KR100618342B1 - 소형 구조물 및 그 제작방법 - Google Patents

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Abstract

본딩와이어를 방진수단 또는 지지수단으로 사용하는 소형 구조물 및 그 제작방법이 개시된다. 소형 구조물은 복수의 제1 접점패드를 갖는 부유체, 복수의 제2 접점패드를 갖는 기판, 및 제1 및 제2 접점패드를 전기적으로 연결하고 부유체를 기판위에서 일정간격을 두고 부유상태로 유지하도록 탄성적으로 지지하는 복수의 본딩와이어를 포함한다. 소형 구조물의 제작방법은 기판을 준비하는 단계, 기판위에 희생층을 형성하는 단계, 부유체를 희생층 위에 배치하는 단계, 기판과 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계, 및 희생층을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 별도의 방진수단 또는 지지수단을 사용하지 않고 부유체와 기판을 연결하는 본딩와이어를 방진수단 또는 지지수단으로 사용함으로써, 조립 및 제작을 쉽게 할 뿐 아니라 제작 코스트를 줄일 수 있다.
MEMS, 와이어, 부유체, 기판, 자이로스코프, 가속도계, 미러

Description

소형 구조물 및 그 제작방법{Small structure and fabrication method therefor}
도 1은 종래의 자이로스코프의 단면도.
도 2는 또 다른 종래의 자이로스코프의 분해 사시도.
도 3은 도 2에 도시한 자이로스코프의 센서부의 분해 사시도.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 소형 구조물을 구성하는 자이로스코프의 사시도.
도 5는 도 4의 선 I-I을 따라 취한 자이로스코프의 단면도.
도 6a 내지 6e는 도 4에 도시한 자이로스코프의 제작방법을 예시하는 공정도.
도 7a 및 도 7e는 도 4에 도시한 자이로스코프의 다른 제작방법을 예시하는 공정도.
도 8a 및 도 8f는 도 4에 도시한 자이로스코프의 또 다른 제작방법을 예시하는 공정도.
도 9는 본 발명의 제2실시에에 따른 소형 구조물을 구성하는 자이로스코프의 사시도.
도 10은 본 발명의 제3실시에에 따른 소형 구조물을 구성하는 가속도계의 부 분 단면도.
도 11은 본 발명의 제4실시에에 따른 소형 구조물을 구성하는 초소형 미러의 부분 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1, 1', 100, 100': 자이로스코프 2, 12: 진동자
3, 24, 110, 110', 210, 310: 회로기판 4, 22: 탄성부재
5, 130: 하우징 14: 진동편
16: 지지핀 18: 베이스
20: 리드프레임 24a: 전극패드
26: 스템 28: 리드핀
115, 115', 123, 123', 215, 223, 515, 323: 접점 패드
113, 113', 119: 회로 117: 희생층
118: 스페이서지그 120, 120', 220, 320: 부유체
121: 임시접착층 125: 부유기판
126, 311: 전극 127, 227: 질량체
140, 140', 240, 340: 본딩와이어 200: 가속도계
221: 케이스 228: 압전소자
300: 미러 325: 반사면
본 발명은 자이로스코프(Gyroscope), 가속도계, 초소형 미러 등과 같은 소형 구조물 및 그 제작방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 부유체를 갖는 소형 구조물 및 그 제작방법에 관한 것이다.
일반적으로, 자이로스코프, 가속도계, 초소형 미러 등과 같은 멤스(MEMS: Microelectromechanical system) 기술을 사용하는 소형 구조물, 예를들면, 자이로스코프는 제1 축방향으로 일정하게 진동하거나 회전하는 진동편과 같은 질량체(mass)를 구비한다. 이 질량체는 제1 축방향에 대해 직각인 제2 축방향으로 일정 각속도를 가지고 회전할 때, 제1 및 제2 축방향에 대하여 직교하는 제3 축방향으로 코리올리의 힘(Coriolis force)을 발생한다. 이러한 코리올리의 힘에 따라, 질량체는 작은 변위, 예를들면 수십 nm에서 수 nm의 변위를 발생하고, 이 변위는 정전용량(Capacitance)의 변화로 감지되어 회전각속도로 검출된다.
그러나, 이러한 자이로스코프는 통상 회전각속도 이외의 소음, 충격 등의 외란에 노출되어 사용된다. 이러한 외란이 자이로스코프에 작용할 경우, 자이로스코프의 질량체는 병진가속(Translational acceleration)에 의해 변위를 발생하게 된다. 그 결과, 병진가속에 의한 변위중 일정 성분은 질량체를 감지 방향으로 변위시키게 되고, 이로 인해 불필요한 신호가 검출된다.
따라서, 자이로스코프는 외부환경으로부터 유입된 진동, 소음 등의 외란으로부터 질량체를 절연하는 것이 필수적으로 요구되고 있다.
도 1을 참조하면, 질량체로써 진동편을 포함하는 진동자를 탄성부재를 통해 외란으로부터 방진 및 절연하는 일반적인 자이로스코프(1)가 예시되어 있다.
이 자이로스코프(1)는 진동자(2)와 회로기판(PCB;３)을 감싸는 탄성부재(4), 및 탄성부재(4)를 수용하는 하우징(5)을 구비한다.
그러나, 이러한 종래의 자이로스코프(1)에서, 탄성부재(4)는 하우징(5) 내에서 움직이지 않도록 약간 압축된 상태로 하우징(5)내에 밀봉된다. 따라서, 진동자(2)와 회로기판(3)을 감싸는 탄성부재(4)를 하우징(5) 내에 밀봉시, 탄성부재(4)에 의해 진동자(2)에 가해지는 힘이 밀봉 전후로 변화하게 되고, 이에 따라 밀봉 후 자이로스코프 출력이 변화하는 문제점이 있다.
그러므로, 자이로스코프(1)는 밀봉후 출력 조정을 위해, 하우징(5)에 출력 조정용의 홀을 설치해야 하고, 그 결과 하우징(5)은 소음 등을 절연하지 못하게 된다.
이러한 문제점을 개선하기 위하여, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 탄성부재를 하우징 내에 밀봉할 때 탄성부재에 힘을 가하지 않은 구조를 갖는 자이로스코프(1')가 제안되었다. 이러한 기술은 일본 공개특허 평14-213960호에 개시되어 있다.
이 자이로스코프(1')는 외면에 압전체로 접합된 전극을 갖는 진동편(14; 도 3)을 지지핀(16)으로 지지하는 베이스(18)를 구비한 진동자(12), 베이스(18)의 탄성 리드프레임(20)을 전극 패드(24a)에 납땜으로 고정하고 칩 형태의 전자부품이 탑재된 회로기판(24), 베이스(18)를 수용하여 베이스(18)에 소음, 진동 등이 전달되는 것을 방지하는 탄성부재(22), 및 다수개의 입출력용 리드핀(28)을 갖는 스템 (26)을 구비한다.
회로기판(24), 탄성부재(22), 및 스템(26)은 회로기판(24)과 스템(26) 사이에 탄성부재(22)를 배치하고 리드핀(28)의 일단부를 회로기판(24)의 관통 홀(24b)에 납땜하는 것에 의해 일체로 고정된다.
상부덮개(30)는 회로기판(24)과 탄성부재(22)를 밀봉하도록 스템(26)위에 용접으로 고정되어 있다.
이러한 종래의 자이로스코프(1')는 상부덮개(30)가 탄성부재(22)와 접촉하지 않기 때문에, 탄성부재(22)에 의해 보호되는 진동자(12)가 상부덮개(30)의 고정시 눌러져 변위됨으로써 고정 후 자이로스코프의 출력 변화가 발생하지 않는 장점은 있으나, 탄성부재(22)를 별도로 제작해야 하고, 또 탄성부재(22)를 설치하기 위해서는 탄성부재(22)를 회로기판(24)과 스템(26) 사이에 유지하고 리드핀(28)의 일단부를 회로기판(24)의 관통 홀(24b)에 납땜하는 별도의 공정을 필요로 하므로, 조립이 어렵고 제작 코스트가 올라가는 문제점이 있다.
또한, 종래의 자이로스코프(1')는 스템(26)에 고정된 리드핀(28)이 회로 기판(24)에 직접적으로 고정되어 있으므로, 외란이 발생할 경우 차단되지 못하고 회로 기판(26)에 바로 전달됨으로써 진동자(12)가 병진가속에 의해 변위를 발생하여 불필요한 신호를 검출하는 문제점이 있었다.
본 발명은 위와 같은 문제점을 개선하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 본딩와이어를 방진수단으로 사용하는 소형 구조물 및 그 제작방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 본딩와이어를 부유체의 지지수단으로 사용하는 소형 구조물 및 그 제작방법을 제공하는 데 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 복수의 제1 접점패드를 갖는 부유체, 복수의 제2 접점패드를 갖는 기판, 및 제1 및 제2 접점패드를 전기적으로 연결하고 부유체를 기판위에서 일정간격을 두고 부유상태로 유지하도록 탄성적으로 지지하는 복수의 본딩와이어를 포함하는 소형 구조물을 제공한다.
양호한 실시예에 있어서, 본딩와이어는 골드 또는 알루미늄으로 형성된다.
소형 구조물은, 부유체는 질량체와 질량체를 구동하는 전극을 포함하고 기판은 질량체의 동작을 제어하고 질량체의 변위를 정전용량으로 변환하는 회로를 포함하는 자이로스코프를 구성한다.
선택적으로, 소형 구조물은, 부유체는 질량체, 질량체를 구동하는 전극, 및 질량체의 동작을 제어하고 질량체의 변위를 정전용량으로 변환하는 제1 회로를 포함하고 기판은 제1 회로를 제어하는 제2 회로를 포함하는 자이로스코프를 구성할 수 있다.
또한, 소형 구조물은, 부유체는 질량체, 및 질량체의 변위를 전하로 변환하는 압전소자를 포함하고 기판은 압전소자의 전하량을 검출하는 회로를 포함하는 가속도계를 구성할 수 있다.
본 발명의 다른 실시양태에 따르면, 본 발명은 부유체, 기판, 및 부유체를 기판위에서 일정간격을 두고 부유상태로 유지하도록 탄성적으로 지지하는 복수의 본딩와이어를 포함하는 소형 구조물을 제공한다.
양호한 실시예에 있어서, 본딩와이어는 골드 또는 알루미늄으로 형성된다.
소형 구조물은, 부유체는 일면에 반사면을 형성한 전도성 판으로 구성되고 기판은 부유체와 대향하게 형성되어 전압이 인가될 때 부유체의 상응부분을 정전기력으로 끌어 당기는 복수의 전극을 포함하는 미러를 구성한다.
본 발명의 또 다른 실시양태에 따르면, 본 발명은 기판을 준비하는 단계, 기판위에 희생층을 형성하는 단계, 부유체를 희생층 위에 배치하는 단계, 기판과 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계, 및 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 소형 구조물의 제작방법을 제공한다.
양호한 실시예에 있어서, 희생층을 형성하는 단계는 부유체가 위치할 기판의 부분에 기판 보다 식각 선택비가 높은 포토 레지스트 또는 폴리머를 소정두께로 도포하는 것으로 수행된다.
희생층을 제거하는 단계는 희생층을 식각공정으로 희생층을 식각하는 것으로 수행된다.
기판과 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계는 골드 또는 알루미늄으로 형성된 본딩와이어를 사용하여 기판과 부유체를 연결하는 것으로 수행된다.
선택적으로, 희생층을 형성하는 단계는 부유체가 위치할 기판의 부분에 승화성 물질을 소정두께로 도포하는 것으로 수행될 수 있다. 승화성 물질은 피다이클로르벤젠(p-Dichlorobenzene)을 사용하는 것이 바람직하다. 이 때, 희생층을 제거하 는 단계는 승화성 물질의 희생층을 상온에서 방치하거나 승화가속조건에서 승화시키는 것으로 수행된다.
본 발명의 또 다른 실시양태에 따르면, 본 발명은 기판을 준비하는 단계, 기판위에 스페이서지그를 배치하는 단계, 부유체를 스페이서지그 위에 배치하는 단계, 기판과 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계, 및 스페이서지그를 제거하는 단계를 포함하는 소형 구조물의 제작방법을 제공한다.
양호한 실시에에 있어서, 기판위에 스페이서지그를 배치하는 단계는 부유체가 위치할 기판의 부분에 소정두께를 갖는 스페이서지그를 배치하는 것으로 수행된다.
기판과 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계는 골드 또는 알루미늄으로 형성된 본딩와이어를 사용하여 기판과 부유체를 연결하는 것으로 수행된다.
본 발명의 또 다른 실시양태에 따르면, 본 발명은 기판을 준비하는 단계, 기판위에 임시접착층을 배치하는 단계, 부유체를 임시접착층 위에 배치하는 단계, 기판과 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계, 및 부유체를 공구를 이용하여 기판으로부터 띄워 올리는 단계를 포함하는 소형 구조물의 제작방법을 제공한다.
양호한 실시예에 있어서, 기판위에 임시접착층을 배치하는 단계는, 부유체가 위치할 기판의 부분에 소정접착력을 갖는 양면 테이프를 배치하는 것으로 수행된다.
기판과 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계는 골드 및 알루미늄 중 하나로 형성된 본딩와이어를 사용하여 기판과 부유체를 연결하는 것으로 수행된다.
부유체를 공구를 이용하여 기판으로부터 띄워 올리는 단계는 진공 척을 부유체 상부에 부착시켜 진공력을 이용하여 임시접착층에 의해 기판과 접착되어 있는 부유체를 소정간극 만큼 기판으로부터 띄워 올리는 것으로 수행된다.
이하 본 발명에 따른 소형 구조물 및 그 제작방법을 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
(실시예1)
도 4은 본 발명의 제1실시예에 따른 소형 구조물을 구성하는 자이로스코프(100)를 도시한다.
이 자이로스코프(100)는 부유체(120), 회로기판(110), 부유체(120)와 회로기판(110)을 서로 연결하는 복수의 본딩와이어(140), 및 하우징(130)를 포함한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 부유체(120)는 회로기판(110)에서 부터 소정 간극, 예를들면 수 ㎛에서 수 mm 범위의 간극을 두고 있는 부유기판(125), 부유기판(125)에 플로우팅된 복수의 진동자 또는 질량체(127), 및 질량체(127)와 전기적으로 연결되고 제1 접점패드(123)를 갖는 복수의 전극(126)을 구비한다. 이러한 부유체(120)의 구성은 일반적으로 공지되어 있으므로, 상세한 설명은 생략한다.
회로기판(110)은 본딩와이어(140)를 통해 전극(126)의 제1 접점패드(123)와 연결된 복수의 제2 접점패드(115), 및 질량체(127)의 구동을 제어하고 질량체(127)의 변위를 정전용량으로 변환하여 각속도를 산출하는 회로(113)를 구비한다.
본딩와이어(140)는 제1 및 제2 접점패드(123, 115)에 본딩되어 부유체(120)와 회로기판(110)을 전기적으로 연결하는 역할, 및 부유체(120)를 회로기판(110)위 에서 수 ㎛에서 수 mm 범위의 간극을 두고 부유상태로 유지하도록 지지하여 각속도를 측정하고자 하는 대상물(도시하지 않음)에서 발생하는 충격, 진동 등과 같은 외란으로부터 부유체(120)를 방진 및 절연하는 방진수단의 역할을 한다.
본딩와이어(140)는 골드, 알루미늄과 같은 전기전도성을 갖는 재료로 형성된다.
본딩와이어(140)의 굵기는 부유체(120)의 무게를 지지함과 동시에 외란을 방진 및 절연할 수 있도록 부유체(120)를 지지하는 본딩 와이어(140)의 전체 가닥수를 감안하여 수 ㎛에서 수십 ㎛ 범위의 굵기로 선택된다.
하우징(130)은 회로기판(110)의 상부에 배치되어, 회로기판(110)의 상면에 배치된 부유체(120), 회로(113), 및 본딩 와이어(140)를 밀폐한다.
이와 같이, 본 발명의 제1실시예의 자이로스코프(100)는 충격, 진동 등과 같은 외란이 회로기판(110)에 전달될 때 본딩와이어(140)가 외란을 흡수함으로써 부유체(120)의 질량체(127)에 외란이 전달되지 않으며, 이에 따라 외란에 영향을 받지 않고 각속도를 검출할 수 있다.
이상과 같이 구성된 본 발명의 제1실시예의 자이로스코프(100)의 제작방법을 도 6a 내지 도 6e를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 6a에 도시한 바와같이, 제2 접점패드(115)와 회로(113; 도 4)가 형성된 회로기판(110)이 준비된다.
이어서, 도 6b에 도시한 바와 같이, 회로기판(110)위에 희생층(117)이 형성된다. 희생층(117)은 부유체(120)가 위치할 회로기판(110)의 부분에 회로기판(110) 보다 식각 선택비가 높은 포토 레지스트 또는 폴리머를 소정두께, 예를들면 수 ㎛에서 수 mm 범위의 두께로 도포하는 것에 의해 형성된다.
이 때, 부유체(120)가 위치할 회로기판(110)의 부분 이외의 부분은 마스킹되므로, 희생층이 형성되지 않으며, 희생층(117)의 두께는 추후 기판(110)과 부유체(120) 사이의 간극이 된다.
선택적으로, 희생층(117)은 부유체(120)가 위치할 회로기판(110)의 부분에 승화성 물질을 소정온도로 가열하여 수 ㎛에서 수 mm 범위의 두께로 도포하는 것으로 형성될 수 있다. 이 때, 승화성 물질은 소정온도로 가열될 때 액체로 변하고 상온에서 고체로 변하는 피다이클로르벤젠(p-Dichlorobenzene)을 사용하는 것이 바람직하다.
그 다음, 도 6c에 도시한 바와 같이, 미리 준비된 부유체(120)가 희생층(117)위에 배치된다.
그리고, 도 6d에 도시한 바와 같이, 본딩와이어(140)가 납땜 등에 의해 부유체(120)의 제1 점점패드(123)와 회로기판(110)의 제2 접점패드(115)에 본딩된다. 이 때, 본딩와이어(140)는 골드 또는 알루미늄으로 형성된 수 ㎛에서 수십 ㎛ 범위의 굵기를 갖는 와이어가 사용된다.
그 후, 희생층(117)은 건식 또는 습식 식각공정에 의해 제거된다.
이 때, 희생층(117)이 승화성 물질로 형성된 경우, 희생층(117)은 별도의 공정없이 상온에서 소정시간 방치하거나 소정의 승화가속조건에서 기체로 승화시키는 것에 의해 제거된다.
그 후, 회로기판(110)위에 하우징(130)을 위치시키고, 나사 또는 접착제 등과 가튼 고정수단으로 고정시키면, 자이로스코프(100)의 제작은 완료된다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 제1실시예의 자이로스코프(100)의 다른 제작방법의 프로세스를 도시한다.
이 방법은 부유체(120)를 회로기판(110)으로부터 소정 간극으로 이격시키기 위해 희생층(117) 대신 스페이서지그(118)를 사용하는 것을 제외하고는 도 6a 내지 도 6e을 참조하여 설명한 자이로스코프(100)의 제작방법과 동일한다.
보다 상세히 설명하면, 먼저, 도 7a에 도시한 바와같이, 제2 접점패드(115)와 회로(113; 도4)가 형성된 회로기판(110)이 준비된다.
이어서, 도 7b에 도시한 바와 같이, 부유체(120)가 위치할 회로기판(110)의 부분 위에 스페이서지그(118)가 배치된다. 스페이스지그(118)는 소정두께, 예를들면 수 ㎛에서 수 mm 범위의 두께를 가지며, 이 두께는 추후 회로기판(110)과 부유체(120) 사이의 간극이 된다.
그 다음, 도 7c에 도시한 바와 같이, 미리 준비된 부유체(120)가 스페이스지그(118)위에 배치된다.
그리고, 도 7d에 도시한 바와 같이, 본딩와이어(140)가 납땜 등에 의해 부유체(120)의 제1 점점패드(123)와 기판(110)의 제2 접점패드(115)에 본딩된다. 이 때, 본딩와이어(140)는 골드 또는 알루미늄으로 형성된 수 ㎛에서 수십 ㎛ 범위의 굵기를 갖는 와이어가 사용된다.
이어서, 스페이스지그(118)는 회로기판(110)으로부터 제거된다.
그 후, 회로기판(110)위에 하우징(130)을 위치시키고, 나사 또는 접착제 등과 같은 고정수단으로 고정시키면, 자이로스코프(100)의 제작은 완료된다.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 제1실시예의 자이로스코프(100)의 또 다른 제작방법의 프로세스를 도시한다.
이 방법은 부유체(120)를 회로기판(110)으로부터 소정 간극으로 이격시키기 위해 희생층(117) 또는 스페이서지그(118)를 사용하는 대신, 진공척과 같은 공구(도시하지 않음)를 사용하여 본딩와이어(140)에 의해 회로기판(110)에 연결된 부유체(120)를 회로기판(110)으로부터 띄워 올리는 것을 제외하고는 도 6a 내지 도 7e을 참조하여 설명한 자이로스코프(100)의 제작방법과 동일한다.
보다 상세히 설명하면, 먼저, 도 8a에 도시한 바와같이, 제2 접점패드(115)와 회로(113; 도4)가 형성된 회로기판(110)이 준비된다.
이어서, 도 8b에 도시한 바와 같이, 부유체(120)가 위치할 회로기판(110)의 부분 위에 양면 테이프와 같은 임시접착층(121)이 부착된다.
그 다음, 도 8c에 도시한 바와 같이, 미리 준비된 부유체(120)가 임시접착층(121) 위에 부착된다.
그리고, 도 8d에 도시한 바와 같이, 본딩와이어(140)가 납땜 등에 의해 부유체(120)의 제1 점점패드(123)와 기판(110)의 제2 접점패드(115)에 본딩된다. 이 때, 본딩와이어(140)는 골드 또는 알루미늄으로 형성된 수 ㎛에서 수십 ㎛ 범위의 굵기를 갖는 와이어가 사용된다.
이어서, 도 8e에 도시한 바와 같이, 부유체(120)는 진공척과 같은 공구에 의 해 소정간극, 예를들면 수 ㎛에서 수 mm 범위의 간극만큼 기판(110)으로부터 띄워 올려진다. 이 때, 진공 척은 부유체(120) 상부에 부착되어 진공력을 이용하여 부유체(120)를 기판(110)으로부터 이격시킨다.
그 다음, 임시접착층(121)는 회로기판(110)으로부터 제거된다.
그 후, 회로기판(110)위에 하우징(130)을 위치시키고, 나사 또는 접착제 등과 같은 고정수단으로 고정시키면, 자이로스코프(100)의 제작은 완료된다.
(실시예2)
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따른 소형 구조물을 구성하는 자이로스코프(100')를 도시한다.
이 자이로스코프(100')는 부유체(120')와 회로기판(110')을 제외하고는 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 제1 실시예의 자이로스코프(100)의 구성과 동일하다, 따라서, 부유체(120')와 회로기판(110')을 제외한 구성부분의 설명은 생략하기로 한다.
부유체(120')는 회로기판(110')에서 부터 소정 간극, 예를들면 수 ㎛에서 수 mm 범위의 간극을 두고 있는 부유기판(도시하지 않음), 부유기판에 플로우팅된 복수의 질량체(도시하지 않음), 질량체와 전기적으로 연결되고 제1 접점패드(123')를 갖는 복수의 전극(도시하지않음), 및 질량체의 구동을 제어하고 질량체의 변위를 정전용량으로 변환하여 각속도를 산출하는 회로(113')를 구비한다.
회로기판(110')은 본딩와이어(140')를 통해 제1 접점패드(123')와 연결되는 제2 접점패드(115')구비하고 부유체(120')의 회로(113')를 제어하는 메인회로(119) 를 구비한다.
이상과 같이 구성된 제2 실시예의 자이로스코프(100')는 제1 실시예의 자이로스코프(100)와 마찬가지로, 진동 등과 같은 외란이 기판(110')에 전달될 때, 본딩와이어(140')가 외란을 흡수함으로써 부유체(120')에 외란이 전달되지 않으며, 이에 따라 외란에 영향을 받지 않고 각속도를 검출할 수 있다.
제2 실시예의 자이로스코프(100')의 제작방법은 도 6a 내지 도 8f를 참조하여 설명한 제1 실시예의 자이로스코프(100)의 제작방법과 실질적으로 동일하므로, 여기서 상세한 설명은 생략한다.
(실시예3)
도 10은 본 발명의 제3실시예에 따른 소형 구조물을 구성하는 가속도계(200)를 도시한다.
이 가속도계(200)는 부유체(220), 기판(210), 부유체(220)와 회로기판(210)을 서로 연결하는 복수의 본딩와이어(240), 및 하우징(230)를 포함한다.
부유체(220)는 질량체(227), 질량체(227)를 탄성적으로 지지하는 스프링(225), 질량체(227)의 변위에 따라 압축 및 이완되도록 배치된 압전소자(228), 및 상부에 압전소자(228)와 연결된 복수의 제1 접접패드(223)를 갖는 케이스(221)를 구비한다. 압전소자(228)는 질량체(227)의 변위에 따라 압축 및 이완될 때 전하를 발생한다.
회로기판(210)은 본딩와이어(240)를 통해 제1 접접패드(223)와 연결된 제2 접접패드(215), 및 압전소자(228)의 압축 및 이완에 따라 발생된 전하의 변화를 검 출하는 회로(도시하지 않음)를 구비한다.
본딩와이어(240)는 제1 및 제2 접점패드(223, 215)에 본딩되어 부유체(220)와 기판(210)을 전기적으로 연결하는 역할, 및 부유체(220)를 회로기판(210)위에서 수 ㎛에서 수 mm 범위의 간극을 두고 부유상태로 유지하도록 지지하여 충격, 진동 등과 같은 외란으로부터 부유체(220)를 방진 및 절연하는 방진수단의 역할을 한다.
본딩와이어(240)는 제1 실시예의 자이로스코프(100)와 마찬가지로, 골드, 알루미늄과 같은 전기전도성을 갖는 재료로 형성되고, 굵기는 부유체(220)의 무게를 지지함과 동시에 외란을 방진 및 절연할 수 있도록, 본딩 와이어(240)의 전체 가닥수에 따라 수 ㎛에서 수십 ㎛ 범위의 굵기로 선택된다.
하우징(230)은 회로기판(210)의 상부에 배치되어, 기판(210)의 상면에 배치된 부유체(220), 및 본딩 와이어(240)를 밀폐한다.
이와 같이 구성된 제3실시예의 가속도계(200)는 제1 실시예의 자이로스코프(100)와 마찬가지로, 충격, 진동 등과 같은 외란이 기판(210)에 전달될 때, 본딩와이어(240)가 외란을 흡수함으로써 부유체(220)에 외란이 전달되지 않으며, 이에 따라 외란에 영향을 받지 않고 가속도를 검출할 수 있다.
제3 실시예의 가속도계(200)의 제작방법은 도 6a 내지 도 8f를 참조하여 설명한 제1 실시예의 자이로스코프(100)의 제작방법과 실질적으로 동일하므로, 여기서 상세한 설명은 생략하기로 한다.
(실시예4)
도 11은 본 발명의 제4실시예에 따른 소형 구조물을 구성하는 초소형 미러 (300)를 도시한다. 이러한 초소형 미러(300)는 정보를 읽어 들이는 정밀 광학기기의 헤드에 설치되어 빛을 반사하는데 사용된다.
초소형 미러(300)는 부유체(320), 회로기판(310), 부유체(320)와 기판(310)을 서로 연결하는 복수의 본딩와이어(340)를 포함한다.
부유체(320)는 상면에 반사면(325)을 형성한 전도성 판(321)으로 구성된다.
회로기판(310)은 부유체(220)와 대향하게 형성되어 전압이 인가될 때 부유체(220)의 상응부분을 정전기력으로 끌어 당기도록 배치된 복수의 금속전극(311), 및 금속전극(311)에 대한 전압인가를 제어하는 회로(도시하지 않음)를 포함한다.
본딩와이어(340)는 부유체(320)의 제1 본딩패드(323)와 회로기판(310)의 제2 본딩패드(315)에 본딩되어 부유체(320)와 회로기판(310)을 서로 연결함으로써 부유체(320)를 회로기판(310)위에서 수 ㎛에서 수 mm 범위의 간극을 두고 부유상태로 탄성적으로 지지하는 지지수단의 역할을 한다.
본딩와이어(340)는 제1 실시예의 자이로스코프(100)와 마찬가지로, 골드, 알루미늄과 같은 전기전도성을 갖는 재료로 형성되고, 굵기는 부유체(320)의 무게를 지지하고 금속전극(311)에 인가되는 전압에 의해 발생하는 정전기력에 의해 벤딩되어 부유체(320)를 좌우 또는 상하로 요동시킬 수 있도록, 본딩 와이어(340)의 전체 가닥수에 따라 수 ㎛에서 수십 ㎛ 범위의 굵기로 선택된다.
이와 같이 구성된 제4 실시예의 초소형 미러(300)는 각각의 금속전극(311)에 인가되는 전압에 따라 부유체(320)의 상응부분을 좌우 또는 상하로 끌어당겨 부유체(320)를 요동시킴으로써 부유체(320)의 반사면(325)이 빛을 반사하게 한다.
이와 같이 구성된 제4 실시예의 초소형 미러(300)의 제작방법은 도 6a 내지 도 8f를 참조하여 설명한 제1 실시예의 자이로스코프(100)의 제작방법과 실질적으로 동일하므로, 여기서 상세한 설명은 생략한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 소형 구조물 및 그 제작방법은 별도의 방진수단 또는 지지수단을 사용하지 않고 부유체와 기판을 연결하는 본딩와이어를 방진수단 또는 지지수단으로 사용함으로써, 별도의 탄성부재를 제작 및 조립하는 공정 등이 생략되어 조립 및 제작이 쉬우며, 그에 따라 제작 코스트를 절감할 수 있다.
이상에서, 본 발명의 특정한 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구의 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든지 다양한 수정과 변형실시가 가능할 것이다.

Claims (22)

  1. 복수의 제1 접점패드를 갖는 부유체;
    복수의 제2 접점패드를 갖는 기판; 및
    상기 제1 및 제2 접점패드를 전기적으로 연결하고 상기 부유체를 상기 기판위에서 일정간격을 두고 부유상태로 유지하도록 탄성적으로 지지하는 복수의 본딩와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 본딩와이어는 골드 및 알루미늄 중 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 소형 구조물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 소형 구조물은 자이로스코프이며;
    상기 부유체는 질량체와 상기 질량체를 구동하는 전극을 포함하고, 상기 기판은 상기 질량체의 동작을 제어하고 상기 질량체의 변위를 정전용량으로 변환하는 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 소형 구조물은 자이로스코프이며;
    상기 부유체는 질량체, 상기 질량체를 구동하는 전극, 및 상기 질량체의 동작을 제어하고 상기 질량체의 변위를 정전용량으로 변환하는 제1 회로를 포함하고, 상기 기판은 제1 회로를 제어하는 제2 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 소형 구조물은 가속도계이며,
    상기 부유체는 질량체, 및 상기 질량체의 변위를 전하로 변환하는 압전소자 를 포함하고, 상기 기판은 상기 압전소자의 전하량을 검출하는 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물.
  6. 부유체;
    기판; 및
    상기 부유체를 상기 기판위에서 일정간격을 두고 부유상태로 유지하도록 탄성적으로 지지하는 복수의 본딩와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 본딩와이어는 골드 및 알루미늄 중 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 소형 구조물.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 소형 구조물은 미러이고,
    상기 부유체는 일면에 반사면을 형성한 전도성 판을 포함하고, 상기 기판은 상기 부유체와 대향하게 형성되어 전압이 인가될 때 상기 부유체의 상응부분을 정전기력으로 끌어 당기는 복수의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물.
  9. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판위에 희생층을 형성하는 단계;
    부유체를 상기 희생층 위에 배치하는 단계;
    상기 기판과 상기 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계; 및
    상기 희생층을 제거하여 상기 부유체가 상기 본딩와이어에 의해 상기 기판위에서 일정간격을 두고 부유상태로 유지되도록 상기 부유체를 탄성적으로 지지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 희생층을 형성하는 단계는 상기 부유체가 위치할 상기 기판의 부분에 상기 기판 보다 식각 선택비가 높은 포토 레지스트 및 폴리머 중 하나를 소정두께로 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 희생층을 제거하는 단계는 상기 희생층을 식각공정으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 기판과 상기 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계는 골드 및 알루미늄 중 하나로 형성된 본딩와이어를 사용하여 상기 기판과 상기 부유체를 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 희생층을 형성하는 단계는 상기 부유체가 위치할 상기 기판의 부분에 승화성 물질을 소정두께로 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 승화성 물질은 피다이클로르벤젠을 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 희생층을 제거하는 단계는 상기 승화성 물질의 상기 희생층을 상온에서 방치하여 승화시키는 단계, 및 상기 승화성 물질의 상기 희생층을 소정의 승화가속조건에서 승화시키는 단계 중 한 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  16. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판위에 스페이서지그를 배치하는 단계;
    부유체를 상기 스페이서지그 위에 배치하는 단계;
    상기 기판과 상기 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계; 및
    상기 스페이서지그를 제거하여 상기 부유체가 상기 본딩와이어에 의해 상기 기판위에서 일정간격을 두고 부유상태로 유지되도록 상기 부유체를 탄성적으로 지지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 기판위에 상기 스페이서지그를 배치하는 단계는 상기 부유체가 위치할 상기 기판의 부분에 소정두께를 갖는 스페이서지그를 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 기판과 상기 부유체를 상기 본딩와이어로 연결하는 단계는 골드 및 알루미늄 중 하나로 형성된 본딩와이어를 사용하여 상기 기판과 상기 부유체를 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  19. 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판위에 임시접착층을 배치하는 단계;
    부유체를 상기 임시접착층 위에 배치하는 단계;
    상기 기판과 상기 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계; 및
    상기 부유체를 공구를 이용하여 기판으로부터 띄워 올려서 상기 부유체가 상기 본딩와이어에 의해 상기 기판위에서 일정간격을 두고 부유상태로 유지되도록 상기 부유체를 탄성적으로 지지시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 기판위에 임시접착층을 배치하는 단계는, 상기 부유체가 위치할 상기 기판의 부분에 소정접착력을 갖는 양면 테이프를 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  21. 제19항에 있어서, 상기 기판과 상기 부유체를 본딩와이어로 연결하는 단계는 골드 및 알루미늄 중 하나로 형성된 본딩와이어를 사용하여 상기 기판과 상기 부유체를 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
  22. 제19항에 있어서, 상기 부유체를 상기 공구를 이용하여 상기 기판으로부터 띄워 올리는 단계는 진공 척을 상기 부유체 상부에 부착시켜 진공력을 이용하여 상기 임시접착층에 의해 상기 기판과 접착되어 있는 상기 부유체를 소정간극 만큼 상기 기판으로부터 띄워 올리는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 소형 구조물의 제작방법.
KR1020040059969A 2004-07-29 2004-07-29 소형 구조물 및 그 제작방법 KR100618342B1 (ko)

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100787217B1 (ko) 2006-07-10 2007-12-21 삼성전자주식회사 Ｍｅｍｓ 구조물 및 그 제조방법
US8569850B2 (en) * 2006-10-11 2013-10-29 Sensfab Pte Ltd Ultra low pressure sensor
US20080285250A1 (en) * 2007-05-15 2008-11-20 Honeywell International, Inc. Packaging assembly for an optical chip in a gyroscopic unit
JP2010190706A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Panasonic Corp 慣性力センサ
US8387238B2 (en) * 2009-06-14 2013-03-05 Jayna Sheats Processes and structures for IC fabrication
US20110042137A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Honeywell International Inc. Suspended lead frame electronic package
WO2011021886A2 (en) 2009-08-21 2011-02-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Device capable of notifying operation state change thereof through network and communication method of the device
US9059344B2 (en) * 2009-08-24 2015-06-16 Shih-Ping Bob Wang Nanowire-based photovoltaic energy conversion devices and related fabrication methods
US9393590B2 (en) 2012-04-16 2016-07-19 Temple University—Of the Commonwealth System of Higher Education Self-assembly of small structures
KR101423528B1 (ko) * 2012-06-04 2014-08-13 한국항공우주연구원 동요 안정화 자이로스코프
CN105668507A (zh) * 2016-01-22 2016-06-15 中国科学院地质与地球物理研究所 Mems芯片的封装结构及封装方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6269537A (ja) 1985-09-24 1987-03-30 Hitachi Ltd 半導体装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5917707A (en) * 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US5313835A (en) * 1991-12-19 1994-05-24 Motorola, Inc. Integrated monolithic gyroscopes/accelerometers with logic circuits
US6835898B2 (en) * 1993-11-16 2004-12-28 Formfactor, Inc. Electrical contact structures formed by configuring a flexible wire to have a springable shape and overcoating the wire with at least one layer of a resilient conductive material, methods of mounting the contact structures to electronic components, and applications for employing the contact structures
JPH10232132A (ja) * 1997-02-20 1998-09-02 Murata Mfg Co Ltd 振動ジャイロ
KR100276429B1 (ko) * 1998-09-07 2000-12-15 정선종 미소 진공 구조체의 제작방법
KR100343211B1 (ko) * 1999-11-04 2002-07-10 윤종용 웨이퍼 레벨 진공 패키징이 가능한 ｍｅｍｓ의 구조물의제작방법
US6465280B1 (en) 2001-03-07 2002-10-15 Analog Devices, Inc. In-situ cap and method of fabricating same for an integrated circuit device
JP4852216B2 (ja) * 2002-01-30 2012-01-11 セイコーエプソン株式会社 振動型ジャイロスコープ
JP4305623B2 (ja) * 2002-03-13 2009-07-29 セイコーエプソン株式会社 振動子および振動型ジャイロスコープ
JP4389480B2 (ja) * 2003-05-28 2009-12-24 セイコーエプソン株式会社 振動子の支持機構及び振動子ユニット
JP3966237B2 (ja) * 2003-06-19 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス、圧電デバイスを搭載した電子機器
JP3864952B2 (ja) * 2003-12-01 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 振動子デバイス及びそれを備えた電子機器並びに振動子デバイスの製造方法
US7115436B2 (en) * 2004-02-12 2006-10-03 Robert Bosch Gmbh Integrated getter area for wafer level encapsulated microelectromechanical systems
JP4381354B2 (ja) * 2004-09-10 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 振動子の支持構造および物理量測定装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6269537A (ja) 1985-09-24 1987-03-30 Hitachi Ltd 半導体装置

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