは、前記流体に対しシールされるよう閉塞されキャップホールとする方法。 - 請求項9記載の方法において、
前記キャップホールは小さく、かつ
前記流体の表面張力が該流体の流出を防止することを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、
キャップを形成する段階は、前記キャップ上にコンタクトチップを形成する段階を含むことを特徴とする方法。 - 請求項14記載の方法において、
前記マイクロマシン素子はスイッチを含み、
前記コンタクトチップは前記スイッチの端子であることを特徴とする方法。 - 請求項15記載の方法において、
キャップを形成する段階は、前記スイッチを操作するために前記キャップ上にゲート電極を形成する段階を含むことを特徴とする方法。 - 集積回路素子用インサイチュ・キャップの製造方法であって、
基板上に集積回路素子を形成する段階と;
前記集積回路素子上に支持層を形成する段階と;
前記集積回路素子を覆う前記支持層にキャップ構造を形成する段階と;
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項17記載の方法において、
前記キャップ構造内の支持層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする方法。 - 請求項17記載の方法において、
前記キャップ構造を形成する段階は、前記素子の周囲にキャップホールを形成する段階を含むことを特徴とする方法。 - 請求項19記載の方法において、
前記キャップ構造を形成する段階は、キャップ壁を形成するためにキャップホールルを充填する段階と、前記キャップ壁と接続された頂部を形成するために前記支持層を覆う段階と、を含むことを特徴とする方法。 - 請求項17記載の方法において、
前記キャップは、少なくとも一つのホールを有して形成され、
前記支持層を除去する段階は、前記キャップに前記ホールを介して剥離剤を導入する段階を含むことを特徴とする方法。 - 請求項17記載の方法において、
前記基板は、少なくとも一つのホールを有して形成され、
前記支持層を除去する段階は、前記基板に前記ホールを介して剥離剤を導入する段階を含むことを特徴とする方法。 - 請求項21記載の方法において、
前記キャップホールは、前記キャップを塞ぐために閉ざされていることを特徴とする方法。 - 請求項21記載の方法において、
流体添加材が、前記マイクロマシン装置を取り囲む前記キャップに前記キャップホールを介して導入されることを特徴とする方法。 - 請求項24記載の方法において、
前記キャップホールは、前記流体に対しシールされるよう閉塞されていることを特徴とする方法。 - 請求項24記載の方法において、
前記流体は架橋結合可能な材料であることを特徴とする方法。 - 請求項21記載の方法において、
ガスが、前記キャップ内部の少なくとも一つの表面を変化させるために、前記キャップ内に前記キャップホールを介して導入されることを特徴とする方法。 - 請求項24記載の方法において、
前記キャップホールは小さく、かつ
前記流体の表面張力が該流体の流出を防止することを特徴とする方法。 - 請求項17記載の方法において、
キャップを形成する段階は、前記キャップ上にコンタクトチップを形成する段階を含むことを特徴とする方法。 - 請求項29記載の方法において、
前記集積回路素子はスイッチを含み、
前記コンタクトチップは前記スイッチの端子であることを特徴とする方法。 - 請求項30記載の方法において、
キャップを形成する段階は、前記スイッチを操作するために前記キャップ上にゲート電極を形成する段階を含むことを特徴とする方法。 - インサイチュ・キャップを備えたマイクロマシン装置であって、
基板と;
前記基板上のマイクロマシン素子と;
前記基板と一体であるとともに前記装置を覆うインサイチュ・キャップと;
前記基板を介して前記キャップの下の前記素子から外部端子へ延在する少なくとも一つの導体と;
を備えることを特徴とするマイクロマシン装置。 - 請求項32記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップは流体で充填されていることを特徴とするマイクロマシン装置。 - 請求項33記載のマイクロマシン装置において、
前記流体は誘電体であることを特徴とするマイクロマシン装置。 - 請求項33記載のマイクロマシン装置において、
前記流体は架橋結合可能な材料であることを特徴とする装置。 - 請求項33記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップは、該キャップ内の少なくとも一つの表面を変化させるガスで充填されることを特徴とする装置。 - 請求項32記載のマイクロマシン装置において、
前記マイクロマシン素子はスイッチを含むことを特徴とする装置。 - 請求項32記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップはホールを含むことを特徴とする装置。 - 請求項38記載のマイクロマシン装置において、
前記マイクロマシン素子は光学装置を含み、
前記ホールは光学ポートであることを特徴とする装置。 - 請求項32記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップは接点を含むことを特徴とする装置。 - 請求項40記載のマイクロマシン装置において、
前記マイクロマシン素子はスイッチを含み、
前記接点は前記スイッチの端子であることを特徴とする装置。 - 請求項41記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップは、前記スイッチを操作するためにゲート電極を含むことを特徴とする装置。 - 請求項32記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップ内の空間は真空であることを特徴とする装置。 - インサイチュ・キャップを備えたマイクロマシン装置であって、
基板と;
前記基板上のマイクロマシン素子と;
前記基板と一体でかつ前記装置を覆うインサイチュ・キャップと;を備え、
前記マイクロマシン素子は、光学装置と、該光学装置を利用できるための光学ポートと、
を含むことを特徴とする装置。 - 請求項44記載のマイクロマシン装置において、
前記ポートは前記キャップ内にあることを特徴とする装置。 - 請求項44記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップは流体で充填されることを特徴とする装置。 - 請求項46記載のマイクロマシン装置において、
前記液体は誘電体であることを特徴とする装置。 - 請求項44記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップは接点を含むことを特徴とする装置。 - 請求項46記載のマイクロマシン装置において、
前記流体は架橋結合可能な材料であることを特徴とする装置。 - 請求項46記載のマイクロマシン装置において、
前記流体はガスであり、前記キャップ内の少なくとも一つの表面を変化させることを特徴とする装置。 - 請求項44記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップ内の空間は真空であることを特徴とする装置。 - インサイチュ・キャップを備えたマイクロマシン装置であって、
基板と;
前記基板上のマイクロマシン素子と;
前記基板と一体でかつ前記装置を覆うインサイチュ・キャップと;
前記キャップ内に配された液体と;
を備えることを特徴とする装置。 - 請求項52記載のマイクロマシン装置において、
前記液体は誘電体であることを特徴とする装置。 - 請求項52記載のマイクロマシン装置において、
前記マイクロマシン装置はスイッチを含むことを特徴とする装置。 - 請求項52記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップはホールを含むことを特徴とする装置。 - 請求項55記載のマイクロマシン装置において、
前記マイクロマシン素子は光学装置であり、
前記ホールは光学ポートであることを特徴とする装置。 - 請求項52記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップは接点を含むことを特徴とする装置。 - 請求項57記載のマイクロマシン装置において、
前記マイクロマシン素子はスイッチを含み、
前記接点は前記スイッチの端子であることを特徴とする装置。 - 請求項58記載のマイクロマシン装置において、
前記キャップは、前記スイッチを操作するためにゲート電極を含むことを特徴とする装置。 - インサイチュ・キャップを備えた集積回路装置であって、
基板と;
前記基板上の集積回路素子と;
前記基板と一体でかつ前記素子を覆うインサイチュ・キャップと;
前記基板を介して前記キャップの下の前記素子から外部端子へ延在する少なくとも一つの導体と;
を備えることを特徴とする装置。 - インサイチュ・キャップを備えた集積回路装置であって、
基板と;
前記基板上の集積回路素子と;
前記基板と一体でかつ前記素子を覆うインサイチュ・キャップと;を備え、
前記集積回路素子は、光学装置と、該光学装置を利用できるための光学ポートと、を含むことを特徴とする装置。 - インサイチュ・キャップを備えた集積回路装置であって、
基板と;
前記基板上の集積回路素子と;
前記基板と一体でかつ前記素子を覆うインサイチュ・キャップと;
前記キャップ内に配された液体と;
を備えることを特徴とする装置。
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